CN106007703A - 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,尤其涉及一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。该材料由质量百分比为91%~99%的BaO‑ZnO‑TiO2材料及质量百分比为1%~9%的降烧剂组成,通过固相反应,即可得到本发明材料。BaO‑ZnO‑TiO2材料的组成为BaZn2Ti4O11‑xTiO2(x=1wt%‑10wt%);降烧剂的制造原料为:Li2CO3、SiO2、B2O3、ZnO、La2O3、MnCO3、BaCO3。其烧结温度850℃~900℃,且介电常数24~26可调,品质因数Qf高>30000GHz,损耗低≤10‑4,谐振频率温度系数稳定近零‑5ppm/℃~5ppm/℃,不与银浆发生反应。适合用于LTCC系统以及卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中的低温高介电常数微波介质核心材料。
Description
技术领域
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,尤其涉及一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是指应用于微波(300MHz到300GHz)频段电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,是现代通信技术中的关键基础材料,被广泛应用于介质谐振器、滤波器、介质基片、介质波导回路、微波电容、双工器、天线等微波元器件。
随着电子信息技术不断向高频化和数字化方向发展,对元器件的小型化,集成化以至模块化的要求也越来越迫切。低温共烧陶瓷LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics)以其优异的电学、机械、热学及工艺特性,已经成为电子器件模块化的主要技术之一。
应用于微波频段的介电陶瓷,应满足要求:(1)适宜的介电常数以利于器件的小型化(介质元器件的尺寸与介电常数εr的平方根成反比);(2)高的品质因数Qf值和低的损耗(其中Q~1/tanδ,f是谐振频率);(3)稳定的近零的谐振频率温度系数;(4)与银或铜有良好的共烧性。
BaO-ZnO-TiO2体系中的BaZn2Ti4O11具有良好的微波介电性能,BaZn2Ti4O11:εr=30、Q×f=68000GHz、Tf=-30ppm/℃。但其具有高的烧结温度(1200℃),不能直接与Ag、Cu等低熔点金属共烧。通常降低微波介质材料的烧结温度的方法有:添加低熔点氧化物或低熔点玻璃烧结助剂,引入化学合成方法,以及超细粉体作原料等。化学方法合成和超细粉体作原料可导致工艺过程复杂,制造成本和周期会上升。相比较而言,添加低熔点氧化物或低熔点玻璃烧结助剂的工艺相对简单,易于批量生产。传统的方法一种为掺入低熔点氧化物,如B2O3或V2O5,然而游离的B2O3和V2O5在后期流延过程中易导致浆料粘度过大而不稳定,限制了其实际应用。并且负的谐振频率温度系数(Tf)也限制了其在LTCC中的应用。
发明内容
针对上述存在的问题或不足,本发明提供了一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法,其烧结温度低,体系致密,具有中等介电常数,低损耗,频率温度系数稳定近零,且能够在LTCC工艺中与银良好共烧,并且工艺简单,易于工业化生产且材料性能稳定。
本发明材料由质量百分比为91%~99%的BaO-ZnO-TiO2材料及质量百分比为1%~9%的降烧剂组成,主晶相为BaZn2Ti4O11相。
所述BaO-ZnO-TiO2系材料的原料组成为:BaCO3、ZnO和TiO2,按BaZn2Ti4O11-xTiO2(x=1wt%-10wt%)配料。
所述降烧剂的原料组成为:46%≤Li2CO3≤56.92%、5.49%≤SiO2≤9.76%、30.59%≤B2O3≤40.24%、0%<ZnO≤2%、0%<La2O3≤20%、0.24%≤MnCO3≤1.84%和0.99%≤BaCO3≤7.34%,其中MnCO3和BaCO3重量比为1:4。
其烧结温度850℃~900℃,介电常数24~26可调,Qf值高>30000GHz,损耗低≤10-4,谐振频率温度系数稳定近零-5ppm/℃~5ppm/℃。
其制备方法如下:
步骤1:将BaCO3、ZnO和TiO2的原始粉末按BaZn2Ti4O11-xTiO2(x=1wt%-10wt%)组成配料,并混合均匀;然后以粉体和去离子水的质量比1:1向粉体中加入去离子水,以去离子水为溶剂,行星球磨混合3~5小时,取出后在80~120℃下烘干,以40~100目筛网过筛;然后在800℃~1200℃大气气氛中预烧5~8小时合成主晶相BaZn2Ti4O11相;
步骤2:按配比46%≤Li2CO3≤56.92%、5.49%≤SiO2≤9.76%、:30.59%≤B2O3≤40.24%、0%<ZnO≤2%、0%<La2O3≤20%、0.24%≤MnCO3≤1.84%和0.99%≤BaCO3≤7.34%配料,MnCO3和BaCO3两者重量比为1:4。然后将配得原料,球磨3~7小时,以40~100目筛网过筛,于500℃~800℃保温2~8小时预烧;再于1100℃~1500℃保温1~5小时熔融玻璃渣,将制得的玻璃渣破碎球磨成粉,即制得降烧剂;
步骤3:在步骤1制得的主晶相中加入占主晶相和降烧剂总质量百分比为1%~9%的降烧剂,以其和酒精1:1~1:2.5的质量比加入酒精,行星球磨混合3~5小时,取出后在80~120℃下烘干;烘干后添加剂量占主晶相与降烧剂总质量2~5%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在850℃~900℃大气气氛中烧结8~10小时,制成微波介质陶瓷材料。
本发明的配方不含重金属成分,可在高频领域产品中应用,绿色环保无污染,满足欧共体最新出台的RHOS和WEEE的严格标准要求。由传统的烧结工艺1200℃降到900℃以下,烧结温度的进一步降低,有节能优势。烧结助剂使用复合低共熔点氧化物及添加剂,进一步改善了传统烧结助剂的缺点,无法与流延工艺匹配的低熔点氧化物(B2O3及V2O5)或高成本且性能不稳定的低熔点玻璃,在LTCC工艺中与银良好共烧。其介电常数从24~26可调,Qf值高(>30000GHz),谐振频率温度系数稳定近零(-5ppm/℃~5ppm/℃)。
本发明可广泛应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中的低温高介电常数微波介质核心材料,具有重要工业应用价值。
综上所述,本发明的有益效果是:烧结温度850℃~900℃,介电常数24~26可调,Qf值高(>30000GHz),谐振频率温度系数稳定近零-5ppm/℃~5ppm/℃;绿色环保无污染,在LTCC工艺中与银良好共烧,适用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中的低温高介电常数微波介质核心材料。
附图说明
图1为烧结收缩曲线图;
图2(a)为预烧后的BaZn2Ti4O11的XRD图,图2(b)为实施例11,13,15的XRD图;
图3(a)~图3(d)分别为实施例10,12,14,16的SEM图;
图4为实施例29成型后与银浆在875℃共烧的SEM图以及元素分部图。
具体实施方式
本发明材料由质量百分比为91%~99%的BaO-ZnO-TiO2及质量百分比为1%~9%的降烧剂组成,BaO-ZnO-TiO2系材料的组成为BaZn2Ti4O11-xTiO2(x=1wt%-10wt%)。降烧剂的组成及重量百分比为46%≤Li2CO3≤56.92%、5.49%≤SiO2≤9.76%、:30.59%≤B2O3≤40.24%、0%<ZnO≤2%、0%<La2O3≤20%、0.24%≤MnCO3≤1.84%和0.99%≤BaCO3≤7.34%,其中MnCO3和BaCO3两者重量比为1:4。通过固相法即可合成本材料,具体步骤同上述步骤一样。
实施例的成分和微波介电性能如下
从上表可以看出,通过降烧剂的加入,使得体系能够在低温下烧结致密并获得中等24-26介电常数和优良的微波介电性能。并且通过对比未加入TiO2的体系(实施例1-24)和加入TiO2的体系(实施例25-29),可以看出,1wt%-10wt%TiO2的加入,有助于调节获得稳定近零的谐振频率温度系数。
通过烧结收缩曲线(图1)可以进一步看出降烧剂能够在低温下有效促进烧结,使得体系致密。对比未加入降烧剂和加入降烧剂的样品可以看出,纯的BaZn2Ti4O11(a)在1070℃附近开始收缩,而加入降烧剂的BaZn2Ti4O11(b)收缩温度在810℃附近,明显低于纯的BaZn2Ti4O11。
以预烧后的BaZn2Ti4O11(图2a)以及实施例11、12、15(图2b)为例,通过XRD图可以看出,950℃预烧后可获得纯的BaZn2Ti4O11相(图2a)。由于降烧剂的加入,使得体系中的BaZn2Ti4O11相在低温下烧结时分解成了Zn2Ti3O8相和BaTi(BO3)2相(图2b),反应方程式可表示为:
BaZn2Ti4O11→Zn2Ti3O8+BaTi(BO3)2
以实施例11、13、15、16为例,从SEM图(图3)可以看出,在875℃烧结时,因为降烧剂的加入,结构变得致密,晶粒开始长大,说明降烧剂对烧结致密有促进作用。当降烧剂过量时(图3c,图3d),开始出现晶粒异常长大,并出现长条状的大晶粒。
通过EDS(表1)分析,可以看出当少量降烧剂加入体系时,体系致密,晶粒均匀生长,图3中C点Ba,Zn,Ti摩尔比大致为1:2:4,主要为BaZn2Ti4O11。当降烧剂继续增加时,开始出现晶粒长大,并且有长条状大晶粒出现。通过EDS分析可以看出长条状大晶粒(A点)的Zn含量特别少,Ba和Ti摩尔比大致为1;1,主要为BaTi(BO3)2,而其他的方形大晶粒(B点)富含Zn而缺少Ba,Zn和Ti摩尔比大致为1:1.5,主要为Zn2Ti3O8。这和XRD的结果相符,进一步说明了BaZn2Ti4O11相在低温下烧结时分解成了Zn2Ti3O8相和BaTi(BO3)2相。
表1
通过以上实施例可以看出,适量降烧剂的加入能够促进烧结,使得BaZn2Ti4O11能够在低温下烧结致密并且获得良好的微波介电性能,通过TiO2的加入可以有效调节获得稳定近零的谐振频率温度系数。低温下烧结时,降烧剂会促使BaZn2Ti4O11分解为Zn2Ti3O8和BaTi(BO3)2,过多的Zn2Ti3O8和BaTi(BO3)2会破坏体系的微观结构(图3d),并且BaZn2Ti4O11和Zn2Ti3O8相对于BaTi(BO3)2具有更加优良的微波介电性能,所以当降烧剂过量时会因为过多BaTi(BO3)2的出现而使得体系的微波介电性能下降。
以实施例29为例,成型之后与银浆在875℃共烧。通过SEM图(图4a)以及元素分部(图4b)可以看出,该体系可以与银浆共烧,并且不会与银浆发生反应。
Claims (4)
1.一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料,其特征在于:由质量百分比为91%~99%的BaO-ZnO-TiO2材料以及质量百分比为1%~9%的降烧剂组成,主晶相为BaZn2Ti4O11相;
所述BaO-ZnO-TiO2系材料的原料组成为:BaCO3、ZnO和TiO2,按BaZn2Ti4O11-xTiO2(x=1wt%-10wt%)配料;
所述降烧剂的原料组成为:46%≤Li2CO3≤56.92%、5.49%≤SiO2≤9.76%、30.59%≤B2O3≤40.24%、0%<ZnO≤2%、0%<La2O3≤20%、0.24%≤MnCO3≤1.84%和0.99%≤BaCO3≤7.34%,其中MnCO3和BaCO3重量比为1:4。
2.如权利要求1所述低温烧结复合微波介质陶瓷材料,其特征在于:烧结温度低850℃~900℃,中等介电常数24~26可调,Qf值高>30000GHz,损耗低≤10-4,谐振频率温度系数稳定近零-5ppm/℃~5ppm/℃。
3.如权利要求1所述低温烧结复合微波介质陶瓷材料,其特征在于:适用于LTCC工艺中与银良好共烧。
4.如权利要求1所述低温烧结复合微波介质陶瓷材料的制备方法,具体如下:
步骤1:将BaCO3、ZnO和TiO2的原始粉末按BaZn2Ti4O11-xTiO2(x=1wt%-10wt%)组成配料,并混合均匀;然后以粉体和去离子水的质量比1:1向粉体中加入去离子水,以去离子水为溶剂,行星球磨混合3~5小时,取出后在80~120℃下烘干,以40~100目筛网过筛;然后在800℃~1200℃大气气氛中预烧5~8小时合成主晶相BaZn2Ti4O11相;
步骤2:按配比46%≤Li2CO3≤56.92%、5.49%≤SiO2≤9.76%、30.59%≤B2O3≤40.24%、0%<ZnO≤2%、0%<La2O3≤20%、0.24%≤MnCO3≤1.84%和0.99%≤BaCO3≤7.34%配料,其中MnCO3和BaCO3两者重量比为1:4;然后将配得原料,球磨3~7小时,以40~100目筛网过筛,于500℃~800℃保温2~8小时预烧;再于1100℃~1500℃保温1~5小时熔融玻璃渣,将制得的玻璃渣破碎球磨成粉,即制得降烧剂;
步骤3:在步骤1制得的主晶相中加入占主晶相和降烧剂总质量百分比为1%~9%的降烧剂,以其和酒精1:1~1:2.5的质量比加入酒精,行星球磨混合3~5小时,取出后在80~120℃下烘干;烘干后添加剂量占主晶相与降烧剂总质量2~5%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在850℃~900℃大气气氛中烧结8~10小时,制成微波介质陶瓷材料。
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---|---|
CN (1) | CN106007703B (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106587991A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-04-26 | 电子科技大学 | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN107316744A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-03 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法 |
CN108218424A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-29 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法 |
CN108298979A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-20 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 中介低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
CN109467432A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-15 | 电子科技大学 | 一种Mg-Ti-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN110229004A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-09-13 | 电子科技大学 | 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN110317057A (zh) * | 2019-05-06 | 2019-10-11 | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 | 一种中介电常数低温共烧陶瓷材料和制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101613200A (zh) * | 2009-07-21 | 2009-12-30 | 西安交通大学 | 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN104108929A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-10-22 | 电子科技大学 | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
-
2016
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101613200A (zh) * | 2009-07-21 | 2009-12-30 | 西安交通大学 | 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN104108929A (zh) * | 2014-05-26 | 2014-10-22 | 电子科技大学 | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
YU SHENGQUAN ET AL.: "Effect of TiO2 content on the microwave dielectric properties of BaO-ZnO-TiO2 ceramics", 《SCI. CHINA TECH. SCI.》 * |
朱建国等: "《电子与光电子材料》", 31 August 2007, 国防工业出版社 * |
武汉建筑材料工业学院: "《玻璃工艺原理》", 31 December 1981, 中国建筑工业出版社 * |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106587991A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-04-26 | 电子科技大学 | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
CN107316744B (zh) * | 2017-07-13 | 2019-04-16 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法 |
CN107316744A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-03 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种片式多层金电极芯片电容器及其制备方法 |
CN108218424A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-29 | 福建火炬电子科技股份有限公司 | 一种高频微波陶瓷电容器介质材料及其制备方法 |
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