CN105862016B - 无电镀金液 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种无电镀金液，该无电镀金液可通过在相同的镀浴中进行置换反应和还原反应而在不腐蚀基底金属的情况下形成金镀层，并且同时满足无铅焊接的焊接性和引线接合特性，并且具有优异的稳定性从而持续维持金沉积速率。

Description

无电镀金液
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年8月6日提交的韩国专利申请第2014-101171号的优先权和权益，该专利申请的全部公开内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及无电镀金液，更具体地本发明涉及一种如下的无电镀金液：可通过在相同的镀浴中进行置换反应和还原反应而在不腐蚀基底金属的情况下完成镀金、并且同时满足无铅焊接的焊接性和引线接合性能、并且具有优异的稳定性从而可以持续地维持金沉积速率。
背景技术
为了连接电子元件而对印刷电路板进行镀金。印刷电路板上的镀金是在制造工艺中所执行的最后步骤，用以防止焊盘表面的氧化，因为镀金对电子元件的安装性能和焊接性能等产生很大程度的影响，所以它对电子元件的可靠性具有较大的影响。
近来，作为更高度地集成和精细化的电路，需要通电的电镀金的方法正在被无电镀金方法所代替。
无电镀金方法包括：通过使用还原剂的自身催化的沉积进行镀金的还原镀方法、和以金置换基底金属的置换镀方法。在使用还原剂的自身催化无电镀金方法的情况下，其应用是有限的，因为镀金的厚度是不足的；在置换镀方法的情况下，其应用是有限的，因为在基底金属中发生腐蚀并且镀金的厚度是不足的。在使用还原剂的自身催化无电镀金方法的情况下，镀金的附着力变得不均匀，因此在进行无铅焊接时不能确保焊接性。
业界已对增加镀层的附着力同时抑制对基底金属的腐蚀并且提高无电镀金液的稳定性进行了许多研究。基于寻找合适还原剂或者其中在无电镀金方法中添加金属洗脱抑制剂的研究，引入了使用抗坏血酸(日本专利公开第1989-191782号)、肼化合物(日本专利公开第1991-215677号)、硫脲(日本专利公开第1997-287077号)、和苯基化合物(日本专利公开第2972209号)作为还原剂的方法；和使用苯并噻唑化合物(日本专利公开第1992-314871号)、巯基苯并噻唑化合物(日本专利公开第1992-350172号)、对苯二酚化合物(日本专利公开第2003-268559号)作为金属洗脱抑制剂的方法。
此外，美国专利第6,855,191号公开了一种使用2-巯基苯并噻唑作为稳定剂的方法，美国专利第6,383,269号公开了一种使用羟胺化合物作为还原剂的方法，美国专利第5,935,306号公开了一种使用抗坏血酸或其盐作为还原剂的方法，美国专利第5,601,637号公开了一种使用硝基苯磺酸钠和/或对硝基苯甲酸作为氧化剂来控制还原速率的方法。
然而，在解决诸如沉积速率、镀浴稳定性、镀层附着力的维持，基底金属的腐蚀等问题中存在着限制，因此对于更稳定的镀浴、沉积速率的连续维持、防止对基底金属的腐蚀、和附着力增加的研究继续地进行；并且对其中除了水溶性金化合物、络合剂和还原剂以外进一步添加水溶性胺化合物的实现无电镀金的无电镀金方法进行了研究并已看到了诸多进展。
添加水溶性胺化合物的这种无电镀金方法的常规技术如下。
在韩国专利申请第2003-0045071号中，将在上述化合物中最为有效的乙二胺化合物用作一种水溶性胺，并且将对苯二酚、甲基对苯二酚等用作苯基化合物。
在韩国专利申请第2006-0016767号中，将乙二胺或甘氨酸用作一种水溶性胺，并且将羟烷基磺酸或其盐用作还原剂。
在韩国专利申请第2008-0066570号中，将乙二胺衍生物用作一种水溶性胺，并且将甲醛亚硫酸氢盐用作还原剂。
在韩国专利申请第2012-0031990号中，将聚乙烯胺用作一种水溶性胺，并且将硼氢化物和硼化合物用作还原剂。
然而，在上述的常规技术中，尽管使用水溶性胺化合物会减慢置换反应速率，但并不能完全防止在基底金属中所发生的腐蚀和凹点，并且在250至260℃范围内的无铅焊接温度下不能确保无铅焊接的焊接性。
近来，由于禁止Sn/Pb焊料的使用，镀层的方法已转变为使用无铅(Sn/Ag/Cu)焊料的焊接方法，其中焊接温度已升高到250至260℃的范围内，造成热负荷增加，因此需要具有增强特性的无电镀金方法来克服热负荷。
随着无铅(Sn/Ag/Cu)焊料的使用，需要ENEPIG(无电镀镍/无电镀钯/浸金)方法的无电镀金方法。
此方法是一种在无电镍镀层与无电金镀层之间无电镀钯的方法，该方法防止镍的氧化和扩散，提高电路或端子的耐腐蚀性，并且克服镍和金镀层的接合性能的下降。在ENEPIG方法中，钯与金之间的电位差较小，因此使用现有的无电镀金液难以在镀钯表面上获得均匀的金镀层，并且也难以获得金镀层的期望厚度。
此外，需要在钯镀层上形成具有0.05μm以上厚度的用于无铅(Sn/Ag/Cu)焊接的金镀层，并且需在钯镀层上形成具有0.25μm以上厚度的用于引线接合的金镀层。当同时地执行无铅(Sn/Ag/Cu)焊接和引线接合时，需要在钯镀层上镀上具有0.25μm以上厚度的金镀层。
当采用普通的置换镀方法或还原镀金方法时，不能防止对基底金属的腐蚀，并且无铅(Sn/Ag/Cu)焊接的焊接性和引线接合性能是不足的。在置换反应开始的同时，应中止置换反应的继续，应立即将反应转变成还原反应，并且应获得均匀的镀金表面和具有足够厚度的金镀层。可通过利用离子催化剂来催化从钯镀层中分离的钯，并且在置换反应开始的同时引起金镀层，而中止置换反应的继续，因此需要能够将钯转变成离子催化剂材料的离子催化剂活化剂。
发明内容
为了解决常规技术的上述问题，本发明人已研究出了一种无电镀金液；该无电镀金液可防止ENEPIG方法中对基底金属的腐蚀、可在钯镀层上获得均匀且足够厚度的金镀层、可同时满足无铅(Sn/Au/Cu)焊料的焊接性和引线接合性能、并且包含能够在置换反应在相同镀浴中开始的同时利用离子催化来催化从镀钯的表面所分离的钯的离子催化剂活化剂。结果，完成了本发明。
本发明的目的是提供一种无电镀金液，该无电镀金液可防止在基底金属表面中发生的不规则的腐蚀和凹点，并且提供镀金表面的均匀性同时维持基底金属表面的均匀性。
本发明的另一个目的是提供一种无电镀金液，该无电镀金液可提供基底金属镀层与镀金层之间的完全附着、获得金镀层的足够厚度，并且显示无铅焊接的附着力和引线接合性能。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面提供一种无电镀金液，该无电镀金液包含去离子水、水溶性金化合物、络合剂、pH值缓冲剂、pH值控制剂、还原剂、和钯离子催化剂活化剂，其中钯离子催化剂活化剂是由下面的化学式1所代表的酰胺化合物：
[化学式1]
(其中R'和R"是CH3、C2H5、CH2OH、或C2H4OH，并且n为在2至5范围内的整数)。
在本发明的一个实施方式中，水溶性金化合物可包括选自氰化金钾、氰化金钠、亚硫酸金钠、和亚硫酸金铵的一种。
在本发明的一个实施方式中，以溶解于去离子水的1至2g/L的金含量而含有水溶性金化合物。
在本发明的一个实施方式中，络合剂可包括选自羟基乙二胺三乙酸、四羟基乙二胺、二羟基亚甲基二胺二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四丙酸、丙三醇、亚氨基二乙酸、二乙三胺五乙酸(DTPA)、N,N-二羧基甲基甘氨酸(NTA)、羟乙基甘氨酸、甘氨酸、柠檬酸、丙二酸、乙二酸、酒石酸、丁二酸、及其碱金属盐的一种。
在本发明的一个实施方式中，络合剂的浓度可以是溶解于无电镀金液中的金浓度的5至10倍。
在本发明的一个实施方式中，pH值缓冲剂可包括选自磷酸二氢钾、磷酸二氢钠、四硼酸钾、四硼酸钠、和磷酸氢二钾的一种。
在本发明的一个实施方式中，可以在相对于去离子水为0.1至0.5mol/L的范围内含有pH值缓冲剂。
在本发明的一个实施方式中，pH值控制剂可包括选自磷酸、盐酸、硫酸、氢氧化钠、和氢氧化钾的一种。
在本发明的一个实施方式中，可使用pH值控制剂将pH值调节到6.5至7.5的范围。
在本发明的一个实施方式中，还原剂可包括选自抗坏血酸、羟胺、肼、二甲基硼烷、硫脲、对苯二酚、甲醛、甲酸、和甲酸钠的一种。
在本发明的一个实施方式中，可在相对于去离子水为0.05至2mol/L范围内的含量而含有还原剂。
在本发明的一个实施方式中，可在相对于去离子水0.01至0.2mol/L范围内的含量而含有酰胺化合物。
在本发明的一个实施方式中，酰胺化合物可以是由下面的化学式2或化学式3所代表的酰胺化合物：
[化学式2]
[化学式3]
根据本发明的一个实施方式，可将无电镀金液使用于ENEPIG方法中。
在本发明的一个实施方式中，可将金镀层的厚度调节到0.01至0.5μm的范围。
附图说明
通过参照附图来详细地描述其示例性实施方式，本发明的上述和其它的目的、特征和优点对于所属领域的技术人员将变得显而易见，其中：
图1示出了在实施例1中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图2示出了在实施例2中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图3示出了在实施例3中镀金后的镀金表面(A)和剥去镀金后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图4示出了在实施例4中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图5示出了在实施例5中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图6示出了在比较例1中镀金后的镀金表面(A)和剥去镀金后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图7示出了在比较例2中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图8示出了在比较例3中镀金后的镀金表面(A)和剥去金镀层后的钯镀层表面(B)的SEM图像。
图9示出了本发明实施例中所使用的用于评价焊接(soldering锡焊)的测试基板(A)和用于评价引线接合的测试基板(B)的图像。
图10是说明在本发明的测试例1中无铅焊接焊接性测试过程中所示的良好模式和缺陷模式的视图。
图11是说明本发明测试例1中的引线接合测试中所示的5种制动模式(brakemode)的视图。
具体实施方式
在下文中，将详细地描述根据本发明的一个实施方式的无电镀金液。
根据本发明的一个实施方式提供一种无电镀金液，该无电镀金液包含去离子水、水溶性金化合物、络合剂、pH值缓冲剂、pH值控制剂、还原剂、和钯离子催化剂活化剂。
在根据本发明的一个实施方式的无电镀金液中，作为在ENEPIG(无电镀镍/无电镀钯/浸金)方法中在置换反应开始的同时可利用离子催化来催化从镀钯表面中分离的钯由此实现镀金并中止置换反应继续的离子催化剂活化剂，使用由下面的化学式1所代表的酰胺化合物：
[化学式1]
(其中R'和R"是CH3、C2H5、CH2OH或C2H4OH，并且n为在2至5范围内的整数)。
在本发明的一个实施方式中，在ENEPIG方法中酰胺化合物将在基底金属上的置换反应开始时从表面所分离的钯转变成离子催化材料，利用离子催化在钯表面上形成金镀层，并且中止置换反应继续，由此防止对基底金属的腐蚀。
此外，在本发明的一个实施方式中，当利用由酰胺化合物所形成的钯离子催化材料在镀钯表面上获得金镀层时，利用所形成金镀层的自身催化而连续地进行还原反应。因此，可防止在置换反应继续时在基底金属表面中由于置换反应的特性而产生的不规则的腐蚀和凹点，并且可提供镀金表面的均匀性同时维持基底金属表面的均匀性。因此，可提供基底金属的镀层与镀金层之间的完全附着、可将金镀层的厚度调整到0.01至0.5μm的范围，由此可获得无铅(Sn/Au/Cu)焊接的附着力和引线接合性能。
在本发明的一个实施方式中，酰胺化合物可以是根据下面的化学式2或化学化学式3的酰胺化合物。
[化学式2]
[化学式3]
在本发明的一个实施方式中，优选地相对于去离子水所含的酰胺化合物在0.01至0.2mol/L范围内。
当以相对于金化合物的量小于0.01mol/L的量使用酰胺化合物时，会在基底金属中会发生腐蚀，并且可降低无铅焊接的焊接性和引线接合性能。
当以相对于金化合物的量大于0.2mol/L的量使用酰胺化合物时，可导致镀速的下降和溶液稳定性的下降。
本发明的一个实施方式中所使用的水溶性金化合物可包括选自氰化金钾、氰化金钠、亚硫酸金钠、和亚硫酸金铵的一种。
在本发明的一个实施方式中，优选地以1至2g/L的溶解于去离子水中的金含量而含有水溶性金化合物。
在本发明的一个实施方式中所使用的络合剂可包括选自羟基乙二胺三乙酸、四羟基乙二胺、二羟基亚甲基二胺二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四丙酸、丙三醇、亚氨基二乙酸、二乙三胺五乙酸(DTPA)、N,N-二羧基甲基甘氨酸(NTA)、羟乙基甘氨酸、甘氨酸、柠檬酸、丙二酸、乙二酸、酒石酸、丁二酸的一种，及其碱金属盐。
在本发明的一个实施方式中，络合剂的功用是通过用本发明一个实施方式的无电镀金液来调整镀金的晶体而防止镀金薄膜的变色。
在本发明的一个实施方式中，络合剂的浓度优选地是溶解于无电镀金液中的金浓度的5至10倍。
当以小于上述浓度的浓度而使用络合剂时，会在所形成的镀层表面上发生变色；当以大于上述浓度的浓度而使用络合剂时，会降低镀液的稳定性。
在本发明的一个实施方式中，pH缓冲剂可包括但不限于选自磷酸二氢钾、磷酸二氢钠、四硼酸钾、四硼酸钠、和磷酸氢二钾的一种。
在本发明的一个实施方式中，优选地以在相对于去离子水为0.1至0.5mol/L范围内的含量而含有pH值缓冲剂。
在本发明的一个实施方式中，pH值控制剂可包括选自磷酸、盐酸、硫酸、氢氧化钠、和氢氧化钾中的一种。
在本发明的一个实施方式中，优选地使用pH值控制剂将无电镀金液的pH值调整到6.5至7.5的范围。
当把无电镀金液的pH值调整到小于6.5时，由于镀速提高因而焊料连接的可靠性会下降，当把无电镀金液的pH值调整到大于7.5时，镀液的稳定性下降，从而导致易于发生镀液分解的问题。
在本发明的一个实施方式中，还原剂可包括选自抗坏血酸、羟胺、肼、二甲胺硼烷、硫脲、对苯二酚、甲醛、甲酸、和甲酸钠的一种。
在本发明的一个实施方式中，还原剂的功用是通过还原镀液中的金而连续地增加镀金的厚度。
在根据本发明的一个实施方式的无电镀金液中，以在相对于去离子水为0.05至2mol/L范围内的含量而含有还原剂。
当使用根据本发明的一个实施方式的上述无电镀金液时，温度优选地在50至90℃的范围内，在高温下会损害抗腐蚀性并且会降低无电镀金镀浴的稳定性。在70至80℃范围内的温度适合于维持镀金沉积速率和镀浴的长期稳定性。基于金的期望厚度反应时间优选地在5至30分钟的范围内，在20至30分钟范围内的反应时间适合于通常在印刷电路板(PCB)中所需的0.25μm的镀层厚度。
下面将参照附图来详细描述本发明的示例性实施方式。本申请和权利要求中所使用的术语和词语不应当用一般含义或词典含义来解释，而应当根据与本发明技术细节相对应的含义和概念来解释。
本申请中所揭示的实施方式和附图是示例性的实施方式和附图，不代表本发明的技术精神。因此，对于所属领域的技术人员将显而易见的是，可以在不背离本发明的精神和范围的前提下作出各种修改。
实施例1
按照表1中所示的各组分含量和条件，将1.5g/L的氰化金钾(基于金含量)、15g/L的EDTA-2Na、10g/L的磷酸二氢钾、1g/L的水合肼、和10g/L的化学式2的酰胺化合物添加到去离子水中，以制备根据本发明的一个实施方式的无电镀金液。通过添加氢氧化钾将无电镀金液的pH值调整到7.2，用具有80℃温度的镀浴中的无电镀金液对测试基板进行20分钟镀金。
*使用的测试基板
在本发明的一个实施方式中所使用的PCB基板是具有1mm厚度的阻焊层限定(SMD)型FR-4基板。形成于基板上的焊盘开口的尺寸为400μm，间距尺寸为800μm，基板形成为如图9中所示。将所制造的基板配置在被设计成将所有电子器件电性连接的菊链中，并进行焊接评价。
此外，如图9中所示，通过将宽表面焊盘经过电路连接到窄表面焊盘而设计其中可以进行电链应(galvanic reaction)的基板，然后对镀速、镀层外观、镀层附着力、和引线接合进行评价，。
实施例2
按照表1中所示的各组分含量和条件，除了将pH值调节到7.0以外其余以与实施例1同样的方式对试样进行镀金，在80℃下进行30分钟的无电镀金。
实施例3
按照表1中所示的各组分含量和条件，将2.0g/L的氰化金钾(基于金含量)、10g/L的EDTA-2Na、10g/L的磷酸二氢钾、1g/L的二甲胺硼烷、和15g/L的化学式3的酰胺化合物添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将该无电镀金液的pH值调节到7.0，在80℃下使用无电镀金液对测试基板进行20分钟镀金。
实施例4
按照表1中所示的各组分含量和状态，将2.0g/L的氰化金钾(基于金含量)、10g/L的EDTA-2Na、10g/L的柠檬酸钠、10g/L的磷酸二氢钾、1g/L的二甲胺硼烷、和15g/L的化学式3的酰胺化合物添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将该无电镀金液的pH值调节到7.1，在80℃下进行35分钟的镀金。
实施例5
按照表1中所示的各组分含量和状态，将2.0g/L的氰化金钾(基于金含量)、10g/L的EDTA-2Na、10g/L的柠檬酸钠、10g/L的磷酸二氢钾、1g/L的甲醛、和15g/L的化学式3的酰胺化合物添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将该无电镀金液的pH值调节到7.2，在80℃下进行30分钟的镀金。
比较例1
按照表1中所示的各组分含量和条件，通过在不使用酰胺化合物的情况下将2g/L的氰化金钾(基于金含量)、10g/L的EDTA-2Na、15g/L的磷酸二氢钾、10g/L的乙二胺、和1g/L的甲醛添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将无电镀金液的pH值调节到7.0，在85℃下进行30分钟的镀金。
比较例2
按照表1中所示的组分含量和条件，通过在不使用酰胺化合物的情况下将2g/L的氰化金钾(基于金含量)、15g/L的EDTA-2Na、10g/L的柠檬酸钠、15g/L的磷酸二氢钾、15g/L的乙二胺、和2g/L的甲醛添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将无电镀金液的pH值调节到7.0，在85℃下进行30分钟镀金。
比较例3
按照表1中的各组分含量和条件，通过在不使用酰胺化合物的情况下将2g/L的氰化金钾(基于金含量)、10g/L的EDTA-2Na、15g/L的磷酸二氢钾、和2g/L的甲醛添加到去离子水中，而制备无电镀金液。将该无电镀金液的pH值调节到7.1，在85℃下进行30分钟镀金。
[表1]
测试例1：对在实施例1至5和比较例1至3中所制备镀层的物理性质的测量评价。
*物理性质测量方法
1)镀金的厚度：使用荧光X射线测量装置(SFT-9550；精工仪器纳米技术有限公司(Seiko Instruments Nanotechnology Inc.)(SII NanoTechnologyInc.)Ltd.)进行测量，并且将测量结果示于表2。
2)基底金属的腐蚀状况和凹点：在将无电金镀层剥去后，使用SEM以10,000倍的放大倍数观察镀层，由此确定在基底金属表面中产生的基底金属表面的腐蚀程度和凹点，并将结果示于表2。将在实施例1至5和比较例1至3中镀金后的镀金表面和剥去镀金后的钯镀层表面的SEM图像示于图1-8。
3)镀层附着力：使用胶带进行剥离测试，判断基底金属与金镀层是否分离并且附着到胶带上，将结果示于表2。
4)无铅焊接的焊接性测试：使用DAGE 4000装置进行对焊球的拉引强度和缺陷模式的测试。将拉引速度设为5,000μm/sec，测量镀金后试样的强度，当以如图10中所示方式使焊盘下端的材料分离或者将焊球破坏时，将其定义为良好模式，当将IMC层破坏或者使镀层的界面暴露时，将其定义为缺陷模式。进行总共30次的测试以获得平均值，并将其结果示于表2。
[测量条件]
测量方法：拉球测试，焊球：α金属0.45φSAC305(Sn-3.OAg-0.5Cu)，回流焊：多次回流焊(BTU国际有限公司，BTU International，Inc.，VIP-70)，回流焊条件：顶部260℃
5)引线接合测试：使用DAGE 4000装置进行引线接合测试，以评价引线接合的结合强度和失效模式(failure mode)。
如图11中所示的方式，将拉引速度设为1,000μm/sec，将引线的制动模式(brakemode)分为5个步骤。在30个试样的拉引测试后，基于平均强度的值获得结合强度，通过将这些试样分为良好模式和其中镀层界面被破坏的缺陷模式而确定并评价引线的断点。
[测量条件]
引线接合装置：Kulicke&Soffa Industries，Inc.，W-4626，引线：1毫英寸(mil)-金(Au)，级温：165℃。
[表2]
在实施例1、2、3、4和5中，当使用酰胺化合物作为钯离子催化剂活化剂材料时，结果是在试样的基底金属中没有腐蚀，并且显示优异的焊料焊接性和引线接合特性，同时具有0.25μm以上厚度的金镀层。
在比较例1和2中，使用乙二胺来代替酰胺化合物，结果获得其中在基底金属中发生腐蚀、金镀层的厚度不足、且焊料的焊接性和引线接合性能也不足的试样。
根据本发明一个实施方式的无电镀金液通过在相同的镀浴中在ENEPIG方法中进行置换反应和还原反应可获得镀金表面的均匀性和镀层的期望厚度并且在基底金属表面中不产生不规则的腐蚀和凹点，并且同时满足无铅(Sn/Au/Cu)焊接的焊接性和引线接合性能，并且具有优异的稳定性从而可以连续地维持金沉积速率。
此外，根据本发明一个实施方式的无电镀金液可提供基底金属的镀层与金镀层之间的完全附着，并且将金镀层的厚度调整到0.01至0.5μm的范围。
以上的描述只是对本发明技术精神的示例性描述，对于所属领域技术人员将显而易见的是，在不背离本发明精神或范围的前提下可以对本发明的上述示例性实施方式作出各种修改。因此，本发明中所揭示的实施方式意图是用来描述本发明而不是限制本发明，并且本发明的技术精神的范围并不局限于这些实施方式。意图是本发明包括在所附权利要求及其等同物范围内的所有的这种修改。

Claims (15)

1.一种无电镀金液，包含：
去离子水，
水溶性金化合物，
络合剂，
pH值缓冲剂，
pH值控制剂，
还原剂，和
钯离子催化剂活化剂；
其中所述钯离子催化剂活化剂是由下面的化学式1所代表的酰胺化合物：
其中R'和R"是CH3、C2H5、CH2OH或C2H4OH，且n为在2至5范围内的整数。
2.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述水溶性金化合物选自氰化金钾、氰化金钠、亚硫酸金钠、和亚硫酸金铵。
3.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所含的所述水溶性金化合物，以溶解于去离子水的金含量计，在1至2g/L范围内。
4.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述络合剂选自羟基乙二胺三乙酸、四羟基乙二胺、二羟基亚甲基二胺二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四丙酸、丙三醇、亚氨基二乙酸、二乙三胺五乙酸(DTPA)、N,N-二羧基甲基甘氨酸(NTA)、羟乙基甘氨酸、甘氨酸、柠檬酸、丙二酸、乙二酸、酒石酸、丁二酸、及其碱金属盐。
5.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述络合剂的浓度为溶解于所述无电镀金液中的金浓度的5至10倍。
6.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述pH值缓冲剂选自磷酸二氢钾、磷酸二氢钠、四硼酸钾、四硼酸钠、和磷酸氢二钾。
7.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中以相对于去离子水为0.1至0.5mol/L范围内的含量而含有所述pH缓冲剂。
8.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述pH值控制剂选自磷酸、盐酸、硫酸、氢氧化钠、和氢氧化钾。
9.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中pH值用所述pH值控制剂调整到6.5至7.5的范围。
10.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述还原剂是选自抗坏血酸、羟胺、肼、二甲基胺硼烷、硫脲、对苯二酚、甲醛、甲酸、和甲酸钠。
11.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中含有相对于去离子水为0.05至2mol/L的范围内的所述还原剂。
12.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中含有相对于去离子水为0.01至0.2mol/L范围内的所述酰胺化合物。
13.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述酰胺化合物是由下面的化学式2或化学式3所代表的酰胺化合物：
14.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中所述无电镀金液用于ENEPIG(无电镀镍/无电镀钯/浸金)方法。
15.根据权利要求1所述的无电镀金液，其中镀金的厚度调整到0.01至0.5μm的范围。
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