CN105911787B - 一种阵列基板以及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板以及显示面板，该阵列基板包括：透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接。所述阵列基板具有较好的静电防护效果。

Description

一种阵列基板以及显示面板
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，更具体的说，涉及一种阵列基板以及显示面板。
背景技术
随着科学技术的不断发展，越来越多的显示装置被广泛的应用到人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。显示装置通过显示面板进行图像显示。
参考图1，图1为现有的显示面板的结构示意图，所示显示面板包括：相对设置的阵列基板11以及彩膜基板12。其中，阵列基板11包括玻璃基板111以及TFT膜层112。彩膜基板12与阵列基板11通过框胶14封装。为了避免显示面板受到静电损伤，彩膜基板12背离阵列基板11一侧的表面设置有静电屏蔽层13，且在TFT膜层112内设置有接地走线16。
图1所示显示面板进行ESD(静电释放)测试时，高压电极15释放的电荷大部分通过静电屏蔽层13导走，当高压电极15的电压高达一定程度时，在显示面板的边缘会形成从高压电极15到接地走线16的电弧，将电荷转移到接地走线16导走。
当静电电压较大时，现有的显示面板仅仅通过接地走线16释放静电电荷。而显示面板窄边框设计是显示装置的发展趋势，这样导致显示面板的边框区宽度越来越窄，使得接地走线16的宽度不断变小，导致接地走线的阻抗也越来越大。而接地走线的阻抗较大时，在其释放静电电荷时会产生较多的热量，使得接地走线16容易被击穿而损坏，静电防护效果较差。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板以及显示面板，所述阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷，避免了接地走线易被静电击穿的问题，提高了静电防护效果。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板具有接地部件，所述阵列基板包括：
透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；
设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；
位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；
其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；
当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。
本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括：相对设置的彩膜基板以及阵列基板；
其中，所述阵列基板为上述阵列基板。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的阵列基板具有如下有益效果：
本发明提供的阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷。当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于所述设定阈值时，即当静电电压较高时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。
当静电电压大于设定阈值时，通过第一接地走线、防静电开关、第二接地走线以及接地部件构成的回路释放静电，此时静电击穿主要发生在防静电开关位置，静电击穿用于促使防静电开关导通，从而避免了静电击穿损坏第一接地走线以及第二接地走线。所述防静电开关为半导体开关器件，防静电开关的被静电击穿只是高压导通的暂时导通状态，当静电高压消失，防静电开关会恢复初始状态，静电击穿不容易导致防静电开关的损坏。因此，相对于现有技术仅通过接地走线释放静电的方式，避免了接地走线被击穿，提高了静电防护效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种第二有源区的俯视图；
图4为本发明实施例提供的一种防静电开关管的第二源极以及第二漏极的俯视图；
图5为本发明实施例提供的一种防静电开关的俯视图；
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种防静电开关管的俯视图；
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；
图9为本发明实施例所述阵列基板中的等效电路图；
图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术中所述，现有技术仅通过设置在边框区的接地走线释放静电。静电电压过高时，接地走线在释放静电的过程中容易产生大量的热量，接地走线容易被击穿损害，静定防护效果较差。
为了解决上问题，本发明实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板用于显示面板，所述显示面板具有接地部件。所述阵列基板包括：
透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；
设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；
位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；
其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；
当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。
本发明提供的阵列基板通过第一接地走线、第二接地走线以及位于第一接地走线与第二接地走线之间的防静电开关传导静电电荷。当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。当静电电压大于所述设定阈值时，即当静电电压较高时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件。
当静电电压大于设定阈值时，通过第一接地走线、防静电开关、第二接地走线以及接地部件构成的回路释放静电，此时静电击穿主要发生在防静电开关位置，静电击穿用于促使防静电开关导通，从而避免了静电击穿损坏第一接地走线以及第二接地走线。所述防静电开关为半导体开关器件，防静电开关的被静电击穿只是高压导通的暂时导通状态，当静电高压消失，防静电开关会恢复初始状态，静电击穿不容易导致防静电开关的损坏。因此，相对于现有技术仅通过接地走线释放静电的方式，避免了接地走线被击穿，提高了静电防护效果。
为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚，下面结合附图对上述方案进行详细描述。
参考图2，图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板用于显示面板，所述显示面板具有接地部件。所述接地部件可以为显示面板的主地、或接地线或是金属外壳。当所述显示面板用于小型电子设备时，如手机、平板电脑以及穿戴设备，所述接地部件为所述显示面板的主地、或金属外壳。当所述显示面板用于大型电子设备时，如台式电脑、电视等设备，所述接地部件为所述显示面板的接地线。
如图2所示，所述阵列基板包括：透明基板21，所述透明基板21包括显示区A以及边框区B；设置所述透明基板21同一侧的像素结构以及防静电开关管；位于所述防静电开关管背离所述透明基板21一侧的第一接地走线GND11以及位于所述防静电开关管与所述透明基板21之间的第二接地走线GND12。
所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区A，所述防静电开关管位于所述边框区B。
其中，在垂直于所述透明基板21的方向上，所述第一接地走线GND11以及所述第二接地走线GND12在所述透明基板21上的投影均位于所述边框区B；所述第一接地走线GND11通过所述防静电开关管与所述第二接地走线GND12连接。
当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线GND11传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线GND11、所述防静电开关管以及所述第二接地走线GND12传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线GND11传导至所述接地部件。
通过上述描述可知，本实施例阵列基板通过第一接地走线GND11、第二接地走线GND12以及位于第一接地走线GND11与第二接地走线GND12之间的防静电开关传导静电电荷。当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线GND11传导至所述接地部件。当静电电压大于所述设定阈值时，即当静电电压较高时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线GND11、所述防静电开关管以及所述第二接地走线GND12传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线GND11传导至所述接地部件。相对于现有技术仅通过接地走线释放静电的方式，避免了接地走线被击穿的问题，提高了静电防护效果。
所述像素结构包括：多个阵列排布的像素薄膜晶体管。图2所示实施方式中，在显示区A中仅示出了一个像素薄膜晶体管。所述像素薄膜晶体管包括：第一有源区a1；位于所述第一有源区a1背离所述透明基板21一侧的第一源极s1以及第一漏极d1；所述第一源极s1以及所述第一漏极d1同层设置。所述第一源极s1以及所述第一漏极d1均通过对应的过孔与所述第一有源区a1连接。
所述防静电开关管包括：与所述第一有源区a1同层设置的第二有源区a11以及与所述第一源极s1同层设置的第二漏极d11以及第二源极s11。图2所示实施方式中，在边框区B中仅示出了一个防静电开关管，所述阵列基板可以具有多个防静电开关管。
本发明实施例所述阵列基板中，位于所述边框区B的所述防静电开关与位于所述显示区A的像素薄膜晶体管同层设置，在制作形成所述像素薄膜晶体管的同时形成所述防静电开关管。具体的，防静电开关管的源极可以与像素薄膜晶体管的源极同层制备，所述防静电开关管的源极以及漏极可以与所述像素薄膜晶体管的源极以及漏极同层制备。
可见，本发明实施例所述阵列基板中，可以在阵列基板原有的制作过程中同时形成所述防静电开关管，因此所述阵列基板的制作工艺简单，制作成本低，且可以使得所述阵列基板具有较好的防静电效果。
在图2所示实施方式中，所述阵列基板用于LTPS驱动模式的液晶显示面板。所述像素薄膜晶体管还具有第一栅极g1，第一有源区a1位于第一栅极g1与透明基板21之间。所述像素薄膜晶体管的第一栅极g1位于第一漏极d1与第一源极s1之间，且与第一源极s1同层设置。
第一有源区a1与透明基板21之间具有第一介质层22。第一有源区a1与第一源极s1之间具有栅绝缘层23。第二源极s11与第一接地走线GND11之间具有第三绝缘层24。第一接地走线GND11表面覆盖有第四绝缘层25。各绝缘层以及介质层均为透明绝缘材料制备。
为了通过所述防静电开关实现有效的防静电作用，图2所示方式是对第二有源区a11进行掺杂，形成PN结，通过第一接地走线GND11以及第二接地走线GND12连接所述PN结的两端进而形成二极管。所述第二有源区a11包括：N型半导体区以及P型半导体区。所述N型半导体区与所述P型半导体区中的一者与所述第二漏极d11连接，另一者与所述第二源极s11连接。其中，所述第一接地走线GND11与所述第二接地走线GND12中的一者与所述第二源极s11连接，另一者与所述第二漏极d11连接。
具体的，在图2所示实施方式中，所述第一接地走线GND11单独通过一过孔Via2与所述第二漏极d11连接。所述第二接地走线GND12单独通过一过孔Via2与所述第二源极s11连接。第二有源区a11靠近第二源极s11的一端为N型半导体区，靠近第二漏极d11的一端为P型半导体区。在其他实施方式中，也可以使第一接地走线GND11单独通过一过孔Via2与所述第二源极s11连接，使得第二接地走线GND12单独通过一过孔Via2与所述第二漏极d11连接。第二有源区a11靠近第二源极s11的一端为P型半导体区，靠近第二漏极d11的一端为N型半导体区。
本发明实施例中所述防静电开关管以及所述像素薄膜晶体管均为薄膜晶体管(TFT)。在图2所示实施方式中，由于无需防静电开关管的栅极连接走线，在形成像素薄膜晶体管的第一栅极g1时未同步形成防静电开关管的栅极，即此时由于通过第二有源区a11掺杂形成PN结以及形成二极管，无需利用防静电开管的栅极，故所述防静电开关管未设置栅极。
参考图3-图5，图3为本发明实施例提供的一种第二有源区的俯视图，图4为本发明实施例提供的一种防静电开关管的第二源极以及第二漏极的俯视图，图5为本发明实施例提供的一种防静电开关的俯视图。
在边框区B内相邻的两个防静电开关管，两个防静电开关管的第二有源区a11具有N型半导体区以及P型半导体区。第二源极s11以及第二漏极d11均设置有放电尖端Q1。在垂直于透明基板21的方向上，同一防静电开关管的第二源极s11与第二有源区a11部分交叠，第二漏极d11与第二有源区a11部分交叠。第二源极s11以及第二漏极d11均通过对应的过孔Via2与第二有源区a11连接。所述放电尖端Q1在释放静电时具有尖端放电效应，能够避免静电电荷在第一接地走线GND11或是在第二接地走线GND12积累，避免第一接地走线GND11或是在第二接地走线GND12被静电击穿，提高静电防护效果。
如果静电电压较低，未达到所述设定阈值，此时所述防静电开关管没有导通，此时通过第一接地走线GND11释放静电，静电电荷通过第一接地走线GND11传导至接地部件，同时还可以尖端Q1的尖端放电效应释放静电电荷，避免第一接地走线GND11上生成大量热量，防止第一接地走线GND11烧毁。
如果静电电压较高，大于所述设定阈值，此时所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过第一接地走线GND11、防静电开关管以及第二接地走线GND12传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过第一接地走线GND11传导至所述接地部件，同时还可以尖端Q1的尖端放电效应释放静电电荷，避免第一接地走线GND11以及第二接地走线GND12上生成大量热量，防止第一接地走线GND11烧毁。
由于此时所述防静电开关管无需设置栅极，将所述第二源极s11的放电尖端Q1设置在所述第二源极s11朝向所述第二漏极d11的一侧，将所述第二漏极d11的放电尖端Q1设置在所述第二漏极d11朝向所述第二源极s11的一侧，以降低电极占据面积。
防静电开关管的第二有源区a11可以与像素薄膜薄膜晶体管的同时形成，然后进行掺杂形成PN结。防静电开关管的第二源极s11以及第二漏极d11可以与像素薄膜晶体管的第一源极s1以及第一漏极d11同时制备。因此在图2-图5所示实施方式中，在原有阵列基板的制作工艺基础上需要增加对第二有源区a11的掺杂工艺。
为了进一步简化制作工艺，降低制作成本，在其他实施方式中，可以无需掺杂工艺，直接通过设置防静电开关管的电极连接方式将所述防静电开关管作为二极管使用，以实现防静电作用。此时，所述阵列基板的结构如图6和图7所示。
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，图7为本发明实施例提供的一种防静电开关管的俯视图。图7中示出了透明基板21的边框区B的两个相邻的防静电开关管。
图6所示阵列基板包括：透明基板21、第一介质层22、栅绝缘层23、第三绝缘层24以及第四绝缘层25、像素薄膜晶体管、防静电开关管、第一接地走线GND11、第二接地走线GND12以及遮光走线L1。所述防静电开关管的电极结构与所述像素薄膜晶体管的电极结构相同。此时，所述防静电开关管还包括在垂直于所述透明基板的方向上，与所述第二有源区a11相对设置的第二栅极g11。所述第二栅极g11与所述第二有源区a11之间具有栅绝缘层23。所述第二源极s11与所述第二漏极d11中的一者与所述第二栅极g11连接；所述第二源极s11与所述第二漏极d11中的一者与所述第一接地走线GND11连接，另一者与所述第二接地走线GND12连接。
所述第二栅极g11与所述第一栅极g1同层设置，二者同层制备，即第二栅极g11可以与第一栅极g11同时形成，无需额外增加制作工序，制作工艺简单，成本低。所述第二栅极g11位于第二漏极d11与第二源极s11之间，且与第二源极s11同层设置。所述第二有源区a11以及第一有源区a11均为多晶硅。
图6所示阵列基板与图2所示阵列基板的不同在于：在图6所示实施方式中，所述防静电开关管还具有第二栅极g11；所述防静电开关管的第二源极s11以及第二漏极d11的电极图案不同；且所述第二有源区a11无需掺杂形成PN结。
将第二源极s11或是第二漏极d11与所述防静电开关管的第二栅极g11连接，通过第一接地走线GND11以及第二接地走线GND12分别连接所述防静电开关管的第二源极s11以及第二漏极d11，形成二极管，即将第一接地走线GND11与第二接地走线GND12之间的防静电开关管作为二极管。
具体的，在图6和图7所示实施方式中，对于任一防静电开关管，设置第二源极s11与第二栅极g11连接。第一接地走线GND11与第二漏极d11连接。第二接地走线GND12与第二源极s11连接。
在其他实施方式中，还可以设置第二漏极d11与第二栅极g11连接。第一接地走线GND11与第二源极s11连接。第二接地走线GND12与第二漏极d11连接。
在图6与图7所示实施方式中，将第二栅极g11与第二源极s11或是第二漏极d11连接，一方面可以将第一接地走线GND11与第二接地走线GND12之间的防静电开关管作为二极管使用，用于释放静电，另一方面还可以将第二栅极g11作为第二源极s11或是第二漏极d11的放电尖端。具体的，如图7所示，第二栅极g11的一端与第二源极s11或是第二漏极d11连接，另一端(图7中虚线方框所示的一端)为自由端，可以作为放电极端，实现尖端放电以释放静电。
在上各实施方式中，阵列基板用于LTPS驱动模式的液晶显示面板，像素薄膜晶体管以及防静电开关管的有源区均为多晶硅。像素薄膜晶体管以及防静电开关管的有源区位于对应薄膜晶体管的源极与透明基板之间。为了避免第一有源区a1受到背光照射生成漏电流，在第一有源区a1与透明基板11之间设置有遮光走线L1。
如图2或图6所示，在本发明实施例所述阵列基板中，所述像素结构包括：位于所述透明基板21表面的遮光走线L1；覆盖所述遮光走线L1的第一介质层22；位于所述第一介质层22表面的第一有源区a1；覆盖所述第一有源区a1的栅绝缘层23；位于所述栅绝缘层23表面的第一源极s1、第一漏极d1以及第一栅极g1。
在垂直于所述透明基板21的方向上，所述第一有源区a1在所述透明基板21上的投影位于所述遮光走线L1在所透明基板21上的投影内；所述第一栅极g1位于所述第一源极s1与所述第一漏极d1之间；在垂直于所述透明基板21的方向上，所述第一栅极g1在所透明基板21上的投影位于所述第一有源区a1在所透明基板21上的投影内，所述第一源极s1以及所述第一漏极d1均是至少部分与所述第一有源区a1交叠；所述第一源极s1以及所述第一漏极d1均通过贯穿所述栅绝缘层的过孔Via2与所述第一有源区a1连接。
可选的，所述第二接地走线GND12与所述遮光走线L1同层设置。一方面所述第二接地走线GND12用于释放静电。另一方面，在垂直于所述透明基板21的方向上，设置所述第二有源区a11在透明基板21上的投影位于所述第二接地走线GND12在透明基板21上的投影内，使得所述第二接地走线GND12用于作为所述第二有源区a11的遮光层，避免第二有源区a11受到背光照射生成漏电流。设置第二接地走线GND12与所述遮光走线L1同层设置，以在形成遮光走线L1的同时形成第二接地走线GND12，无需增加额外的制作工艺以形成所述第二接地走线GND12，制作工艺简单，成本低。
所述阵列基板还包括：位于所述第一有源区背离所述透明基板一侧的栅极线、数据线以及像素电极；所述栅极线与所述栅极连接，所述数据线与所述第一源极连接，所述像素电极与所述第一漏极连接。本发明说明书附图中未示出所述栅极线、数据线以及像素电极。所述栅极线、数据线以及像素电极在像素结构中的位置关系可以参见现有LTPS驱动方式的阵列基板中的位置关系，在此不再赘述。其中，所述第一接地走线GND11与所述栅极线、或所述数据线、或所述像素电极同层设置。这样，无需单独制备第一接地走线GND11，制作工艺简单，成本低。
参考图8，图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图，该实施方式中，阵列基板包括具有显示区A以及边框区B的透明基板21。位于透明基板21同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管。
像素结构包括：位于所述透明基板21表面的第一栅极g1以及栅极线；覆盖所述栅极线表面的栅绝缘层23；位于所述绝缘层23表面的第一有源区a1；覆盖所述第一有源区a1的绝缘层81；位于所述绝缘层81表面的第一源极s1以及第一漏极d1，所述第一源极s1与所述第一漏极d1均至少部分与所述第一有源区a1交叠连接。栅极线与第一栅极g1同层，图8中未示出栅极线。所述栅极线与所述第一栅极g1连接。
此时，第二接地走线GND12与所述栅极线同层设置。
所述阵列基板还包括：位于所述第一有源区a1背离所述透明基板21一侧的数据线Date以及像素电极Pixl；所述数据线Date与所述第一源极s1连接，所述像素电极Pixl与所述第一漏极d1连接。其中，所述第一接地走线GND1与所述数据线Date、或所述像素电极Pixl同层设置。图8中以第一接地走线GND1与像素电极Pixl同层设置为例进行说明。
防静电开关管同样包括第二源极s11、第二漏极d11以及第二有源区a11。图8所示实施方式中，对第二有源区a11进行掺杂形成PN结，将第一接地走线GND11连接第二漏极d11，将第二接地走线GND12连接第二源极s11，使得防静电开关管构成二极管，以释放静电。在其他实施方式中，可以不对第二有源区a11进行掺杂，将第一接地走线GND11连接第二漏极d11，将第二接地走线GND12连接第二源极s11，并将所述防静电开关管的第二栅极与所述第二源极s11或是所述第二漏极d11连接，使得防静电开关管构成二极管，以释放静电。
在本发明实施例所述阵列基板中，所述阵列基板包括多个所述防静电开关管以及多条与所述防静电开关管一一对应连接的所述第一接地走线GND11。其中，所述第一接地走线GND11的间距小于预设距离值，且所述第一接地走线GND11连接放电尖端。通过尖端放电效应释放静电，避免第一接地走线GND11烧毁。所述预设距离值可以根据实际情况设定，用于增加放电尖端的尖端放电效应，可以通过实验调整，选择具有较好尖端放电效应的预设距离。
可以通过所述防静电开关管设置所述放电尖端。所述防静电开关管具有放电尖端。如上述实施例所述，所述放电尖端可以为防静电开关管的源极和/或漏极上的突出部分，也可以复用所述防静电开关管的栅极作为所述放电尖端。
参考图9，图9为本发明实施例所述阵列基板中的等效电路图。所有第一接地走线GND1等效为多个串联电阻R1。所有第二接地走线GND2等效为多个串联电阻R2。在第一接地走线GND1与第二接地走线GND2之间具有多个寄生电容C。在第一接地走线GND1与第二接地走线GND2之间具有防静电开关管(等效为图9中二极管)。防静电开关管的源极、漏极以及连接的过孔等效为电阻R3。当具有静电电压时，如图中箭头所示，可以在电阻R1、电阻R2、寄生电容C以及二极管之间形成电流，将静电转换的热量通过透明基板释放，同时可以通过接地部件释放静电流。
通过上述描述可知，本发明实施理所述阵列基板中，通过第一接地走线、第二接地走线以及二者之间的防静电开关管释放静电，相对于传统技术，能够更好的进行静电防护。
通过所述防静电开关管形成的二极管进行静电保护，由于二极管在一定阈值电压下，能够被击穿导通，进而可以形成放电回路，当静电电压消失或是小于所述阈值电压时，二极管截止。
当静电电压较高时，传统的释放静电的方式只通过设置在阵列基板上半部分的接地走线放电，静电电流在接地走线上产生的热量不易释放，容易加速接地走线被烧毁击穿。而本发明实施例所述阵列基板，在静电电压较高时，导致二极管导通，通过放电回路放电时，防静电开关管以及第二接地走线更加靠近透明基板，静电电流生成的热量能够更加快速的通过透明基板散发出去，散热速度快，进一步避免了放电回路被烧毁的问题，提高了防静电效果。且第一接地走线以及第二接地走线可以分别与阵列基板已有制作工艺中同步形成，无需单独增加金属层制作。防静电开关管可以与像素薄膜晶体挂同步制作。这样，不增加阵列基板的制程工艺，工艺简单，成本低。可以通过防静电开关管构成的二极管释放静电，对第一接地走线以及第二接地走线形成有效保护，避免第一接地走线以及第二接地走线被静电击穿。同时防静电开关管具有放电简单，能够进一步对第一接地走线以及第二接地走线形成有效保护，避免第一接地走线以及第二接地走线被静电击穿。
基于上述实施例，本发明还提供了一种显示面板，该显示面板如图10所示，图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图，该显示面板包括：相对设置的彩膜基板100以及阵列基板101；其中，所述阵列基板101为上述实施例阵列基板。彩膜基板100与阵列基板101之间设置有液晶层103。
可选的，所述彩膜基板100背离所述阵列基板101的一侧设置有静电屏蔽层。所述静电屏蔽层为ITO层。
所述显示面板采用上述实施例所述的阵列基板，具有较好的静电防护效果。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (13)

1.一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板具有接地部件，其特征在于，所述阵列基板包括：
透明基板，所述透明基板包括显示区以及边框区；
设置所述透明基板同一侧的像素结构以及防静电开关管；所述像素结构包括像素薄膜晶体管；所述像素薄膜晶体管位于所述显示区，所述防静电开关管位于所述边框区；
位于所述防静电开关管背离所述透明基板一侧的第一接地走线以及位于所述防静电开关管与所述透明基板之间的第二接地走线；
其中，在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一接地走线以及所述第二接地走线在所述透明基板上的投影均位于所述边框区；所述第一接地走线通过所述防静电开关管与所述第二接地走线连接；
当静电电压不超过设定阈值时，静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；当静电电压大于所述设定阈值时，所述静电电压使得所述防静电开关管导通，一部分静电电荷依次通过所述第一接地走线、所述防静电开关管以及所述第二接地走线传导至所述接地部件，另一部分静电电荷通过所述第一接地走线传导至所述接地部件；
所述像素结构包括：多个阵列排布的像素薄膜晶体管；
所述像素薄膜晶体管包括：第一有源区；位于所述第一有源区背离所述透明基板一侧的第一源极以及第一漏极；所述第一源极以及所述第一漏极同层设置；
所述防静电开关管包括：与所述第一有源区同层设置的第二有源区以及与所述第一源极同层设置的第二漏极以及第二源极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源区包括：N型半导体区以及P型半导体区；所述N型半导体区与所述P型半导体区中的一者与所述第二漏极连接，另一者与所述第二源极连接；
其中，所述第一接地走线与所述第二接地走线中的一者与所述第二源极连接，另一者与所述第二漏极连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述防静电开关管还包括：在垂直于所述透明基板的方向上，与所述第二有源区相对设置的第二栅极；所述第二栅极与所述第二有源区之间具有栅绝缘层；
所述第二源极与所述第二漏极中的一者与所述第二栅极连接；
所述第二源极与所述第二漏极中的一者与所述第一接地走线连接，另一者与所述第二接地走线连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：
位于所述透明基板表面的遮光走线；
覆盖所述遮光走线的第一介质层；
位于所述第一介质层表面的第一有源区；在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一有源区在所述透明基板上的投影位于所述遮光走线在所透明基板上的投影内；
覆盖所述第一有源区的栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层表面的第一源极、第一漏极以及第一栅极；所述第一栅极位于所述第一源极与所述第一漏极之间；在垂直于所述透明基板的方向上，所述第一栅极在所透明基板上的投影位于所述第一有源区在所透明基板上的投影内，所述第一源极以及所述第一漏极均是至少部分与所述第一有源区交叠；所述第一源极以及所述第一漏极均通过贯穿所述栅绝缘层的过孔与所述第一有源区连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二接地走线与所述遮光走线同层设置。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
位于所述第一有源区背离所述透明基板一侧的栅极线、数据线以及像素电极；所述栅极线与所述栅极连接，所述数据线与所述第一源极连接，所述像素电极与所述第一漏极连接；
其中，所述第一接地走线与所述栅极线、或所述数据线、或所述像素电极同层设置。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括：
位于所述透明基板表面的第一栅极以及栅极线；所述栅极线与所述第一栅极连接；
覆盖所述栅极线表面的栅绝缘层；
位于所述绝缘层表面的第一有源区；
覆盖所述第一有源区的绝缘层；
位于所述绝缘层表面的第一源极以及第一漏极，所述第一源极与所述第一漏极均至少部分与所述第一有源区交叠。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二接地走线与所述栅极线同层设置。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
位于所述第一有源区背离所述透明基板一侧的数据线以及像素电极；所述数据线与所述第一源极连接，所述像素电极与所述第一漏极连接；
其中，所述第一接地走线与所述数据线、或所述像素电极同层设置。
10.根据权利要求1-9任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个所述防静电开关管以及多条与所述防静电开关管一一对应连接的所述第一接地走线；
其中，所述第一接地走线的间距小于预设距离值，且所述第一接地走线连接放电尖端。
11.一种显示面板，其特征在于，包括：相对设置的彩膜基板以及阵列基板；
其中，所述阵列基板为权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板背离所述阵列基板的一侧设置有静电屏蔽层。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述静电屏蔽层为ITO层。
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