JP2019131704A - 仮保護膜用樹脂組成物、およびこれを用いた半導体電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、少なくとも(1)半導体電子回路形成基板の主面に仮保護膜用樹脂組成物を塗布して仮保護膜を形成する工程、(2)前記半導体電子回路形成基板の裏面を加工する工程、(3)前記仮保護膜を有機溶媒またはアルカリ水溶液で除去する工程をこの順に有する半導体電子部品の製造方法である。
また、(A)ポリイミド樹脂は、加熱により閉環しポリイミドとなるポリイミド前駆体であっても、加熱により閉環したポリイミドであっても、ポリイミド樹脂の一部が加熱により閉環したポリイミド前駆体であってもよい。
また、(A)ポリイミド樹脂の耐熱性を損なわない程度に脂環式ジアミンまたは、シリコン原子含有ジアミンの残基を有してもよい。これらのジアミンの例としては、1,4−ジアミノシクロヘキサン、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、3,3’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジシクロヘキシルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジシクロヘキシル、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3−ビス(4−アニリノ)テトラメチルジシロキサンなどを挙げることができる。これらのジアミンは単独でもよく、2種以上用いてもよい。
ポリイミド樹脂の重合では、溶解性の観点から、溶媒としてN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を使用することが多い。しかしながら、NMPは生体への影響が懸念され、さらに、大気圧下での沸点が202℃と高いため、熱硬化工程で仮保護膜から溶媒が十分に揮発せず、耐熱性が低下する問題がある。
一般式(3)で表される溶媒の具体例としては、N,N,2−トリメチルプロピオンアミド、N−エチル,N,2−ジメチルプロピオンアミド、N,N−ジエチル−2−メチルプロピオンアミド、N,N,2−トリメチル−2−ヒドロキシプロピオンアミド、N−エチル−N,2−ジメチル−2−ヒドロキシプロピオンアミド、N,N−ジエチル−2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオンアミドなどが挙げられる。これらは単独で用いても良いし、2種以上を用いても良い。
なお、本発明において、主面とは、先に半導体電子回路を形成する側の面を言う。裏面とは、その後に半導体電子回路を形成する側の面を言う。
半導体電子回路形成基板の裏面加工する場合、半導体電子回路を形成した主面を下側にして搬送や裏面加工をするため、主面に形成した半導体電子回路が破損するおそれがある。本発明の仮保護膜用樹脂組成物は、半導体電子回路形成基板の裏面加工する際の、一時的な主面の仮保護膜として用いることができる。特に、200〜500℃の熱処理工程がある裏面工程の一時的な主面の仮保護膜として好適に用いることができる
200〜500℃の熱処理装置は、特に制限はなく、オーブンのように高温雰囲気で加熱する装置や、ホットプレートのように仮保護膜と熱板が接して加熱する装置などに用いることができる。本発明の仮保護膜用樹脂組成物を用いることで、主面の破損を防止し、仮保護膜が熱処理装置に付着することなく、200〜500℃の裏面工程行うことができる。
(3)前記仮保護膜を有機溶媒またはアルカリ水溶液で除去する工程について、説明する。
有機溶媒には、アミン系溶媒を含むことが好ましい。具体的には、モノメタノールアミン、ジメタノールアミン、トリメタノールアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミンなどが挙げられるが、これに限定されない。コストの観点から、モノエタノールアミンがより好ましい。アミン系溶媒は、ポリイミド樹脂のイミド基を開環させ有機溶剤に溶解しやすくする効果があり、洗浄時間を短縮することができる。
熱処理装置への付着評価、仮保護膜除去時間評価、仮保護膜除去後の目視評価、耐熱性保護膜の膜厚評価の評価方法について述べる。
厚さ750μmの8インチシリコンウエハ(信越化学工業(株)社製)上に、耐熱性保護膜であるポリイミドコーティング剤セミコファインSP−341(商品名、東レ(株)製)を硬化後の厚みが8μmになるようにスピンコーターで回転数を調整して塗布し、120℃で10分熱処理して乾燥した後、320℃で30分間熱処理して硬化を行い、耐熱性保護膜付きシリコン基板を得た。
このとき、仮保護膜積層シリコン基板をピックアップできれば熱処理装置への付着評価“A”、ホットプレートに接着してピックアップできなければ熱処理装置への付着評価“C”とした。
A:ホットプレートに仮保護膜の残渣無し
B:ホットプレートに仮保護膜の残渣有り。
上記で熱処理装置への付着評価をした仮保護膜積層シリコン基板を、下記表2に記載の除去液、温度条件で浸漬し、仮保護膜を除去した。評価基準は下記のとおりである。なお、表2において、有機溶剤とあるのは後述する製造例1で製造した有機溶剤のことである。
A:10分以内に除去できた。
B:10分以上20分以内に除去できた。
C:20分以上30分以内に除去できた。
D:30分以内に除去できなかった。
上記で仮保護膜除去評価をした耐熱性保護膜付きシリコン基板を肉眼で観察し、搬送時に付いたキズの有無を確認した。評価基準は下記のとおりである。
A:キズ無し
B:キズ有り
(4)耐熱性保護膜の膜厚評価
上記で仮保護膜除去後の目視評価をした耐熱性保護膜付きシリコン基板の耐熱性保護膜の膜厚を測定し、初期膜厚8μmと比較した。評価基準は下記のとおりである。
A:耐熱性保護膜の膜厚に変化無し
B:耐熱性保護膜の膜減りが1μm以下
C:耐熱性保護膜の膜減りが1μm以上。
ODPA:3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BAHF: 2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
ABPS:4,4’−ジヒドロキシ−3,3’−ジアミノフェニルスルホン
FDA:9,9−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)フルオレン
APB:1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン
SiDA:1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノ プロピル)ジシロキサン
DMIB:N,N,2−トリメチルプロピオンアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
GBL:γ−ブチロラクトン
DMM:ジプロピレングリコールジメチルエーテル。
温度計、乾燥窒素導入口、温水・冷却水による加熱・冷却装置、および、撹拌装置を付した反応釜に、BAHF 347.9g(0.95mol)、SiDA 12.4g(0.05mol)をDMIB 1735.5gと共に仕込み、溶解させた後、PMDA 218.1g(1mol)を添加し、50℃で1時間、続いて160℃で4時間反応させて、仮保護膜用樹脂組成物である25質量%のポリイミド溶液(PA1)を得た。
<ポリイミド樹脂中の水酸基の含有量>
1.ポリイミド樹脂原料のトータル量を計算する。
2.ポリイミド樹脂原料のトータル量から、イミド化反応による脱水量を引き、ポリイミド樹脂の重量を計算する。(脱水量は1.8molと仮定)
578.4g−(18.0g/mol×1.8mol)=546.0g(ポリイミド樹脂の重量)
3.ポリイミド樹脂中の水酸基重量を計算する。(BAHF中に2個有する。)
17.0g/mol×0.95mol×2=32.3g(ポリイミド樹脂中の水酸基重量)
4.ポリイミド樹脂中の水酸基含有量を計算する。
(32.3g/546.0g*100=5.9wt%
合成例2〜10(ポリイミドの重合)
酸二無水物、ジアミン、溶媒の種類と仕込量を表1のように変えた以外は合成例1と同様の操作を行い、仮保護膜用樹脂組成物である25質量%のポリイミド溶液(PA2〜PA10)を得た。
ポリイミド溶液を室温に戻し、析出物の有無を目視評価で確認し、結果を表1に記載した。また、ポリイミド樹脂中の水酸基の含有量を合成例1と同様に計算し、結果を表1に記載した。
撹拌装置を付した反応釜に、モノエタノールアミン30g、DMM30g、N−メチル−2−ピロリドン30gを仕込み、室温で1時間撹拌して、有機溶剤を得た。
厚さ750μmの8インチシリコンウエハ(信越化学工業(株)社製)上に、耐熱性保護膜であるポリイミドコーティング剤セミコファインSP−341(商品名、東レ(株)製)を乾燥後の厚みが8μmになるようにスピンコーターで回転数を調整して塗布し、120℃で10分熱処理して乾燥した後、320℃で30分間熱処理して硬化を行い、耐熱性保護膜付きシリコン基板を得た。
仮保護膜樹脂組成物、仮保護膜の硬化後膜厚と硬化温度を表2のごとく変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、仮保護膜積層シリコン基板を得た。
仮保護膜樹脂組成物、仮保護膜の硬化後膜厚と硬化温度を表2のごとく変えた以外は、実施例1と同様の操作を行い、仮保護膜積層シリコン基板を得た。
Claims (12)
- 少なくとも(A)水酸基を樹脂全体の2〜30質量%含むポリイミド樹脂および(B)溶媒を含有する仮保護膜用樹脂組成物。
- 前記(B)溶媒の大気圧下での沸点が150〜180℃である請求項1〜3のいずれかに記載の仮保護膜用樹脂組成物。
- 前記(B)溶媒がN,N,2−トリメチルプロピオンアミド、またはN,N,N’,N’−テトラメチルウレアのいずれかを含む請求項1〜5のいずれかに記載の仮保護膜用樹脂組成物。
- 少なくとも(1)半導体電子回路形成基板の主面上に請求項1〜6のいずれかに記載の仮保護膜用樹脂組成物を塗布して仮保護膜を形成する工程、(2)前記半導体電子回路形成基板の裏面を加工する工程、(3)前記仮保護膜を有機溶媒またはアルカリ水溶液で除去する工程をこの順に有する半導体電子部品の製造方法。
- 前記(2)半導体電子回路形成基板の裏面を加工する工程に、200〜500℃の熱処理工程を含む、請求項7に記載の半導体電子部品の製造方法。
- 前記(2)半導体電子回路形成基板の裏面を加工する工程に、前記仮保護膜と200〜500℃の熱板が接する工程を含む、請求項7または8に記載の半導体電子部品の製造方法。
- 前記有機溶媒がモノエタノールアミンを含有する請求項7〜9のいずれかに記載の半導体電子部品の製造方法。
- 前記有機溶媒またはアルカリ水溶液の温度が20〜70℃である請求項7〜10のいずれかに記載の半導体電子部品の製造方法。
- 前記半導体電子回路形成基板主面の少なくとも一部が、耐熱性保護膜である請求項7〜11のいずれかに記載の半導体電子部品の製造方法。
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