CN106057718B - 被加工物的切削加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种被加工物的切削加工方法，能够对被加工物适当地进行切削加工。被加工物(11)的切削加工方法包括：贴附工序，在被加工物的正面(11a)或背面(11b)贴附粘结带(15)；涂布工序，向支承部件(17)的正面(17a)或背面(17b)涂布液状的树脂(19)；按压工序，在以使得树脂与粘结带相接的方式将被加工物重叠于支承部件上的状态下，按压被加工物或支承部件；固定工序，使树脂硬化而将被加工物固定于该支承部件；以及切削工序，利用切削刀具(38)对固定于支承部件上的被加工物进行切削加工。

Description

被加工物的切削加工方法
技术领域
本发明涉及在对板状的被加工物进行切削加工时使用的被加工物的切削加工方法。
背景技术
在以移动电话为代表的各种电子设备中，组装入具有IC、LSI等的电子回路(器件)的半导体芯片。如下得到半导体芯片，例如由多条分割预定线(切割线)划分由硅等的半导体材料构成的晶片的正面，在各区域形成了器件后，沿着分割预定线对晶片进行切削加工。
上述晶片所代表的板状的被加工物例如隔着粘结带而被吸引、保持于卡盘台上，并且在被保持的状态下被切削加工。然而，这种被加工物未必足够平坦。因此，有时无法适当地通过卡盘台吸引、保持被加工物。
针对该问题，提出了一种在能够通过卡盘台吸引、保持的平坦性较高的支承部件上固定被加工物的方法(例如，参照专利文献1)。在这种方法中，隔着紫外线硬化型树脂将被加工物固定于支承部件上，从而能够利用卡盘台吸引、保持平坦性较低的被加工物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-155298号公报
然而，在上述的方法中利用切削刀具对固定于支承部件上的被加工物进行切削加工时，例如被切断的半导体芯片可能会从紫外线硬化型树脂上脱落并飞散。
发明内容
本发明就是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供能够对被加工物适当地进行切削加工的被加工物的切削加工方法。
本发明的一个方面提供一种被加工物的切削加工方法，其特征在于，包括：贴附工序，在被加工物的正面或背面贴附粘结带；涂布工序，向支承部件的正面或背面涂布液状的树脂；按压工序，在以使得该树脂与该粘结带相接的方式将该被加工物重叠于该支承部件上的状态下，按压该被加工物或该支承部件；固定工序，使该树脂硬化而将该被加工物固定于该支承部件；以及切削工序，利用切削刀具对固定于该支承部件上的该被加工物进行切削加工。
此外，本发明的另一个方面提供一种被加工物的切削加工方法，其特征在于，包括：贴附工序，在被加工物的正面或背面贴附粘结带；涂布工序，向贴附于被加工物上的该粘结带涂布液状的树脂；按压工序，在以使得支承部件的正面或背面与该树脂相接的方式将该被加工物重叠于该支承部件上的状态下，按压该被加工物或该支承部件；固定工序，使该树脂硬化而将该被加工物固定于该支承部件；以及切削工序，利用切削刀具对固定于该支承部件上的该被加工物进行切削加工。
上述本发明中，优选为，作为上述树脂，使用紫外线硬化型树脂，该紫外线硬化型树脂利用紫外线而硬化。
发明的效果
在本发明的被加工物的切削加工方法中，在被加工物的正面或背面贴附粘结带，向支承部件的正面或背面涂布液状的树脂，在以使得树脂与粘结带相接的方式将被加工物重叠于支承部件上的状态下，按压被加工物或支承部件，此后使树脂。或者，在被加工物的正面或背面贴附粘结带，向贴附于被加工物上的粘结带涂布液状的树脂，在以使得支承部件的正面或背面与树脂相接的方式将被加工物重叠于支承部件上的状态下，按压被加工物或支承部件，此后使树脂硬化。
即，被加工物隔着粘结带和树脂而固定于支承部件，因此通过使用具备充足的粘结力的粘结带，在树脂的粘结力较低的情况下也能够防止被加工物的剥离。这样，根据本发明的被加工物的切削加工方法，能够对被加工物适当地切削加工。
附图说明
图1的(A)是示意性表示贴附工序的剖视图，图1的(B)是示意性表示涂布工序的剖视图，图1的(C)是示意性表示按压工序的局部截面侧视图。
图2是示意性表示在按压工序和固定工序中使用的按压固定装置的立体图。
图3的(A)是示意性表示固定工序的局部截面侧视图，图3的(B)是示意性表示切削工序的局部截面侧视图。
标号说明
11：被加工物，11a：正面，11b：背面，13：器件，15：粘结带，17：支承部件，17a：正面，17b：背面，19：树脂(紫外线硬化型树脂)，2：按压固定装置，4：基台，6：升降台，8：光源，10：闸门，12：滤片，14：排气管，16：支承结构，16a：柱部，16b：遮挡部，18：按压机构，20：主杆，22：副杆，24：按压板，32：切削装置，34：切削组件，36：主轴，38：切削刀具。
具体实施方式
参照附图，说明本发明的实施方式。本实施方式的器件封装的制造方法包括贴附工序(参照图1的(A))、涂布工序(参照图1的(B))、按压工序(参照图1的(C)和图2)、固定工序(参照图2和图3的(A))和切削工序(参照图3的(B))。
在贴附工序中，在被加工物上贴附粘结带。在涂布工序中，向支承部件涂布液状的树脂。在按压工序中，以使得树脂与粘结带相接的方式重叠支承部件和被加工物，按压被加工物。在固定工序中，使树脂硬化而将被加工物固定于支承部件。在切削工序中，利用切削刀具对固定于支承部件上的被加工物进行切削加工。以下，详细描述本实施方式的被加工物的切削加工方法。
在本实施方式的器件封装的制造方法中，首先实施在被加工物上贴附粘结带的贴附工序。图1的(A)是示意性表示贴附工序的剖视图。被加工物11例如是由硅等的半导体材料构成的圆形的晶片，其正面11a侧被划分为中央的器件区域和包围器件区域的外周剩余区域。
器件区域由呈格子状排列的分割预定线(切割线)进一步划分为多个区域，在各区域形成有IC、LSI等的器件13。如图1的(A)等所示，在本实施方式的被加工物11的背面11b侧形成有微小的起伏(凹凸)。在本实施方式的贴附工序中，在该被加工物11的背面11b侧贴附粘结带15。
粘结带15例如具有由树脂等的材料构成的膜状的基材。在基材的一侧的面设有对于被加工物11的背面11b具备充足的粘结力的粘结层。在贴附工序中，将该粘结带15的粘结层侧紧密贴合于被加工物11的背面11b。由此，如图1的(A)所示，能够将粘结带15贴附于被加工物11。
另外，在本实施方式的贴附工序中，将在单面设置有粘结层的粘结带15贴附于被加工物11上，也可以将在两面设置有粘结层的粘结带(所谓的双面胶带)贴附于被加工物11上。此外，在后述的切削工序中希望被从背面11b侧对加工物11进行切削加工等的情况下，可以在被加工物11的正面11a贴附粘结带15。
在贴附工序之后，实施向支承部件涂布液状的树脂的涂布工序。图1的(B)是示意性表示涂布工序的剖视图。支承部件17例如是由硼酸玻璃、石英玻璃、氧化铝等的材料构成的圆形的晶片，使在后面的固定工序中使用的紫外线(紫外光)透过。支承部件17的正面17a和背面17b形成为大致平坦。
在本实施方式的涂布工序中，向支承部件17的正面17a涂布利用紫外线而硬化的液状的树脂(紫外线硬化型树脂)19。具体而言，如图1的(B)所示，向支承部件17的正面17a的中央附近滴落树脂19。另外，树脂19也可以涂布于背面17b。
在涂布工序之后，实施以使得树脂19与粘结带15相接的方式重叠支承部件17与被加工物11，按压被加工物11的按压工序。图1的(C)是示意性表示按压工序的局部截面侧视图，图2是示意性表示在按压工序和此后的固定工序中使用的按压固定装置的立体图。
如图2所示，按压固定装置2具有在内部具有空间的长方体状的基台4。在基台4的上部配置有以封闭内部的空间的方式而具有大致平坦的上面的升降台6。升降台6例如由硼酸玻璃、石英玻璃、氧化铝等构成，使紫外线(紫外光)透过。该升降台6的上表面成为对支承部件17进行支承的支承面。
在升降台6的下方配置有放射紫外线的光源8。在升降台6与光源8之间设置有切断来自光源8的紫外线的闸门10。此外，在闸门10的上方配置有例如切断树脂19的硬化所不需要的波长的光的滤片12。
在将闸门10完全关闭时，来自光源8的紫外线会被闸门10遮挡，不会到达升降台6。另一方面，如果打开闸门10，则来自光源8的紫外线会透过滤片12和升降台6而照射在支承部件17上。
在基台4的侧壁设有与内部的空间相连的排气管14。该排气管14在基台4的外部与排气泵(未图示)等连接。在光源8的光使得基台4的内部温度上升时，升降台6发生变形而使得支承面的平坦性降低。于是，通过与排气管14连接的排气泵等对基台4的内部排气，抑制温度上升。
在与升降台6相邻的位置处设置有支承结构16。支承结构16包括从基台4向上方伸长的柱部16a、以及从柱部16a的上端沿水平方向伸展的遮挡部16b。遮挡部16b的中央设置有朝下按压被加工物11的按压机构18。
按压机构18包括在铅直方向上伸长的中央的主杆20和与主杆20平行配置的多根(本实施方式中为4根)副杆22。多个副杆22以包围主杆20的方式大致等间隔配置。在主杆20和多个副杆22的下端固定有与被加工物11的形状对应的圆盘状的按压板24。
主杆20和多个副杆22分别与包含马达等的升降机构(未图示)连结。通过该升降机构使主杆20和多个副杆22下降，从而能够利用按压板24向下按压被加工物11的正面11a侧以施加压力。另外，该升降机构能够使主杆20和多个副杆22独立升降，以调整施加给被加工物11的压力。
在按压工序中，首先，以使升降台6的支承面与支承部件17的背面17b接触的方式，将支承部件17放置于升降台6上。然后，以使得树脂19与粘结带15相接的方式，将被加工物11重叠于支承部件17上。
此后，如图1的(C)所示，使按压板24下降，对被加工物11施加朝下的压力。由此，在支承部件17的正面17a与被加工物11的背面11b(粘结带15)之间，能够使树脂19均匀延展。在使树脂19均匀延展后，使按压板24上升。
在按压工序之后，实施使树脂19硬化而将被加工物11固定于支承部件17上的固定工序。图3的(A)是示意性表示固定工序的局部截面侧视图。在固定工序中，如图3的(A)所示，在从光源8放射出紫外线的状态下打开闸门10(图2)。
在打开闸门10时，来自光源8的紫外线透过滤片12和升降台6而照射在支承部件17上。支承部件17由可透过紫外线的材质构成，因此树脂19利用透过支承部件17的紫外线而硬化。由此，能够将被加工物11固定于支承部件17。
在固定工序之后，实施利用切削刀具对固定于支承部件17上的被加工物11进行切削加工的切削工序。图3的(B)是示意性表示切削工序的局部截面侧视图。切削工序例如通过图3的(B)所示的切削装置32实施。
切削装置32具有保持支承部件17的背面17b侧的卡盘台(未图示)。卡盘台与包含马达等的旋转机构(未图示)连结，并且绕大致平行于铅直方向的旋转轴旋转。此外，在卡盘台的下方设置有移动机构(未图示)，卡盘台通过该移动机构在水平方向移动。
卡盘台的上表面成为保持支承部件17的背面17b侧的保持面。在该保持面上通过形成于卡盘台的内部的流路等而作用有吸引源的负压，并且会产生用于吸引支承部件17的吸引力。
在卡盘台的上方配置有切削组件34。切削组件34具有被支承于升降机构(未图示)上的主轴外壳(未图示)。在主轴外壳的内部收纳有与包含马达等的旋转机构(未图示)连结的主轴36。
主轴36利用从旋转机构传递来的旋转力而绕大致平行于水平方向的旋转轴进行旋转，且通过升降机构与主轴外壳一起升降。此外，主轴36的一端部在主轴外壳的外部露出。在该主轴36的一端部安装有圆环状的切削刀具38。
在切削工序中，使支承部件17的背面17b接触卡盘台的保持面，使吸引源的负压产生作用。由此，被加工物11以正面11a在上方露出的状态被保持于卡盘台。
接着，使卡盘台与切削刀具38相对移动并旋转，将切削刀具38对准与加工对象的分割预定线对应的位置。此后，将旋转中的切削刀具38下降至与被加工物11接触的高度，并使卡盘台移动至与加工对象的分割预定线13平行的方向上。
切削刀具38的切入深度例如为被加工物11的厚度以上。由此，能够将被加工物11沿着加工对象的分割预定线切断。重复执行该步骤，在被加工物11被分割为与各器件13对应的多个半导体芯片时，分割工序结束。
如上所述，在本实施方式的被加工物的切削加工方法中，在被加工物11的背面11b贴附粘结带15，向支承部件17的正面17a涂布液状的树脂19，在以使得树脂19与粘结带15相接的方式将被加工物11重叠于支承部件17上的状态下，按压被加工物11，此后使树脂19硬化，因此被加工物11隔着粘结带15和树脂19而被固定于支承部件17。因此，通过使用具备充足的粘结力的粘结带15，在树脂19的粘结力较低的情况下也能够防止被加工物的剥离。
另外，本发明不限于上述实施方式的描述，可以进行各种变更并实施。例如，上述实施方式中，在实施了贴附工序后实施涂布工序，然而对于贴附工序和涂布工序的顺序不做限制。例如，可以在实施了涂布工序后实施贴附工序。此外，上述实施方式的按压工序中，利用按压板24按压被加工物11，施加压力，也可以按压支承部件17，施加压力。
此外，在上述实施方式的涂布工序中，在支承部件17上涂布树脂19，也可以向贴附于被加工物11上的粘结带15涂布树脂19。另外，在这种情况下，在按压工序中，以使得支承部件17的正面17a或背面17b与在粘结带上涂布的树脂19相接的方式将被加工物11重叠于支承部件17上。
此外，在上述实施方式中，使用利用紫外线而硬化的紫外线硬化型的树脂19，而本发明也可以使用其他的树脂实施。具体而言，可以使用通过溶剂的挥发而硬化的蜡或热硬化型树脂等。例如，在现有方法中使用蜡时，存在粘结力过强而无法容易地拾取分割后的半导体芯片的情况。
对此，在本发明的被加工物的切削加工方法中，利用粘结带15能够得到适当的粘结力，因此，在这种情况下半导体芯片的拾取也较为容易。此外，在硬化工序中不使用紫外线，因此可以使用无法透过紫外线的材质的支承部件。
此外，上述实施方式和变形例的结构、方法等可以在不脱离本发明目的的范围内适当变更并实施。

Claims (3)

1.一种被加工物的切削加工方法，其特征在于，包括：
贴附工序，在被加工物的正面或背面贴附粘结带；
涂布工序，向支承部件的正面或背面涂布液状的树脂；
按压工序，在以使得该树脂与该粘结带相接的方式将该被加工物重叠于该支承部件上的状态下，按压该被加工物或该支承部件；
固定工序，使该树脂硬化而将该被加工物固定于该支承部件上，从而所述支承部件、所述树脂、所述粘结带以及所述被加工物由下至上依次重叠；以及
切削工序，利用切削刀具对重叠在粘结带上方的该被加工物进行切削加工，
在该贴附工序中，使用具有在该切削工序中该被加工物不会剥离的程度的充足的粘结力的该粘结带，在该粘结带所具有的基材的一侧的面设有对于该被加工物的正面或背面具备充足的粘结力的粘结层。
2.一种被加工物的切削加工方法，其特征在于，包括：
贴附工序，在被加工物的正面或背面贴附粘结带；
涂布工序，向贴附于被加工物上的该粘结带涂布液状的树脂；
按压工序，在以使得支承部件的正面或背面与该树脂相接的方式将该被加工物重叠于该支承部件上的状态下，按压该被加工物或该支承部件；
固定工序，使该树脂硬化而将该被加工物固定于该支承部件上，从而所述支承部件、所述树脂、所述粘结带以及所述被加工物由下至上依次重叠；以及
切削工序，利用切削刀具对重叠在粘结带上方的该被加工物进行切削加工，
在该贴附工序中，使用具有在该切削工序中该被加工物不会剥离的程度的充足的粘结力的该粘结带，在该粘结带所具有的基材的一侧的面设有对于该被加工物的正面或背面具备充足的粘结力的粘结层。
3.根据权利要求1或2所述的被加工物的切削加工方法，其特征在于，
作为该树脂，使用紫外线硬化型树脂，该紫外线硬化型树脂利用紫外线而硬化。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP2020035918A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7242268B2 (ja) * 2018-11-30 2023-03-20 株式会社ディスコ ダイシング装置
JP7475232B2 (ja) * 2020-07-22 2024-04-26 株式会社ディスコ 保護部材形成装置
JP7599795B2 (ja) * 2021-04-13 2024-12-16 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法、及び樹脂被覆装置
CN115534145A (zh) * 2022-10-14 2022-12-30 安徽光智科技有限公司 一种超厚碲锌镉晶体的切割方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
CN101447413A (zh) * 2003-06-06 2009-06-03 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2013041973A (ja) * 2011-08-15 2013-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2014157909A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296839A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
WO2004109786A1 (ja) * 2003-06-06 2004-12-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP2005209940A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Lintec Corp 半導体装置の製造方法
JP2007088292A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Fujifilm Corp 板状部材の切断方法
JP4781770B2 (ja) * 2005-10-07 2011-09-28 株式会社ディスコ ウェハ加工方法
JP4729003B2 (ja) * 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
JP5324212B2 (ja) 2008-12-26 2013-10-23 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
JP4851613B2 (ja) * 2009-12-22 2012-01-11 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5771969B2 (ja) * 2010-01-21 2015-09-02 日立化成株式会社 半導体ウェハ加工用接着フィルム
JP2011222877A (ja) * 2010-04-14 2011-11-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd バンプ付き基板用チャックおよびそれを用いてバンプ付き基板の裏面を研削加工する方法
JP5600035B2 (ja) * 2010-06-30 2014-10-01 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP5720159B2 (ja) * 2010-09-28 2015-05-20 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法
JP6067348B2 (ja) * 2012-11-26 2017-01-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014135424A (ja) * 2013-01-11 2014-07-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハ切断方法
JP6188495B2 (ja) * 2013-08-30 2017-08-30 富士フイルム株式会社 積層体及びその応用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158276A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
CN101447413A (zh) * 2003-06-06 2009-06-03 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法
JP2013041973A (ja) * 2011-08-15 2013-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の研削方法
JP2014157909A (ja) * 2013-02-15 2014-08-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体装置の製造方法

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