CN111279491A - 用于制造用于薄膜太阳能电池的层结构的方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于制造用于薄膜太阳能电池的制造的层结构的方法包括以下步骤：提供载体基板（2）；在载体基板（2）上沉积背电极层（3）；制造至少一个无背电极层区域（5）；在背电极层（3）上创建测量层（4）使得测量层（4）至少位于至少一个无背电极层区域（5）上，其中测量层（4）是光敏吸收剂层（4）或光敏吸收剂层（4）的前体层；确定位于背电极层（3）的至少一个无背电极层区域（5）之上的测量层（4）的区域（9）中的测量层（4）的至少一种组分的量或相对份额。

Description

用于制造用于薄膜太阳能电池的层结构的方法
本发明属于制造薄膜太阳能模块的技术领域，并且涉及用于制造用于集成串联连接薄膜太阳能电池的制造的层结构的方法、以及使用根据本发明的方法制造的薄膜太阳能模块。
用于将太阳光直接转换成电能的太阳能电池是公知的。术语“薄膜太阳能电池”是指厚度仅为几微米的层系统，其需要载体基板以获得足够的机械稳定性。已知的载体基板由玻璃、塑料（聚合物）或金属制成，并且可以取决于相应的层厚度和具体材料性质而被设计为刚性板或柔性膜。载体基板可以面对光入射（上覆板（superstrate）配置）或背对光入射（基板配置）。
光敏半导体层（吸收剂层）的材料被选择成使得入射太阳光谱被最大限度地利用。由于物理性质和技术处理质量，黄铜矿型（铜铟/镓硫化物/硒化物）和锌黄铁矿型（铜锌锡硫硒化物）的化合物半导体特别适合于薄膜太阳能电池。
在薄膜太阳能电池的制造中的一个重要方面是严格遵守吸收剂层的化学计量，换言之，基于所涉及的元素的类型和量的吸收剂层的组成，因为这显著影响薄膜太阳能电池的效率和其他物理性质。因此，在连续制造的实践中，问题本身在于，如果要满足特定的质量要求，则必须检测吸收剂层的组成的波动。
吸收剂层中的元素的相对份额可以通过X射线光谱法来确定，其中波长色散X射线光谱法（WDX）或能量色散X射线光谱法（EDX）主要用于该目的。在这些方法中，例如由于用电子轰击或X射线照射而由吸收剂层发射的元素的特征X射线辐射被定性和定量地检测和分析，或者通过所含元素的相对份额来检测和分析。然而，实践中，已经证明，来自背电极层的源自相同元素的信号使吸收剂层的元素的测量值失真。例如，在黄铜矿化合物半导体的情况下，如果在背电极层中包含铜（Cu），则来自背电极层的信号使针对吸收剂中的铜（Cu）的信号失真。这是不利的，因为在过程控制的上下文中不能以足够的精度确定吸收剂的组成。
迄今为止，已经考虑了背电极层的影响，例如已经从针对吸收剂的特定元素的信号中减去了恒定值，该恒定值对应于背电极层的预期信号。然而，这仅在有限的程度上是可能的，因为由于例如针对黄铜矿吸收剂中的铜（Cu）、铟（In）和镓（Ga）的含量的严格规格，对测量准确度的要求相对较高，并且准确度已经由于背电极层的不均匀性而显著降低。例如，也可以设想测量元素镓（Ga）对铟（In）和镓（Ga）的比率，换言之，Ga/（In+Ga），并用作铜（Cu）对铟（In）和镓（Ga）的比率即Cu/（In+Ga）的间接测量，因为，一般而言，相对Ga含量即Ga/（Cu+Ga）在所用的Cu/Ga靶中是恒定的。实际上，靶组成中也有波动，并且所用掺杂材料的量会改变期望的目标值，这总体上导致准确度降低。另一个复杂因素是，例如，使用EDX X-射线光谱法检测的Ga强度相对较低。
为了以非常高的准确度测试吸收剂的组成，最终必须制造所谓的“证据（witness）玻璃”，即，仅设有吸收剂层而没有背电极层的单独的基板，然而，另一方面，这增加了制造成本，并且至少在自动化连续制造中的在线（in-line）制造系统的情况下，只有在很大努力的情况下才可能。此外，所提供的供使用的载体基板不是单独测试的，因此，原则上，不能保证这种载体基板的吸收剂具有期望的组成。
相反，本发明的目的在于，提供一种用于制造用于集成串联连接薄膜太阳能电池的制造的层结构的方法，该方法能够可靠且准确地控制吸收剂的组成。该方法应可用于薄膜太阳能模块的自动化连续制造中，并且能够以尽可能少的次品经济地制造薄膜太阳能模块。根据本发明的提议，这些和其他目的通过具有独立权利要求的特征的用于制造层结构的方法来实现。本发明的有利实施例通过从属权利要求的特征来指示。
根据本发明的方法用于制造层结构，该层结构意图用于制造集成串联连接薄膜太阳能电池。其包括多个步骤，这些步骤不一定必须以所示的次序执行，而是也可以以下面所示的次序执行。
因此，首先，制备可以由任何适于该目的材料制成的载体基板。载体材料尤其可以由玻璃、金属、塑料或陶瓷制成。优选地，使用透明玻璃或塑料基板。
然后，在载体基板上沉积背电极层，即由导电材料制成的层，从其通过图案化形成薄膜太阳能电池的背电极。背电极层布置在光学活性层的背对光入射的侧上。
然后，制造背电极层的至少一个无背电极层区域。无背电极层区域是背电极层的区域或部分，其中不存在无背电极层的材料。每个无背电极层区域至少部分地、尤其是完全地被背电极层的材料包围，换言之，每个无背电极层区域是以背电极层的凹陷或间断的形式实现的。在本发明的上下文中，背电极层的残余物仍然可以位于无背电极层区域中，只要如下所述的测量层的至少一种组分（元素）的量或相对份额的测量没有因此显著受损即可。例如，可以通过在沉积背电极层时进行掩模来制造至少一个无背电极层区域。优选地，通过在沉积背电极层之后进行去涂覆（即随后去除）来制造至少一个无背电极层区域。这可以例如通过湿法化学蚀刻来完成。优选地，通过激光烧蚀来进行去涂覆，其中，特别地，使用激光脉冲。通过激光烧蚀，可以在背电极层的不同位置处简单且经济地制造无背电极层区域。特别有利的是使用最大脉冲持续时间在1至1000皮秒（ps）、特别是1至100皮秒（ps）的范围内的激光脉冲，通过该方式，如发明人能够证明的，在没有任何特殊预防措施的情况下，背电极层的几乎无残余的去涂覆是可能的。然而，也可以设想使用具有较长脉冲持续时间（特别是在从至少1纳秒起的范围内）的激光脉冲。利用这种激光脉冲，同样可以通过适当的激光引导（例如通过激光脉冲所照射的区域的足够大重叠）来实现背电极层的低残余或很大程度上无残余的去除。
在形成至少一个无背电极层区域之后，制造测量层，其中（至少）至少一个无背电极层区域被测量层叠覆。测量层的材料位于至少一个无背电极层区域上。测量层是光敏吸收剂层或光敏吸收剂层的前体层。前体层可以通过热处理转换为吸收剂层（两阶段法）。
然后，测量层的至少一种组分（元素）的绝对量或相对份额（含量）仅仅在（直接）位于至少一个无背电极层区域上方的测量层的区域中确定。直接位于背电极层的无背电极层区域上方（换言之，在垂直于平坦载体基板的视图或投影中）并且用于测量的测量层的区域在这里和在下文中也被称为“测量域”。特别地，以这种方式，确定测量层的组成。测量仅仅在测量域中进行，而在测量域之外不进行测量。优选用于该测量的是基于X射线光谱法的方法，例如波长色散X射线光谱法（WDX）或能量色散X射线光谱法（EDX），其中，优选地，进行通过X射线照射的激发。
为了特别有利地使用根据本发明的方法，测量层包括也包括在背电极层的材料中的至少一种组分（元素）。有利的是，在根据本发明的方法中，确定包括在测量层中以及还包括在背电极层中的至少该组分的量或相对份额。当然，可以同样确定未包括在背电极层中的测量层的组分（元素）的量或相对份额。通常，测量层不包含钼，因此是不含钼的。因此，没有进行测量层中的钼的量的确定。优选地，确定测量层中的铜（Cu）和/或锌（Zn）的量或相对含量。
测量层的材料优选包括化合物半导体，或者如果测量层是前体层，则包括用于制造化合物半导体的前体层的元素。优选地，但不是强制地，测量层包括黄铜矿化合物半导体或用于制造黄铜矿化合物半导体的前体层的元素，特别是Cu2ZnSn（S，Se）4、Cu（In，Ga，Al）（S，Se）2、CuInSe2、CuInS2、Cu（In，Ga）Se2或Cu（In，Ga）（S，Se）2。上述式中括号内所示的元素可以单独存在或组合存在。在测量层的有利实施例中，其由黄铜矿化合物半导体或用于制造黄铜矿化合物半导体的前体层的元素制成。测量层同样可以优选包括锌黄锡矿型的化合物半导体（铜-锌-锡-硫硒化物，缩写为CZTS）或用于制造锌黄锡矿化合物半导体的前体层的元素，或者由这种锌黄锡矿化合物半导体或用于制造这种锌黄锡矿化合物半导体的前体层的元素制成。在每种情况下，前体层都可以通过热处理来转换以形成化合物半导体。
适宜地，吸收剂层通过两阶段法在背电极层上制造。这里，首先在背电极层上沉积前体层（其可以包括多个单独的层）。前体层包括例如元素铜、铟和镓，它们例如通过溅射来涂敷。在用前体层涂覆时，可以可选地将定量的钠选择性地引入到前体层中，例如，如从EP715 358 B1中已知的。此外，前体层包括例如元素硒，其例如通过热蒸发来涂敷。在沉积过程期间，一般而言，载体基板的温度在100℃以下，使得元素保持基本上未反应。然后，该前体层在快速热处理（RTP）中（例如在含硫气氛中）反应，以形成黄铜矿化合物半导体。热处理引起前体层的结晶和相变，以形成实际的半导体层。这种两阶段法例如从J.Palm等人的"CIS Module Pilot Processing Applied Cocurrent Rapid Selenization andSulfonization of Large Area Thin Film Precursors"，Thin Solid Films 431-432，pp.414-522 （2003）中可知。
背电极层的材料优选包括铜（Cu）和/或锌（Zn）。
根据本发明的方法可以特别高度有利地用于层系统，其中，测量层包括黄铜矿化合物半导体和/或锌黄铁矿化合物半导体或者黄铜矿化合物半导体的前体层和/或锌黄铁矿化合物半导体的前体层，并且背电极层包括铜（Cu）和/或锌（Zn），其中测量层的至少一种组分（例如，Cu和/或Zn）也包括在背电极层中。
根据本发明的方法有利地能够准确地确定测量层的一种或多种组分的量或相对份额（含量），原因在于测量仅发生在每种情况下都位于无背电极层区域正上方的测量域中的测量层的区域中。因此可以避免同样存在的测量层的测量结果或组分的失真。该方法可以毫无问题地整合到薄膜太阳能模块的制造的时间序列中，通过该方式可以有利地节省成本。特别有利的是，与仅为测量目的而制造的证据玻璃相比，根据本发明的方法能够在意图用于使用的实际薄膜太阳能模块中准确地处理控制吸收剂，并且因此首次允许薄膜太阳能模块本身的准确质量控制。
优选地，在背电极层中制造多个无背电极层区域，使得在每种情况下在无背电极层区域上方，可以可靠且确定地确定测量层的不同位置处的测量层的至少一种组分的量或含量。以此方式，可以记录在测量层中分析的组分的可能波动，使得甚至可以验证测量层的均匀性。因此，可以满足特别高的质量要求。
例如，多个无背电极层区域沿着用于沉积测量层的材料的载体基板的传输方向（即，涂覆方向）布置，作为其结果，可以对测量层的良好控制是可能的。特别有利的是，多个无背电极层区域横向于载体基板的传输方向而布置。实践中，已经表明测量层的组成的波动主要横向于传输方向而发生，使得通过该措施，特别重要的过程控制是可能的。例如，无背电极层区域被布置成行，其特别是均匀分布的。有利的是，无背电极层区域沿着和/或横向于传输方向布置分布在载体基板的整个维度上。
至少一个无背电极层区域有利地布置在针对（完全）去涂覆而设置的载体基板或薄膜太阳能模块的边缘区中，该边缘区在光学上是非活性的并且包围太阳能电池。这具有如下的优点，即：光学活性面积不会因无背电极层区域而减小。
然而，在针对光电能产生而提供的测量层的区域内的至少一个无背电极层区域的布置也是可能的和有利的。当然，这会导致光学活性面积的减小；然而，可以不仅在薄膜太阳能模块的边缘区中而且在光学活性的内部中检测测量层的组成，作为其结果，可以满足特别高的质量要求。对电性质的影响可以通过制造相对小的无背电极层区域来减轻。有利的是，至少一个无背电极层区域或所有无背电极层区域的最长或最大维度具有10 mm的最大尺寸，特别是5 mm的最大值。例如，最大维度在1至10 mm的范围内，特别是1至5 mm。有利的是，至少一个无背电极层区域或所有无背电极层区域的最短或最小维度具有至少1 mm的尺寸。优选地，至少一个无背电极层区域不是线性实现的，其中，在本发明的上下文中，“线性维度”表示最大维度与最小维度的比率为至少100:1，特别是大于10:1。
至少一个无背电极层区域不同于用于图案化两个相邻太阳能电池的串联连接的图案化线（P1、P2、P3线）。通常，用于两个相邻太阳能电池的串联连接的图案化线包括至少划分背电极层的一条图案化线（P1线）、至少划分光伏活性吸收剂层的一条图案化线（P2线）和至少划分前电极层的一条图案化线（P3线）。
至少一个无背电极层区域没有将背电极层完全地分成在空间上彼此分离的两个背电极层区域。特别地，至少一个无背电极层区域不是完全划分背电极层的P1线。
有利的是，多个无背电极层区域沿着至少一条直线布置成行，其中直线不平行于图案化线（P1、P2、P3线），换言之，相对于图案化线（P1、P2、P3线）成不同于0°的角度（例如垂直）。无背电极层区域的至少一个线性布置可以位于针对（完全）去涂覆而设置的载体基板或薄膜太阳能模块的边缘区中，该边缘区在光学上是非活性的并且包围太阳能电池。然而，也可以使无背电极层区域的至少一个线性布置至少部分地、特别是完全地位于边缘区内，特别是位于针对光电能生成而提供的测量层的区域中。
在太阳能电池相等生成电流方面，可以有利的是，无背电极层区域在每种情况下位于太阳能电池的光伏活性区中，其中太阳能电池的无背电极层区域具有相等的面积。因此，有利的是，在总面积相等的情况下，具有组合总面积的多个无背电极层区域在每种情况下位于太阳能电池中。
如果没有明确指出，在本发明的上下文中，层在另一层“之上/上方”或“上”的布置并不意味着层必须直接在彼此上。这同样适用于层在载体基板“上”或“之方/上方”的布置。至少一个其他层可以位于某一层和布置在该层上的层之间。因此，至少一个其他层可以位于载体基板和布置在载体基板上的层之间。术语“层”可以描述由一种和相同的材料制成的单独层，但是也延伸到布置在彼此的顶部的多个单独层，其中为了区别，至少两个紧邻的单个层可以由彼此不同的材料制成。例如，背电极层和/或测量层可以在每种情况下由一个或多个相互不同的单独层制成。
为了制造背电极层和测量层，原则上所有的化学-物理沉积方法都是适合的，例如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、溅射（阴极溅射）或热蒸发。
根据本发明的用于制造层系统的方法可以用于制造集成串联连接薄膜太阳能电池和由此制造的薄膜太阳能模块。当然，集成串联连接薄膜太阳能电池的制造包括附加步骤，例如，前电极层和一个或多个缓冲层的沉积以及用于图案化各层的步骤，然而，这些对于本发明的理解是不必要的，因此不需要更详细的解释。
本发明还扩展到一种薄膜太阳能模块，其使用根据本发明的方法来制造。特别地，一个或多个无背电极层区域可以被布置在薄膜太阳能模块的光学活性部分内。
附图说明
现在参考附图使用示例性实施例详细地解释本发明。附图描绘：
图1是用于制造薄膜太阳能电池的中间产物的层结构的沿图2的剖面线A-A的示意性剖视图；
图2是图1的层结构的平面图；
图3是用于呈现具有两个载体基板和证据玻璃的吸收剂层的各种元素的相对份额的盒型图（box plot）；
图4是用于呈现具有和没有测量域的载体基板的各种物理参数的盒型图；
图5是使用流程图的过程步骤的示例性实施例。
附图说明
首先考虑图1和2，其纯粹示意性地描绘了用于说明根据本发明的方法的示例性层结构1。层结构1是集成的串联连接的薄膜太阳能电池的制造中的中间产物。
层结构1包括基板2和在该基板2上的背电极层3。在背电极层3上布置测量层4，其是光敏吸收剂层或光敏吸收剂层的前体层。
这里的基板2例如由无机玻璃制成，而同样可以使用具有令人满意的稳定性以及相对于在薄膜太阳能电池的制造中执行的过程步骤的惰性行为的其他绝缘材料，例如塑料，特别是聚合物或者金属或金属合金。取决于层厚度和特定的材料性质，基板2可以被设计为刚性板或柔性膜。基板2的层厚度例如为1 mm至5 mm。背电极层3布置在基板2的面对光入射的表面上。背电极层3例如由不透光的金属制成。例如，其可以通过气相沉积或磁控管增强阴极溅射而沉积在基板2上。背电极层3包含例如铜（Cu）和/或锌（Zn）或由其制成，或者包括具有这种金属的多层系统。背电极层3的层厚度例如小于1μm，并且特别地在300 nm至600 nm的范围内。在图案化之后，在背电极层3中形成薄膜太阳能电池的后侧接触。可以在基板2和背电极层3之间布置例如由Si3N4、SiON或SiCN制成的碱阻挡层。这在图1中未示出。
测量层4例如是光敏吸收剂层，并且包括或优选由黄铜矿化合物半导体（特别是Cu2ZnSn（S，Se）4、Cu（In，Ga，Al）（S，Se）2、CuInSe2、CuInS2、Cu（In，Ga）Se2或者Cu（In，Ga）（S，Se）2）或锌黄铁矿化合物半导体（CZTS）制成。优选地，测量层4包括Cu（InGa）（S，Se）2或由其制成，并且例如通过先前描述的两阶段RTP过程来制造。测量层4同样可以是这种吸收剂层的前体层（可选地包括多层），其通过热处理转换以形成化合物半导体。测量层4直接涂敷到背电极层3上。测量层4具有例如1.5μm的厚度。
通常，包括例如未掺杂的氧化锌（i-ZnO）的至少一个缓冲层（未示出）布置在测量层4上。位于其上的是前电极层（未示出），其对于可见光谱范围内的辐射是透明的，并且在其中在图案化之后形成薄膜太阳能电池的前侧接触。通常，在前电极上涂敷用于保护免受环境影响的覆盖层（未示出），其例如由聚乙烯醇缩丁醛（PVB）、乙烯-乙酸乙烯酯（EVA）制成，或者由硅树脂制成的塑料层（封装膜）。另外，可以提供对太阳光透明的覆盖板（未示出）。为了制造集成串联连接薄膜太阳能电池，通过图案化线P1、P2和P3（P1用于划分背电极层，P2用于接触前电极部和背电极部，并且P3用于分离前电极层）以本身已知的方式图案化背电极层3以及前电极层（未示出）。
被描述用于制造薄膜太阳能电池的层结构（其中间产物在图1和2中描绘）是本领域技术人员公知的，并且已经在许多专利文献的出版物中详细描述，例如在DE 19956735B4中。
在图1所描绘的基板配置中，背电极层3与基板2相邻。当然，层结构1同样可以具有上覆板配置，其中基板2是透明的并且布置在光进入侧上。
例如，在在线制造系统中，载体基板2涂覆有背电极层3和测量层4，其中，载体基板2为此目的沿着在图2中用箭头表示的传输方向T移动。当测量层4是吸收剂层的前体层时，测量层4然后被热转换为吸收剂层。
如图2中可辨别的，载体基板2是矩形的，其中具有较长维度a和较短维度b，其中，例如，较长维度a在传输方向T上延伸。载体基板2的表面完全被涂覆有背电极层3和测量层4，换言之，背电极层3完全覆盖载体基板2，并且测量层4完全覆盖背电极层3。通过图2中所示的假想的分离线6，针对光电能生成而设置的薄膜太阳能电池的光学活性区7与边缘区8分离，在其中，载体基板2在稍后的时间点完全被去涂覆。在图1和2所描绘的薄膜太阳能电池的制造中的中间产物中，背电极层3和测量层4存在于光学活性区7和边缘区8两者中。
在层结构1中，背电极层3具有多个无背电极层区域5，其在每种情况下以背电极层3的凹陷（不连续）的形式实现。因此，无背电极层区域5在每种情况下都位于背电极层3的外边界内，并且在每种情况下都被背电极层3的材料包围。在此，无背电极层区域5例如具有矩形形状，其中不同的形状是同样可能的。测量层4叠覆所有无背电极层区域5。
如图2所示，在背电极层3中实现多个无背电极层区域5，其可以可选地存在。例如，在（后面的）光学活性区7和/或（后面的）去涂覆的边缘区8中实现多个无背电极层区域5。无背电极层区域5例如横向于载体基板2的传输方向T（即，在此，例如沿着载体基板2的较短维度b）和/或沿着载体基板2的传输方向T（即，在此，例如沿着载体基板2的较长维度a）而布置。
在每种情况下通过经由优选具有1至1000皮秒范围的脉冲持续时间的脉冲激光束（激光烧蚀）对背电极层3进行去涂覆来制造无背电极层区域5。
位于每个无背电极层区域5上方的是在下文中称为“测量域”9的测量层4的区域，其中仅在测量域9中进行测量层4的一种或多种元素的量或含量（相对份额）的测量。在图1中，测量层4的测量域9通过阴影标识。
图1和2的层结构1的制备是根据本发明的方法的一部分，如参考图5的流程图所说明的。因此，首先，制备载体基板2（步骤I）。然后，在载体基板2上涂敷背电极层3（步骤II）。随后在背电极层3中形成无背电极层区域5（步骤III）以及制备测量层4（步骤IV）。然后，在每种情况下位于无背电极层区域5上方的测量层4的测量域9中确定测量层4的至少一种组分（元素）的量或相对含量（步骤V）。在测量域9之外没有发生这种测量。
特别地，在步骤V中，确定测量层4的准确组成，例如，元素Cu、In和Ga的量或含量。这可以以特别高的准确度来进行，即使例如在背电极层3中含有Cu。例如，使用波长色散X射线光谱法（WDX）或能量色散X射线光谱法（EDX），其中优选地进行通过用X射线辐射的照射的激发。通过仅仅在无背电极层区域5上方的测量域9中测量，可以有利地避免由存在于背电极层中的相同元素对用于测量层4的元素的测量信号的失真或干扰。
图3描绘了用于比较各种样品的前体层中的各种元素的百分比份额的盒型图。在具有前体层和缺失的背电极层的证据玻璃上以及在具有含铜（Cu）的背电极层的载体基板上的测量域中进行测量，其中在测量域下，用两个不同的激光（皮秒激光和纳秒激光）去除背电极层。左图记录了用于各种样品的In和Ga的百分比份额（原子%）。右图记录了用于各种样品的Cu的百分比份额（原子%）和比率Cu/（In+Ga）。测量是用WDX X-射线光谱法执行的。
可辨别的是，通过皮秒激光去除背电极层的情况下的测量域中的比率Cu/（In+Ga）接近于针对证据玻璃所测量的值。相反，在用纳秒激光处理的测量域中，由于仍然存在Cu残余物，该比率明显更高。因此，在该实验中使用的皮秒激光特别适合于Cu/（In+Ga）比率的正确确定，而纳秒激光的激光引导可以例如通过更高的脉冲到脉冲重叠或更高的功率来优化。然而，原则上，纳秒激光也是适合的。对于皮秒激光过程，Cu/（In+Ga）比率与针对证据玻璃所测量的值的偏差为1%，对于纳秒激光过程，偏差为2%。其原因可能是针对纳秒过程的相对较高的Cu残余物存在。可以预期，通过调节激光过程，在此仍然可以实现明显的改进。相反，对于皮秒激光过程，Cu值和测量的Cu/（In-Ga）比率稍低于证据玻璃的值，这确认了充分的去涂覆被确保。
该结果附加地通过指示局部欧姆损耗的对样品的红外锁定分析来支持。测量域在这里可辨别为非活性区，但指示没有增加的欧姆损耗。
在测量域的区域中进一步对测量层进行显微分析。在这些区域中，一些生长缺陷和最小的微观剥落是确定的、可辨别的，在每种情况下取决于所使用的激光方法；然而，这些区域至少在光学显微镜下似乎是非电关键的，因为它们位于不能导致最终模块中的前电极和背电极之间的导电连接并因此导致部分短路的区域中。红外分析确认了该评估。
实验表明，根据本发明的方法不仅可以用于稍后的非光学活性的薄膜太阳能模块的区域中，而且也可以用于光学活性区中。
图4示出了在具有薄膜太阳能电池的含Cu背电极的载体基板上具有和没有测量域的薄膜太阳能模块的IU特性。在多个薄膜太阳能电池内，用两个不同的激光在光学活性区中去除背电极。在每种情况下，在光学活性区中具有和没有测量域的情况下制造30×30cm2载体基板。示出了用于效率η、短路电流密度ISC、模块中每个太阳能电池的开路电压Voc以及填充因子FF的测量值的盒型图。在具有封装（“电路”）以及在封装和光老化之后（“LS之后的模块”）的薄膜太阳能模块之间进行区分。取决于测量域的存在（“是”）或测量域的不存在（“否”）来进行进一步的区分。盒型图的显著性条（significance bar）示出了测量域对效率没有实质影响，尽管在这种情况下，实际上在相对较小的区域上实现了多个测量域。因此，在具有大约1 m2模块面积的典型产物上，影响是可忽略的。
从以上陈述中已经清楚的是，通过本发明，可以克服用于控制吸收剂层或其前体层的组成的现有技术方法的缺点。经由无背电极层区域可以可靠地并确定地验证测量层的元素，而不会使背电极层的信号失真。当无背电极层区域在薄膜太阳能模块的光学活性区中时，薄膜太阳能模块的质量本身基本上不被损害。至少在使用WDX或EDX X射线光谱法进行测量的情况下，在无背电极层区域中存在的残余物的影响是可忽略的。还存在额外的事实，即：残余物存在的信号被位于无背电极层区域上方的测量层衰减。在无背电极层区域中没有观察到前体层或通过热转换由其产生的吸收剂层的粘附力降低的问题。同样没有观察到，例如由氮化硅（SiN）制成并位于载体基板上的阻挡层不利地影响无背电极层区域中的前体层或吸收剂层的生长。因此，根据本发明的方法可以有利地用于薄膜太阳能电池的制造中。
参考符号列表
1层结构
2载体基板
3背电极层
4测量层
5无背电极层区域
6分离线
7光活性区
8边缘区
9测量域。

Claims (15)

1.一种用于制造用于薄膜太阳能电池的制造的层结构（1）的方法，包括以下步骤：
-提供载体基板（2），
-在载体基板（2）上沉积背电极层（3），
-制造至少一个无背电极层区域（5），
-在所述背电极层（3）之上创建测量层（4），使得所述测量层（4）至少位于所述至少一个无背电极层区域（5）之上，其中所述测量层（4）是光敏吸收剂层（4）或所述光敏吸收剂层（4）的前体层，
-确定位于背电极层（3）的至少一个无背电极层区域（5）之上的测量层（4）的区域（9）中的测量层（4）的至少一种组分的量或相对份额。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个无背电极层区域（5）通过对背电极层（3）去涂覆而制造。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个无背电极层区域（5）通过湿法化学蚀刻或激光烧蚀而制造。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个无背电极层区域（5）通过脉冲持续时间为1至1000皮秒、特别是1至500皮秒的脉冲激光束来去涂覆。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，所述至少一个无背电极层区域（5）的最长维度具有10 mm的最大尺寸，特别是5 mm的最大值。
6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，制造多个无背电极层区域（5）。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，无背电极层区域（5）沿着用于沉积测量层（4）的载体基板（2）的传输方向而布置。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，无背电极层区域（5）横向于用于沉积测量层（4）的载体基板（2）的传输方向而布置。
9.根据权利要求6至8之一所述的方法，其中，无背电极层区域（5）被布置成一行或彼此靠近的多行，其特别是均匀分布的。
10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其中，所述至少一个无涂覆区域（5）布置在针对完全去涂覆而设置的载体基板（2）的边缘区（8）中。
11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其中，所述至少一个无涂覆区域（5）布置在针对光电能生成而设置的载体基板（2）的区域（7）中。
12.根据权利要求1至11之一所述的方法，其中，在测量层（4）和背电极层（3）中含有至少一种相同组分。
13.根据权利要求1至12之一所述的方法，其中，测量层（4）含有黄铜矿化合物半导体和/或锌黄铁矿化合物半导体（CZTS）或者黄铜矿化合物半导体的前体层和/或锌黄铁矿化合物半导体的前体层，所述黄铜矿化合物半导体特别是选自Cu2ZnSn（S，Se）4、Cu（In，Ga，Al）（S，Se）2、CuInSe2、CuInS2、Cu（In，Ga）Se2和Cu（In，Ga）（S，Se）2中，并且其中背电极层（3）含有Cu和/或Zn。
14.根据权利要求1至13之一所述的方法，其中，测量层（4）的材料被热转换，其中测量层（4）的至少一种组分的量或相对份额在测量层（4）的热转换之前确定。
15.一种薄膜太阳能模块，其使用根据权利要求1至14之一所述的方法来制造。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01125875A (ja) * 1988-10-19 1989-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池素子
CN1950952A (zh) * 2004-03-05 2007-04-18 索里布罗股份公司 对cigs工艺进行直列式过程控制的方法和装置
US20130061915A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Seung-Yeop Myong Thin film solar cells and manufacturing method thereof
CN103227243A (zh) * 2013-05-06 2013-07-31 王家雄 制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法
CN103999231A (zh) * 2011-01-26 2014-08-20 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
CN105593998A (zh) * 2013-10-02 2016-05-18 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池
CN105794000A (zh) * 2013-09-17 2016-07-20 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2024662A1 (en) * 1989-09-08 1991-03-09 Robert Oswald Monolithic series and parallel connected photovoltaic module
DE4442824C1 (de) 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
DE19956735B4 (de) 1999-11-25 2008-08-21 Shell Erneuerbare Energien Gmbh Dünnfilmsolarzelle mit einer Chalkopyritverbindung und einer Titan und Sauerstoff enthaltenden Verbindung
US20090104342A1 (en) 2007-10-22 2009-04-23 Applied Materials, Inc. Photovoltaic fabrication process monitoring and control using diagnostic devices
EP2159846A1 (en) 2008-08-29 2010-03-03 ODERSUN Aktiengesellschaft Thin film solar cell and photovoltaic string assembly
JP5297840B2 (ja) * 2009-03-03 2013-09-25 シャープ株式会社 積層体、薄膜光電変換素子、集積型薄膜太陽電池およびそれらの製造方法
US9741884B2 (en) * 2009-03-31 2017-08-22 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method of fabricating the same
KR20110008640A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 삼성전자주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
KR101144570B1 (ko) * 2009-09-30 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
BR112012023397A2 (pt) 2010-03-17 2016-06-07 Dow Global Technologies Llc método para produzir uma composição fotoabsorvente contendo calcogeneto, dispositivo fotovoltaico e película de precursor de um material fotoabsorvente contendo calcogeneto
US8709860B2 (en) * 2010-04-14 2014-04-29 Kyocera Corporation Method for manufacturing photoelectric conversion device
JP5054157B2 (ja) * 2010-06-17 2012-10-24 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池
KR20130129923A (ko) * 2010-10-20 2013-11-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｃｕ­Ｉｎ­Ｇａ­Ｓｅ 태양 전지용 유리 기판 및 그것을 사용한 태양 전지
WO2013031453A1 (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 京セラ株式会社 光電変換装置
US20130118569A1 (en) * 2011-11-14 2013-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming thin film solar cell with buffer-free fabrication process
JP5174230B1 (ja) * 2011-11-25 2013-04-03 昭和シェル石油株式会社 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
US20130186461A1 (en) * 2012-01-20 2013-07-25 Dong-jin Kim Solar cell and method of manufacturing the same
WO2013157321A1 (ja) * 2012-04-17 2013-10-24 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP6375290B2 (ja) * 2012-05-03 2018-08-15 ネクシスＮｅｘｃｉｓ 光電池セルの接続のための薄層スタックのレーザエッチング
JP2014090014A (ja) * 2012-10-29 2014-05-15 Fujifilm Corp 化合物薄膜成膜方法及び化合物薄膜成膜装置
US9343378B2 (en) 2013-03-12 2016-05-17 Alliance For Sustainable Energy, Llc Optical control of multi-stage thin film solar cell production
EP2887405A1 (de) 2013-12-23 2015-06-24 Saint-Gobain Glass France Schichtsystem für Dünnschichtsolarzellen
US20150228820A1 (en) * 2014-02-07 2015-08-13 Tsmc Solar Ltd. Front contact for a solar cell, and method of making same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01125875A (ja) * 1988-10-19 1989-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池素子
CN1950952A (zh) * 2004-03-05 2007-04-18 索里布罗股份公司 对cigs工艺进行直列式过程控制的方法和装置
CN103999231A (zh) * 2011-01-26 2014-08-20 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池及其制造方法
US20130061915A1 (en) * 2011-09-09 2013-03-14 Seung-Yeop Myong Thin film solar cells and manufacturing method thereof
CN103227243A (zh) * 2013-05-06 2013-07-31 王家雄 制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法
CN105794000A (zh) * 2013-09-17 2016-07-20 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池
CN105593998A (zh) * 2013-10-02 2016-05-18 Lg伊诺特有限公司 太阳能电池

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KR102352100B1 (ko) 2022-01-14

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