CN105636359B - 封装基板阻焊加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种封装基板阻焊加工方法，封装基板设有第一表面和第二表面，该方法包括以下步骤：对封装基板进行阻焊前处理；在对第一表面进行阻焊丝印后；在对第二表面进行阻焊丝印；对第一表面和第二表面进行真空压膜；在对第一表面和第二表面进行滚涂。本方法采用阻焊丝印的方式先涂覆封装基板的表面和填充孔内油墨，再使用真空压膜机将丝印预固化时发生的孔口凹陷进行整平填塞，增加孔内油墨填充的致密性和饱满程度，再在滚涂线进行表面涂覆油墨，对孔进一步填充，使得产品经过预烘后，孔口基本无凹陷，减少孔口凹陷的目的，平整性好，满足产品表面的品质要求，成品率高。

Description

封装基板阻焊加工方法
技术领域
本发明涉及封装基板加工技术领域，特别是涉及一种封装基板阻焊加工方法。
背景技术
封装基板起到保护芯片并作为集成电路芯片和外界接口的作用，安装时封装基板一面与芯片连接且要求表面平整性好，另一面裸露在外直接与消费者接触，因此其外观品质要求高。目前封装基板层与层间主要通过导通孔进行电信号连接，而导通孔除了金属化，还必须通过填塞的方式将其进一步填塞来满足表面的品质要求，常见的填塞方式主要采用阻焊塞孔，而常规的阻焊塞孔因其塞孔可以与表面油墨一起印刷即连塞带印方式，工艺流程简单且良率高，被广泛采纳。但由于阻焊油墨的特性，其固化后质量减少都在25％以上，使得油墨在高温条件下固化后，由于溶剂挥发和油墨单体发生聚合，导致体积会相应的收缩，采用阻焊填塞后的孔表面经常会出现很多很深的凹陷，平整性差，无法满足产品表面的品质要求，成品率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种封装基板阻焊加工方法，能够减少阻焊填塞后孔表面的凹陷，平整性好，满足产品表面的品质要求。
为实现本发明的目的，采取的技术方案是：
一种封装基板阻焊加工方法，封装基板设有第一表面和第二表面，该方法包括以下步骤：
A、对封装基板进行阻焊前处理；
B、在对第一表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第一次预烘；
C、在对第二表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第二次预烘；
D、对第一表面和第二表面进行真空压膜；
F、在对第一表面和第二表面进行滚涂后，对封装基板进行第三次预烘；
E、对第一表面和第二表面进行阻焊曝光、阻焊显影、阻焊后固化。
本方法采用阻焊丝印的方式先涂覆封装基板的表面和填充孔内油墨，再使用真空压膜机将丝印预固化时发生的孔口凹陷进行整平填塞，增加孔内油墨填充的致密性和饱满程度，再在滚涂线进行表面涂覆油墨，对孔进一步填充，使得产品经过预烘后，孔口基本无凹陷，为后固化收缩增加空间，从而达到减少孔口凹陷的目的，平整性好，满足产品表面的品质要求，成品率高。
下面对技术方案进一步说明：
进一步的是，在步骤B中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为10-15min。
进一步的是，预烘后第一表面的油墨厚度为8-15μm。
进一步的是，在步骤C中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为15-20min。
进一步的是，预烘后第二表面的油墨厚度为8-15μm。
进一步的是，在步骤D中，使用真空压膜机对第一表面和第二表面进行加热、抽真空和加压。
进一步的是，加热温度为80-100℃，抽真空至3Hpa，加压压力为0.3-0.4Mpa，加压时间为30-40s。
进一步的是，在步骤F中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为25-30min。
进一步的是，预烘后第一表面和第二表面的油墨厚度为12-18μm。
进一步的是，在步骤A中，对封装基板的镀铜层进行化学超粗化处理，化学微蚀量为0.8-1.2μm。使在阻焊丝印时，增加镀铜层与阻焊的结合能力，确保可靠性。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明采用阻焊丝印的方式先涂覆封装基板的表面和填充孔内油墨，再使用真空压膜机将丝印预固化时发生的孔口凹陷进行整平填塞，增加孔内油墨填充的致密性和饱满程度，再在滚涂线进行表面涂覆油墨，对孔进一步填充，使得产品经过预烘后，孔口基本无凹陷，为后固化收缩增加空间，从而达到减少孔口凹陷的目的，平整性好，满足产品表面的品质要求，成品率高。与传统的阻焊塞孔工艺相比，对于厚度为0.15mm以内的封装基板，本发明加工出来的封装基板孔口缺陷值小于3μm，而采用传统阻焊塞孔工艺加工出来的封装基板孔口缺陷值至少大于7μm。
附图说明
图1是本发明实施例封装基板阻焊加工方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例进行详细说明：
如图1所示，一种封装基板阻焊加工方法，封装基板设有第一表面和第二表面，该方法包括以下步骤：
A、对封装基板进行阻焊前处理；
B、在对第一表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第一次预烘；
C、在对第二表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第二次预烘；
D、对第一表面和第二表面进行真空压膜；
F、在对第一表面和第二表面进行滚涂后，对封装基板进行第三次预烘；
E、对第一表面和第二表面进行阻焊曝光、阻焊显影、阻焊后固化。
本方法采用阻焊丝印的方式先涂覆封装基板的表面和填充孔内油墨，再使用真空压膜机将丝印预固化时发生的孔口凹陷进行整平填塞，增加孔内油墨填充的致密性和饱满程度，再在滚涂线进行表面涂覆油墨，对孔进一步填充，使得产品经过预烘后，孔口基本无凹陷，为后固化收缩增加空间，从而达到减少孔口凹陷的目的，平整性好，满足产品表面的品质要求，成品率高。与传统的阻焊塞孔工艺相比，对于厚度为0.15mm以内的封装基板，本发明加工出来的封装基板孔口缺陷值小于3μm，而采用传统阻焊塞孔工艺加工出来的封装基板孔口缺陷值至少大于7μm。
在步骤A中，对封装基板进行化学超粗化处理，化学微蚀量为1μm。使在后续的阻焊丝印流程时，增加镀铜层与阻焊的结合能力，确保可靠性。化学微蚀量还可以根据实际需要设置在0.8-1.2μm之间。
在步骤B中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为80℃，时间为12min,预烘后第一表面的油墨厚度为12μm。恒温度还可以根据实际需要将温度设置在75-85℃之间，将时间设置在10-15min之间；预烘后第一表面的油墨厚度控制在8-15μm之间。
在步骤C中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为80℃，时间为18min,预烘后第二表面的油墨厚度为12μm。恒温度还可以根据实际需要将温度设置在75-85℃之间，将时间设置在15-20min之间；预烘后第二表面的油墨厚度控制在8-15μm之间。
在步骤D中，使用真空压膜机对第一表面和第二表面进行加热、抽真空和加压，压合第一表面上的油墨和第二表面上的油墨。通过在真空环境下通过气囊加压的方式增加孔内油墨填充的致密性，来减少阻焊油墨的固化收缩，真空压膜机的作业条件为将温度升温至90℃，抽真空至3Hpa，气囊压力升至0.35Mpa，加压35s。真空压膜机的作业条件还可以根据实际需要将温度设置在80-100℃之间，将气囊压力升设置在0.3-0.4Mpa之间，将加压时间设置在30-40s之间。
在步骤F中，预烘的温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为80℃，时间为28min,预烘后第一表面和第二表面的油墨厚度为15μm。恒温度还可以根据实际需要将温度设置在75-85℃之间，将时间设置在25-30min之间；预烘后第一表面和第二表面的油墨厚度控制在12-18μm之间。
该方法通过阻焊丝印完成表面底层油墨的涂覆和孔内油墨的初步填充，真空压膜增加孔内油墨填充的致密性，使孔口进一步形成可被后面滚涂简单填充的孔口凹陷，滚涂时可以在封装基板两面涂覆一层油墨，将表面油墨的外观进行还原，同时可以填充真空压膜后孔口的凹陷，从整体上增大孔内填充油墨的体积，为后固化提供体积收缩的空间，达到减少孔口凹陷的目的。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种封装基板阻焊加工方法，封装基板设有第一表面和第二表面，其特征在于，包括以下步骤：
A、对封装基板进行阻焊前处理；
B、在对第一表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第一次预烘；
C、在对第二表面进行阻焊丝印后，对封装基板进行第二次预烘；
D、对第一表面和第二表面进行真空压膜，将丝印预固化时发生的孔口凹陷进行整平填塞，增加孔内油墨填充的致密性和饱满程度，使孔口进一步形成可被后面滚涂简单填充的孔口凹陷；
F、在对第一表面和第二表面进行滚涂后，对封装基板进行第三次预烘；
E、对第一表面和第二表面进行阻焊曝光、阻焊显影、阻焊后固化。
2.根据权利要求1所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，在步骤B中，预烘温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为10-15min。
3.根据权利要求2所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，预烘后第一表面的油墨厚度为8-15μm。
4.根据权利要求1所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，在步骤C中，预烘温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为15-20min。
5.根据权利要求4所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，预烘后第二表面的油墨厚度为8-15μm。
6.根据权利要求1所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，在步骤D中，使用真空压缩机对第一表面和第二表面进行加热、抽真空和加压。
7.根据权利要求6所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，加热温度为80-100℃，抽真空至3Hpa，加压压力为0.3-0.4Mpa，加压时间为30-40s。
8.根据权利要求1所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，在步骤F中，预烘温度曲线呈梯形，该温度曲线包括升温段、恒温段和降温段，其中恒温段的温度为75-85℃，时间为25-30min。
9.根据权利要求8所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，预烘后第一表面和第二表面的油墨厚度为12-18μm。
10.根据权利要求1至9任一项所述的封装基板阻焊加工方法，其特征在于，在步骤A中，对封装基板的镀铜层进行化学超粗化处理，化学微蚀量为0.8-1.2μm。
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