CN105474625B - 集成相机模块及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种相机模块及其制造方法，包括具有顶部表面和底部表面的导电硅的基片、传感器设备和LED设备。该基片包括形成到基片的底部表面中并且具有上表面的第一凹处、从第一凹处的上表面延伸到基片的顶部表面的孔口，和形成到基片的顶部表面中并且具有下表面的第二凹处。该传感器设备包括至少一个光电检测器、被至少部分地布置在第一凹处中、并且被安装到第一凹处的上表面。该LED设备包括至少一个发光二级管、被至少部分地布置在第二凹处中、并且被安装到第二凹处的下表面。

Description

集成相机模块及其制造方法

有关申请

本申请要求于2013年8月26日提交的编号为61/870,084的美国临时申请的权益，并且该申请通过引用结合于本文中。

技术领域

本发明涉及在移动设备（诸如蜂窝电话）上使用的相机模块。

背景技术

本发明涉及用于通过减小移动相机系统的总体尺寸对移动相机系统进行紧凑化（compaction）的方法。更具体地，可以通过改进连同移动相机设备一起使用的过时的LED封装技术来获得充裕的固定区域（real estate）。

多年以来，大量的研究和工作已经被投入到减小图像传感器管芯的尺寸和它的封装尺寸中。使用先进的晶片级技术，制造商现在可以实现芯片级封装，这意味着完整封装的固定区域面积不再大于管芯自身。

同时，用作相机单元的闪光源（并且通常在闪光灯模式中用作闪光灯）的LED（发光二极管）单元仍然一直使用很久之前就过时的非常原始的封装技术，并且其在现今的移动设备中没有地方容纳。典型地，LED单元是来自相机单元的单独的部件，并且使用柔性PCB或其他连接器将LED单元连接到相机。这种配置不仅使用了过多空间，而且其还需要单独的安装结构来彼此邻近地固定这两个单独的部件以使得它们然后可以彼此电连接。

对于相机单元和用作用于相机单元的光源的LED单元两者来说存在对于紧凑解决方案的需求。

发明内容

前述问题和需要由一种相机模块来解决，该相机模块包括具有顶部表面和底部表面的导电硅的基片、传感器设备和LED设备。该基片包括形成到基片的底部表面中并且具有上表面的第一凹处、从第一凹处的上表面延伸到基片的顶部表面的孔口，和形成到基片的顶部表面中并且具有下表面的第二凹处。所述传感器设备包括至少一个光电检测器、被至少部分地布置在第一凹处中、并且被安装到第一凹处的上表面。所述LED设备包括至少一个发光二级管、被至少部分地布置在第二凹处中、并且被安装到第二凹处的下表面。

一种形成相机模块的方法包括提供具有顶部表面和底部表面的导电硅的基片，将第一凹处形成到基片的底部表面中，所述第一凹处具有上表面，形成从第一凹处的上表面延伸到基片的顶部表面的孔口，将第二凹处形成到基片的顶部表面中，该第二凹处具有下表面，将传感器设备安装到第一凹处的上表面，其中所述传感器设备包括至少一个光电检测器，以及将LED设备安装到第二凹处的下表面，其中所述LED设备包括至少一个发光二级管。

通过审阅本说明书、权利要求和附图，本发明的其他目标和特征将变得显而易见。

附图说明

图1-13是示出了在形成本发明的相机模块方面的顺序步骤的基片处理机（handler）的侧面截面视图。

图14A-14C是示出了传感器封装的各种配置的侧面截面视图。

图15A-15H是示出了本发明的相机模块的变化的实施例的侧面截面视图。

图16是图示了用于处理和组合来自两个图像传感器的不同图像（一个低分辨率、一个高分辨率）以形成更高质量的最终图像的步骤的流程图。

图17是图示了用于处理和组合来自两个图像传感器的不同图像以形成三维最终图像的步骤的流程图。

具体实施方式

本发明是相机模块尺寸减小解决方案。通过在LED单元上使用晶片级技术并且还将LED单元和图像传感器管芯合并到单个处理机上，可以实现更大的空间节约和更好的电连接性，以及图像传感器和LED单元之间的更紧密的接近度和对准。

相机模块1的形成开始于导电硅基片（晶片）10，也被称为处理机（handler）。这个基片10将被成形为用于LED管芯和图像传感器管芯的主基片。一层光致抗蚀剂12被沉积在硅基片10上（至少沉积在顶部表面和底部表面上）。光致抗蚀剂沉积方法可以是喷涂方法或任意另一种（多种）合适的沉积方法。光致抗蚀剂12被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂12的仅仅一部分，留下基片10的底部表面的被选择的部分被暴露。各向异性干法蚀刻被应用到硅基片的暴露的部分来将第一凹处14形成到硅基片10的底部表面中，导致图1中的结构。蚀刻剂可以是CF4、SF6、NF3、Cl2、CCl2F2或任意其他合适的蚀刻剂。第一凹处可以具有斜的/锥形的侧壁或如图1中所示的垂直的侧壁。

在光致抗蚀剂12（例如通过使用硫酸、丙酮或本领域众所周知的任意其他光致抗蚀剂剥离方法）被去除后，另一层光致抗蚀剂16被沉积在硅基片10上（至少沉积在顶部表面和底部表面（包括第一凹处14内侧的表面）上）。光致抗蚀剂沉积方法可以是喷涂方法或任意另一种（多种）合适的沉积方法。光致抗蚀剂16被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂16的部分，留下第一凹处14上方的基片10的顶部表面的一部分和第一凹处14的顶部表面的对应部分被暴露。各向异性干法蚀刻被应用到硅基片10的暴露的部分来形成孔口18，其（从凹处顶部表面到基片顶部表面）贯穿基片10，如图2中所图示。蚀刻剂可以是CF4、SF6、NF3、Cl2、CCl2F2或任意其他合适的蚀刻剂。优选地，孔口18的侧向尺寸小于第一凹处14的侧向尺寸，在第一凹处14和孔口18的边界处留下基片10的肩部20（即第一凹处14的上表面的一部分形成肩部20）。

在光致抗蚀剂16被去除后，另一层光致抗蚀剂22被沉积在硅基片10上（至少沉积在顶部基片表面和底部基片表面上、沉积在第一凹处14内侧、以及沉积在孔口18内侧）。光致抗蚀剂22被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂22的一部分，留下基片10的底部表面的一部分被暴露。各向异性干法蚀刻被应用到硅基片10的暴露的部分，留下形成到基片10的底部表面中的第二凹处24，如图3中所图示。第二凹处24可以具有斜的/锥形的侧壁或如图3中所示的垂直的侧壁。

在光致抗蚀剂22被去除后，另一层光致抗蚀剂26被沉积在硅基片10上（至少沉积在顶部基片表面和底部基片表面上、沉积在第一凹处14和第二凹处24内侧、以及沉积在孔口18内侧）。光致抗蚀剂26被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂26的一部分，留下基片10的顶部表面的一部分（在第二凹处24的对面）被暴露。各向异性干法蚀刻被应用到硅基片10的暴露的部分，留下形成到基片10的顶部表面中的第三凹处28，如图4中所图示。第三凹处28可以具有垂直的侧壁或如图4中所示的斜的/锥形的侧壁。

在光致抗蚀剂26被去除后，另一层光致抗蚀剂30被沉积在硅基片10上（至少沉积在顶部基片表面和底部基片表面上、沉积在凹处14、24、28内侧、以及沉积在孔口18内侧）。光致抗蚀剂30被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂26的一部分，留下第三凹处28的底部表面的一部分被暴露。各向异性干法蚀刻被应用到硅基片10的暴露的部分，其向下延伸第三凹处28直到它遇到第二凹处24（在第二凹处24和第三凹处28相遇的情况下，导致第二肩部34——即第三凹处28下表面的一部分形成肩部34），如图5中所示。

在光致抗蚀剂30被去除后，接下来形成多个VIA孔36，其贯穿基片10（即从基片10的顶部表面延伸到底部表面）。可以通过激光、干法蚀刻、湿法蚀刻或本领域众所周知的任意另一种（多种）合适的VIA孔形成方法来制成VIA孔36。优选地，干法等离子蚀刻被用于形成VIA孔36。VIA孔36可以具有锥形的侧壁（即漏斗形的孔）或如图6中所示的垂直侧壁。VIA孔36的数量和位置可以根据模块的布局来变化，以及并不限于图6中图示的四个示范性VIA孔36。

一层介电材料38被形成在硅基片10的各种表面上（包括在孔36中和凹处14、24、28中）。例如，介电层38可以是喷涂的聚合物，或任意其他合适的介电材料（例如二氧化硅、氮化硅等）。一层导电材料40被形成在介电层38之上。导电层40可以是铜、铝、导电聚合物和/或任意其他合适的（多种）导电材料。可以通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、电镀或任意其他合适的（多种）沉积方法来沉积导电层。优选地，导电层40是钛的第一层和铝的第二层，这两者均通过物理气相沉积（PVD）来沉积。如图7中所示，VIA孔36被涂覆有导电材料40或完全被填满导电材料40，以形成贯穿基片10的导电引线。可选地，第三凹处28的有角度的侧壁反射器部分28a可以使它们的反射率通过在导电层40的该部分上的银或任意其他合适的反射材料的附加层的沉积而增加。

一层光致抗蚀剂42被沉积在导电层40上。光致抗蚀剂被暴露并且使用本领域众所周知的合适的光刻过程来蚀刻，以选择性地去除光致抗蚀剂42，留下导电材料的部分被暴露。通过使用干法蚀刻方法或湿法蚀刻方法，导电材料40的暴露的部分被去除。导电材料40的剩余部分组成导电引线44（包括在VIA孔36中和在第一凹处14中的导电材料40）以及（第三凹处28中的）反射器部分28a。优选地，合适的湿法蚀刻化学品被用于这个蚀刻步骤。在图8中示出了结果得到的结构。

在光致抗蚀剂42被去除后，绝缘材料的密封剂层46被沉积在硅基片10的底侧上，包括沉积在导电引线44之上。密封剂层46可以是聚酰亚胺、陶瓷、聚合物、聚合物复合材料、金属氧化物、二氧化硅、环氧树脂、硅树脂、瓷料、氮化物、玻璃、离子晶体、树脂或前述材料的组合或任意其他合适的（多种）介电材料。密封剂层46在厚度上优选为1至3μm，并且优选的材料是可以通过喷涂来沉积的液体光刻聚合物（诸如焊接掩模）。如果VIA孔36被涂覆有但并没有被填满导电材料40，那么可选地，可以由密封材料46来填充VIA孔36。密封层46的部分（例如通过使用众所周知的（多种）光刻方法）被选择性地去除，以暴露底层导电层40的所选择的部分，其组成接触焊盘48和重新布线的接触焊盘50。也存在基片的顶部表面上的接触焊盘48，以及反射器部分。在图9中示出了结果得到的结构。

LED设备（例如管芯）56被拾取并被放置到第二凹处24和第三凹处28之间的肩部34上，并且粘合到位。LED管芯56包括在基片60上或在基片60中形成的并且电连接到管芯基片60上的接合焊盘62的一个或多个发光二极管58。LED管芯56在本领域中是众所周知的，并且因此在本文中未进行进一步描述。例如通过每个接触焊盘之间的电连接器（例如球栅连接器）来将传感器设备（例如CMOS传感器封装）64安装到第一凹处14中的肩部20上。CMOS传感器封装64包括在基片68上或在基片68中形成的并且电连接到基片68上的接触焊盘70的多个光电检测器。CMOS传感器封装64在本领域中是众所周知的，并且因此在本文中未进行进一步描述。可以通过标准拾取与放置SMT技术将可选的功率电容器60安装到接触焊盘48中的一个。可选的散热片74可以被安装到LED管芯56的背侧并且安装在处理机的第二凹处24内。在图10中图示了结果得到的结构。

常规的引线接合技术可以用来用接合线76将LED接合焊盘62连接到接触焊盘48，该接触焊盘48在VIA孔36中的导电的材料40之上或被连接到VIA孔36中的导电的材料40。如在图11中所图示的，透镜/密封剂78然后被沉积在LED管芯56和它的接合线76之上，该透镜/密封剂78保护了接合线76并且还充当用于从LED 58发射的光的透镜。透镜/密封剂可以由丙烯酸塑料、环氧树脂或任意其他合适的材料制成。替代地，透镜/密封剂可以被制作为预先模制的玻璃、塑料或任意其他合适的与透镜相称的材料的弯曲构件80。如图12中所图示的，弯曲构件80是密封的并且形成凹处82，该凹处82包含并且保护LED管芯56和它的接合线76。凹处82可以被填满任意合适的气体、液体或甚至被抽空（即真空）。

互连84（诸如球栅阵列（BGA）、岛栅阵列（LGA）、凸块、铜柱或任意其他合适的互连）被形成在基片10的底部表面上的接触焊盘48、50上并且与该接触焊盘48、50电连接。球栅阵列是优选的互连方法中的一个并且它可以通过丝网印刷继之以回流过程来沉积。所选择的可选的透镜或透镜模块被接合到基片10上并且被布置在图像传感器64的有源区域之上，由此密封了光电检测器66包含传感器64的侧面。优选地，透镜模块86（其具有外壳88，透镜90被固定在该外壳88中）被安装到基片10的上表面并且安装在孔口18之上。图13中示出了相机模块1的最终结构。

相机模块1是图像传感器封装64和LED光源56两者的紧凑的集成封装。基片10提供了位置，在这些位置上牢固地安装了图像传感器64和LED光源56，以及基片10提供了用于两个设备的电连接性，其中用于两个设备56、64的所有电触点处于基片10的底部表面上。处理机10不仅提供了用于图像传感器封装64和LED光源56的电连接，而且也提供对这些设备的机械保护，因为两个设备凹进在处理机10的顶部表面和底部表面之间（但是这些部件的相对高度可以不同）。

附图14A-14C图示了图像传感器64的各种实施例。如在图14A中所示，可以使用间隔材料94将保护基片92安装在光电检测器66之上。引线96与重新布线的接触焊盘98一起可以被形成在基片68的上表面上。图14A中的图像传感器被示为用于图10-13中的相机模块1的图像传感器64。如图14B中所示，引线96（电连接到接触焊盘70）和重新布线的接触焊盘98可以向下被形成到沟槽或凹进处中，该沟槽或凹进处被形成到基片68的顶部表面中。如图14C中所示，可以形成（如在其他实施例中所示出的）没有中心孔口的保护基片92来封闭传感器的有源区域。此外，可以通过间隔材料94来形成（电连接到接触焊盘70的）电触点100。

图15A-15H图示了相机模块1的替代实施例。具体地，图15A示出了具有图14B的图像传感器64的相机模块1。图15B示出了具有图14C的图像传感器64的相机模块1。图15C示出了针对第三凹处28对垂直侧壁102的使用。图15D示出了对安装在（第二凹处24中的）LED管芯56下面并且安装到电引线106的逻辑芯片104的包括。图15E示出了安装到图15D的逻辑芯片104的散热片108。图15F示出了对安装在（第二凹处24中的）LED管芯56下面并且安装到电引线106的功率电容器110的包括。图15G示出了对安装到基片10的顶部表面的功率电容器110的包括，其中功率电容器110的电连接通过通孔中的电连接器114被重新布线到基片10的底部表面。

图15H示出了布置在同一基片10上的两个CMOS传感器封装64之间的LED管芯56。两个CMOS传感器64可以具有一个或多个不同的光学传感特性（例如不同的成像分辨率（诸如不同的像素数量、不同的像素尺寸、不同的有源区域尺寸，和/或（多个）不同透镜聚焦特性的透镜模块86，等等）、不同的光谱属性（诸如对不同波长或波长范围的变化的敏感性）等等），据此两个光学传感器一起提供比仅单个图像传感器更强的成像能力。例如，两个光学传感器可以用来提供更高的单个图像质量或者可以用来创建三维图像。图16图示了用于处理和组合来自两个图像传感器的不同图像（一个低分辨率、一个高分辨率）以形成更高质量的最终图像的一种示范性技术。图17图示了用于处理和组合来自两个图像传感器的不同图像以形成三维的最终图像的另一种示范性技术。

应该理解的是，本发明并未不限于上文所描述的并且在本文所图示的（多个）实施例，而是涵盖落入所附权利要求范围内的任意和所有变化。例如，对本文中本发明的参考并未意图限制任意权利要求或权利要求术语的范围，而是仅对可能由一个或多个权利要求所覆盖的一个或多个特征做出参考。上文所描述的材料、过程和数值示例仅是示范性的，并且不应该被认为限制权利要求。进一步地，如根据权利要求和说明书显而易见的那样，并非所有方法步骤都需要按照所图示的或所要求保护的确切次序来实行，而是按照允许本发明的相机模块的适当形成的任意次序来实行。最后，单层材料可以被形成为多层这样的或类似的材料，反之亦然。

应该注意的是，如本文中所使用的，术语“之上”和“上”两者都包含性地包括“直接在……上”（没有中间材料、元件或置于其之间的空间）和“间接在……上”（有中间材料、元件或置于其之间的空间）。同样地，术语“邻近”包括“直接邻近”（没有中间材料、元件或置于其之间的空间）和“间接邻近”（有中间材料、元件或置于其之间的空间），“安装到”包括“直接安装到”（没有中间材料、元件或置于其之间的空间）和“间接安装到”（有中间材料、元件或置于其之间的空间），以及“电耦合”包括“直接电耦合到”（在其之间没有将元件电连接在一起的中间材料或元件）和“间接电耦合到”（在其之间有将元件电连接在一起的中间材料或元件）。例如，“在基片之上”或“在基片上”形成元件可以包括在其之间没有中间材料/元件的情况下直接在基片上形成元件，以及在其之间有一个或多个中间材料/元件的情况下间接在基片上形成元件。

Claims (34)

1.一种相机模块，包括：

导电硅的基片，其具有顶部表面和底部表面，所述基片包括：

形成到基片的底部表面中并且具有上表面的第一凹处，

从第一凹处的上表面延伸到基片的顶部表面的孔口，以及

形成到基片的顶部表面中并且具有下表面的第二凹处，

传感器设备，其包括至少一个光电检测器、被至少部分地布置在第一凹处中、并且被安装到第一凹处的上表面；以及

LED设备，其包括至少一个发光二级管、被至少部分地布置在第二凹处中、并且被安装到第二凹处的下表面。

2.根据权利要求1所述的相机模块，其中所述基片进一步包括：

第一多个导电引线，每个都被电连接到传感器设备并且包括基片的底部表面上的接触焊盘；以及

第二多个导电引线，其贯穿基片并且与基片绝缘，所述第二多个导电引线中的每个在位于顶部表面的第一接触焊盘和位于底部表面的第二接触焊盘之间延伸。

3.根据权利要求2所述的相机模块，其中所述第一多个导电引线中的每个在第一凹处的上表面、第一凹处的侧壁和基片的底部表面之上延伸并且与第一凹处的上表面、第一凹处的侧壁和基片的底部表面绝缘。

4.根据权利要求2所述的相机模块，进一步包括：

第一多个电互连，每个都被电连接到所述第一多个导电引线的接触焊盘中的一个；以及

第二多个电互连，每个都被电连接到所述第二多个导电引线的第二接触焊盘中的一个。

5.根据权利要求2所述的相机模块，进一步包括：

多个导线，每个都被电连接在第一接触焊盘中的一个和LED设备之间。

6.根据权利要求5所述的相机模块，进一步包括：

密封剂材料，其被形成在第二凹处中、形成在LED设备之上、形成在多个导线之上并且形成在所述基片的顶部表面的至少一部分之上。

7.根据权利要求5所述的相机模块，进一步包括：

弯曲构件，其安装到顶部表面并且被布置在第二凹处、LED设备和多个导线之上。

8.根据权利要求1所述的相机模块，其中至少一个光电检测器被定向为接收穿过所述孔口的光，并且其中至少一个发光二极管被布置在第二凹处中并且面对第二凹处的位于基片的顶部表面处的开口。

9.根据权利要求1所述的相机模块，进一步包括：

透镜模块，其包括：

外壳，其被安装到顶部表面并且安装在所述孔口之上；

至少一个透镜，其被固定在所述外壳中并且被布置为通过所述孔口来聚焦撞击在顶部表面上的光并且将所述光聚焦到至少一个光电检测器上。

10.根据权利要求1所述的相机模块，其中第二凹处的侧壁是锥形的并且被覆盖有反射材料。

11.根据权利要求1所述的相机模块，其中所述基片进一步包括：

第三凹处，其从基片的底部表面延伸到第二凹处的下表面。

12.根据权利要求11所述的相机模块，进一步包括：

散热片，其被布置在第三凹处中并且被安装到LED设备。

13.根据权利要求11所述的相机模块，进一步包括：

逻辑设备，其被布置在第三凹处中；

其中所述基片进一步包括：

第三多个导电引线，每个都被电连接到所述逻辑设备并且包括基片的底部表面上的接触焊盘，其中所述第三多个导电引线中的每个在第三凹处的侧壁和基片的底部表面之上延伸并且与第三凹处的侧壁和基片的底部表面绝缘。

14.根据权利要求13所述的相机模块，进一步包括：

散热片，其被安装到所述逻辑设备。

15.根据权利要求1所述的相机模块，其中：

所述基片进一步包括：

第三凹处，其被形成到所述基片的底部表面中并且具有上表面，以及

第二孔口，其从第三凹处的上表面延伸到所述基片的顶部表面，

所述相机模块进一步包括：

第二传感器设备，其包括至少一个光电检测器、被至少部分地布置在第三凹处中、并且被安装到第三凹处的上表面。

16.根据权利要求15所述的相机模块，其中所述传感器设备具有与第二传感器设备的光学传感特性不同的光学传感特性。

17.根据权利要求15所述的相机模块，进一步包括：

第一透镜模块，其包括：

外壳，其被安装到顶部表面并且安装在所述孔口之上；

至少一个透镜，其被固定在所述外壳中并且被布置为通过所述孔口来聚焦撞击在顶部表面上的光并且将所述光聚焦到所述传感器设备的至少一个光电检测器上，

第二透镜模块，其包括：

第二外壳，其被安装到顶部表面并且安装在第二孔口之上；

至少一个第二透镜，其被固定在所述外壳中并且被布置为通过第二孔口聚焦撞击在顶部表面上的光并且将所述光聚焦到所述第二传感器设备的至少一个光电检测器上；

其中所述第一透镜模块具有与第二透镜模块的聚焦特性不同的至少一个聚焦特性。

18.一种形成相机模块的方法，包括：

提供导电硅的基片，其具有顶部表面和底部表面；

将第一凹处形成到基片的底部表面中，所述第一凹处具有上表面；

形成从第一凹处的上表面延伸到基片的顶部表面的孔口；

将第二凹处形成到基片的顶部表面中，所述第二凹处具有下表面；

将传感器设备安装到第一凹处的上表面，其中所述传感器设备包括至少一个光电检测器；以及

将LED设备安装到第二凹处的下表面，其中所述LED设备包括至少一个发光二级管。

19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

形成第一多个导电引线，每个都被电连接到传感器设备并且包括在基片的底部表面上的接触焊盘；以及

形成第二多个导电引线，其贯穿基片并且与基片绝缘，其中所述第二多个导电引线中的每个在位于顶部表面处的第一接触焊盘和位于底部表面处的第二接触焊盘之间延伸。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第一多个导电引线中的每个在第一凹处的上表面、第一凹处的侧壁和基片的底部表面之上延伸并且与第一凹处的上表面、第一凹处的侧壁和基片的底部表面绝缘。

21.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：

形成第一多个电互连，每个都被电连接到所述第一多个导电引线的接触焊盘中的一个；以及

形成第二多个电互连，每个都被电连接到所述第二多个导电引线的第二接触焊盘中的一个。

22.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：

在LED设备和第一接触焊盘之间连接多个导线。

23.根据权利要求22所述的方法，进一步包括：

形成密封剂材料，其被布置在第二凹处中、布置在LED设备之上、布置在多个导线之上并且布置在所述基片的顶部表面的至少一部分之上。

24.根据权利要求22所述的方法，进一步包括：

将弯曲构件安装到顶部表面，其中所述弯曲构件被布置在第二凹处、LED设备和多个导线之上。

25.根据权利要求18所述的方法，其中至少一个光电检测器被定向为接收穿过孔口的光，并且其中至少一个发光二极管被布置在第二凹处中并且面对第二凹处的位于基片的顶部表面处的开口。

26.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

将透镜模块安装到顶部表面并且安装在孔口之上，其中所述透镜模块包括至少一个透镜，其被布置为通过所述孔口聚焦撞击在基片的顶部表面上的光并且将所述光聚焦到至少一个光电检测器上。

27.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二凹处的形成包括：

形成第二凹处的锥形的侧壁；以及

用反射材料覆盖第二凹处的锥形的侧壁。

28.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

在基片中形成第三凹处，其从基片的底部表面延伸到第二凹处的下表面。

29.根据权利要求28所述的方法，进一步包括：

将散热片安装到LED设备，其中所述散热片被布置在第三凹处中。

30.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

在第三凹处中安装逻辑设备；以及

形成第三多个导电引线，每个都被电连接到所述逻辑设备并且包括基片的底部表面上的接触焊盘，其中第三多个导电引线中的每个在第三凹处的侧壁和基片的底部表面之上延伸并且与第三凹处的侧壁和基片的底部表面绝缘。

31.根据权利要求30所述的方法，进一步包括：

将散热片安装到所述逻辑设备。

32.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：

将第三凹处形成到所述基片的底部表面中，所述第三凹处具有上表面；

形成从第三凹处的上表面延伸到所述基片的顶部表面的第二孔口；以及

将第二传感器设备安装到第三凹处的上表面，其中所述第二传感器设备包括至少一个光电检测器。

33.根据权利要求32所述的方法，其中所述传感器设备具有与第二传感器设备的光学传感特性不同的光学传感特性。

34.根据权利要求32所述的方法，进一步包括：

将第一透镜模块安装到顶部表面并且安装在孔口之上，其中所述第一透镜模块包括至少一个透镜，其被布置为通过所述孔口聚焦撞击在基片的顶部表面上的光并且将所述光聚焦到所述第一透镜模块的至少一个光电检测器上；以及

将第二透镜模块安装到顶部表面并且安装在第二孔口之上，其中所述第二透镜模块包括至少一个第二透镜，其被布置为通过所述第二孔口聚焦撞击在基片的顶部表面上的光并且将所述光聚焦到所述第二透镜模块的至少一个光电检测器上；

其中所述第一透镜模块具有与第二透镜模块的聚焦特性不同的至少一个聚焦特性。