CN105518532B - 尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子 - Google Patents

尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子 Download PDF

Info

Publication number
CN105518532B
CN105518532B CN201480049179.8A CN201480049179A CN105518532B CN 105518532 B CN105518532 B CN 105518532B CN 201480049179 A CN201480049179 A CN 201480049179A CN 105518532 B CN105518532 B CN 105518532B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mirror
layer
nitride
group iii
mirror substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480049179.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105518532A (zh
Inventor
M.赫尔曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN105518532A publication Critical patent/CN105518532A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105518532B publication Critical patent/CN105518532B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

本发明涉及一种镜子，尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子。根据本发明的镜子(10、20、30、40)具有光学作用面(10a、20a、30a、40a)、镜子衬底(11、21、31、41)和用于反射撞击到所述光学作用面(10a、20a、30a、40a)上的电磁射线的反射层垛(14、24、34、44)；其中在镜子衬底(11、21、31、41)与反射层垛(14、24、34、44)之间布置由III族氮化物构成的层(13、23、33、43)，其中所述III族氮化物从包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组中选出。

Description

尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子
本发明要求享有于2013年8月7日提交的德国专利申请DE 10 2013 215 541.7的优先权。该德国专利申请的内容通过参考引用(引置条款，，incorporation by reference“)而引入本申请文本中。
发明背景
技术领域
本发明涉及一种镜子、尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子。
背景技术
微光刻被用于制备微结构的组件，例如集成电路或LCD。微光刻工艺在所谓的投影曝光设备中进行，该设备具有照明设备和投影镜头。借助照明设备来照明的罩(即掩膜)的图像在此借助投影镜头投影到涂覆有光敏层(光刻胶)并且布置在投影镜头的图像平面中的衬底(例如硅片)上，以将罩结构转移到衬底的光敏层上。
在设计用于EUV区域的投影镜头中，即在波长例如约13nm或约7nm时，由于缺少可获得的适合透光的折射材料而使用镜子作为用于成像过程的光学组件。这样的EUV镜子具有镜子衬底和由多个层包构成的、用于反射撞击到光学作用面上的电磁射线的反射层垛。作为镜子衬底材料(例如在照明设备中)已知的是金属材料如铜或铝，或(例如在投影镜头中)无定形的镜子衬底材料如掺杂二氧化钛(TiO2)的石英玻璃(例如以商标ULE或Zerodur销售)。
因为在制备镜子时就精加工技术而言对各种(尤其是金属的)镜子衬底材料的充分抛光不能被容易地实现，所以通常使用额外的抛光层如由无定形硅(＝a-Si)构成的抛光层，该抛光层能够以较高精度被加工。然而，在此在实践中另外还出现以下问题，即这样的抛光层以及必要时还有镜子衬底材料自身由于通过撞击着的EUV光线造成的射线加载而显示出例如基于压实效应的结构变化，这些结构变化再次影响所施加的反射层垛的几何结构和进而影响镜子的反射性能。
在投影曝光设备的运行中、由于通过EUV光造成的射线加载而产生的另一问题源自于镜子衬底材料自身的、取决于射线的老化效应，尤其是当例如上述无定形镜子衬底材料被应用于投影镜头中时。为了保护这样的镜子衬底材料以及必要时还有前述抛光层，使用保护层(简称：SPL＝，，Substrate Protection Layer“＝衬底保护层)也已证明是有意义的，所述保护层可以由在较强程度上吸收EUV光的材料制备。
关于现有技术，仅仅示例性地参考以下公开文献：A.Ionascut-Nedelcescu等人，“Radiation Hardness of Gallium Nitride”,IEEE Transactions on Nuclear ScienceVol.49(2002),第2733-2738页；Xueping Xu等人:“Fabrication of GaN wafers forelectronic and optoelectronic devices”,Optical Materials 23(2003),第1-5页以及P.J.Sellin等人:“New materials for radiation hard semiconductor detector”,CERN-OPEN-2005-005,第1-24页。
发明概述
本发明要解决的技术问题在于，提供一种镜子，尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子，其中特别有效地避免了不希望的由射线引起的层构造的结构变化和进而避免了不希望的对反射性能的不利影响。
该技术问题根据独立权利要求1的特征得以解决。
按照本发明的镜子，尤其是用于微光刻投影曝光设备的镜子，具有光学作用面、镜子衬底和用于反射撞击到光学作用面上的电磁射线的反射层垛，其中在镜子衬底与反射层垛之间布置由III族氮化物构成的层，其中III族氮化物选自包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组。
本发明尤其是基于以下构思：在设计用于在EUV中运行的微光刻投影曝光设备的镜子的层构造中，在镜子衬底和反射层垛之间置入由III族氮化物(即，具有一种或多种在元素周期表中的第三主族的元素的氮化物)如氮化镓(GaN)或氮化铝(AlN)构成的无定形层。
在此，本发明另外基于这样的考虑，即，相对于一个原子从其点阵位置的偏移(“原子位移能”)而言，诸如氮化镓的材料基于较高的结合能或(例如相对于无定形硅)较高的能量势垒而对电磁射线相对不敏感，并且因此具有相应高的耐射线性，这又能够当根据本发明在EUV镜子中用作抛光层和/或保护层时被有利地利用。在此方面，用于硅的结合能约为3.6eV，用于无定形硅(a-Si)的结合能约为4eV至4.8eV，用于氮化镓(GaN)的结合能约为8.9eV并且用于氮化铝(AlN)的结合能约为11.5eV。
同时，本发明利用了这样的情况，即，反射层垛和镜子衬底材料在热膨胀系数方面的尽可能小的差别的同样值得期待的标准对于诸如氮化镓的材料来说与例如无定形硅相比更好地被满足，这在下文中还要详细阐述。
另外，本发明也基于例如在结晶氮化镓层的情况下具备的认知：例如对于氮化镓，通过使用各种可能的抛光剂来剥落材料，能够实现足够低的粗糙度，该粗糙度确保了前述抛光层的功能性。然而，如果存在由结晶和无定形材料组成的混合相，则可抛光性通常会变差。
在此，本发明有意识地接受了由以下事实产生的制造技术挑战：一方面，需要在约100℃-200℃以下的较低温度施加用于避免尤其是镜子衬底材料(如ULE或Zerodur)损伤的按照本发明的(例如氮化镓)层，另一方面还应当避免在层材料中形成微晶(例如在氮化镓中即使在以上提及的相对低的温度也在某种程度上倾向于形成微晶)并且避免与之伴随的抛光性能或抛光速率的变化和对作为抛光层的适当性的不利影响。
根据本发明尤其已经发现，通过使用适合的方法(尤其是氮离子辅助的(镓)气相沉积，其中在涂层期间提供过量的氮以及相对较高的氮离子能，以获得无定形材料)可以应对所述制造技术的挑战。
基于按照本发明的氮化镓层的上述有利性能，该层尤其可以以这样的程度执行双重功能，一方面其作为抛光层，另一方面其作为保护层或吸收层，所述保护层或吸收层用于保护在层构造中处于其下方的镜子衬底，该镜子衬底例如由ULE或Zerodur或者金属的镜子衬底材料制成。在该情况下，例如可以省去例如由无定形硅制成的另一抛光层。
然而，本发明并不限于利用前述双重功能。在此方面，在其它实施方式中除了现有的抛光层(例如由无定形硅制成)以外还可以将按照本发明的(例如氮化镓)层涂覆到所述抛光层上，以确保在充分利用作为吸收层的作用时不仅保护抛光层而且也保护处于其下方的镜子衬底材料免受由于EUV光导致的结构变化和射线引发的效应。
根据一种实施方式，所述III族氮化物是无定形的。
所述III族氮化物尤其可以是二元或三元化合物。
根据一种实施方式，所述层的厚度在0.1μm至100μm的范围内，尤其是在0.5μm至50μm的范围内。
根据一种实施方式，所述层直接布置在镜子衬底上或布置在处于镜子衬底上的(例如含氮的)附着力增强剂层上。
根据一种实施方式，所述层布置在抛光层上。
根据一种实施方式，所述镜子衬底由金属材料(例如铜(Cu)或铝(Al))制成。
根据一种实施方式，所述镜子衬底由无定形材料、尤其是二氧化钛(TiO2)-掺杂的石英玻璃制成。
该镜子尤其可以设计用于小于30nm，尤其是小于15nm的工作波长。然而，本发明原则上也不限于此，并且在其它实施方式中也可在设计用于工作波长在VUV范围(例如小于200nm)内的镜子中实现。
本发明还涉及一种微光刻投影曝光设备的光学系统，尤其是一种照明装置或投影镜头，其中该光学系统具有至少一个带有上述特征的镜子。
根据另一方面，本发明涉及一种用于制备用于微光刻投影曝光设备的镜子的方法，其中在镜子衬底上涂覆这样的层系统，其具有用于反射撞击到光学作用面上的电磁射线的反射层垛，其中在涂覆反射层垛之前，涂覆由III族氮化物构成的层，其中所述III族氮化物选自包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组。
由III族氮化物构成的层可以通过氮离子辅助的气相沉积或者通过另一适当的方法如溅射、事后的离子注入等来涂覆。
根据一种实施方式，在涂覆反射层垛之前，抛光所述层。
根据一种实施方式，在所述层中加工或开设出表面轮廓，该表面轮廓至少部分地补偿存在于镜子的层系统中的、由于机械应变引起的变形。
本发明的其它设计方案可以从说明书以及从属权利要求中得到。
接下来根据在附图中示出的实施例更详细地阐述本发明。
附图说明
图1示出了用于阐述根据本发明的第一实施方式的镜子的构造的示意图，所述镜子具有金属的镜子衬底材料；
图2示出了用于阐述根据本发明的另一实施方式的镜子的构造的示意图，所述镜子具有金属的镜子衬底材料；
图3-4示出了用于阐述具有根据本发明的其它实施方式的镜子的构造的示意图，所述镜子具有无定形的镜子衬底材料；并且
图5示出了微光刻投影曝光设备的示例性构造的示意图。
优选实施方式的详述
图1示出了在本发明的第一实施方式中用于阐述根据本发明的镜子的构造的示意图。镜子10可以尤其是光学系统的EUV镜子，尤其是微光刻投影曝光设备的照明设备或者投影镜头的EUV镜子。
镜子10尤其包括镜子衬底11，所述镜子衬底11在第一实施方式中由金属的镜子衬底材料如铜(Cu)或铝(Al)制成。
另外，镜子10以原则上本身已知的方式具有反射层系统14，其在所示的实施方式中仅仅示例性地包括例如钼-硅(Mo-Si)层垛(以及必要时包括扩散势垒层等)。在本发明不局限于该层垛的具体设计方案的前提下，仅仅示例性的适当结构包括约50层或层系统的层包，该层系统由层厚分别为2.8nm的钼(Mo)层和层厚分别为4.2nm的硅(Si)层构成。
根据图1，直接在镜子衬底11上布置由无定形氮化镓(GaN)构成的层13，所述层13(本发明不限于此)可具有在0.1μm至100μm范围内的典型厚度并且如下所述地具有双重功能：由氮化镓(GaN)构成的层13一方面用作抛光层，以补偿处于其下方的金属镜子衬底11的不充分的可抛光性。因此在图1的构造中省去了例如由无定形硅(＝a-Si)构成的另一抛光层。另外，层13也用作保护层或吸收层，以确保对处于其下的镜子衬底11的保护。
除了前述的由氮化镓(GaN)构成的层13的双重功能和由此导致的层构造的简化以外，其具有进一步的益处：对于氮化镓(GaN)来说，反射层垛14和镜子衬底材料在热膨胀系数上的差异还低于针对无定形硅(a-Si)的情形。
为此，在表1中与反射层垛和镜子衬底材料的典型材料的相应热膨胀系数相比较地列出了结晶的氮化镓(GaN)的热膨胀系数。
表1:
图2以示意图示出了另一实施方式中的镜子的构造，其中与图1类似的或者基本上功能相同的组件用增大了10的附图标记来表示。
根据图2的构造与图1的构造的区别在于，在镜子衬底21上首先以本身已知的方式布置由无定形硅(a-Si)构成的抛光层22，以补偿处于其下方的金属镜子衬底21的不充分的可抛光性。根据本发明的由氮化镓(GaN)构成的层23位于该抛光层22上并且作为吸收层确保了对抛光层22和处于其下方的镜子衬底材料的保护，以使其免受由于EUV光导致的结构变化和射线引发的效应的影响。
在另外的实施方式中，镜子衬底材料也可以是无定形材料，正如仅示意性地在图3和图4中示出的那样。适合的镜子衬底材料例如是掺杂了二氧化钛(TiO2)的石英玻璃，其中仅示例性地(并且本发明并不限于此)可以使用以商标名ULE或Zerodur销售的材料。
在此，图3中与图1类似的或者基本上功能相同的组件用增大了20的附图标记表示。图4中相应地与图2类似的或者基本上功能相同的组件用增大了20的附图标记表示，其中这里在镜子衬底41上首先布置附着力增强剂层42(例如由氮化钛TiN制成)，随后由氮化镓(GaN)制成的层43位于附着力增强剂层42上。
为了制备根据本发明的镜子，优选在室温下通过氮离子辅助的气相沉积来涂覆由例如氮化镓构成的层13、23、33、43。在此，在涂覆期间通过适当“调整”氮(N)与镓(Ga)的比例的方式，过量的氮连同相对较高的例如数百电子伏(eV)的氮离子能可以确保形成无定形材料，同时避免形成微晶。
关于适合制备无定形氮化镓层的方法参数，例如参考：Uday Lanke等人的“Effectof ion-energy on the properties of amorphous GaN films produced by ion-assisted deposition”,Modern Physics Letters B,Vol.15,Nos.28&29(2001),S.1355-1360；A.Bittar等人的“Ion-assisted deposition of amorphous GaN:Raman andoptical properties”,Applied Physics Letters,Vol.78,Number 5,29.Januar 2001,S.619-621；H.J.Trodahl等人的，，Raman spectroscopy of nanocrystalline andamorphous GaN“,Journal of Applied Physics 97,(2005),S.084309-1至084309-5；V.J.Kennedy等人的“Ion beam analysis of ion-assisted deposited amorphous GaN”,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 190(2002),S.620-624；B.J.Ruck等人的“Quantitative study of molecular N2trapped in disordered GaN:Ofilms”,Physical Review B 70(2004),S.235202-1至235202-5。
在另外的实施方式中，由例如氮化镓构成的层13、23、33或43也可以通过另一适合方法如溅射、事后的离子注入等来涂覆。
在涂覆根据图1-4的实施方式的由例如氮化镓构成的层13、23、33或43之后，所述层可以被抛光，以便使反射层垛具有所需的准确度。在这样的抛光步骤中，也可以在由例如氮化镓构成的层13、23、33或43中有针对性地加工出表面轮廓(例如确定的曲率半径或自由形状表面)，以便例如至少部分地补偿存在于镜子的层系统中的机械应变并且因此补偿伴随而来的不希望的镜子变形。如果所述层13、23、33或43的粗糙度在涂覆之后已经足够低(例如小于0.1nm rms)并且不希望有针对性的表面轮廓，则必要时也可以省去这样的抛光步骤。
图5示出了示例性地设计用于在EUV中运行的投影曝光设备的示意图，本发明可以在该投影曝光设备中实现。
根据图5，设计用于EUV的投影曝光设备500中的照明装置具有场棱面镜503和光瞳棱面镜504。包括等离子光源501和聚光镜502的光源单元的光线被导引至场棱面镜503上。在光瞳棱面镜504之后的光路中布置有第一望远镜镜面505和第二望远镜镜面506。在接下来的光路中布置偏转镜507，所述偏转镜507将撞击到其上的射线导引至处于包括六块镜子551-556的投影镜头的物体平面中的物场上。在所述物场的位置处将结构承载的反射罩521布置在罩台520上，该罩521借助所述投影镜头被成像到像平面内，在该像平面中，涂覆有光敏层(光刻胶)的衬底561位于晶片台560上。
场棱面镜503、光瞳棱面镜504亦或偏转镜507例如可以具有由金属的镜子衬底材料如铜(Cu)或铝(Al)构成的镜子衬底，并且例如相应于图1的实施方式配置有由氮化镓(GaN)构成的层13，该层13尤其用作抛光层，以实现与金属的镜子衬底材料相比更精确的加工，并且也用作保护层。
投影镜头的镜子551-556可以例如具有由无定形镜子衬底材料、如掺杂二氧化钛(TiO2)的石英玻璃(例如ULE或Zerodur)构成的镜子衬底并且例如参考图3所描述的，配置有由氮化镓(GaN)构成的层33，该层33不仅用作抛光层而且用作用于保护处于其下的镜子衬底材料的保护层或吸收层。
然而，本发明不限于对上文提及的镜子的应用，因此原则上也能够以按照本发明的方式设计其它镜子。
虽然借助具体实施方式描述了本发明，但是为本领域技术人员展示了丰富的变型和替代性的实施方式，例如通过组合和/或更换单个实施方式的特征。因此，对于本领域技术人员不言而喻的是，这样的变型和替代性的实施方式被本发明包括在内，并且本发明的范围仅限制于所附权利要求书及其等同方案的含义中。

Claims (10)

1.一种镜子，其中所述镜子具有光学作用面，所述镜子具有：
-镜子衬底(11、21、31、41)；和
-用于反射撞击到所述光学作用面(10a、20a、30a、40a)上的电磁射线的反射层垛(14、24、34、44)；
-其中，在镜子衬底(11、21、31、41)与反射层垛(14、24、34、44)之间布置由III族氮化物构成的层(13、23、33、43)，其中所述III族氮化物从包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组中选出；
-其中，所述层(13、23、33、43)的厚度在0.1μm至100μm的范围内；并且
-其中，所述镜子是微光刻投影曝光设备的镜子，
-其中，所述III族氮化物是无定形的，
-其中，所述镜子衬底(11、21)由金属材料制成或由掺入二氧化钛(TiO2)的石英玻璃制成。
2.根据权利要求1所述的镜子，其特征在于，所述层(13、23、33、43)的厚度在0.5μm至50μm的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的镜子，其特征在于，所述层(13、33、43)直接布置在镜子衬底(11、31)上或者布置在处于镜子衬底(41)上的附着力增强剂层(42)上。
4.根据权利要求1或2所述的镜子，其特征在于，所述层(23)布置在抛光层(22)上。
5.根据权利要求1或2所述的镜子，其特征在于，所述镜子(10、20、30、40)设计用于小于30nm的工作波长。
6.一种微光刻投影曝光设备(500)的光学系统，具有至少一个根据前述权利要求之一所述的镜子。
7.根据权利要求6所述的光学系统，其中，所述光学系统是照明装置或投影镜头。
8.一种用于制备用于微光刻投影曝光设备的镜子的方法，其中在镜子衬底(11、21、31、41)上涂覆这样的层系统，所述层系统具有用于反射撞击到光学作用面(10a、20a、30a、40a)上的电磁射线的反射层垛(14、24、34、44)，其中在涂覆反射层垛(14、24、34、44)之前，涂覆由III族氮化物构成的层(13、23、33、43)，其中所述III族氮化物从包含氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和铝镓氮化物(AlGaN)的组中选出，并且其中所述层(13、23、33、43)的厚度在0.1μm至100μm的范围内，其中所述III族氮化物是无定形的，其中，所述镜子衬底(11、21)由金属材料制成或由掺入二氧化钛(TiO2)的石英玻璃制成。。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在涂覆反射层垛(14、24、34、44)之前，抛光所述层(13、23、33、43)。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，在所述层(13、23、33、43)中加工出表面轮廓，所述表面轮廓至少部分地补偿存在于镜子(10、20、30、40)的层系统中的并且由于机械应变引起的变形。
CN201480049179.8A 2013-08-07 2014-06-25 尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子 Active CN105518532B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013215541.7A DE102013215541A1 (de) 2013-08-07 2013-08-07 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102013215541.7 2013-08-07
PCT/EP2014/063349 WO2015018560A2 (de) 2013-08-07 2014-06-25 Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105518532A CN105518532A (zh) 2016-04-20
CN105518532B true CN105518532B (zh) 2018-10-09

Family

ID=51178880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480049179.8A Active CN105518532B (zh) 2013-08-07 2014-06-25 尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10310382B2 (zh)
EP (1) EP3030936B1 (zh)
JP (1) JP6560670B2 (zh)
KR (1) KR102265041B1 (zh)
CN (1) CN105518532B (zh)
DE (1) DE102013215541A1 (zh)
WO (1) WO2015018560A2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015213253A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP6734398B2 (ja) * 2016-05-12 2020-08-05 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． 印刷剤の適用による温度補正
DE102016213831A1 (de) * 2016-07-27 2018-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element für die EUV-Lithographie
DE102016224113A1 (de) 2016-12-05 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Intensitätsanpassungsfilter für die euv - mikrolithographie und verfahren zur herstellung desselben sowie beleuchtungssystem mit einem entsprechenden filter
DE102018211499A1 (de) * 2018-07-11 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element und Verfahren zum Herstellen eines reflektiven optischen Elements

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4870648A (en) * 1987-08-07 1989-09-26 The United States Department Of Energy X-ray beamsplitter
JPH04164291A (ja) 1990-10-29 1992-06-09 Toshiba Corp 原子炉用制御棒
JPH04164297A (ja) * 1990-10-29 1992-06-09 Seiko Instr Inc Ｘ線反射鏡
JPH06109907A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Asahi Glass Co Ltd 高精度光学反射鏡
JPH06308294A (ja) * 1993-04-28 1994-11-04 Kyocera Corp Ｘ線反射用ミラー
JPH0868897A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Nikon Corp 反射鏡およびその製造方法
JPH1073705A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Mitsubishi Materials Corp 反射鏡
JPH11326598A (ja) * 1998-05-08 1999-11-26 Nikon Corp 反射鏡およびその製造方法
US6377655B1 (en) 1998-05-08 2002-04-23 Nikon Corporation Reflective mirror for soft x-ray exposure apparatus
US6778404B1 (en) * 2000-06-02 2004-08-17 Micron Technology Inc Stackable ball grid array
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
US6710351B2 (en) * 2001-09-18 2004-03-23 Euv, Llc EUV mirror based absolute incident flux detector
US20080004332A1 (en) * 2002-03-07 2008-01-03 Alkon Daniel L Methods for alzheimer's disease treatment and cognitive enhancement
JP3919599B2 (ja) * 2002-05-17 2007-05-30 キヤノン株式会社 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置
JP2004177587A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Taiheiyo Cement Corp 低熱膨張ミラーおよびその製造方法
DE102004002757A1 (de) * 2004-01-20 2005-08-11 U-L-M Photonics Gmbh Aluminiumhaltiger Verbundhalbleiter und Verfahren zur Herstellung eines aluminiumhaltigen Verbundhalbleiters
US7193228B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
JP4460325B2 (ja) * 2004-02-20 2010-05-12 太平洋セメント株式会社 天体望遠鏡用ミラー
JP4926523B2 (ja) 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
CN1900745B (zh) * 2006-07-07 2011-02-09 南京大学 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构和生长方法
EP2191332B1 (en) * 2007-08-20 2013-05-29 Carl Zeiss SMT GmbH Projection objective having mirror elements with reflective coatings
JP2010031660A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Honda Motor Co Ltd インバータ発電機
KR20110069778A (ko) * 2008-09-12 2011-06-23 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖｌ용 광학 부재의 평활화 방법 및 광학면이 평활화된 ｅｕｖｌ용 광학 부재
DE102009040785A1 (de) * 2009-09-09 2011-03-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Substrat aus einer Aluminium-Silizium-Legierung oder kristallinem Silizium, Metallspiegel, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung
JP2011108942A (ja) 2009-11-19 2011-06-02 Renesas Electronics Corp 反射型露光用マスク、反射型露光用マスクの製造方法、および、半導体装置の製造方法
DE102011079933A1 (de) 2010-08-19 2012-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element für die UV- oder EUV-Lithographie
WO2012024678A2 (en) * 2010-08-20 2012-02-23 Zuchem, Inc. Activated sugars
DE102010039927A1 (de) * 2010-08-30 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Substrat für Spiegel für die EUV-Lithographie
DE102011002953A1 (de) * 2011-01-21 2012-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Substrat für Spiegel für die EUV-Lithographie
EP2678743B1 (en) * 2011-02-24 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Grazing incidence reflector, lithographic apparatus, method for manufacturing a grazing incidence reflector and method for manufacturing a device
JP6093753B2 (ja) * 2011-03-23 2017-03-08 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖミラー機構、ｅｕｖミラー機構を備えた光学系、及びｅｕｖミラー機構を備えた光学系を操作する方法
JP2012222349A (ja) * 2011-04-05 2012-11-12 Asml Netherlands Bv 多層ミラーおよびリソグラフィ装置
US9488760B2 (en) * 2013-02-28 2016-11-08 Corning Incorporated Enhanced, durable silver coating stacks for highly reflective mirrors

Also Published As

Publication number Publication date
KR102265041B1 (ko) 2021-06-16
EP3030936A2 (de) 2016-06-15
KR20160040560A (ko) 2016-04-14
US10310382B2 (en) 2019-06-04
US20160154317A1 (en) 2016-06-02
WO2015018560A2 (de) 2015-02-12
WO2015018560A3 (de) 2015-04-09
JP2016531319A (ja) 2016-10-06
EP3030936B1 (de) 2019-02-27
CN105518532A (zh) 2016-04-20
JP6560670B2 (ja) 2019-08-14
DE102013215541A1 (de) 2015-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105518532B (zh) 尤其用于微光刻投影曝光设备的镜子
US8927181B2 (en) Reflective mask blank for EUV lithography
KR101561999B1 (ko) 광학 요소, 이러한 광학 요소를 포함하는 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 이에 의하여 제조되는 디바이스
US6453005B2 (en) SiO2-coated mirror substrate for EUV
US20070090084A1 (en) Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
US20080123073A1 (en) Optical element, exposure apparatus using the same, and device manufacturing method
US20080113303A1 (en) Multilayer Coatings For EUV Mask Substrates
US20130071779A1 (en) Reflective mask blank and method of manufacturing a reflective mask
KR102647715B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체용 ta-cu 합금 재료
US10061204B2 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2006310793A (ja) 多層ミラー用のスペクトル純化フィルタ、このような多層ミラーを含むリソグラフィ機器、所望の放射と望ましくない放射の比を拡大する方法、及びデバイスの製作方法
KR101288782B1 (ko) Ｕｖ 또는 ｅｕｖ 리소그래피용 광학 소자
JP6399889B2 (ja) 反射光学素子
US8421995B2 (en) Anti-reflective coating for optical elements
US8693098B2 (en) Projection objective for a microlithographic EUV projection exposure apparatus
KR102037547B1 (ko) Euv 파장 범위를 위한 미러, 그러한 미러를 생산하기 위한 방법, 및 그러한 미러를 포함하는 투사 노광 장치
US20040174624A1 (en) Reflecting device for electromagnetic waves
US9007565B2 (en) Spectral purity filter
TW201543137A (zh) 光刻之光罩
JP2006194764A (ja) 多層膜反射鏡および露光装置
JP2007059743A (ja) 多層膜反射鏡および露光装置
US20090075179A1 (en) Extreme ultraviolet (euv) mask protection against inspection laser damage
JPH11329918A (ja) 軟ｘ線投影露光装置
JP2005049122A (ja) 多層膜反射鏡及び露光装置
JP2010118437A (ja) 多層膜反射鏡、多層膜反射マスク及びそれらを用いたｅｕｖ露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant