CN106946557A - 一种复合体系ltcc材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种复合体系LTCC材料及其制备方法。该复合体系LTCC材料,其化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2‑xSiO4‑yLMZBS(0.125≤x≤0.375,y为1~2wt%);由斜方六面体结构的(Zn,Co)2SiO4为主晶相,正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成的复合陶瓷材料。于900~950℃低温烧结,介电常数εr为6.1~6.5;Q×f值在130,000GHz以上,最高达到230,602GHz;谐振频率温度系数τf为‑41~‑22ppm/℃。生产原料便宜,工艺工程简单,方便操作,成本低。在作为LTCC微波介质基板或器件材料时,可以显著降低微波器件或模块的损耗。
Description
技术领域
本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种复合体系LTCC材料及其制备方法。
背景技术
近年来,国际上无论是通用电子整机、通信设备还是民用消费类的电子产品都迅速向小型化、轻量化、集成化、多功能化和高可靠性方向发展。LTCC(低温共烧陶瓷)技术作为一种先进的三维立体组装集成技术,为无源器件以及无源/有源器件混合集成的发展创造了条件,并迅速在叠层片式无源器件中获得了广泛的应用。很多电子材料与元器件生产企业及高校都对各种LTCC片式无源器件和组件展开了研发和生产,而为了获得高性能的LTCC无源集成器件和组件,首先需要有高性能的LTCC材料。但目前商用化的高性能LTCC材料主要被国外垄断,国内在此领域始终未能取得关键性突破,导致我国研发的LTCC集成器件和组件成本很高,不利于相应产品的应用和推广,另一方面由于在核心关键技术上受制于人,严重阻碍了我国LTCC产业的发展。因此,开发拥有自主知识产权的高性能LTCC材料迫在眉睫。
LTCC微波介电陶瓷材料是LTCC材料中应用非常广泛的一个分支。一般的微波介电陶瓷材料烧结温度都在1100℃以上,但为了与LTCC工艺(一般为800℃~950℃之间)兼容,需将其烧结温度降低到950℃以下。常采用的方法主要包括添加低熔氧化物或玻璃助烧、引入化学合成方法以及采用超细粉体做原料等;后两种成本高昂、并有一定的工艺局限性,因而添加低熔氧化物或玻璃是目前实现LTCC微波介电陶瓷材料的主要方法。但即便采取这种方法,目前许多微波介电陶瓷材料的烧结温度太高,也很难实现低温烧结,其次,过多低熔氧化物或玻璃的掺入,也会对材料的损耗性能构成很大的影响,导致Qf值下降很大。
最初,硅酸锌(Zn2SiO4)是用作一种结晶釉中的结晶剂,它在釉中易于结晶,晶花大而圆,因此适合于一些装饰花瓶类产品。后来,Zn2SiO4被较多的应用在离子平板显示器用荧光粉领域,通过Mn2+掺杂,即形成Zn2SiO4:Mn2+,此材料可以在253nm光波激发下显示出良好的发光性能,由于其制备简单、成本低廉,并具有色坐标佳、相对亮度高等众多优势,成为目前最有前途的离子平板显示器绿色荧光粉成分。
Zn2SiO4作为微波介质材料是在最近几年才进行研究的,其结构为硅锌矿结构,属三角晶系,空间点群为R-3,a=1.3971nm,c=0.9334;每个Zn原子和Si原子都与周围四个氧原子形成四面体。Zn2SiO4的烧结温度为1400℃以上,εr约为7~8,Q×f最高可到240000GHz,温度系数τf=(-50~-40)ppm/℃,综合性能很好,且制备原料的成本都很低。但Zn2SiO4陶瓷材料的一个突出的缺点就是烧结温度太高,通过直接加氧化物或玻璃将烧结温度降到900℃的话,掺杂量需很大,会导致介电损耗显著增加。
发明内容
针对上述存在问题或不足,本发明提供了一种复合体系LTCC材料及其制备方法,以提供一种超低损耗低介高温度稳定性LTCC微波介电陶瓷材料。
该复合体系LTCC材料,其化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4-yLMZBS(0.125≤x≤0.375,y为1~2wt%),其烧结温度900~950℃;由斜方六面体结构的(Zn,Co)2SiO4为主晶相,正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成的复合陶瓷材料。
Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1配制基料,其中0.125≤x≤0.375;助熔剂为总质量1~2wt%的LMZBS。
该微波介电陶瓷材料介电常数εr为6.1~6.5,品质因数Q×f值130,000GHz~230,000GHz,谐振频率温度系数τf为-42~-22ppm/℃,具有极低微波损耗。
上述复合体系LTCC材料的制备方法,包括以下步骤;
步骤1、以Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2为初始原料,按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1进行称料,然后进行一次球磨,待混料均匀后烘干,其中0.125≤x≤0.375;
步骤2、将步骤1所得烘干料过筛后放入坩埚中压实,按2~3℃/分的升温速率升至1030~1080℃进行预烧,保温3~4小时,随炉冷却得到预烧料;
步骤3、将步骤2所得的预烧料从坩埚中取出放入研钵中磨细,然后加入占总质量1~2wt%的LMZBS玻璃粉在球磨机中进行二次球磨得到研磨液;
步骤4、将步骤3所得到的研磨液烘干后,加入所得粉料质量分数为20%~30%的PVA溶液进行造粒并干压成型;
步骤5、将步骤4所得产物放入烧结炉中,按2~3℃/分的升温速率升至200~300℃保温2~3小时,继续升温至500~550℃保温3~4小时,以排除生坯中的水分和胶水;然后再按2~3℃/分的升温速率升温至650~700℃后,再以4~5℃/分升温至900℃~950℃进行烧结,保温3小时,然后按4~5℃/分的降温速率降温至650~700℃,最后随炉冷却得到低介低损耗的复合体系LTCC材料。
所述LMZBS玻璃由原料按摩尔比Li2CO3:MgO:ZnO:B2O3:SiO2=20:20:20:20:20配制,将原料按比例称量,湿混烘干后装入坩埚,按2~3℃/分在烧结炉中升温到1300~1350℃,保温1~2小时后直接从炉中取出倒入冷水中淬冷,然后烘干磨细得到。
本发明在(Zn0.95Co0.05)2SiO4基础上进行了低熔点金属阳离子Li+部分取代原陶瓷结构中的Zn2+,用Li+离子部分取代原陶瓷结构中的Zn2+后,能部分形成锂硅酸锌相,这种物质的烧结温度要大大低于硅锌矿,从而降低整个材料体系烧结温度,少量复合相的引入能进一步降低微波介电损耗。另一方面适量Li离子的替代也有利于温度系数更接近于零,更有利于满足LTCC器件应用的需要。
采用LMZBS玻璃助烧,利用其软化温度点低于烧结温度,在烧结时形成液相,对主相晶粒产生液相包裹,以有效促使晶粒长大,提高致密化程度,减少晶界及缺陷,达到将材料体系烧结温度降低至900~950℃的目的。同时LMZBS玻璃本身介电损耗也很低,与Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4之间不会发生明显的成分渗析,不会对材料体系的介电损耗造成较大的影响。
综上,本发明提供的超低损耗低介的复合体系LTCC材料,900~950℃低温烧结,介电常数εr为6.1~6.5;Q×f值在130,000GHz以上,最高达到230,602Hz;谐振频率温度系数τf为-41~-22ppm/℃。生产原料便宜,工艺工程简单,方便操作,成本低。在作为LTCC微波介质基板或器件材料时,可以显著降低微波器件或模块的损耗。
附图说明
图1为本发明的制备工艺流程示意图;
图2为掺杂1.5wt%的LMZBS制备得LTCC微波介电陶瓷材料的X射线衍射图谱,其中(a)、(b)、(c)分别为x=0.125、x=0.25、x=0.375时的X射线衍射图谱;
图3为掺杂1.5wt%的LMZBS制备得LTCC微波介电陶瓷材料的微波介电性能及谐振频率温度系数随x值及烧结温度变化关系曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例与附图对本发明做进一步详细说明。
超低损耗低介LTCC微波介电陶瓷材料,Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4,其中0.125≤x≤0.375。取玻璃助熔剂LMZBS的掺杂量为1.5wt%,由原料Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1配制,其中0.125≤x≤0.375。
其制备工艺流程如图1所示,采用以下参数制备:
步骤1、以Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2为初始原料,按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1进行配料。在行星式球磨机中一次球磨6小时,球磨后料置于烘箱中于120℃下烘干,所构成分子结构表达式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4。
步骤2、将步骤1所得的烘干料过40目筛子后放入坩埚中压实,按2℃/分的升温速率升至1050℃预烧,保温4小时,随炉冷却得到预烧料备用。
步骤3、将步骤2所得到的预烧料在研钵中先粗略磨细,然后掺入占总质量1.5wt%的LMZBS玻璃在行星式球磨机中二次球磨12小时,球磨后料置于烘箱中于120℃下烘干。
步骤4、将步骤3所得的二次球磨料烘干后加入占其质量25wt%的PVA溶液(PVA浓度为10%)进行造粒,压制成直径为12mm、高为6mm的圆柱状生坯样品。
步骤5、将步骤4得到的生坯样品放入烧结炉中,按2℃/分的升温速率缓慢升至300℃保温2小时,继续升温至550℃保温4小时,以排除生坯中的水分和胶水;然后再按2℃/分的升温速率升温至700℃后,再以4℃/分升温至900℃~950℃进行烧结,保温3小时,然后按4℃/分的降温速率降温至700℃,最后随炉冷却得到低介低损耗LTCC微波介电陶瓷材料。
本实施例中,X分别取0.125、0.25和0.375。
X取0.25时,介电常数εr为6.47,Q×f为230,602GHz,温度系数为τf=-27ppm/℃,说明该材料介电损耗很低。X取0.125和0.375时,其各项参数如图2和3中所示。
可见,通过改变Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4(0.125≤x≤0.375)中x取值和LMZBS玻璃掺入量y wt%、以及最终的烧结温度(850~950℃),材料体系的微波性能可在一定范围内调控。
图2示出,当y=1.5,x从0.125~0.375变化时,不同烧结温度下制备得LTCC微波介电陶瓷材料的介电常数εr和介电损耗的变化关系曲线;可以看到当x=0.25,LMZBS玻璃掺入量为1.5wt%,烧结温度为900℃时Q×f为230,602GHz;当x=0.125,LMZBS玻璃掺入量为1.5wt%,烧结温度为950℃时Q×f为328,784,介电损耗都非常低。
Claims (3)
1.一种复合体系LTCC材料及其制备方法,其特征在于:
化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2-xSiO4-yLMZBS,其中0.125≤x≤0.375,y为1~2wt%;由斜方六面体结构的(Zn,Co)2SiO4为主晶相,正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成;
Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1配制基料,其中0.125≤x≤0.375;助熔剂为总质量1~2wt%的LMZBS;
其烧结温度900~950℃,介电常数εr为6.1~6.5,品质因数Q×f值130,000GHz~230,000GHz,谐振频率温度系数τf为-42~-22ppm/℃。
2.如权利要求1所述复合体系LTCC材料的制备方法,包括以下步骤;
步骤1、以Li2CO3、ZnO、Co2O3、SiO2为初始原料,按摩尔比Li2CO3:ZnO:Co2O3:SiO2=x:(1.9-0.95x):(0.05-0.025x):1进行称料,然后进行一次球磨,待混料均匀后烘干,其中0.125≤x≤0.375;
步骤2、将步骤1所得烘干料过筛后放入坩埚中压实,按2~3℃/分的升温速率升至1030~1080℃进行预烧,保温3~4小时,随炉冷却得到预烧料;
步骤3、将步骤2所得的预烧料从坩埚中取出放入研钵中磨细,然后加入占总质量1~2wt%的LMZBS玻璃粉在球磨机中进行二次球磨得到研磨液;
步骤4、将步骤3所得到的研磨液烘干后,加入所得粉料质量分数为20%~30%的PVA溶液进行造粒并干压成型;
步骤5、将步骤4所得产物放入烧结炉中,按2~3℃/分的升温速率升至200~300℃保温2~3小时,继续升温至500~550℃保温3~4小时,以排除生坯中的水分和胶水;然后再按2~3℃/分的升温速率升温至650~700℃后,再以4~5℃/分升温至900℃~950℃进行烧结,保温3小时,然后按4~5℃/分的降温速率降温至650~700℃,最后随炉冷却得到低介低损耗的复合体系LTCC材料。
3.如权利要求2所述复合体系LTCC材料的制备方法,其特征在于:
所述LMZBS玻璃由原料按摩尔比Li2CO3:MgO:ZnO:B2O3:SiO2=20:20:20:20:20配制,湿混烘干后装入坩埚,按2~3℃/分在烧结炉中升温到1300~1350℃,保温1~2小时后直接从炉中取出倒入冷水中淬冷,然后烘干磨细得到。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170714 |
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