CN105612600A - 元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题在于提供一种元件加工用层叠体，所述元件加工用层叠体在半导体电路形成基板的背面研磨、背面电路形成工序中，不产生挥发成分，并且不发生因剥离等而导致的基板的破裂，可在室温下以温和的条件进行剥离，并且在剥离后的半导体电路形成基板侧几乎不残留临时粘接剂。本发明的元件加工用层叠体是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体，其特征在于，临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B，耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力。

Description

元件加工用层叠体、元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法
技术领域
本发明涉及临时粘合用粘接剂、和将其用于临时粘接层的元件加工用层叠体、及元件加工用层叠体的制造方法、以及使用了该元件加工用层叠体的薄型元件的制造方法，所述临时粘合用粘接剂的耐热性优异，即使经过半导体装置、图像显示装置等的制造工序，粘接力也不发生变化，随后可在室温下以温和的条件进行剥离。
背景技术
近年来，半导体装置、图像显示装置的轻量化、薄型化不断发展。尤其是在半导体装置中，为了实现半导体元件的高集成化、高密度化，一直在开发通过硅贯通电极(TSV：ThroughSiliconVia)将半导体芯片连接并进行层叠的技术。另外，需要将封装体(package)减薄，已对将半导体电路形成基板的厚度薄型化为100μm以下并进行加工的情形进行了研究。在该工序中，通过研磨半导体电路形成基板的非电路形成面(背面)而进行薄型化，在所述背面上形成背面电极。为了防止半导体电路形成基板在研磨等工序中破裂，将半导体电路形成基板固定于具有支承性的硅晶片(wafer)、玻璃基板等支承基板，进行研磨、背面电路形成加工等，然后，将经加工的半导体电路形成基板从支承基板剥离。为了将半导体电路形成基板固定于支承基板，使用了临时粘合材料，对于用作所述临时粘合材料的粘接剂，要求耐受半导体工序的程度的耐热性，另外，要求在加工工序结束后可容易地剥离。
作为这样的临时粘接剂，提出了使用硅系的材料、利用加热处理进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献1)；使用聚酰胺或聚酰亚胺系的材料、进行加热而进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献2)等。另外，提出了通过紫外线照射、使耐热性优异的四唑化合物分解而产生气泡从而剥落的材料(例如，参见专利文献3)等。另外，提出了将临时粘接剂制成热塑性有机聚硅氧烷系和固化性改性硅氧烷系的两层结构、在室温下进行剥离的临时粘接剂(例如，参见专利文献4)。
专利文献1：日本特开2012-144616号公报(权利要求书)
专利文献2：日本特开2010-254808号公报(权利要求书)
专利文献3：日本特开2012-67317号公报(权利要求书)
专利文献4：日本特开2013-48215号公报(权利要求书)
发明内容
然而，利用加热处理进行剥离的临时粘接剂存在以下问题：在用于剥离的加热工序中，焊料凸块熔化；半导体加工工序中的粘接力降低，在工序中途发生剥离；或粘接力上升，变得无法剥离；等等。另外，在使粘接剂具有感光性时，由于添加光聚合引发剂、光敏剂，所以还有在高温真空条件下的工序中产生挥发成分等问题。
虽然在室温下剥离时不存在上述那样的问题，但存在以下问题：由于在剥离后在半导体电路形成基板上附着有临时粘合材料，所以需要利用溶剂等的洗涤除去工序，为了完全除去临时粘合材料，在工序上成为相当大的负担。
鉴于上述情况，本发明的目的在于：提供一种元件加工用层叠体，所述元件加工用层叠体在半导体电路形成基板的背面研磨、背面电路形成工序中，不产生挥发成分，并且不发生因剥离等而导致的基板的破裂，可在室温下以温和的条件进行剥离，并且在剥离后的半导体电路形成基板侧几乎不残留临时粘接剂；还提供所述元件加工用层叠体的制造方法、及使用其的薄型元件的制造方法。
即，本发明是一种元件加工用层叠体，其是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体，其特征在于，临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B，耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力。
通过本发明，可提供一种元件加工用层叠体，所述元件加工用层叠体具有在元件加工工序中不产生挥发成分的充分的耐热性，在研磨工序中也不发生元件加工用基板的破裂等。另外，可在室温下以温和的条件将元件加工用基板从支承基板剥离，剥离后，几乎不存在附着于元件加工用基板的临时粘接剂，因而生产率提高。
附图说明
图1是本发明的元件加工用层叠体的概略图。
具体实施方式
如图1所示，本发明的元件加工用层叠体是介由临时粘接层将元件加工用基板与支承基板粘接而形成的，临时粘接层由耐热树脂层A和耐热树脂层B这两层构成。支承基板发挥下述作用，即，在对元件加工用基板进行加工时，支承元件加工用基板。
元件加工用基板通常为硅晶片。在与耐热树脂层B接触的面上形成有电路、及外部连接用的凸块，其相反面为未形成电路的面。另外，也可在未形成电路的面上形成电路、及外部连接用的凸块，形成用于将表面背面的电路导通的贯通电极。元件加工用基板的厚度没有特别限制，为600～800μm、优选为625～775μm。
支承基板可使用硅晶片、玻璃、石英晶片等基板。支承基板的厚度没有特别限制，为600～800μm、优选为625～775μm。
临时粘接层是将元件加工用基板临时固定于支承基板的层。在元件加工用基板的器件加工工序中不发生剥离、在器件加工工序结束后的剥离工序中容易将经加工的元件加工用基板从支承基板剥离是重要的。另外，不仅是容易地剥离，而且在剥离后的元件加工用基板上没有残留临时粘接层的树脂也是重要的。若树脂残留，则需要进行用有机溶剂等洗掉树脂的工序，生产工序中的负担增加。
因此，本发明中的临时粘接层为耐热树脂层A与耐热树脂层B的两层结构，耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力是重要的。耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力、和耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力的差为10g/cm以上，优选为50g/cm以上。通过形成这样的粘接特性，从而在元件加工用基板的器件加工工序中不发生剥离，在剥离工序中容易在耐热树脂层B与元件加工用基板之间发生剥离，并且在元件加工用基板上不残留树脂。
耐热树脂层B与元件加工用基板之间的粘接力为1g/cm以上、70g/cm以下，优选为10g/cm以上、40g/cm以下。粘接力为1g/cm以上、70g/cm以下时，在加工工序中，元件加工用基板不会剥落而发生破裂，在剥离工序中，可在室温下容易地剥离。另外，耐热树脂层A与支承基板的粘接力、及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力为20g/cm以上，优选为50g/cm以上，进一步优选为100g/cm以上。粘接力为20g/cm以上时，在加工工序中，能够在元件加工用基板不破裂的情况下进行加工。此处的粘接力，可通过测定以一定的角度及一定的速度将被粘接体提起时所施加的应力而求出。本发明的粘接力是以90°的角度以50mm/分钟的拉伸速度剥下时的粘接力。
对于能够用于构成临时粘接层的耐热树脂层A、耐热树脂层B的树脂，可使用丙烯酸系树脂、丙烯腈系树脂、丁二烯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺酰亚胺系树脂、环氧系树脂、酚醛系树脂等高分子树脂，优选为耐热性高的聚酰亚胺系树脂。
所谓耐热性，用通过分解等产生挥发成分的热分解起始温度来进行定义。优选的热分解起始温度为250℃以上，进一步优选为300℃以上。热分解起始温度为250℃以上时，在元件加工工序中的热处理工序中不产生挥发成分，元件的可靠性提高。本发明的热分解起始温度可使用热重分析仪(TGA)测定。对测定方法进行具体说明。将规定量的树脂装入到TGA中，于60℃保持30分钟，除去树脂吸收的水分。接下来，以5℃/分钟升温至500℃。从得到的重量减少曲线中，将重量开始减少的温度作为热分解起始温度。
本发明的耐热树脂层A中优选包含下述耐热树脂A，所述耐热树脂A为至少具有酸二酐残基和二胺残基的聚酰亚胺系树脂，所述二胺残基至少包含通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基。
通式(1)中，n为自然数，由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的n的平均值为1以上。R1及R2可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的亚烷基或亚苯基。R3～R6可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的烷基、苯基或苯氧基。
另外，上述聚硅氧烷系二胺的平均分子量可如下求出，即，通过进行聚硅氧烷系二胺的氨基的中和滴定而计算出氨基当量，将该氨基当量乘以2即得平均分子量。例如，可以取规定量的作为试样的聚硅氧烷系二胺，放入烧杯中，将其溶解在规定量的异丙醇(以下记为IPA。)与甲苯的1∶1混合溶液中，一边搅拌一边向该溶液中滴加0.1N盐酸水溶液，由到达中和点时的0.1N盐酸水溶液的滴加量计算出氨基当量。将该氨基当量乘以2所得的值即为平均分子量。
另一方面，可由化学结构式计算出使用的聚硅氧烷系二胺在n＝1的情况及n＝10的情况下的分子量，以一次函数关系式的形式得到n的数值与分子量的关系。将上述平均分子量代入到该关系式中，可得到上述n的平均值。
另外，有时通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺中的n不是单一的，而是具有复数个n的混合物，因此，本发明中的n表示平均值。n为1以上，优选为5～100的范围，进一步优选为7～50的范围。
作为通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的具体例，可举出双(3-氨基丙基)四甲基二硅氧烷、α，ω-双(3-氨基丙基)聚二甲基硅氧烷、α，ω-双(3-氨基丙基)聚二乙基硅氧烷、α，ω-双(3-氨基丙基)聚二丙基硅氧烷、α，ω-双(3-氨基丙基)聚二丁基硅氧烷、α，ω-双(3-氨基丙基)聚二苯氧基硅氧烷、α，ω-双(2-氨基乙基)聚二甲基硅氧烷、α，ω-双(2-氨基乙基)聚二苯氧基硅氧烷、α，ω-双(4-氨基丁基)聚二甲基硅氧烷、α，ω-双(4-氨基丁基)聚二苯氧基硅氧烷、α，ω-双(5-氨基戊基)聚二甲基硅氧烷、α，ω-双(5-氨基戊基)聚二苯氧基硅氧烷、α，ω-双(4-氨基苯基)聚二甲基硅氧烷、α，ω-双(4-氨基苯基)聚二苯氧基硅氧烷等。上述聚硅氧烷系二胺可单独使用，也可使用2种以上。
对于本发明的耐热树脂A所包含的聚酰亚胺系树脂而言，优选在全部二胺残基中包含40摩尔％以上的通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，更优选为60摩尔％以上、99摩尔％以下。通过包含40摩尔％以上的通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，能够使耐热树脂层A的玻璃化温度为60℃以下，能够在介由临时粘接层将支承基板与元件加工用基板粘接的工序中于200℃以下的低温下呈现出良好的粘合性。越是增加通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基的含量，耐热树脂A的玻璃化温度越会降低，优选为40℃以下，进一步优选为20℃以下。
本发明中，除了上述聚硅氧烷系二胺的残基以外，还可具有芳香族二胺的残基及/或脂环式二胺的残基。作为芳香族二胺及/或脂环式二胺的具体例，可举出对苯二胺、间苯二胺、2，5-二氨基甲苯、2，4-二氨基甲苯、2-甲氧基-1，4-苯二胺、4，4’-二氨基苯酰替苯胺、3，4’-二氨基苯酰替苯胺、3，3’-二氨基苯酰替苯胺、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基苯酰替苯胺、9，9-双(4-氨基苯基)芴、9，9-双(3-氨基苯基)芴、9，9-双(3-甲基-4-氨基苯基)芴、9，9-双(3，5-二甲基-4-氨基苯基)芴、9，9-双(3-甲氧基-4-氨基苯基)芴、4-甲基-9，9-双(4-氨基苯基)芴、4-甲氧基-9，9-双(4-氨基苯基)芴、4-乙基-9，9-双(4-氨基苯基)芴、9，9-双(4-氨基苯基)芴-4-砜、3-甲基-9，9-双(4-氨基苯基)芴、1，3-二氨基环己烷、2，2’-二甲基联苯胺、3，3’-二甲基联苯胺、3，3’-二甲氧基联苯胺、2，4-二氨基吡啶、2，6-二氨基吡啶、1，5-二氨基萘、2，7-二氨基芴、对氨基苄基胺、间氨基苄基胺、4，4’-双(4-氨基苯氧基)联苯、4，4’-二氨基二苯基醚、3，3’-二氨基二苯基醚、3，4’-二氨基二苯基醚、4，4’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯基砜、3，3’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基甲烷、4，4’-二氨基二苯基硫醚、3，3’-二氨基二苯甲酮、3，4’-二氨基二苯甲酮、4，4’-二氨基二苯甲酮、3，3’-二甲基-4，4’-二氨基二苯基甲烷、1，3-双(4-氨基苯氧基)苯、1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、1，4-双(4-氨基苯氧基)苯、1，4-双(3-氨基苯氧基)苯、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]丙烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]甲烷、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]醚、双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、双[4-(3-氨基苯氧基)苯基]砜、2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、1，4-二氨基环己烷、4，4’-亚甲基双(环己基胺)、3，3’-亚甲基双(环己基胺)、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二环己基甲烷、4，4’-二氨基-3，3’-二甲基二环己烷、联苯胺等。上述芳香族二胺或脂环式二胺可单独使用，也可使用2种以上。
这些芳香族二胺或脂环式二胺中，优选为具有弯曲性高的结构的芳香族二胺，具体而言，特别优选为1，3-双(3-氨基苯氧基)苯、3，3’-二氨基二苯基砜、4，4’-二氨基二苯基醚、3，3’-二氨基二苯基醚、3，3’-二氨基二苯甲酮。
另外，本发明中，在全部二胺残基中，以1摩尔％以上、优选5摩尔％以上、且为40摩尔％以下、优选30摩尔％以下的量包含具有羟基或羧基的芳香族二胺的残基。通过包含1摩尔％以上、40摩尔％以下的具有羟基或羧基的芳香族二胺的残基，从而使得耐溶剂性提高。进而，通过并用交联剂，可获得大幅提高耐溶剂性的效果。
作为具有羟基的芳香族二胺的具体例，可举出2，5-二氨基苯酚、3，5-二氨基苯酚、3，3’-二羟基联苯胺、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基丙烷、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基六氟丙烷、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基砜、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基醚、3，3’-二羟基-4，4’-二氨基苯基醚、2，2’-双(3-氨基-4-羟基苯基)丙烷、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基二苯甲酮、1，3-双(4-氨基-3-羟基苯基)苯、1，3-双(3-氨基-4-羟基苯基)苯、双(4-(4-氨基-3-羟基苯氧基)苯)丙烷、双(4-(3-氨基-4-羟基苯氧基)苯)砜、双(4-(3-氨基-4-羟基苯氧基))联苯等。
作为具有羧基的芳香族二胺的具体例，可举出4，4’-二羧基-3，3’-二氨基苯基甲烷、3，3’-二羧基联苯胺、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基丙烷、4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基六氟丙烷、4，4’-二羧基-3，3’-二氨基苯基砜、4，4’-二羧基-3，3’-二氨基苯基醚、3，3’-二羧基-4，4’-二氨基苯基醚、2，2’-双(3-氨基-4-羧基苯基)丙烷、4，4’-二羧基-3，3’-二氨基二苯甲酮、3，5-二氨基苯甲酸、2，6-二氨基苯甲酸、9，9-双(4-氨基苯基)芴-4-甲酸、9，9-双(4-氨基苯基)芴-3-甲酸、2-羧基-4，4’-二氨基二苯基醚等。
上述具有羟基或羧基的芳香族二胺可单独使用，也可使用2种以上。
本发明的耐热树脂A所包含的聚酰亚胺系树脂优选包含芳香族四羧酸二酐的残基作为酸二酐残基。作为芳香族四羧酸二酐的具体例，可举出均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、2，2’-二甲基-3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、5，5’-二甲基-3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、2，3，3’，4’-联苯四甲酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基醚四甲酸二酐、2，3，3’，4’-二苯基醚四甲酸二酐、2，2’，3，3’-二苯基醚四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四甲酸二酐、2，3，3’，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基砜四甲酸二酐、2，3，3’，4’-二苯基砜四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基亚砜四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基硫醚四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基亚甲基四甲酸二酐、4，4’-异亚丙基(isopropylidene)二邻苯二甲酸酐、4，4’-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐、3，4，9，10-苝四甲酸二酐、2，3，6，7-萘四甲酸二酐、1，4，5，8-萘四甲酸二酐、1，2，5，6-萘四甲酸二酐、3，3”，4，4”-对三联苯四甲酸二酐、3，3”，4，4”-间三联苯四甲酸二酐、2，3，6，7-蒽四甲酸二酐、1，2，7，8-菲四甲酸二酐等。上述芳香族四羧酸二酐可单独使用，也可使用2种以上。
另外，本发明中，可以以不损害聚酰亚胺系树脂的耐热性的程度含有具有脂肪族环的四羧酸二酐。作为具有脂肪族环的四羧酸二酐的具体例，可举出2，3，5-三羧基环戊基乙酸二酐、1，2，3，4-环丁烷四甲酸二酐、1，2，3，4-环戊烷四甲酸二酐、1，2，3，5-环戊烷四甲酸二酐、1，2，4，5-双环己烯四甲酸二酐、1，2，4，5-环己烷四甲酸二酐、1，3，3a，4，5，9b-六氢-5-(四氢-2，5-二氧代-3-呋喃基)-萘并[1，2-C]呋喃-1，3-二酮。上述四羧酸二酐可单独使用，也可使用2种以上。
本发明的耐热树脂A中，可使用环氧系交联剂、异氰酸酯系交联剂、羟甲基系交联剂、马来酰亚胺系交联剂、丙烯酸系交联剂等各种交联剂。其中，羟甲基系交联剂是在热固化时将聚酰亚胺系树脂交联而被引入至聚酰亚胺系树脂中的化合物，故而特别优选。通过在树脂中导入交联结构，可提高耐溶剂性。作为羟甲基系交联剂的具体例，可举出下述那样的三聚氰胺衍生物、脲衍生物(SanwaChemicalCo.，Ltd.制)。
本发明的耐热树脂层B与元件加工用基板接触，因此要求高耐热性。因此，耐热树脂层B中包含的耐热树脂B优选玻璃化温度为300℃以上的聚酰亚胺系树脂。玻璃化温度优选为400℃以上，进一步优选直至达到耐热树脂热分解的温度为止也未检测到玻璃化温度。耐热树脂B的玻璃化温度为300℃以上时，由于玻璃化温度高于元件加工工序中的热处理工序中的温度，所以不存在工序中的粘接力的上升，在剥离工序中可容易地剥离元件加工用基板。
耐热树脂B优选热分解起始温度至少为250℃以上的聚酰亚胺系树脂。热分解起始温度优选为350℃以上，进一步优选为450℃以上。耐热树脂B的热分解起始温度为250℃以上时，在元件加工工序中的热处理工序中不会产生挥发成分，元件的可靠性提高。
本发明的耐热树脂B中包含的聚酰亚胺系树脂至少具有通式(2)及/或(3)表示的四羧酸二酐的残基作为酸二酐残基，至少具有通式(4)及/或(5)表示的芳香族二胺的残基作为二胺残基。
通式(2)中，R7表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、碳原子数为1～30的氟烷基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团。
通式(3)中，R8及R9可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团。Y表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基(hexafluoropropylidene)、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基。
通式(4)中，R10表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团。
通式(5)中，R11及R12可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团。X表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基、芴基。
此处所述的卤素，是指氟、氯、溴、碘。
本发明中，从耐热性、高玻璃化温度方面考虑，优选具有选自均苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基醚四甲酸二酐、3，3’，4，4’-二苯基砜四甲酸二酐中的四羧酸二酐的酸二酐残基、及选自对苯二胺、4，4’-二氨基二苯基醚、2，2’-二甲基-4，4’-二氨基联苯、9，9-双(4-氨基苯基)芴中的芳香族二胺的残基作为主要成分的聚酰亚胺系树脂。
可通过使合成中使用的四羧酸成分和二胺成分为等摩尔、或者使任一方的成分为过量的方式，来调整用于本发明的耐热树脂层A及耐热树脂层B的聚酰亚胺系树脂的分子量。也可使四羧酸成分或二胺成分中的任一方为过量，并用酸成分或胺成分等封端剂将聚合物链末端封闭。作为酸成分的封端剂，可优选使用二羧酸或其酐，作为胺成分的封端剂，可优选使用单胺。此时，优选使包含酸成分或胺成分的封端剂在内的四羧酸成分的酸当量与二胺成分的胺当量为等摩尔。
以四羧酸成分过量、或二胺成分过量的方式调整摩尔比时，可添加苯甲酸、邻苯二甲酸酐、四氯邻苯二甲酸酐、苯胺等二羧酸或其酐、单胺作为封端剂。
本发明中，可适当调整聚酰亚胺系树脂的四羧酸成分/二胺成分的摩尔比，以使得树脂溶液的粘度处于在涂布工序等中易于使用的范围，通常将四羧酸成分/二胺成分的摩尔比调整为100/95～100/100、或95/100～100/100的范围。但是，若打破摩尔平衡，则存在树脂的分子量降低、形成的膜的机械强度变低、粘合力也减弱的倾向，因此，优选在粘合力不减弱的范围内调整摩尔比。
对于合成用于本发明的耐热树脂层A及耐热树脂层B的聚酰亚胺系树脂的方法没有特别限制。例如，在将作为聚酰亚胺系树脂的前体的聚酰胺酸聚合时，于0～100℃将四羧酸二酐和二胺在有机溶剂中搅拌1～100小时，得到聚酰胺酸树脂溶液。在聚酰亚胺系树脂的组成对于有机溶剂为可溶性的情况下，将聚酰胺酸聚合后，直接将温度升高至120～300℃并搅拌1～100小时，转化为聚酰亚胺，得到聚酰亚胺系树脂溶液。此时，还可将甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯等添加到反应溶液中，使在酰亚胺化反应中产生的水与这些溶剂共沸从而将其除去。
作为合成聚酰亚胺、或作为聚酰亚胺前体的聚酰胺酸时的溶剂，例如，可举出N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺等酰胺系极性溶剂，及β-丙内酯、γ-丁内酯、γ-戊内酯、δ-戊内酯、γ-己内酯、ε-己内酯等内酯系极性溶剂，以及甲基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂、乙基溶纤剂乙酸酯、甲基卡必醇、乙基卡必醇、二乙二醇二甲基醚(二甘醇二甲醚(Diglyme))、乳酸乙酯等。它们可单独使用，也可使用2种以上。聚酰亚胺系树脂溶液或聚酰胺酸树脂溶液的浓度通常优选为10～80重量％，进一步优选为20～70重量％。
在聚酰胺酸树脂溶液的情况下，将其涂布在膜、玻璃等基材上，进行干燥从而形成涂布膜，然后进行热处理从而转化为聚酰亚胺。从聚酰亚胺前体向聚酰亚胺的转化需要240℃以上的温度，但通过在聚酰胺酸树脂组合物中含有酰亚胺化催化剂，能够以更低的温度、更短的时间进行酰亚胺化。作为酰亚胺化催化剂的具体例，可举出吡啶、三甲基吡啶、β-甲基吡啶、喹啉、异喹啉、咪唑、2-甲基咪唑、1，2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、2，6-二甲基吡啶、三乙胺、间羟基苯甲酸、2，4-二羟基苯甲酸、对羟基苯乙酸、4-羟基苯丙酸、对羟基苯磺酸(p-phenolsulfonicacid)、对氨基苯酚、对氨基苯甲酸等，但不受它们的限制。
相对于100质量份聚酰胺酸固态成分，酰亚胺化催化剂优选为3质量份以上，更优选为5质量份以上。通过含有3质量份以上的酰亚胺化催化剂，从而即使利用更低温度的热处理也可完成酰亚胺化。另外，优选为10质量份以下，更优选为8质量份以下。通过使酰亚胺化催化剂的含量为10质量份以下，可使热处理后酰亚胺化催化剂残留在聚酰亚胺系树脂层中的量极小，可抑制挥发成分的产生。
在本发明的耐热树脂层A及耐热树脂层B中，除了聚酰亚胺系树脂和交联剂之外，还可以在不损害本发明的效果的范围内添加其他树脂、填充剂。作为其他树脂，可举出丙烯酸系树脂、丙烯腈系树脂、丁二烯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰胺酰亚胺系树脂、环氧系树脂、酚醛系树脂等耐热性高分子树脂。关于填充剂，可举出由有机物质或无机物质形成的微粒、填料等。作为微粒、填料的具体例，可举出二氧化硅、氧化铝、氧化钛、石英粉、碳酸镁、碳酸钾、硫酸钡、云母、滑石等。另外，出于改良粘合性、耐热性、涂布性、保存稳定性等特性的目的，还可添加表面活性剂、硅烷偶联剂等。
接下来，对本发明的元件加工用层叠体的制造方法进行说明。本发明的元件加工用层叠体的制造至少包括以下工序(制造方法1)。
(工序A)在支承基板上层叠耐热树脂A，或者在支承基板上层叠耐热树脂A的前体、然后将其转化为耐热树脂A，从而形成支承基板与耐热树脂层A的层叠体A的工序；以及，在元件加工用基板上层叠耐热树脂B，或者在元件加工用基板上层叠耐热树脂B的前体、然后将其转化为耐热树脂B，从而形成元件加工用基板与耐热树脂层B的层叠体B的工序。
(工序B)以耐热树脂层A与耐热树脂层B相对的方式，将上述层叠体A和上述层叠体B叠合并进行粘接的工序。
另外，还可以是至少包括以下工序的制造方法(制造方法2)。
(工序A)在元件加工用基板上层叠耐热树脂B，或者在元件加工用基板上层叠耐热树脂B的前体、然后将其转化为耐热树脂B，从而形成元件加工用基板与耐热树脂层B的层叠体B的工序。
(工序B)在上述层叠体B的耐热树脂层B上层叠耐热树脂A，或者在上述层叠体B的耐热树脂层B上层叠耐热树脂A的前体、然后将其转化为耐热树脂A，从而形成元件加工用基板、耐热树脂层B与耐热树脂层A的层叠体C的工序。
(工序C)在上述层叠体C的耐热树脂层A上叠合支承基板并进行粘接的工序。
作为本发明的涂布方法，可举出使用棒涂机、辊涂机、缝模涂布机、旋涂机、丝网印刷等的方法。通过在涂布后进行热处理，从而进行将树脂组合物中的有机溶剂除去的干燥，在耐热树脂A、耐热树脂B为聚酰胺酸树脂时，进行酰亚胺化。热处理温度为100～400℃，优选为150～250℃。热处理时间通常在20秒～2小时的范围内适当选择，可以连续也可以间断。耐热树脂A、耐热树脂B为聚酰胺酸树脂时，还可进一步进行另一阶段的热处理。热处理温度为160～500℃，优选为200～350℃。热处理时间通常在20秒～4小时的范围内适当选择，可以连续也可以间断。
进行了干燥、热处理后的耐热树脂层A、耐热树脂层B中的残留挥发成分为1重量％以下，优选为0.1重量％以下，进一步优选为0.01重量％以下。残留挥发成分为1重量％以下时，在元件加工工序中不会产生孔隙、剥落等，能够以良好的收率进行元件加工。
在制造方法2中，当耐热树脂B为聚酰胺酸树脂时，可以在涂布耐热树脂B后进行热处理而进行酰亚胺化后，涂布耐热树脂A；也可以在涂布耐热树脂B并进行干燥、进而涂布耐热树脂A并进行干燥后，进行热处理而进行酰亚胺化。
耐热树脂层A、耐热树脂层B的厚度可适当选择。在元件加工用基板的与耐热树脂B接触的面上存在连接用的凸块，凸块的高度通常为20～150μm。为了使耐热树脂层A与耐热树脂层B加在一起而得到的临时粘接层的厚度大于凸块的高度，所以该临时粘接层的厚度优选为25～200μm，更优选为30～160μm。耐热树脂层A、耐热树脂层B各自的厚度可在该临时粘接层的厚度范围内适当选择。
在制造方法1中，可以在工序B之前，对层叠体A的耐热树脂层A、及/或层叠体B的耐热树脂层B的表面实施粘接改良处理。作为粘接改良处理，优选常压等离子体处理、电晕放电处理、低温等离子体处理等放电处理。
对于制造方法1的工序B、制造方法2的工序C中的粘接工序而言，可使用加压机进行压接。可以在室温下进行压接，也可加热而进行压接。此时的温度为250℃以下，优选为200℃以下。压接可在空气中进行，也可在氮气中进行。优选在真空中进行。
接下来，对使用了本发明的元件加工用层叠体的薄型元件的制造方法进行说明。薄型元件的制造方法至少包括以下工序。
(工序A)将元件加工用基板加工成薄型的工序。
(工序B)对已加工成薄型的元件加工用基板进行器件加工的工序。
(工序C)将进行了器件加工的元件加工用基板从支承基板剥离的工序。
所谓将元件加工用基板加工成薄型的工序，是对元件加工用基板的相对于与耐热树脂层B接触的面为相反侧的面进行研磨从而将其削薄的工序。以使元件加工用基板的厚度成为10～200μm、优选30～100μm的范围的方式进行薄膜化。
对于在工序A中将元件加工用基板薄膜化而得到的元件加工用层叠体，可在工序B中对进行了研磨的一侧的面实施各种器件加工工序。作为例子，可举出电极形成、金属布线形成、保护膜形成、连接用凸块形成等。具体而言，可举出用于形成电极的金属溅射、金属层的湿法蚀刻、用于形成金属布线的抗蚀剂涂布、干燥、曝光、显影、抗蚀剂剥离、及金属镀、干法蚀刻、CMP(化学机械研磨：ChemicalMechanicalPolishing)等。另外，有时包括用于形成TSV的硅蚀刻、用于形成绝缘膜的CVD(化学气相淀积：Chemicalvapordeposition)等工序。
接下来，将在工序B中实施了器件加工的元件加工用基板从支承基板剥离。作为剥离方法，有以下方法：在250℃以下的温度下对元件加工用层叠体进行加热、在使其沿水平方向滑动的同时进行剥离的热滑动法；在元件加工用基板上粘贴保护膜、在室温下从支承基板剥离的室温剥离法。在本发明中，可优选应用室温剥离法。
对于本发明的元件加工用层叠体而言，由于元件加工用基板以可在室温下容易地剥离的程度的粘接力临时固定于临时粘接层，所以剥离时的剥离界面为元件加工用基板与耐热树脂层B之间。因此，由于在元件加工用基板上不残留耐热树脂层B，所以在剥离后不需要进行洗涤工序，但当残留有少许残渣时，也可进行洗涤工序。作为用于洗涤的溶液，可使用氢氧化钠、碳酸氢钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵等的水溶液、乙醇胺与二甲基亚砜的混合溶液等。
实施例
以下举出实施例来说明本发明，但本发明不受这些实施例的限制。对玻璃化温度、重量减少率、粘接力的评价方法进行说明。
(1)玻璃化温度的测定
使用棒涂机，将下述制造例1～15中记载的耐热树脂溶液(B1～B9、A1～A6)，以厚度成为20μm的方式涂布在厚度为18μm的电解铜箔的光泽面上，然后，于80℃干燥10分钟，于150℃干燥10分钟，进而在氮气氛下于250℃进行10分钟的加热处理，转化为聚酰亚胺，得到层叠有树脂的铜箔。接下来，用氯化铁溶液对得到的层叠有树脂的铜箔中的铜箔的整个面进行蚀刻，得到耐热树脂的单膜。
将约10mg的得到的耐热树脂的单膜装入到铝制标准容器中，使用差示扫描量热计DSC-50(岛津制作所(株)制)进行测定(DSC法)，由得到的DSC曲线的拐点计算出玻璃化温度。于80℃预干燥1小时后，以20℃/分钟的升温速度升温至500℃，进行测定。
(2)线性热膨胀系数的测定
将上述得到的耐热树脂的单膜切成特定宽度的形状，将其制成筒状，使用热机械分析装置SS-6100(SeikoInstrumentsInc.制)，以5℃/分钟的升温速度升温至250℃，对30～200℃的温度范围进行测定。由得到的测定结果，使用计算式(1)计算出30～200℃的平均线性热膨胀系数。此处，L30为30℃时的样品长，L200为200℃时的样品长。
平均线性热膨胀系数＝(1/L30)×[(L200-L30)/(200-30)](1)
(3)元件加工用基板-耐热树脂层B的粘接力测定
用旋涂机将耐热树脂溶液(B1～B9)涂布在元件加工用基板上，使厚度成为20μm，然后于80℃干燥10分钟，于150℃干燥10分钟，进而在氮气氛下于250℃进行30分钟的加热处理，转化为聚酰亚胺，并层叠耐热树脂层B。在耐热树脂层B上以10mm的宽度形成切痕，针对10mm宽的聚酰亚胺膜，使用TOYOBOLDWIN公司制“TENSILON”’UTM-4-100，以50mm/分钟的拉伸速度、以90°剥离的方式进行测定。
(4)支承基板-耐热树脂层A、耐热树脂层A-耐热树脂层B的粘接力测定
由各实施例、比较例中得到的元件加工用层叠体，将元件加工用基板剥离后，在由耐热树脂层B/耐热树脂层A形成的临时粘接层上以10mm的宽度形成切痕，针对耐热树脂层B，使用TOYOBOLDWIN公司制“TENSILON”’UTM-4-100，以50mm/分钟的拉伸速度、以90°剥离的方式进行测定。
剥离界面为支承基板-耐热树脂层A时，测定值表示支承基板-耐热树脂层A的粘接力，此时，可以认为耐热树脂层A-耐热树脂层B的粘接力大于支承基板-耐热树脂层A的粘接力。
(5)元件加工用基板的背面研磨(backgrinding)
将各实施例、比较例中得到的元件加工用层叠体设置于研磨机DAG810(DISCO制)中，将元件加工用基板研磨至厚度为100μm。用肉眼观察研磨后的元件加工用基板，对有无破裂、裂纹等进行评价。
(6)热处理后的外观检查
将按照上述方式进行了背面研磨的元件加工用层叠体放入到已设定为250℃的热风烘箱中，放置1小时，恢复至室温后，用肉眼观察元件加工用基板侧的膨胀等外观变化。
(7)耐溶剂性的评价
将上述进行了背面研磨的元件加工用层叠体，分别在1N的盐酸水溶液、1N的氢氧化钠水溶液、及丙酮中于25℃浸渍10分钟。将元件加工用基板剥离后，用光学显微镜观察耐热树脂层。
将未观察到任何变化的情况评价为良好(A)，将在距临时粘接层的端部500μm以内的区域内观察到耐热树脂的溶解、渗入等变化的情况评价为合格(B)，将在距端部大于500μm的区域内观察到上述变化的情况评价为不合格(C)。
(8)元件加工用基板的剥离性评价
用切割架(dicingframe)将切割胶带(DicingTape)粘贴在按照上述方式进行了背面研磨的元件加工用层叠体的元件加工用基板上，通过真空吸附将该切割胶带面设置在吸盘上，然后在室温下用镊子夹起支承基板的一个点，由此将支承基板剥离。
用10片元件加工用层叠体进行剥离测试，对元件加工用基板发生破裂或产生裂纹的片数进行评价。
以下的制造例中示出的酸二酐、二胺的缩写符号的名称如下所述。
BPDA：3，3’，4，4’-联苯四甲酸二酐
PMDA：均苯四甲酸二酐
ODPA：3，3’，4，4’-二苯基醚四甲酸二酐
APPS：α，ω-双(3-氨基丙基)聚二甲基硅氧烷(平均分子量：860，式(1)中n＝9)
PDA：对苯二胺
DAE：4，4’-二氨基二苯基醚
APB：1，3-双(3-氨基苯氧基)苯
DABS：4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基砜
m-TB：2，2’-二甲基-4，4’-二氨基联苯
BAHF：4，4’-二羟基-3，3’-二氨基苯基六氟丙烷
FDA：9，9-双(4-氨基苯基)芴
100LM：NIKALAC(注册商标)MW-100LM(SanwaChemicalCo.，Ltd.制)
NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮
制造例1(耐热树脂B溶液的聚合)
向带有温度计、干燥氮导入口、利用温热水·冷却水的加热·冷却装置、及搅拌装置的反应釜中，与2264g的NMP一同装入75.7g(0.7mol)PDA、60.1g(0.3mol)DAE，进行溶解后，添加176.5g(0.6mol)BPDA、87.2g(0.4mol)PMDA，在室温下反应1小时，随后于60℃反应5小时，得到15重量％的聚酰胺酸树脂溶液(B-1)。
制造例2～7(耐热树脂B溶液的聚合)
按照表1所示的那样变更酸二酐、二胺的种类和装入量，除此之外，进行与制造例1同样的操作，得到15重量％的聚酰胺酸树脂溶液(B-2～7)。
制造例8(耐热树脂B溶液的聚合)
向带有温度计、干燥氮导入口、利用温热水·冷却水的加热·冷却装置、及搅拌装置的反应釜中，与2788g的NMP一同装入127.4g(0.6mol)m-TB、146.5g(0.4mol)BAHF，进行溶解后，添加218.1g(1.0mol)PMDA，在室温下反应1小时，随后于60℃反应3小时，然后于180℃反应5小时，得到15重量％的聚酰亚胺树脂溶液(B-8)。
制造例9(耐热树脂B溶液的聚合)
按照表1所示的那样变更酸二酐、二胺的种类和装入量，除此之外，进行与制造例8同样的操作，得到20重量％的聚酰亚胺树脂溶液(B-9)。
制造例10(耐热树脂A溶液的聚合)
向带有温度计、干燥氮导入口、利用温热水·冷却水的加热·冷却装置、及搅拌装置的反应釜中，与494g的NMP一同装入301g(0.35mol)APPS、130.1g(0.65mol)DAE，进行溶解后，添加310.2g(1mol)ODPA，在室温下反应1小时，随后于60℃反应3小时，然后于180℃反应5小时，得到60重量％的聚酰亚胺树脂溶液(A-1)。
制造例11～15(耐热树脂A溶液的聚合)
按照表2所示的那样变更酸二酐、二胺的种类和装入量，除此之外，进行与制造例10同样的操作，得到60重量％的聚酰亚胺树脂溶液(A-2～5)。
在制造例15中，向制造例14中得到的聚酰亚胺树脂溶液中添加54.2g的LM100(相对于聚酰亚胺树脂的固态成分为5重量％)，在室温下搅拌3小时，得到耐热树脂A溶液(A-6)。
耐热树脂A、耐热树脂B各自的玻璃化温度(Tg)也一并记载于表1及表2。
[表2]
上一行：mol/下一行：g
实施例1
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的元件加工用基板(其中在厚度为0.7mm的硅晶片上具有高度为30μm的凸块)的凸块形成面上涂布聚酰胺酸树脂溶液(B-3)，使得干燥、酰亚胺化后的厚度成为20μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理从而完全地进行酰亚胺化，得到耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体。
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的支承基板(即厚度为0.7mm的硅晶片)上涂布聚酰亚胺树脂溶液(A-4)，使得干燥后的厚度成为25μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理，得到耐热树脂层A/支承基板的层叠体。
以耐热树脂层B与耐热树脂层A相对的方式，将耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体与耐热树脂层A/支承基板的层叠体贴合，使用热压机，在200℃、0.6MPa的条件下压接90秒，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表3。
实施例2～7
如表3那样变更用于耐热树脂层A的耐热树脂A、及用于耐热树脂层B的耐热树脂B，除此之外，进行与实施例1同样的操作，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表3。
比较例1
如表3那样变更用于耐热树脂层A的耐热树脂A、及用于耐热树脂层B的耐热树脂B，除此之外，进行与实施例1同样的操作，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表3。
比较例2
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的元件加工用基板(其中在厚度为0.7mm的硅晶片上具有高度为30μm的凸块)的凸块形成面上涂布聚酰胺酸树脂溶液(B-1)，使得干燥、酰亚胺化后的厚度成为20μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理从而完全地进行酰亚胺化，得到耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体。
将耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体与6英寸的支承基板(即厚度为0.7mm的硅晶片)贴合，使用热压机，在200℃、0.6MPa的条件下压接90秒，但两者并未粘接在一起，未能得到元件加工用层叠体。
比较例3
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的支承基板(即厚度为0.7mm的硅晶片)上涂布聚酰亚胺树脂溶液(A-4)，使得干燥后的厚度成为25μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理，得到耐热树脂层A/支承基板的层叠体。
以耐热树脂层A与凸块形成面相对的方式，将耐热树脂层A/支承基板的层叠体与6英寸的元件加工用基板(其中在厚度为0.7mm的硅晶片上具有高度为30μm的凸块)贴合，使用热压机，在200℃、0.6MPa的条件下压接90秒，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表3。在为耐热树脂层A单层的情况下，耐热树脂层A与元件加工用基板的粘接力强，无法将耐热树脂层A与元件加工用基板剥离。
实施例8～12
如表4那样变更用于耐热树脂层A的耐热树脂A、及用于耐热树脂层B的耐热树脂B，除此之外，进行与实施例1同样的操作，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表4。
由本发明的实施例表明，通过使临时粘接层包含耐热树脂层A、耐热树脂层B，并且使元件加工用基板与耐热树脂层B的粘接力低于支承基板与耐热树脂层A的粘接力及耐热树脂层A与耐热树脂层B的粘接力，从而在对元件加工用基板实施背面研磨等加工工序后，能够在室温下良好地进行剥离。
另外，由于元件加工用基板在与耐热树脂层B的粘接界面处完全地剥落，因此，在元件加工用基板侧不存在临时粘接层的残渣，不需要另外进行清洁工序。
实施例13
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的元件加工用基板(其中在厚度为0.7mm的硅晶片上具有高度为30μm的凸块)的凸块形成面上涂布聚酰胺酸树脂溶液(B-5)，使得干燥、酰亚胺化后的厚度成为20μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理从而完全地进行酰亚胺化，得到耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体。
利用旋涂机，调整转速并在耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体的耐热树脂层B上涂布聚酰亚胺树脂溶液(A-4)，使得干燥后的厚度成为25μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理，得到耐热树脂层A/耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体。
以耐热树脂层A与支承基板相对的方式，将耐热树脂层A/耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体与作为支承基板的厚度为0.7mm的硅晶片贴合，使用热压机，在200℃、0.6MPa的条件下压接90秒，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表5。
实施例14～15
如表5那样变更用于耐热树脂层A的耐热树脂A、及用于耐热树脂层B的耐热树脂B，除此之外，进行与实施例13同样的操作，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表5。
在实施例13～15中，元件加工用基板也在与耐热树脂层B的粘接界面处完全地剥落，因此，在元件加工用基板侧不存在临时粘接层的残渣，不需要另外进行清洁工序。
实施例16
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的元件加工用基板(其中在厚度为0.7mm的硅晶片上具有高度为30μm的凸块)的凸块形成面上涂布聚酰亚胺树脂溶液(B-8)，使得干燥后的厚度成为20μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理，得到耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体。
利用旋涂机，调整转速并在6英寸的支承基板(即厚度为0.7mm的硅晶片)上涂布聚酰亚胺树脂溶液(A-5)，使得干燥后的厚度成为25μm，于120℃进行10分钟的热处理从而进行干燥，然后于250℃进行30分钟的热处理，得到耐热树脂层A/支承基板的层叠体。
以耐热树脂层B与耐热树脂层A相对的方式，将耐热树脂层B/元件加工用基板的层叠体与耐热树脂层A/支承基板的层叠体贴合，使用热压机，在200℃、0.6MPa的条件下压接90秒，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表6。
实施例17
如表6那样变更用于耐热树脂层B的耐热树脂B，除此之外，进行与实施例16同样的操作，得到元件加工用层叠体。将得到的元件加工用层叠体的特性归纳于表6。
在实施例16、17中，元件加工用基板也在与耐热树脂层B的粘接界面处完全地剥落，因此，在元件加工用基板侧不存在临时粘接层的残渣，不需要另外进行清洁工序。
附图标记说明
1支承基板
2元件加工用基板
3临时粘接层
4耐热树脂层A
5耐热树脂层B

Claims (8)

1.一种元件加工用层叠体，其是在支承基板上隔着临时粘接层而层叠有元件加工用基板的元件加工用层叠体，其特征在于，临时粘接层从支承基板侧起依序层叠有耐热树脂层A、耐热树脂层B，耐热树脂层B与元件加工用基板的粘接力低于耐热树脂层A与支承基板的粘接力及耐热树脂层B与耐热树脂层A的粘接力。
2.如权利要求1所述的元件加工用层叠体，其特征在于，耐热树脂层A包含下述耐热树脂A，所述耐热树脂A为包含酸二酐残基及二胺残基的聚酰亚胺系树脂，且作为所述二胺残基至少具有通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基，
式(1)中，n为自然数，由聚硅氧烷系二胺的平均分子量算出的n的平均值为1以上；R1及R2可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的亚烷基或亚苯基；R3～R6可以相同也可以不同，各自表示碳原子数为1～30的烷基、苯基或苯氧基。
3.如权利要求2所述的元件加工用层叠体，其中，作为耐热树脂A的二胺残基，以在全部二胺残基中为40摩尔％以上的量包含通式(1)表示的聚硅氧烷系二胺的残基。
4.如权利要求1所述的元件加工用层叠体，其特征在于，耐热树脂层B包含下述耐热树脂B，所述耐热树脂B为包含酸二酐残基及二胺残基的聚酰亚胺系树脂，且玻璃化温度为300℃以上。
5.如权利要求4所述的元件加工用层叠体，其特征在于，作为耐热树脂B的酸二酐残基，至少具有通式(2)及/或(3)表示的四羧酸二酐的残基；作为二胺残基，至少具有通式(4)及/或(5)表示的芳香族二胺的残基，
式(2)中，R7表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、碳原子数为1～30的氟烷基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；
式(3)中，R8及R9可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；Y表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基；
式(4)中，R10表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；
式(5)中，R11及R12可以相同也可以不同，各自表示选自碳原子数为1～30的烷基、碳原子数为1～30的烷氧基、碳原子数为1～30的氟烷基、羟基、卤素、羧基、羧酸酯基、苯基、磺酸基、硝基及氰基中的基团；X表示直接键合、羰基、异亚丙基、醚基、六氟亚丙基、磺酰基、亚苯基、亚甲基、氟亚甲基、酰胺基、酯基、亚乙基、氟亚乙基、亚苯基双醚基、双(亚苯基)异亚丙基、及芴基。
6.一种元件加工用层叠体的制造方法，其是制造权利要求1～5中任一项所述的元件加工用层叠体的方法，其中，至少包括下述工序：
在支承基板上层叠耐热树脂A，或者在支承基板上层叠耐热树脂A的前体、然后将其转化为耐热树脂A，从而形成支承基板与耐热树脂层A的层叠体A的工序；
在元件加工用基板上层叠耐热树脂B，或者在元件加工用基板上层叠耐热树脂B的前体、然后将其转化为耐热树脂B，从而形成元件加工用基板与耐热树脂层B的层叠体B的工序；以及
以耐热树脂层A与耐热树脂层B相对的方式，将所述层叠体A和所述层叠体B叠合并进行粘接的工序。
7.一种元件加工用层叠体的制造方法，其是制造权利要求1～5中任一项所述的元件加工用层叠体的方法，其中，至少包括下述工序：
在元件加工用基板上层叠耐热树脂B，或者在元件加工用基板上层叠耐热树脂B的前体、然后将其转化为耐热树脂B，从而形成元件加工用基板与耐热树脂层B的层叠体B的工序；
在所述层叠体B的耐热树脂层B上层叠耐热树脂A，或者在所述层叠体B的耐热树脂层B上层叠耐热树脂A的前体、然后将其转化为耐热树脂A，从而形成元件加工用基板、耐热树脂层B与耐热树脂层A的层叠体C的工序；以及
在所述层叠体C的耐热树脂层A上叠合支承基板并进行粘接的工序。
8.一种薄型元件的制造方法，其是使用权利要求1～5中任一项所述的元件加工用层叠体来制造薄型元件的方法，其中，至少包括下述工序：
将元件加工用基板加工成薄型的工序；
对已加工成薄型的元件加工用基板进行器件加工的工序；以及
将进行了器件加工的元件加工用基板从支承基板剥离的工序。
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