CN102473768A - 太阳能电池及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种太阳能电池，所述太阳能电池包括多个后电极图案、光吸收层、前电极、互连部、分隔图案和虚设层。所述后电极图案被安置在衬底上并且彼此隔开。所述光吸收层被安置在所述后电极图案上。所述前电极被安置在所述光吸收层上。所述互连部是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接。所述分隔图案穿过所述光吸收层和所述前电极，用于限定单元电池。所述虚设层被安置在所述互连部和所述分隔图案之间。所述虚设层的上表面低于所述前电极的上表面。
Description
技术领域
本公开涉及一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。
背景技术
随着能耗增加，已经对用于将太阳能转换为电能的太阳能电池进行了研究。
特别是，Cu(In，Ga)Se2(CIGS)太阳能电池被广泛使用，它是具有衬底结构的异质pn结器件，该异质pn结器件具有包括玻璃衬底的衬底结构、金属后电极层、p型CIGS光吸收层、高阻缓冲层和n型窗口层。
在这种太阳能电池中，电池由通过蚀刻光吸收层、缓冲层和前电极(n型窗口层)形成的分隔图案限定。然而，由于在形成分隔图案的过程中产生的颗粒，电池变得有缺陷，并且因此太阳能电池会产生故障。
发明内容
技术问题
实施例提供一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法，从而可以简化太阳能电池的制造过程并且可以减少该过程中的颗粒，由此最小化缺陷。
技术方案
在一个实施例中，一种太阳能电池，包括：多个后电极图案，被安置在衬底上并且彼此隔开；光吸收层，在所述后电极图案上；前电极，在所述光吸收层上；互连部，是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接；分隔图案，穿过所述光吸收层和所述前电极，用于限定单元电池；以及虚设层(dummy layer)，在所述互连部和所述分隔图案之间。所述虚设层的上表面可以低于所述前电极的上表面。
在另一实施例中，一种太阳能电池，包括：多个后电极图案，被安置在衬底上并且彼此隔开；在后电极图案上的光吸收层、第一缓冲层和第二缓冲层；前电极，在所述第二缓冲层上；互连部，是穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的所述第二缓冲层和所述前电极的部分，并且与所述后电极图案电连接；以及分隔图案，穿过所述光吸收层、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述前电极，用于限定单元电池。所述互连部可以通过堆叠所述第二缓冲层和所述前电极形成。
在另一实施例中，提供一种太阳能电池的形成方法，所述方法包括：在衬底上形成彼此隔开多个后电极图案；在形成所述后电极图案的所述衬底上形成光吸收层和第一缓冲层；形成穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的接触图案和分隔图案；以及通过使用掩膜覆盖虚设层和所述分隔图案，在所述衬底的前表面上形成前电极，所述虚设层包括部分所述光吸收层并且所述第一缓冲层被安置所述接触图案和所述分隔图案之间。在形成所述前电极之后，所述虚设层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案露出。
有益效果
根据所述实施例的太阳能电池及其制造方法，在形成光吸收层、缓冲层、接触图案和分隔图案之后，使用掩膜形成前电极。因此可以简化过程。
此外，在形成前电极之后，不需要部分地移除所述前电极来形成分隔图案。这防止了由在部分移除前电极时产生的污染物导致的缺陷。
附图说明
图1到图5是用于说明根据第一实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图；
图6和图7是用于说明根据第一实施例的改进实例的太阳能电池的制造方法的剖视图；
图8至图12是用于说明根据第二实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图；
图13和图14是用于说明根据第二实施例的改进实例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，应该理解当衬底、层(或膜)、或电极被称为在另一衬底、层或电极“上面”时，其可以直接在其它衬底、层或电极上面，或者还可以存在一个或多个中间衬底、层或电极。此外，应该理解当衬底、层或电极被称为在另一衬底、层或电极“下面”时，其可以直接在其它衬底、层或电极下面，或者还可以存在一个或多个中间衬底、层或电极。另外，还应该理解当层被称为在两层“之间”时，其可以是所述两层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个中间层。此外，将基于附图确定每层的“上面”和“下面”。另外，在附图中，为了图示清楚可以放大元件的尺寸，并且每个元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
参照图1到图7，下面将根据第一实施例和第一实施例的改进实例来详细描述太阳能电池的制造方法和由该方法制成的太阳能电池。
图1到图5是用于说明根据第一实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
首先，如图1所示，后电极图案200形成在衬底100上。
衬底100可以是玻璃衬底。或者，衬底100可以是诸如氧化铝衬底的陶瓷衬底、不锈钢衬底、钛衬底或聚合物衬底。
在使用玻璃衬底的情形中，可以使用钠钙玻璃衬底。在使用聚合物衬底的情形中，可以使用聚酰亚胺衬底。
另外，衬底100可以是刚性或挠性的。
后电极图案200可以通过形成后电极层并对该后电极层进行图案化而形成。
另外，后电极图案200可以布置为与电池相对应的条状或矩阵形状。
但是，后电极图案200的形状不限于上述形状。后电极图案200可以具有各种形状。
后电极图案200可以由诸如金属的导电材料形成。
例如，可以通过利用钼(Mo)作为靶的溅射过程形成后电极图案200。
在该情形中，由于钼(Mo)的高电导率，因而后电极图案200可以与光吸收层欧姆接触，并且在硒(Se)气氛中在高温下也稳定。
虽然未在图中示出，但是后电极图案200可以由至少一层构成。
在后电极图案200由多层构成的情形中，所述层可以由不同材料构成。
接着，如图2所示，光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成在后电极图案200上。
光吸收层300可以由Ib-IIIb-VIb族化合物构成。
例如，光吸收层300可以包括Cu(In，Ga)Se2(CIGS)化合物。
或者，光吸收层300可以包括CuInSe2(CIS)化合物或CuGaSe2(CGS)化合物。
例如，通过利用铜靶、铟靶和镓靶在后电极图案200上形成CIG金属前体(precursor)层，以便形成光吸收层300。
然后，在硒化过程中金属前体层与硒(Se)发生反应，以形成CIGS光吸收层300。
另外，在金属前体形成过程和硒化过程中，包括在衬底100中的碱组分通过后电极图案200扩散到所述金属前体层和光吸收层300中。
碱组分可以增加光吸收层300的颗粒尺寸和改善光吸收层300的结晶特性。
或者，可以利用铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)通过共蒸发法形成光吸收层300。
光吸收层300接收光并将所述光转换为电能。光吸收层300通过光伏效应产生光电动势。
可以通过在光吸收层300上沉积硫化镉(CdS)来形成第一缓冲层400。
此时，第一缓冲层400是N型半导体层，光吸收层300是P型半导体层。因此，光吸收层300和第一缓冲层400形成PN结。
第二缓冲层500可以是包括ITO、ZnO和i-ZnO中的一种的透明电极层。
第一缓冲层400和第二缓冲层500形成在光吸收层300和稍后形成的前电极之间。
就是说，由于光吸收层300和前电极之间的晶格常数和能带隙存在巨大差异，因此插置具有适中的带隙的第一缓冲层400和第二缓冲层500，以得到良好的结。
在本实施例中，在光吸收层300上形成两个缓冲层。然而，本实施例不限于此。例如，可以仅形成一个缓冲层。
接着，如图3所示，穿过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成接触图案310和分隔图案320。
接触图案310和分隔图案320可以通过使用机械方法或照射激光束而形成，并且后电极图案200可以通过接触图案310和分隔图案320而局部露出。
接触图案310和分隔图案320可以顺序地形成或同时形成。
此时，光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成在接触图案310和分隔图案320之间的虚设层800。
接着，如图4所示，掩膜10被安置在第二缓冲层500上。
掩膜10覆盖虚设层800和分隔图案320，但是不覆盖其它区域。
掩膜10的侧表面20可以倾斜为使得侧表面20随着向下而变宽。
在此情形中，当在后面的过程中形成前电极时，在第二缓冲层500上沉积前电极不会受沉积在掩膜10上的物质影响。
就是说，如果掩膜10的侧表面20不倾斜，则接触图案310会被沉积在掩膜10上的前电极的一部分部分地阻挡，并且因此前电极不会沉积在接触图案310中。在此情形中，前电极不会与后电极图案200接触。
接着，如图5所示，透明导电前电极600通过利用掩膜10形成在衬底100上。
当透明导电前电极600形成在第二缓冲层500上时，前电极600还形成在接触图案310中以形成互连部700。
后电极图案200和前电极600通过互连部700电连接。
例如，第一电池C1和第二电池C2可以通过互相部700互相连接。例如，第二电池C2的后电极图案200通过互连部700与和第二电池C2相邻的第一电池C1的前电极600连接。
此时，由于前电极600通过利用掩膜10形成，因此前电极600不形成在分隔图案320和虚设层800上。
就是说，在形成前电极600之后，露出虚设层800的第二缓冲层500和后电极图案200。
此外，由于前电极600不形成在虚设层800上，因此分隔图案320的靠近前电极600的上部可以比分隔图案320的靠近后电极图案200的下部宽。
在本实施例中，当形成接触图案310时，还形成分隔图案320，然后利用掩膜10形成前电极600。因此可以简化过程。
此外，在形成前电极600之后，不需要部分移除前电极600来形成分隔图案320。这防止了由在部分移除前电极时产生的污染物导致的缺陷。
利用掺杂有铝的氧化锌通过溅射过程在第二缓冲层500上形成前电极600。
前电极600是与光吸收层300形成PN结的窗口层。由于前电极600用作太阳能电池的前透明电极，因而前电极600由具有高透光率和电导率的氧化锌(ZnO)构成。
此时，通过使氧化锌掺杂铝可以形成具有低电阻的电极。
通过利用ZnO靶的射频(RF)溅射法、利用Zn靶的反应溅射法或金属有机化学沉积法，可以使氧化锌薄膜形成为前电极600。
另外，前电极600可以具有通过将具有良好光电特性的氧化铟锡(ITO)薄膜沉积到氧化锌薄膜上而形成的双层结构。
参照图5，将给出关于通过上述第一实施例的太阳能电池制造方法形成的太阳能电池的详细说明。
如图5所示，第一实施例的太阳能电池包括后电极图案200、光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600。
后电极图案200形成在衬底100的彼此分隔的多个位置上，并且光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600安置在后电极图案200上。
互连部700是前电极600的部分，前电极600的这些部分通过光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500与后电极图案200电连接。
分隔图案320通过光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600而形成。
光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500构成在互连部700和接触图案310之间的虚设层800。
虚设层800的第二缓冲层500和靠近分隔图案320的后电极图案200可以露出。
以此方式，通过堆叠光吸收层300、第一缓冲层400和第二缓冲层500形成虚设层800，并且前电极600不形成在虚设层800上。因此，虚设层800的上表面低于前电极600的上表面。这是因为，在形成接触图案310和分隔图案320并且用掩膜10覆盖分隔图案320之后，形成前电极600。
在上述实施例中，掩膜10被安置为覆盖整个虚设层800和分隔图案320。然而，该实施例不限于此。如图6所示，掩膜10覆盖分隔图案320并且掩膜10部分地覆盖虚设层800是足够的。在此情形中，如图7所示，前电极600部分地覆盖虚设层800。与前面情形相同，虚设层800的上表面仍低于前电极600的上表面。
参照图8至图14，将根据第二实施例和第二实施例的改进实例详细描述太阳能电池的制造方法和通过该方法制造的太阳能电池。
图8至图12是用于说明根据第二实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
首先，如图8所示，后电极图案200形成在衬底100上。
衬底100可以是玻璃衬底。或者，衬底100可以是诸如氧化铝衬底的陶瓷衬底、不锈钢衬底、钛衬底或聚合物衬底。
在使用玻璃衬底的情形中，可以使用钠钙玻璃衬底。在使用聚合物衬底的情形中，可以使用聚酰亚胺衬底。
另外，衬底100可以是刚性或挠性的。
后电极图案200可以通过形成后电极层并对该后电极层进行图案化而形成。
另外，后电极图案200可以具有与电池相对应的条状或矩阵形状。
但是，后电极图案200的形状不限于上述形状。后电极图案200可以具有各种形状。
后电极图案200可以由诸如金属的导电材料形成。
例如，可以通过利用钼(Mo)作为靶的溅射过程形成后电极图案200。
在该情形中，由于钼(Mo)的高电导率，因而后电极图案200可以与光吸收层欧姆接触，并且在硒(Se)气氛中在高温下稳定。
虽然未在图中示出，但是后电极图案200可以由至少一层构成。
在后电极图案200由多层构成的情形中，所述层可以由不同材料构成。
接着，如图9所示，光吸收层300和第一缓冲层400形成在后电极图案200上。
光吸收层300可以由Ib-IIIb-VIb族化合物构成。
例如，光吸收层300可以包括Cu(In，Ga)Se2(CIGS)化合物。
或者，光吸收层300可以包括CuInSe2(CIS)化合物或CuGaSe2(CGS)化合物。
例如，通过利用铜靶、铟靶和镓靶在后电极图案200上形成CIG金属前体层，以便形成光吸收层300。
然后，在硒化过程中金属前体层与硒(Se)发生反应，以形成CIGS光吸收层300。
另外，在金属前体形成过程和硒化过程中，包括在衬底100中的碱组分通过后电极图案200扩散到所述金属前体层和光吸收层300中。
碱组分可以增加光吸收层300的颗粒尺寸和改善光吸收层300的结晶特性。
或者，可以利用铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和硒(Se)通过共蒸发法形成光吸收层300。
光吸收层300接收光并将所述光转换为电能。光吸收层300通过光伏效应产生光电动势。
可以通过在光吸收层300上沉积硫化镉(CdS)来形成第一缓冲层400。
此时，第一缓冲层400是N型半导体层，光吸收层300是P型半导体层。因此，光吸收层300和第一缓冲层400形成PN结。
接着，如图10所示，穿过光吸收层300和第一缓冲层400形成接触图案310和分隔图案320。
接触图案310和分隔图案320可以通过机械方法或照射激光束而形成，并且后电极图案200通过接触图案310和分隔图案320局部露出。
接触图案310和分隔图案320可以顺序地形成或同时形成。
此时，光吸收层300、第一缓冲层400形成在接触图案310和分隔图案320之间的虚设层900。
接着，如图11所示，掩膜10被安置在第一缓冲层400上。
掩膜10覆盖虚设层900和分隔图案320，但是不覆盖其它区域。
掩膜10的侧表面20可以倾斜为使得侧表面20随着向下变宽。
在此情形中，当在后面的过程中形成前电极时，在第一缓冲层400上沉积前电极不会受沉积在掩膜10上的物质影响。
就是说，如果掩膜10的侧表面20不倾斜，则接触图案310会被沉积在掩膜10上的前电极的一部分部分地阻挡，并且因此前电极不会沉积在接触图案310中。在此情形中，前电极不会与后电极图案200接触。
接着，如图12所示，第二缓冲层500和透明导电前电极600通过利用掩膜10形成衬底100上。
第二缓冲层500可以是包括ITO、ZnO和i-ZnO中的一种的透明电极层。
第一缓冲层400和第二缓冲层500安置在光吸收层300和前电极600之间。
就是说，由于光吸收层300和前电极之间的晶格常数和能带隙存在巨大差异，因此插置具有适中的带隙的第一缓冲层400和第二缓冲层500，以得到良好的结。
在本实施例中，在光吸收层300上形成两个缓冲层。然而，本实施例不限于此。例如，可以仅形成一个缓冲层。
当第二缓冲层500和前电极600堆叠在低于缓冲层400上时，第二缓冲层500和前电极600也形成在接触图案310中以形成互连部700。
就是说，第二缓冲层500形成在接触图案310的下表面和侧表面上，然后前电极600形成在接触图案310中以形成互连部700。
此时，第二缓冲层500被安置在前电极600和后电极图案200之间。
利用掺杂有铝的氧化锌通过溅射过程在第二缓冲层500上形成前电极600。
前电极600是与光吸收层300形成PN结的窗口层。由于前电极600用作太阳能电池的前透明电极，因而前电极600由具有高透光率和电导率的氧化锌(ZnO)构成。
此时，通过使氧化锌掺杂铝可以形成具有低电阻的电极。
通过利用ZnO靶的射频(RF)溅射法、利用Zn靶的反应溅射法或金属有机化学沉积法，可以使氧化锌薄膜形成为前电极600。
另外，前电极600可以具有通过将具有良好光电特性的氧化铟锡(ITO)薄膜沉积到氧化锌薄膜上形成的双层结构。
在后面的过程中，包括在前电极600中的铝可以扩散到第二缓冲层500中。
后电极图案200和前电极600通过互连部700电连接。
例如，第一电池C1和第二电池C2可以通过互相部700互相连接。例如，第二电池C2的后电极图案200通过互连部700与和第二电池C2相邻的第一电池C1的前电极600连接。
此时，由于第二缓冲层500和前电极600通过利用掩膜10形成，因此第二缓冲层500和前电极600不形成在分隔图案320和虚设层900上。
就是说，在第二缓冲层500和形成前电极600之后，露出虚设层900的第一缓冲层400和后电极图案200。
此外，由于第二缓冲层500和前电极600不形成在虚设层900上，因此分隔图案320的靠近第二缓冲层500和前电极600的上部可以比分隔图案320的靠近后电极图案200的下部宽。
在本实施例中，在形成后电极600之后，露出虚设层900和分隔图案320。然而，本实施例不限于此。例如，通过改进掩膜10，前电极600可以形成在虚设层900的第一缓冲层400的一部分上。
就是说，可以部分露出虚设层900的第一缓冲层400。
在本实施例中，当形成接触图案310时，也形成分隔图案320，然后利用掩膜10形成第二缓冲层500和前电极600。因此，可以简化过程。
此外，在形成前电极600之后，不需要部分移除前电极600以形成分隔图案320。这可以防止由当部分移除前电极600时产生的污染物导致的缺陷。
参照图12，将给出关于通过上述第二实施例的太阳能电池制造方法形成的太阳能电池的详细说明。
如图12所示，第二实施例的太阳能电池包括后电极图案200、光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600。
后电极图案200形成在衬底100的彼此分隔的多个位置上，并且光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600安置在后电极图案200上。
互连部700是前电极600的部分，前电极600的这些部分通过光吸收层300和第一缓冲层400与后电极图案200电连接。
分隔图案320通过光吸收层300、第一缓冲层400、第二缓冲层500和前电极600而形成。
光吸收层300和第一缓冲层400形成在互连部700和接触图案310之间的虚设层900。
虚设层900的第一缓冲层400和靠近分隔图案320的后电极图案200可以露出。
通过堆叠第二缓冲层500和前电极600形成互连部700。
通过堆叠光吸收层300和第一缓冲层400形成虚设层900，并且前电极600不形成在虚设层900上。因此，虚设层900的上表面低于前电极600的上表面。这是因为，在形成接触图案310和分隔图案320并且用掩膜10覆盖分隔图案320之后，形成前电极600。
在上述实施例中，掩膜10被安置为覆盖整个虚设层900和分隔图案320。然而，该实施例不限于此。如图13所示，掩膜10覆盖分隔图案320并且掩膜10部分地覆盖虚设层900是足够的。在此情形中，如图14所示，前电极600部分地覆盖虚设层900。与前面情形相同，虚设层900的上表面仍低于前电极600的上表面。
根据实施例的太阳能电池和该太阳能电池的制造方法，在形成光吸收层、缓冲层、接触图案和分隔图案之后，利用掩膜形成前电极。因此，可以简化过程。
此外，在形成前电极之后，不需要部分移除前电极以形成分隔图案。这防止由当部分移除前电极时产生的污染物导致的缺陷。
虽然参考本发明的多个说明性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域技术人员可以推导出的很多其它改进和实施例均会落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，可以对所讨论的结合布置方式的组成部件和/或布置方式进行各种变型和改进。除了对组成部件和/或布置方式的变型和改进，对本领域技术人员而言，替代使用也是显而易见的。
Claims (20)
1.一种太阳能电池，包括：
多个后电极图案，被安置在衬底上并且彼此隔开；
光吸收层，在所述后电极图案上；
前电极，在所述光吸收层上；
互连部，该互连部是穿过所述光吸收层的所述前电极的一部分并且与所述后电极图案电连接；
分隔图案，穿过所述光吸收层和所述前电极，用于限定单元电池；以及
虚设层，在所述互连部和所述分隔图案之间，
其中，所述虚设层的上表面低于所述前电极的上表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括第一缓冲层和被安置在所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层被安置在所述光吸收层和所述前电极之间，并且
其中，所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述虚设层的所述第二缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述前电极覆盖所述虚设层的所述第二缓冲层的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括第一缓冲层和被安置在所述第一缓冲层上的第二缓冲层，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层被安置在所述光吸收层和所述前电极之间，并且
其中，所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层和所述第二缓冲层。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述虚设层的所述第一缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第二缓冲层和所述前电极覆盖所述虚设层的所述第一缓冲层的至少一部分。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述互连部包括堆叠的所述第二缓冲层和所述前电极。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述分隔图案的靠近所述前电极的上部比所述分隔图案的靠近所述后电极图案的下部宽。
10.一种太阳能电池，包括：
多个后电极图案，被安置在衬底上并且彼此隔开；
在后电极图案上的光吸收层、第一缓冲层和第二缓冲层；
前电极，在所述第二缓冲层上；
互连部，该互连部是所述第二缓冲层和所述前电极的穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的部分，并且与所述后电极图案电连接；以及
分隔图案，穿过所述光吸收层、所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述前电极，用于限定单元电池；
其中，所述互连部包括堆叠的所述第二缓冲层和所述前电极。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述互连部的所述第二缓冲层被安置在所述后电极图案和所述前电极之间。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，虚设层由在所述互连部和所述分隔图案之间堆叠的所述光吸收层和所述第一缓冲层形成，
其中，所述虚设层的所述第一缓冲层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案被露出。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，虚设层通过堆叠的所述光吸收层和所述第一缓冲层形成在所述互连部和所述分隔图案之间，
其中，所述前电极覆盖所述虚设层的所述第一缓冲层的一部分。
14.一种太阳能电池的制造方法，包括：
在衬底上形成彼此隔开多个后电极图案；
在形成所述后电极图案的所述衬底上形成光吸收层和第一缓冲层；
形成穿过所述光吸收层和所述第一缓冲层的接触图案和分隔图案；以及
通过使用掩膜覆盖虚设层和所述分隔图案，在所述衬底的前表面上形成前电极，所述虚设层包括所述光吸收层和所述第一缓冲层的被安置在所述接触图案和所述分隔图案之间的部分，
其中，在形成所述前电极之后，所述虚设层和靠近所述分隔图案的所述后电极图案露出。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，在形成所述光吸收层和所述第一缓冲层与形成所述接触图案和所述分隔图案之间，所述方法进一步包括在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，
其中，所述接触图案和所述分隔图案穿过所述光吸收层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层，并且
覆盖所述虚设层和所述分隔图案的所述掩膜被安置在所述第二缓冲层上。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层、所述第一缓冲层和所述第二缓冲层。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，在形成所述前电极时，通过使用所述掩膜形成第二缓冲层，然后在所述第二缓冲层上形成所述前电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述虚设层包括堆叠的所述光吸收层和所述第一缓冲层。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，当形成所述第二缓冲层和所述前电极时，所述第二缓冲层和所述前电极被安置在所述接触图案中以形成互连部，
所述第二缓冲层被安置在所述后电极图案和所述前电极之间。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述前电极由掺杂铝的氧化锌(ZnO)形成，并且所述铝扩散到所述第二缓冲层中。
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