CN105579553A - 波长转换器以及具有所述波长转换器的发光器件 - Google Patents

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Abstract

描述了一种具有包含氧化铝的第二相（优选地作为氧化铝微晶）的表面层的基于氧化铝的陶瓷波长转换器。作为用于形成自身实质上透明的体块陶瓷的烧结处理的结果而形成表面层。所述陶瓷波长转换器与发光二极管组合以形成发光器件。优选地，所述陶瓷波长转换器由通式A3B5O12:Ce所表示的基于氧化铝的磷构成，其中，A是Y、Sc、La、Gd、Lu或Tb，并且B是Al、Ga或Sc。

Description

波长转换器以及具有所述波长转换器的发光器件
相关申请的交叉引用
本申请是要求题为“WAVELENGTHCONVERTERANDLIGHT-EMITTINGDEVICEHAVINGSAME”的并且于2013年9月26日提交的美国专利申请No.14/038，709的权益的国际申请，该美国申请的整体内容被通过引用合并到此。
背景技术
发光二极管（LED）在电磁谱的特定区域中生成可见光或不可见光。取决于LED的材料成分，从LED输出的光可以是例如蓝色、红色、绿色、紫外（UV）和/或近UV谱区域中的光。当想要构建产生与LED的输出色彩不同的色彩的光的LED光源时，已知的是使用光致发光将具有第一波长或波长范围的从LED输出的光（“主级光”或“激励光”）转换为具有第二波长或波长范围的光（“次级光”或“发射光”）。
光致发光一般牵涉利用波长转换材料（诸如磷或磷的混合物）来吸收更高能量主级光。吸收主级光可以将波长转换材料激励到更高能态。当波长转换材料返回到更低能态时，其发射一般具有与主级光不同的波长/波长范围的次级光。次级光的波长/波长范围取决于所使用的波长转换材料的成分。像这样，可以通过恰当选择波长转换材料来实现想要的波长/波长范围的次级光。这种处理可以理解为“波长下转换”，并且与包括波长转换材料（诸如磷）的波长转换结构组合以产生次级光的LED可以被描述为“磷转换的LED”（pc-LED）或“波长转换的LED”。
波长转换材料可以通过适当的方法（诸如按压并且烧结粉末状的材料）而被形成为固体单片陶瓷工件。典型地采用板的形式的陶瓷波长转换器可以于是被直接附接到LED管芯，以实现LED所发射的光的芯片级转换（CLC），或者其可以被放置在距LED的发光表面一定距离处，以便实现远距转换布置。因为透明陶瓷波长转换器不遭受来自把被转换的光后向散射到LED源—在LED源处被转换的光可能被吸收—的损耗，所以对于这些应用而言透明陶瓷波长转换器具有潜力来生成最高水平的转换效率。然而，由于以更高的透明度制成陶瓷波长转换器，因此总内部反射（TIR）变为限制因素，约束可以从转换器提取的光的量，并且由此限制光源的效力。
发明内容
本发明将透明陶瓷的高转换效率的优点与增加流明输出的光提取改进组合。更特别地，提供一种具有包含第二相的氧化铝（优选地作为氧化铝微晶）的表面层的基于氧化铝的陶瓷波长转换器。作为用于形成自身实质上透明的体块陶瓷的烧结处理的结果，形成表面层。
根据本发明的一方面，提供一种包括冷光陶瓷材料的固体单片工件的波长转换器。所述陶瓷材料由能够将具有第一峰值波长的主级光转换为具有第二峰值波长的次级光的基于氧化铝的磷构成。所述转换器的体块部分实质上是透明的，并且所述转换器具有至少一个主表面，所述至少一个主表面带有具有氧化铝第二相的烧结态的表面层。
根据本发明的另一方面，提供一种发光器件，包括：发光二极管，其发射具有第一峰值波长的主级光；以及波长转换器，被定位为从所述发光二极管接收所述主级光。所述波长转换器包括冷光陶瓷材料的固体单片工件。所述陶瓷材料包括能够将所述主级光的至少一部分转换为具有第二峰值波长的次级光的基于氧化铝的磷。所述转换器的体块部分实质上是透明的，并且所述转换器具有至少一个主表面，所述至少一个主表面带有具有氧化铝第二相的烧结态的表面层。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的利用具有陶瓷波长转换器的LED的发光器件的横截面的示意性图解。
图2是根据本发明的另一实施例的利用具有陶瓷波长转换器的LED的发光器件的横截面的示意性图解。
图3是示出孔隙和第2相氧化铝夹杂物（inclusion）的所烧结的YGdAG:Ce陶瓷波长转换器的横截面的SEM显微图。
图4是利用TEOS烧结助剂制成的所烧结的YGdAG:Ce陶瓷波长转换器的横截面的SEM显微图。
图5是利用TEOS烧结助剂制成的所烧结的YGdAG:Ce陶瓷波长转换器的表面的SEM。
图6是利用TEOS烧结助剂制成的所烧结的LuAG:Ce陶瓷波长转换器的表面的光显微镜图像。
图7在（i）烧结态的条件与（ii）被抛光以移除表面上的第2相氧化铝晶体中对利用TEOS烧结助剂烧结的YGdAG:Ce陶瓷波长转换器的直线透射进行比较。
图8对具有烧结态的YGdAG:Ce陶瓷转换器板的pc-LED的发射谱与来自同一pc-LED配置的发射谱进行比较，其中，转换器的一侧或两侧已经被抛光以移除具有氧化铝的第2相的表面层。
具体实施方式
为了连同本发明的其它和进一步的目的、优点和能力一起更好地理解本发明，参照结合上面描述的附图所作的以下公开和所附权利要求。
如在此所使用的那样，“陶瓷波长转换器”意味着由已经通过烧结粉末状材料（诸如无机磷）形成的固体单片陶瓷工件构成的波长转换器。一般地，烧结态的陶瓷波长转换器是多晶的。术语“陶瓷波长转换器”不包括由聚合物基质（诸如硅酮或环氧树脂）中的磷颗粒的分散构成的波长转换器。术语“表面层”意味着相邻于并且包括有关表面的层。
实质上透明意味着材料展现通过材料的光的很少的散射，并且更特别地其展现其中材料没有吸收峰值的电磁谱的区域中如所测量的至少60%的直线透射。例如，由于材料归因于Ce3+催化剂而在350nm和460nm处具有强吸收峰值，因此将在高于550nm的波长处测量用于铈催化的铝石榴石材料的直线透射。特别是，被滤波以扫描波长范围的氙气灯一般地被用于测量直线透射。
LED“管芯”（又被提及为LED“芯片”）是采用其最基本形式（即，采用通过切分半导体层被沉积于其上的更大得多的晶片而产生的小的单独的工件的形式）的LED。LED管芯可以包括适合用于应用电功率的接触。
对磷、LED或转换材料的色彩的提及一般提及其发射色彩，除非另外指定。因此，蓝色LED发射蓝色光，黄色磷发射黄色光并且依此类推。
现在参照具有更大特定性的附图，图1中示出采用具有陶瓷波长转换器104的pc-LED的形式的发光器件100。陶瓷波长转换器由基于氧化铝（Al2O3）的磷材料，例如冷光钇铝石榴石Y3Al5O12（其也可以写为3Y2O3·5Al2O3）构成。优选地，陶瓷波长转换器由可以由通式A3B5O12:Ce表示的基于氧化铝的磷构成，其中，A是Y、Sc、La、Gd、Lu或Tb，并且B是Al、Ga或Sc。优选地，A是Y,Gd、Lu或Tb，并且B是Al。更优选地，磷是如下之一：Y3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce和Lu3Al5O12:Ce、其可以分别被提及为YAG:Ce、YGdAG:Ce、TbAG:Ce和LuAG:Ce。波长转换器104一般具有20μm和500μm之间并且优选地100μm和250μm之间的厚度T1。在优选的实施例中，波长转换器具有平坦板的形状，虽然其不被限制成这样。
从蓝色发射LED管芯102的发光表面107发射的主级光106通入到陶瓷波长转换器104中，陶瓷波长转换器104将蓝色光的至少一部分转换为具有不同峰值波长的次级光116（诸如黄色光）。最终从转换器104的发光表面120发射的光的色彩将取决于转换器内的通过转换器的未转换的主级光106的量对于转换为次级光116的主级光的量的比率。
在图1所示的实施例中，陶瓷波长转换器104具有抛光的底部表面118，其面对LED管芯102的发光表面107。包括发光表面120的相对侧具有包含第二相的氧化铝（优选地作为氧化铝微晶）的整体的烧结态的表面层110。表面层边界由虚线126表示。陶瓷波长转换器104的体块材料124是由基于氧化铝的磷构成的实质上透明的单相材料。
确信的是，通过减少总内部反射并且还增加主级光106的散射，表面层110增强来自转换器104的光发射，导致更大的转换以及增加的次级光116发射。优选地，表面层110具有小于大约50μm并且更优选地小于大约10μm的厚度T2。表面层中的优选的氧化铝微晶大小范围从大约0.5μm到大约25μm，并且优选地从大约1μm到大约10μm。优选地，氧化铝第二相覆盖在转换器的主表面的大约百分之1至大约百分之50，并且甚至更优选地大约百分之5至大约百分之25之间。
在烧结期间，氧化铝第2相形成在陶瓷波长转换器的两个主表面处或附近，产生在两侧上包含氧化铝第二相的表面层。为了移除表面层，由于氧化铝第二相强烈地界定到基于氧化铝的磷的初生相，因此必要的是使用侵入手段（诸如机械抛光）。在一些应用中（如图1所示），可能想要抛光与LED的发光表面配合的转换器的侧（诸如底部表面118）。然而，如以下关于图2所描述的那样，不需要抛光转换器的一侧，并且一般优选的是在转换器的两侧上保持表面层。
现在参照图2，除了陶瓷波长转换器204具有分别在两个主表面处的整体地形成的烧结态的表面层210和212（即发光表面220和底部表面218）之外，图解具有与图1所示的pc-LED相似的配置的发光器件200。如在先前的实施例中那样，表面层210和212包含在烧结处理期间所形成的氧化铝第二相，优选地作为氧化铝微晶。虚线226和228分别指示用于表面层210、212的边界。优选地，表面层210、212具有小于大约50μm并且更优选地小于大约10μm的厚度。陶瓷转换器204的体块材料224是由基于氧化铝的磷构成的实质上透明的单相材料。特别是，体块材料不包含显著量的散射中心（诸如孔隙或第2相夹杂物）。
在一个实施例中，可以通过以下步骤制成陶瓷波长转换器：（a）将前体材料与液相形成烧结助剂组合，以形成绿色状态混合物；（b）对绿色状态混合物进行构形，以形成陶瓷转换器的绿色状态形状（诸如板）；（c）加热绿色状态形状以移除粘接剂并且形成预先烘培的陶瓷材料；以及（d）烧结预先烘培的陶瓷材料以形成陶瓷波长转换器。如上面描述那样，通过烧结助剂添加剂来增强烧结。优选地，前体材料可以包括铈催化的钇铝石榴石（YAG:Ce）或铈催化的镥铝石榴石（LuAG:Ce）。烧结助剂可以包括在烧结处理期间形成硅酸盐液体的材料。优选地，烧结助剂是原硅酸四乙酯（TEOS）。绿色状态混合物可以进一步包含有机粘接剂，以在绿色状态形状的形成中进行辅助。用于形成绿色状态形状的方法包括注入模制、流延成型、干法压印、注浆成型或挤压。
在另一实施例中，绿色状态混合物可以包含多于一个的前体材料，并且绿色状态形状的加热引起前体材料反应以形成陶瓷转换器。例如，绿色状态混合物可以包括被调配为产生想要的冷光陶瓷的氧化物的混合物（诸如Y2O3、Al2O3以及CeO2的混合物）。
优选地，可以在达到1150℃的温度执行步骤（c）中的加热。更优选地，可以按以下时间温度周期执行步骤（c）中的加热：在4小时中将温度从25℃增加到400℃，在4小时中将温度从400℃增加到1150℃，在范围从0.5小时到2小时的时间段内将温度保持在1150℃，并且在3小时中将温度降低到25℃。优选地在1500℃-1825℃烧结预先烘培的陶瓷材料。更优选地，在范围从1分钟到4小时的时间段内在1500℃-1825℃在湿氢气气氛（-10℃到15℃结露点）中烧结预先烘培的陶瓷材料。
在优选的实施例中，陶瓷波长转换器是石榴石磷（例如YAG:Ce或LuAG:Ce），并且在表面层中形成氧化铝第二相是添加少量原硅酸四乙酯（TEOS）烧结助剂和烧结条件的组合的结果。TEOS在烧结温度形成硅酸盐液相，以在烧结期间促进孔隙移除。没有任何显著的孔隙性造成由基于氧化铝的陶瓷构成的实质上透明的体块材料。最可能地通过形成铝硅酸盐液体—氧化铝熟知为在烧结温度溶解在硅酸盐液体中，从而TEOS所生成的硅酸盐液相溶解可能在基于氧化铝的陶瓷的体块中发生的任何氧化铝第2相。确信的是，随着基于氧化铝的陶瓷烧结到完全密度，该铝硅酸盐液相传递到表面。随着其到达表面，硅石很可能在还原气氛中随着SiO蒸气而蒸发，或者被重新吸收到石榴石结晶相中，在表面处留下氧化铝第2相颗粒和/或微晶。
示例
用于基于YGdAG:Ce的被烧结的陶瓷波长转换器的典型的批次调配使用每100g的YGdAG:Ce粉末的0.5g的TEOS，在YGdAG:Ce陶瓷中产生大约0.145重量百分比（wt.％）的SiO2。铈和钆的水平的显著变化可以被利用于利用给定的陶瓷转换器厚度制成各种色彩和转换量。特别是，钆含量可以范围从钇含量的0到百分之50，并且更优选地从百分之10到百分之20。铈含量可以范围从钇含量的百分之0.05到百分之5，并且更优选地从百分之0.1到百分之1。
也可以由单独的氧化物的混合物而非预先起反应的YGdAG:Ce粉末来制成陶瓷波长转换器。例如，仅包含氧化钇、氧化铝和氧化铈（具有或没有氧化钆）以及TEOS的混合物的批次被处理成陶瓷板。在足够长以促进良好的绿色微结构（具有颗粒之间的空隙大小的精细和窄分布的良好地混合的良好地填密的小粉末颗粒）的时间长度内研磨该批次。此时，批次然后形成为想要的部分大小和形状。用于所烧结的陶瓷转换器板的想要的形状典型地是具有70微米至150微米的厚度的大约1mm×1mm的方形。可以切掉板的一个角，以为至LED芯片的顶部表面的布线键合提供空间。对于更小的LED芯片而言，大小可以如0.5mm的方形那样小。
绿色部分放置在氧化铝垫板上，氧化铝垫板然后放置在空气气氛炉中，并且使用以下的典型时间温度周期来加热：
在4小时中从25℃到400℃；
在4小时中从400℃到1150℃；
在从0.5小时到2小时的时段内保持在1150℃；以及
在3小时中冷却到25℃。
这种热处理移除包括用于将粉末保持在一起的有机粘接剂以及TEOS的有机部分的所有有机和含碳核素。在1150℃的保持温度也足够高以允许粉末颗粒结合在一起，对各部分给出足够的强度以被处置。
预先烘培的陶瓷板被传送到钼板上，并且在1500-1825℃在湿氢气气氛（-10℃到15℃结露点）中在峰值温度下从1分钟到4小时的时段内被烧结。在氢烧结期间，板随着陶瓷粉末烧结而收缩，并且基质孔隙性被移除。如果恰当地执行初始粉末颗粒大小和混合/研磨条件，则基质孔隙性将在提升的烧结温度下被减少到部分展现出高透明度或半透明度的水平。TEOS烧结助剂将在烧结温度形成少量的硅酸盐液体，这将增加烧结发生以及孔隙性被移除的速率。
明显的是，已知为溶解氧化铝以形成铝硅酸盐的硅酸盐液体的形成在致密化期间把经常在所烧结的YGdAG或LuAG中发现的少量氧化铝第二相材料从体块传递到陶瓷的表面。硅酸盐然后显然通过SiO蒸发（已知为在用于烧结的温度下在湿氢气气氛中具有显著的蒸气压力）从表面移除到气氛中，在陶瓷的表面处留下Al2O3第二相。
更特别地，图3是未利用TEOS烧结助剂制成的YGdAG:Ce陶瓷的横截面的SEM显微图。如所示那样，YGdAG:Ce陶瓷包含典型的氧化铝第2相、灰色特征以及作为由通过扫描电子显微镜（SEM）的电子束在孔隙的边沿处进行的充电所引起的亮光环而出现的适当数量的孔隙。比较地，图4是利用TEOS烧结助剂制成的YGdAG陶瓷的SEM显微图。在此情况下，SEM分析未示出任何孔隙性或氧化铝第2相的证据。事实上，因为缺少陶瓷的被抛光的横截面上的特征，所以要求裂缝缺陷来验证被取横截面的样本实际上是对焦的。利用TEOS烧结助剂烧结的LuAG:Ce陶瓷展现体块材料中的显著的孔隙性或氧化铝第二相的类似的缺失。
图5和图6分别示出利用TEOS烧结助剂制成的YGdAG:Ce和LuAG:Ce陶瓷的烧结态的表面的SEM和光学显微镜分析。在每种情况下，在表面上观测到包括氧化铝的第二相。更特别地，关于图5，SEM显微图揭示在利用TEOS烧结助剂制成的YGdAG:Ce的表面上的氧化铝微晶的第2相。氧化铝微晶在显微图中作为位于多晶YGdAG:Ce的颗粒边界处的暗晶体而出现。氧化铝微晶被估计为包括大约8-9%的表面。关于图6，利用TEOS烧结助剂制成的LuAG:Ce陶瓷的光学显微镜图像揭示多晶LuAG:Ce陶瓷，其中平均颗粒大小大约是2.5μm。更重要地，观测到2μm至20μm大小的氧化铝颗粒的第2相簇，其中簇在直径上范围从50μm-150μm。
应当注意，利用TEOS烧结助剂制成但在真空中而非在湿氢气气氛中烧结的LuAG:Ce陶瓷并未示出表面上的第2相氧化铝颗粒的任何指示。因此，虽然添加烧结助剂是重要的，但是同样重要的是不在真空中烧结陶瓷。否则，氧化铝第2相将不在陶瓷的表面处形成。
体块陶瓷的透明性可以在图7中看到，图7比较烧结态的YGdAG:Ce陶瓷板与在抛光两侧以移除具有氧化铝第2相的表面层之后的陶瓷板的直线透射。350nm和460nm附近的两个吸收峰值是由于Ce3+催化剂的原因。550nm-750nm范围中的烧结态的陶瓷的直线透射仅为10-12%，而被抛光的样本的直线透射为~82%。类似地，使用在陶瓷上入射的633nm红色He-Ne激光（其中光以绕着样本的360o被测量）来取得针对烧结态的YGdAG:Ce陶瓷转换器板的激光散射仪数据。数据针对烧结态的板示出的相当的量的后向散射（在角度>90o处的光功率）以及直线透射的显著减少（1.7%）。在抛光转换器板的两侧以移除表面层之后，转换器在前向方向上展现具有非常少的后向散射和接近理论上的直线透射的高透明度。
为了展示对利用陶瓷波长转换器板制成的pc-LED配置的流明输出的影响，根据本发明制成的YGdAG:Ce陶瓷波长转换器板的2cmx2cmx390μm样本被放置在1mm蓝色LED的顶部上。在表1中看到那样，在具有烧结态的表面层（具有氧化铝第2相）中的至少一个的样本中的观测到增强的黄色发射。特别是，与使用具有被抛光以移除表面层（距每个表面近似40μm）的两侧的同一转换器相比，当包含第2相的表面层处在转换器的发光（出射）侧上时，存在更大12%的流明输出。（Lm/Wo-b是LED加上转换器的流明输出除以在没有转换器的情况下针对LED测量的光瓦数）。
表1
如表2中所示，如果转换器的两个主侧具有烧结态的表面层，则在pc-LED配置中观测到流明输出的甚至更大的增强。在这种设置中，较之利用烧结态的表面层被从两侧移除的转换器制成的配置，具有转换器—该转换器仅在发光（出射）侧上具有烧结态的表面层—的pc-LED配置展现出在流明上的9%的增加。甚至更好的，较之两侧被抛光的配置，利用转换器—该转换器在两侧上具有烧结态的表面层—制成的配置展现出在流明输出上的16%的增加。
表2
pc-LED配置 Cx Cy 流明 Lm/Wo-b
具有抛光的两侧的转换器 0.345 0.322 69 187
具有烧结态的出射侧的转换器 0.359 0.362 75 204
具有烧结态的两侧的转换器 0.388 0.415 80 218
图8对具有烧结态的YGdAG:Ce陶瓷转换器板的pc-LED的发射谱与其中一侧或两侧已经抛光以移除具有氧化铝第2相的表面层的来自同一配置的发射谱进行比较。针对利用具有带有烧结态的表面层的至少一侧的转换器制成的pc-LED的在流明输出上的增加可归因于在550nm附近的来自转换器的增加的黄色发射。这种增加可能是导致来自LED的主级蓝色光的更大的转换的在表面处的由氧化铝第2相所引起的增加的散射和归因于由于氧化铝第2相（并且特别是，被观测为在利用TEOS烧结助剂制成的YGdAG:Ce波长转换器的表面处上形成的氧化铝微晶）的表面的“粗糙化”的总内部反射的减少的组合。
虽然已经将目前所考虑的内容示出并且描述为本发明的优选实施例，但对于本领域技术人员来说将明显的是，在不脱离如由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以在此作出各种改变和修改。

Claims (22)

1.一种波长转换器，包括冷光陶瓷材料的固体单片工件，所述陶瓷材料包括能够将具有第一峰值波长的主级光转换为具有第二峰值波长的次级光的基于氧化铝的磷，所述转换器的体块部分实质上是透明的，并且所述转换器具有带有具有氧化铝第二相的烧结态表面层的至少一个主表面。
2.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述氧化铝第二相包括氧化铝微晶。
3.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述表面层的厚度小于大约50μm。
4.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述表面层的厚度小于大约10μm。
5.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述转换器是平坦板。
6.如权利要求5所述的波长转换器，其中，所述板的两个主表面具有烧结态的表面层，所述烧结态的表面层具有氧化铝第二相。
7.如权利要求5所述的波长转换器，其中，所述转换器具有在20μm和500μm之间的厚度。
8.如权利要求5所述的波长转换器，其中，所述转换器具有在100μm和250μm之间的厚度。
9.如权利要求2所述的波长转换器，其中，所述氧化铝微晶在大小上范围从大约0.5μm到大约25μm。
10.如权利要求2所述的波长转换器，其中，所述氧化铝微晶在大小上范围从大约1μm到大约10μm。
11.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述氧化铝第二相覆盖在所述主表面的大约百分之1至大约百分之50之间。
12.如权利要求1所述的波长转换器，其中，所述氧化铝第二相覆盖在所述主表面的大约百分之5至大约百分之25之间。
13.一种发光器件，包括：发光二极管，其发射具有第一峰值波长的主级光；以及波长转换器，被定位为从所述发光二极管接收所述主级光，所述波长转换器包括冷光陶瓷材料的固体单片工件，所述陶瓷材料包括能够将所述主级光的至少一部分转换为具有第二峰值波长的次级光的基于氧化铝的磷，所述转换器的体块部分实质上是透明的，并且所述转换器具有带有具有氧化铝第二相的烧结态表面层的至少一个主表面。
14.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述转换器是平坦板，并且所述板的两个主表面具有烧结态的表面层，所述烧结态的表面层具有氧化铝第二相。
15.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述转换器是平坦板，并且具有在20μm和500μm之间的厚度。
16.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述氧化铝第二相包括氧化铝微晶。
17.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述基于氧化铝的磷由通式A3B5O12:Ce表示，其中，A是Y、Sc、La、Gd、Lu或Tb，并且B是Al、Ga或Sc。
18.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述基于氧化铝的磷选自Y3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce以及Lu3Al5O12:Ce。
19.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述氧化铝第二相覆盖在所述主表面的大约百分之1至大约百分之50之间。
20.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述氧化铝第二相覆盖在所述主表面的大约百分之5至大约百分之25之间。
21.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述表面层的厚度小于大约50μm。
22.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述表面层的厚度小于大约10μm。
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