CN105593998A - 太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

根据一个实施方式的太阳能电池包括：支持基板；设置在支持基板上的背电极层；设置在背电极层上的光吸收层；以及设置在光吸收层上的前电极层，其中，背电极层具有穿透其的第一通槽并且支持基板具有形成在其通过第一通槽露出的上表面上的凸起。

Description

太阳能电池
技术领域
本公开内容的实施方式涉及太阳能电池器件。
背景技术
用于制造用于利用太阳能发电的太阳能电池器件的方法可以为如下：首先，制备其上形成有背电极层的基板。然后，利用激光器对电极层进行图案化以形成若干背子电极。
之后，在背子电极上依次形成光吸收层、缓冲层以及高电阻缓冲层。为了形成光吸收层，已经广泛地采用两种方法：在第一种方法中，通过同时或单独地蒸发铜、铟、镓以及硒来形成铜-铟-镓-硒(Cu(In,Ga)Se2；CIGS)基光吸收层；以及在第二方法中，形成金属前体层，并且之后对前体层执行硒化工艺以形成光吸收层。光吸收层具有约1eV至1.8eV的能带间隙。
然后，在光吸收层上，利用溅射工艺形成包含硫化镉(CdS)的缓冲层。缓冲层具有约2.2eV至2.4eV的能带间隙。然后，在缓冲层上，利用溅射工艺形成包含氧化锌(ZnO)的高电阻缓冲层。高电阻缓冲层具有约3.1eV至3.3eV的能带间隙。
此后，在光吸收层、缓冲层和高电阻缓冲层的叠层中形成沟槽图案。
然后，在高电阻缓冲层上，设置透明导电材料以填充沟槽图案。以这样的方式，在高电阻缓冲层上形成透明电极层，并且同时，填充沟槽图案的导电材料分别用作连接线。透明电极层和连接线可以由例如掺有铝的氧化锌制成。透明电极层具有约3.1eV至3.3eV的能带间隙。
然后，在透明电极层上，形成另外的沟槽图案以形成若干太阳能电池。透明电极和高电阻缓冲层中的每个可以与每个太阳能电池对应。透明电极和高电阻缓冲层可以以条带或矩阵形式布置。
透明电极和背子电极是彼此不对准的。因而，透明电极和背子电极可以分别经由连接线电耦接至彼此。以这样的方式，若干太阳能电池可以以串联方式电耦接至彼此。
光吸收层形成有背电极层。具体地，在图案化背电极层上形成光吸收层。
然而，在沉积光吸收层之后，由于在光吸收层与背电极层之间和/或在背电极层的图案化区域中光吸收层与支持基板之间的差的结合力，光吸收层可能从背电极层和支持基板剥离。这可以导致太阳能电池的总电阻的增加，从而，导致太阳能电池的总发电效率的劣化。
因此，存在具有防止光吸收层被剥离的太阳能电池结构的需要。
发明内容
本公开内容提供了一种具有提高的光伏效率的新颖的太阳能电池结构。
在本公开内容的一个方面中，提供了一种太阳能电池器件，其包括：支持基板；基板上的背电极层；背电极层上的光吸收层；光吸收层上的前电极层；并且其中，在背电极层中限定有第一通孔；其中，在基板的经由第一通孔露出的顶面上形成有至少一个凸起。
根据本公开内容，可以配置该太阳能电池结构，使得通过第一通槽形成在支持基板的露出的顶面上的凸起包含钼和二硒化钼的混合物。
具体地，每个凸起可以具有含量配置，使得二硒化钼含量朝着其顶部，即光吸收层，增加。这可以导致在每个第一通槽中的光吸收层与支持基板之间的提高的结合力。
以这样的方式，支持基板与光吸收层之间的提高的结合力可以防止所沉积的光吸收层被剥离。本公开内容的太阳能电池结构可以具有提高的总光伏效率。
附图说明
附图图示了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理，其中，附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且附图被并入本说明书而且构成本说明书的一部分。在附图中：
图1图示了本公开内容的一个实施方式的太阳能电池面板的顶视图；
图2图示了本公开内容的一个实施方式的太阳能电池结构的横截面视图；
图3图示了图2的“A”部分的放大的横截面视图；
图4和图5图示了描述各种形式的凸起的相应顶视图；
图6至图12分别图示了描述制造本公开内容的一个实施方式的太阳能电池结构的方法的横截面视图。
具体实施方式
在附图和下面进一步所描述的中图示了各种实施方式的示例。将理解的是，本文中的描述不意在将权利要求限制为所描述的具体实施方式。相反，意在覆盖替代、修改及其等同方式，就像可以包括在由所附权利要求所限定的本公开内容的精神和范围内一样。
将参照附图更加详细地描述示例实施方式。然而，可以以各种形式实现本公开内容，并且本公开内容不应该被解读为仅限于本文所图示的实施方式。相反，提供这些实施方式作为示例，使得对本领域技术人员而言本公开内容将是全面和完整的，并且将完全覆盖本公开内容的各个方面和特征。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或区域不应该受这些术语的限制。使用这些术语来区分一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一个元件、部件、区域、层和/或部分。因而，下面所描述的第一元件、部件、区域、层和/或部分可以在不偏离本公开内容的精神和范围的情况下被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分。
将理解的是，当元件或层被称为被“连接至”或“耦接至”另一元件或层时，它可以是直接另一元件或层上，或者连接至另一元件或层，或者耦接至另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的仅有的元件或层，或者还可以存在一个或更多个中间元件或层。
本文中所使用的术语是仅是为了描述特定的实施方式而不意在限制本公开内容。如本文所使用的，除非上下文另外指出，否则单数形式意在也包括复数形式。还将理解的是，当在说明书中使用时，术语“包括”、“包含”具体说明所陈述的特征、整体、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或更多个其他的特征、整体、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关联所列项的任何或所有组合。在元件的列表之前时，诸如“至少之一”的表达可以修饰元件的整个列表并且可以不修饰该列表中的单个元件。
为了便于描述可以在本文中使用诸如“下方”、“之下”、“下部”、“下”、“之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如在图中所图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在除了图中描述的取向之外，还包括在使用中或在工作中的器件的不同的取向。例如，如果图中的器件被翻转，则描述为在其他元件或特征的“之下”或“下面”或“下方”的元件将被取向为其他元件或特征的“之上”。因而，示例术语“之下”和“下方”可以包括之上和之下的两个取向。除此之外，可以对器件进行取向。器件还可以例如以90度或其他取向被旋转，并且应该相应的解读本文中所使用的空间相对描述符。
除非另外限定，否则本文中所使用的包括技术术语和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域普通技术人员通常理解的意思相同的意思。将还理解的是，诸如在通常所使用的词典中所定义的那些术语的术语应该被解读为具有与在相关技术的背景中的它们的意思一致的意思，并且不应该被解读为具有理想的或过分形式化的含义，除非在本文中被这样明确定义。
在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开内容的全面理解。本公开内容可以在没有这些具体细节中的一些或所有的情况下实践。在其他实例中，为了不会不必要地使得本公开内容不清楚，已经没有详细描述公知的工艺结构和/或方法。
另外，在说明书和权利要求书中所使用的表示尺寸、物理特征等的所有数字要被理解为在所有的实例中由术语“约”进行修改。因此，除非指示为相反，否则在下面的说明书和权利要求书中所阐述的数值可以根据通过本公开内容的实践试图获得的期望的特性而变化。另外，本文中所公开的所有范围要被理解为包括纳入其中的任意和所有子范围。例如，所陈述的“1至10”的范围应该被理解为包括在(包含)最小值1与最大值10之间的任意和所有子范围；即，以最小值1或更大的值开始并且以最大值10或更小的值结束的所有子范围，例如1至6.3，或5.5至10，或2.7至6.1。
如本文中所使用的，术语“基本上”，“约”和类似的术语被用作近似的术语，而不是作为程度术语，并且意在说明本领域普通技术人员会认识到的在测量或计算的值中的固有偏差。另外，在描述本公开内容的实施方式时所使用的“可以”指的是“本公开内容的一个或更多个实施方式”。
下文中，将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。
参照图1至图5，将详细描述一个实施方式的太阳能电池结构。图1图示了一个实施方式的太阳能电池面板的顶视图。图2图示了一个实施方式的太阳能电池结构的横截面视图。图3图示了图2的“A”部分的放大的横截面视图。图4和图5分别图示了描述各种形式的凸起的相应顶视图。
参照图1至图5，一个实施方式的太阳能电池结构包括支持基板100、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、前电极层500以及多个连接600。
支持基板100可以具有板形状。基板100支持背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、前电极层500以及连接600。
支持基板100可以由绝缘材料制成。支持基板100可以由玻璃、塑料或金属制成。具体地，支持基板100可以由纳钙玻璃制成。支持基板100可以是透明的。支持基板100可以是刚性的或柔性的。
在支持基板100上设置有背电极层200。背电极层200是导电的。背电极层200可以由诸如钼等的金属制成。
背电极层200可以以层的堆叠的形式形成。在这种情况下，堆叠的层可以由相同的金属或不同的金属制成。
如图7中所示，背电极层200具有限定在其中的第一通槽TH1。第一通槽TH1可以部分地露出支持基板100的顶面。当从上面看时，第一通槽TH1可以沿着图1中的第一方向延伸。
第一通槽TH1的宽度可以具有约80μm至约200μm的宽度。
第一通槽TH1将背电极层200划分成多个背子电极。即，可以由第一通槽TH1限定多个背子电极。
背子电极可以经由第一通槽TH1彼此间隔开。在一个实施方式中，每个背子电极可以以条带的形式形成。
在替代实施方式中，背子电极可以以矩阵形状形成。在这种情况下，当从上面看时，第一通槽TH1可以以网格的形式布置。
第一通槽TH1部分地露出支持基板100的顶面以形成其各个露出的区域。在各个露出的区域中，可以在支持基板100的顶面上形成至少一个凸起210。
凸起210可以由与背电极层200的材料相同的材料制成。在一个实施例中，凸起210可以由钼(Mo)制成。在一个实施例中，凸起210可以由钼(Mo)和二硒化钼(MoSe2)中至少之一制成。
凸起210可以被分成可以以恒定距离彼此间隔开的多个子凸起。在一个实施例中，多个子凸起可以沿着第一通槽的延伸方向布置。
图4和图5分别图示了设置在每个第一通槽TH1中的子凸起210的构造的两个示例。
参照图4，子凸起210可以以沿着每个第一通槽TH的延伸方向的单排的形式布置在每个第一通槽TH1中。
在一个替代实施方式中，参照图5，子凸起210可以以沿着每个第一通槽TH的延伸方向的多排的形式布置在每个第一通槽TH1中。在一个实施例中，子凸起210可以分别布置在第一排211和第二排212中。
如图5中所示，分别在第一排211和第二排212中的邻近的子凸起210可以并排布置。然而，本公开内容不限于此。分别在第一排211和第二排212中的邻近的子凸起210可以以错开的方式布置。
凸起210可以以预定的距离与每个第一通槽TH1的侧壁间隔开。预定的距离d1可以为约1μm至约10μm。即，凸起210可以以约1μm至约10μm与每个背子电极的外侧壁间隔开。
另外，凸起210的厚度可以小于背电极层200的厚度。在一个实施例中，凸起210的厚度可以等于或小于背电极层200的厚度的1/10。
每个子凸起210可以以籽晶形状形成。即，可以通过在背电极层200中形成第一通槽TH1，并且在基板100上的每个第一通槽TH1中沉积钼籽晶来形成子凸起210。
在一个替代实施方式中，可以利用图案化掩模对背电极层200进行图案化以在形成第一通槽TH1期间形成图案化凸起210。
凸起210可以具有与支持基板100的顶面平行的顶面。替选地，凸起210可以具有凹的顶面或凸的顶面。在这种情况下，凸起210的表面部分可以包含如下所描述的二硒化钼(MoSe2)。
具体地，如图3中所示，凸起210可以具有一个由二硒化钼(MoSe2)制成的“a”部分。另外，凸起210可以具有含量梯度，使得二硒化钼的含量从其“b”部分向其“a”部分逐渐增加。
也就是说，凸起210可以具有含量梯度，使得二硒化钼的含量从其底部向其顶部逐渐增加。
在本公开内容中，凸起可以增强光吸收层(如将描述的)与支持基板之间的结合力。换言之，凸起可以增强填充每个第一通槽的光吸收层与通过第一通槽部分地露出的支持基板之间的结合力。
通常，当光吸收层形成在具有其中限定有第一通槽的背电极层上时，第一通槽可以引起光吸收层与支持基板之间的差的结合力。因而，光吸收层可以不完全地沉积在支持基板上，因此可以从基板被剥离。这可以导致太阳能电池结构的电阻增加，从而导致其差的总效率。
为此，就本公开内容的太阳能电池结构而言，可以经由凸起实现支持基板与光吸收层之间的增强的结合力，其中，凸起是在形成通槽期间或之后在通过第一通槽在支持基板的露出的顶面上形成的，其中，凸起可以由与背电极层的材料相同或不同的材料制成。
就此而言，凸起具有含量配置使得与钼的含量相比二硒化钼的含量从其底部，即支持基板侧，向其顶部，即光吸收层侧，增加。另外，光吸收层与二硒化钼之间的结合力可以强于光吸收层与钼之间的结合力。因此，经由具有以上含量配置的凸起，可以增强支持基板与光吸收层之间的结合力。
以这样的方式，本公开内容的太阳能电池结构可以使得支持基板与光吸收层之间的结合力增强，从而来防止所沉积的光吸收层剥离。
因此，本公开内容的太阳能电池结构可以具有提高的总光伏效率。
在背电极层200上设置有光吸收层300。另外，光吸收层300材料可以还填充第一通槽TH1。也就是说，光吸收层300可以接触子凸起210和通过第一通槽TH1露出的支持基板100的顶面。具体地，光吸收层300可以接触外表面，即每个子凸起210的顶面和侧面。
光吸收层300可以由I-III-VI族基化合物制成。例如，光吸收层300可以具有铜-铟-镓-硒(Cu(In,Ga)Se2；CIGS)基晶体结构、铜-铟-硒基晶体结构或者铜-镓-硒基晶体结构。
以这样的方式，光吸收层300与包含钼(Mo)的凸起210之间的接触可以引起凸起210的接触面部分变成二硒化钼MoSe2。因而，如上所述，包含钼与二硒化钼的混合物的凸起210可以具有含量配置使得与钼含量相比二硒化钼的含量从其底部，即支持基板100侧，向其顶部即光吸收层300侧，增加。
这会由于凸起210中包含的二硒化钼而导致在其界面处凸起210与光吸收层300之间的结合力进一步增强。因而，在已经将光吸收层300沉积在通过第一通槽TH1露出的支持基板100的顶面上之后，可以防止光吸收层300被剥离。
光吸收层300可以具有约1eV至1.8eV的能带间隙。
之后，在光吸收层300上设置缓冲层400。缓冲层400可以接触光吸收层300。
在缓冲层400上，可以进一步设置高电阻缓冲层(未示出)。高电阻缓冲层可以由其中未掺杂质的氧化锌(i-ZnO)制成。高电阻缓冲层可以具有约3.1eV至3.3eV的能带间隙。
缓冲层400可以具有限定在其中的第二通槽TH2。第二通槽TH2部分地露出背电极层200的顶面。当从上看时，每个第二通槽TH2可以沿着一个方向延伸。每个第二通槽TH2可以具有约80μm至约200μm的宽度。然而，本公开内容不限于此。
可以经由第二通槽TH2将缓冲层400划分成多个缓冲子层。也就是说，第二通槽TH2可以限定多个缓冲子层。
在缓冲层400之上设置有前电极层500。具体地，前电极层500设置在高电阻缓冲层(未示出)上。前电极层500是透明且导电的。另外，前电极层500的电阻可以具有高于背电极层500的电阻的电阻。
前电极层500可以包含氧化物。在一个实施例中，前电极层500可以由在其中具有掺杂铝的氧化锌(Al掺杂的ZnO；AZO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)等制成。
前电极层500材料可以填充第二通槽TH2以分别形成连接600。
缓冲层400和前电极层500具有限定在其中的第三通槽TH3。每个第三通槽TH3可以至少部分地穿过缓冲层400、高电阻缓冲层以及前电极层500。以这样的方式，第三通槽TH3可以部分地露出背电极层200的顶面。
每个第三通槽TH3可以与每个第二通槽TH2邻近。具体地，每个第三通槽TH3可以设置为紧邻于第二通槽TH2。就此而言，当从上看时，每个第三通槽TH3可以与每个第二通槽TH2并列。每个第三通槽TH3可以沿着第一方向(在图1中)延伸。
第三通槽TH3还可以穿过前电极层500。具体地，第三通槽TH3可以至少部分地穿过光吸收层300、缓冲层400和/或高电阻缓冲层。
第三通槽TH3可以将前电极层500划分成多个前子电极。即，可以由第三通槽TH3限定前子电极。
前子电极可以与背子电极在形状上对应。换言之，前子电极可以以条带形式布置。在一个可替代实施方式中，前子电极可以以矩阵形式布置。
另外，第三通槽TH3可以限定多个太阳能电池C1、C2等。特别地，第二通槽TH2与第三通槽TH3的组合可以限定太阳能电池C1、C2等。即，第二通槽TH2与第三通槽TH3的组合可以将本公开内容的太阳能电池结构划分成太阳能电池C1、C2等。另外，每个太阳能电池C1、C2等可以沿着第一方向延伸。太阳能电池C1、C2等可以沿着与第一方向垂直的第二方向布置并且连接至彼此。因而，电流可以沿第二方向经由太阳能电池C1、C2等流动。
以这样的方式，太阳能电池面板10包括支持基板100以及太阳能电池C1、C2等。太阳能电池C1、C2等在支持基板100上设置并且彼此间隔开。就此而言，太阳能电池C1、C2等可以以串联方式经由连接600连接至彼此。
可以在第二通槽TH2中分别地形成连接600。每个连接600可以从前电极层500向下延伸至背电极层200。例如，连接600的第一连接可以从第一电池C1的前子电极向下延伸至第二电池C2的背子电极。
以这样的方式，每个连接600可以将邻近的太阳能电池连接至彼此。特别是，每个连接600可以分别连接邻近电池中的前子电极和背子电极。
连接600可以与前电极层600是一体的。换言之，连接600材料可以与前电极层500材料相同。
如上所述，本公开内容的太阳能电池结构被配置成使得形成在支持基板的通过第一通槽露出的顶面上的每个凸起包含钼与二硒化钼的混合物。
特别是，每个凸起可以具有含量配置使得二硒化钼含量朝着其顶部，即朝着光吸收层，增加。这可以导致每个第一通槽中在光吸收层与支持基板之间的提高的结合力。
以这样的方式，提高的支持基板与光吸收层之间的结合力可以防止所沉积的光吸收层被剥离。本公开内容的太阳能电池结构可以具有提高的总的光伏效率。
图6至图12分别图示了描述制造本公开内容的一个实施方式的太阳能电池结构的方法的横截面视图。下文中，参照图6至图12，将详细描述制造本公开内容的一个实施方式的太阳能电池结构的方法。在下面的描述中，与之上所描述的一样的相同部件用相同的附图标记来标示。
首先，参照图6，在支持基板100上形成背电极层200。
然后，参照图7，经由限定在其中的第一通槽TH1对背电极层200进行图案化以划分成多个背子电极。就此而言，可以利用激光器对背电极层200进行图案化。
限定第一通槽TH1之后，可以利用纳米激光器在每个第一通槽TH1中形成多个子凸起210。替选地，可以在与利用图案化掩模形成第一通槽TH1的时间一样的时间处在每个第一通槽TH1中形成图案化凸起210。
子凸起210可以由与背电极层200一样的相同材料制成。换言之，子凸起210可以包含钼。
第一通槽TH1部分地露出支持基板100的顶面。每个第一槽可以具有约80μm至约200μm的宽度。
另外，在一个示例中，在支持基板100与背电极层200之间，可以形成诸如扩散抑制层等的附加层。就此而言，第一通槽TH1可以部分地露出附加层的顶面。
之后，参照图8，在被划分成背子电极的背电极层200上，形成光吸收层300。可以利用溅射工艺或蒸发方法形成光吸收层300。
例如，为了形成光吸收层300，可以广泛地采用两种方法：在第一种方法中，铜、铟、镓和硒的同时或分别蒸发可以形成铜-铟-镓-硒(Cu(In,Ga)Se2；CIGS)基光吸收层300；以及在第二种方法中，形成金属前体层，并且之后可以对前体层执行硒化工艺以形成光吸收层300。
就关于以上第二方法的细节而言，首先，可以通过铜、铟以及镓靶的溅射工艺在背电极200上形成金属前体层。
此后，金属前体层可以经受硒化工艺以形成铜-铟-镓-硒(Cu(In,Ga)Se2；CIGS)基光吸收层300。
在一个替代实施方式中，铜、铟以及镓靶的溅射工艺可以与硒化工艺同时发生。
在另一替代实施方式中，铜以及铟靶的溅射工艺，或者铜以及镓靶的溅射工艺与硒化工艺一起可以分别产生CIS基或CIG基光吸收层300。
可以在背电极层200上以及在第一通槽TH1中形成光吸收层300。换言之，形成在第一通槽TH1中的光吸收层300可以接触通过第一通槽TH1露出的支持基板100的顶面以及子凸起210。
另外，光吸收层300与包含钼(Mo)的子凸起210之间的接触可以引起子凸起210的接触面部分变成二硒化钼MoSe2。即，凸起210的接触面部分可以包含二硒化钼。因而，如上所述，包含钼和二硒化钼的混合物的子凸起210可以具有含量配置使得与钼含量相比二硒化钼的含量从其底部，即支持基板100侧，向其顶部(光吸收层300侧)增加。
然后，参照图9，可以利用溅射工艺或化学浴沉积(CBD)等在层300上沉积硫化镉以形成缓冲层400。
之后，在缓冲层400上，可以利用沉积工艺沉积氧化锌，使得可以在缓冲层400上形成高电阻缓冲层。
可以利用化学气相沉积(CVD)、有机金属化学气相沉积(MOCVD)或原子层沉积(ALD)来形成高电阻缓冲层。优选地，可以利用MOCVD方法形成高电阻缓冲层。
然后，参照图10，可以部分地去除光吸收层300和缓冲层400以形成第二通槽TH2。
可以利用化学装置或激光器装置等形成第二通槽TH2。
例如，具有约40μm至约180μm的宽度的尖顶端装置(tipdevice)可以对光吸收层300和缓冲层400进行图案化。在一个替代实施方式中，可以利用波长为约200nm至约600nm的激光器形成第二通槽TH2。
就此而言，第二通槽TH2可以具有约100μm至约200μm的宽度。另外，第二通槽TH2可以部分地露出背电极层200的顶面。
然后，参照图11，在缓冲层400上可以沉积透明导电材料以形成前电极层500。
可以通过在无氧环境中沉积透明导电材料来形成前电极层500。具体地，可以通过在惰性气体和无氧气体气氛中沉积铝掺杂的氧化锌来形成前电极层500。
前电极层的形成可以包括ZnO靶的RF溅射或利用Zn靶的反应离子溅射沉积铝掺杂的氧化锌。
之后，参照图12，可以部分地去除光吸收层300、缓冲层400以及前电极层500以形成第三通槽TH3。那些通槽TH3可以对前电极层500进行图案化以划分成多个前子电极，并且因而以限定第一电池C1、第二电池C2、第三电极C3等。第三通槽TH3可以具有约80μm至约200μm的宽度。
以上描述不应以限制意义被接受，而只是为了描述示例性实施方式的一般原理的目的，并且本公开内容的许多附加实施方式是可能的。应该理解的是，不意在由此限制本公开内容的范围。本公开内容的范围应该参照权利要求确定。贯穿本说明书对“一个实施方式”、“实施方式”或类似的语言的涉及意味着与实施方式有关的特定特征、结构或特性包括在本公开内容的至少一个实施方式中。因而，贯穿本说明书短语“在一个实施方式中”、“在实施方式中”或类似的语言的出现可以但并非必须都指同一实施方式。

Claims (19)

1.一种太阳能电池器件，包括：
支持基板；
所述基板上的背电极层；
所述背电极层上的光吸收层；
所述光吸收层上的前电极层；并且
其中，穿过所述背电极层限定有第一通孔；
其中，在所述基板的经由所述第一通孔露出的顶面上形成有至少一个凸起。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起是由与所述背电极层的材料相同的材料制成的。
3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述凸起是由钼制成的。
4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述凸起由钼(Mo)和二硒化钼(MoSe2)中的至少之一制成的。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起包括彼此间隔开的多个子凸起。
6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述多个子凸起沿着所述第一孔的延伸方向布置，其中，所述多个子凸起之间的间隔是均匀的。
7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起与所述第一孔的内侧面间隔开约1μm至约10μm。
8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起的厚度小于所述背电极层的厚度。
9.根据权利要求8所述的器件，其中，所述凸起的厚度等于或小于所述背电极层的厚度的约1/10。
10.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起是以籽晶形状形成的。
11.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起具有与所述支持基板的顶面平行的顶面，所述凸起的顶面是凸的或凹的。
12.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起具有包含二硒化钼(MoSe2)的顶面部分。
13.根据权利要求12所述的器件，其中，所述凸起的含量被配置使得二硒化钼(MoSe2)含量从底面向顶面增加，其中，所述底面与所述基板接触。
14.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光吸收层接触所述基板的经由所述第一孔露出的顶面以及所述第一孔中的所述凸起。
15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述光吸收层直接接触所述基板的经由所述第一孔露出的顶面以及所述第一孔中的所述凸起。
16.根据权利要求14所述的器件，其中，所述光吸收层接触所述凸起的顶面和侧面。
17.根据权利要求1所述的器件，其中，所述凸起包括彼此间隔开的多个子凸起，并且所述子凸起在所述第一孔中以至少一排的形式布置。
18.根据权利要求17所述的器件，其中，所述至少一排包括彼此平行的第一排和第二排。
19.根据权利要求18所述的器件，其中，所述第一排和所述第二排中的邻近的子凸起分别并排地或以错开方式设置。
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