CN103681715B - 低轮廓图像传感器封装和方法 - Google Patents

低轮廓图像传感器封装和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103681715B
CN103681715B CN201310405053.7A CN201310405053A CN103681715B CN 103681715 B CN103681715 B CN 103681715B CN 201310405053 A CN201310405053 A CN 201310405053A CN 103681715 B CN103681715 B CN 103681715B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
image sensor
contact pad
pcb
circuit board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310405053.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103681715A (zh
Inventor
V.奥加涅相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optiz Inc
Original Assignee
Optiz Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optiz Inc filed Critical Optiz Inc
Publication of CN103681715A publication Critical patent/CN103681715A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103681715B publication Critical patent/CN103681715B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

图像传感器封装以及制造其的方法，所述图像传感器封装包括印刷电路板，所述印刷电路板具有第一基底（其具有延伸通过其的孔）、一个或多个电路层以及被电耦合到所述一个或多个电路层的多个第一接触焊盘。传感器芯片被安装到所述印刷电路板并且被至少部分地布置在所述孔中。所述传感器芯片包括第二基底、被形成在所述第二基底上或所述第二基底中的多个光电检测器以及被形成在所述第二基底的所述表面处的多个第二接触焊盘，其被电耦合到所述光电检测器。电连接器各自电连接所述第一接触焊盘中的一个和所述第二接触焊盘中的一个。透镜模块被安装到所述印刷电路板上，并且具有被布置用于将光聚焦到所述光电检测器上的一个或多个透镜。

Description

低轮廓图像传感器封装和方法
技术领域
本发明涉及微电子器件的封装，并且更特别地，涉及光学半导体器件的封装。
背景技术
半导体器件的趋势是被封装在更小的封装（其在提供芯片外信号连通性的同时保护所述芯片）中的更小的集成电路（IC）器件（也被称为芯片）。一个实例是图像传感器，其是包括光电检测器（其将入射光转换成电信号）的IC器件（其精确地以良好的空间分辨率反映所述入射光的强度和颜色信息）。
在针对图像传感器的晶片级封装解决方案的发展背后存在不同的驱动力。例如，简化型因素（即，用于实现最高的容量/体积比率的增加的密度）克服空间限制并且使得能够实现更小的照相机模块解决方案。可以用更短的互连长度实现增加的电性能，其提高了电性能并且因此提高了器件速度，以及其大大地减少了芯片功率消耗。异质的集成允许不同的功能层的集成（例如，高和低分辨率图像传感器的集成、图像传感器与其处理器的集成等等）。
目前，板载芯片（COB-在其中裸芯片被直接安装在印刷电路板上）和Shellcase晶片级CSP（在其中晶片被层压在两片玻璃之间）是被用于构造图像传感器模块（例如，用于移动装置照相机、光学鼠标等等）的主要封装和装配工艺。然而，随着使用更高像素图像传感器，COB和ShellcaseWLCSP装配变得越来越困难，归因于针对封装8和12英寸图像传感器晶片的装配限制、尺寸限制（此要求是针对较低轮廓器件）、产量问题和资本投资。此外，标准的WLP封装是扇入封装（在其中芯片面积等于封装面积），由此限制I/O连接的数量。最后，标准的WLP封装是裸片封装（其在试验处理、装配和SMT中可能是复杂的）。
存在对提供节约成本并且可靠（即，提供必要的机械支撑和电连接性）的低轮廓封装解决方案的改进的封装和封装技术的需要。
发明内容
图像传感器封装包括印刷电路板，所述印刷电路板包括：具有相反的第一和第二表面的第一基底；在所述第一和第二表面之间延伸通过所述第一基底的孔；一个或多个电路层；以及多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述一个或多个电路层。传感器芯片被安装到所述印刷电路板上并且被至少部分地布置在所述孔中。所述传感器芯片包括：第二基底，其具有相反的第一和第二表面；多个光电检测器，其被形成在所述第二基底上或所述第二基底中；以及多个第二接触焊盘，其被形成在所述第二基底的第一表面处，其被电耦合到所述光电检测器。每个电连接器将所述第一接触焊盘中的一个和所述第二接触焊盘中的一个电连接。透镜模块被安装到所述印刷电路板上，并且包括被布置用于将光聚焦到所述光电检测器上的一个或多个透镜。
形成图像传感器封装的方法包括：提供具有相反的第一和第二表面的第一基底和被形成在其上的多个图像传感器，在其中每个图像传感器包括被形成在所述第一基底上或所述第一基底中的多个光电检测器和被形成在所述第一基底的第一表面处的多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述光电检测器；通过将所述第二基底第一表面附接到所述第一基底第一表面上而将具有相反的第一和第二表面的第二基底安装到所述第一基底上；将部分延伸通过所述第二基底的沟槽形成至所述第二基底第二表面中，其中所述沟槽中的每个被布置在所述第一接触焊盘的一个或多个之上；形成多个开口，每个开口从所述沟槽中的一个延伸到所述第二基底第一表面并且暴露所述第一接触焊盘中的一个；形成多个导电迹线，每个导电迹线从所述第一接触焊盘中的一个延伸并且通过所述多个开口中的一个；沿着在所述图像传感器中间的切割线将所安装的第一和第二基底切割成多个分离的图像传感器组件，其中所述图像传感器组件中的每个包括所述图像传感器中的一个；将所述图像传感器组件中的一个安装到印刷电路板上，其中所述印刷电路板包括具有相反的第一和第二表面的第三基底、被形成到所述第三基底第一表面中的腔、从所述腔延伸到所述第三基底第二表面的开口、一个或多个电路层以及被电耦合到所述一个或多个电路层的多个第二接触焊盘，其中所述一个图像传感器组件的第一基底被至少部分地布置在所述腔中；以及将所述一个图像传感器组件的所述多个导电迹线中的每个电连接到所述第二接触焊盘中的一个。
形成图像传感器封装的方法包括：提供具有相反的第一和第二表面的第一基底和被形成在其上的多个图像传感器，其中每个图像传感器包括被形成在所述第一基底上或所述第一基底中的多个光电检测器和被形成在所述第一基底的第一表面处的多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述光电检测器；将部分延伸通过所述第一基底的沟槽形成至所述第一基底第一表面中，其中所述沟槽中的每个被布置在所述多个图像传感器中的两个图像传感器之间；形成多个导电迹线，每个导电迹线从所述第一接触焊盘中的一个延伸并且进入到所述沟槽中的一个中；沿着在所述图像传感器中间的切割线将所述第一基底切割成多个分离的图像传感器组件，其中所述图像传感器组件中的每个包括所述图像传感器中的一个；将所述图像传感器组件中的一个安装到印刷电路板上，其中所述印刷电路板包括具有相反的第一和第二表面的第二基底、穿过所述第二基底而形成的孔、一个或多个电路层以及被电耦合到所述一个或多个电路层的多个第二接触焊盘，其中所述一个图像传感器组件的第一基底被至少部分地布置在所述孔中；以及其中，所述安装包括将所述一个图像传感器组件的所述多个导电迹线的每一个电连接到所述第二接触焊盘中的一个上。
通过检阅说明书、权利要求和附图，本发明的其他目的和特征将变得显而易见。
附图说明
图1A-1J是依次显示了形成图像传感器组件中的步骤的横截面侧视图。
图2A-2C是依次显示了用印刷电路板封装图像传感器组件中的步骤的横截面侧视图。
图3是显示了第一可替代的实施例的横截面侧视图。
图4是显示了第二可替代的实施例的横截面侧视图。
图5是显示了第三可替代的实施例的横截面侧视图。
图6A-6F是依次显示了形成所封装的图像传感器组件的可替代的实施例中的步骤的横截面侧视图。
图7是显示了图6F的显示内容的可替代的实施例的横截面侧视图。
具体实施方式
本发明是低轮廓、芯片级传感器模块（例如，用于照相机中），其并入直接被装配到印刷电路板上的低轮廓晶片级线焊或倒装芯片封装的图像传感器、具有成像窗口的印刷电路板和光学/照相机透镜模块。
图1A-1J和图2A-2C示出了封装的图像传感器的形成。所述形成开始于包含形成于其上的多个图像传感器12的晶片10（基底），如在图1A中所示出的。每个图像传感器12包括多个光电检测器14、支撑电路16以及接触焊盘18。传感器12通常被称为BSI（后侧被照明的）传感器，因为所述光电检测器14被配置为检测和测量从所述晶片10的后表面（即与在其处形成电路16和接触焊盘18的前表面相反的表面）进入的光。所述接触焊盘18被电连接到所述光电检测器14和/或它们的支撑电路16，用于提供芯片外信号。每个光电检测器14将光能转换为电压信号。附加的电路可以被包括以放大所述电压，和/或将其转换为数字数据。滤色器和/或微透镜20可以被安装在所述光电检测器14之上。此类型的传感器在本领域中是公知的，并且在此处不被进一步描述。
所述晶片10首先被安装到支撑基底22上，如在图1B中所示出的。基底22优选地由硅制成。光学透明保护基底24经由隔片26（其在所述晶片表面和所述保护基底24之间保持开放空间28）而被安装在所述晶片10的后表面之上。光学透明意指对至少那些将被光电检测器14检测/测量的光波长是透明的。保护基底24可以是聚合物、玻璃、玻璃和聚合物的组合或任何其他透明材料。作为非限制性的实例，保护基底是具有100μm到1000μm的厚度的玻璃。隔片26可以是聚合物、玻璃、硅、环氧树脂或其他材料。隔片26的厚度的非限制性的实例是在5μm和30μm之间。
优选地，所述支撑基底22通过机械研磨或/和其底表面的化学蚀刻而被变薄。变薄的支撑基底22的厚度优选地处在100到400μm的范围中。沟槽30被形成至所述支撑基底22的底表面中，延伸大部分但不是所有路线通过基底22，如在图1D中所示出的。可以使用常规的硅蚀刻技术来形成沟槽30。接下来形成从所述沟槽延伸到所述支撑基底22的顶部表面的开口32以暴露接触焊盘18，如在图1E中所示出的。可以使用激光或平版印刷和（一个或多个）等离子蚀刻或化学蚀刻方法的组合来形成开口32。每个开口32的尺寸优选地等于或小于对应的接触焊盘18的尺寸。
介电材料层34被沉积或形成在支撑基底22的底表面上，包括沟槽30的侧壁和底壁以及开口32的侧壁上，同时留下接触焊盘18被暴露，如在图1F中所示出的。介电层34可以是二氧化硅、氮化硅、聚合物、环氧树脂、聚酰亚胺、树脂、金属氧化物或任何其他适当的（一个或多个）介电材料。优选地，电介质是通过热氧化形成的或使用溅射或化学气相沉积技术沉积的二氧化硅。介电层34的优选的厚度是0.1μm或更大。层34的形成可以包括在接触焊盘18之上沉积或形成所述材料，随之是选择性地去除接触焊盘18之上的所述材料。
导电材料层36被沉积或形成在所述介电层34上，包括在接触焊盘18上，如在图1G中所示出的。导电层36可以是铜、铝、聚合物或任何其他适当的（一个或多个）导电材料。导电层36可以通过电镀、溅射、化学气相沉积、丝网印刷或任何其他适当的（一个或多个）沉积方法而被沉积。照相平版印刷工艺被用于选择性地去除导电材料36的一部分，留下所述导电材料36的导电迹线38，所述导电迹线38中的每个从所述接触焊盘18中的一个延伸，通过开口32，并延伸到所述沟槽30的底表面，如在图1H中所示出的。
介电材料40被形成在迹线38之上（包封每个迹线），除在沟槽30的底表面上的每个迹线38的选择部分（焊盘区域39）之外，如在图1I中所示出的。介电材料40可以是聚合物、环氧树脂、金属氧化物、树脂或任何其他适当的（一个或多个）包封材料。材料40优选地在厚度上是至少0.5μm。随后沿着切割线42切割（分割）晶片10，导致各个图像传感器组件44，如在图1J中所示出的。可以使用机械刀片切割设备、激光切割或任何其他适当的工艺来执行晶片切割。
图像传感器组件44可以被安装到印刷电路板（PCB）50（其具有在图2A中所显示的配置）上。PCB50包括基底52，在其上和/或在其中形成一个或更多导电PCB电路层54。PCB50包括在其底表面上的接触焊盘56，其被电耦合到所述PCB电路层54，用于板外信号通信。（一个或多个）PCB电路层可以包括导电迹线、嵌入的电路部件和/或其他电子部件。PCB50包括穿过其而延伸的孔57。孔57包括被形成至基底52的底表面中的腔58和在所述腔和基底52的上表面之间延伸以限定肩部61的开口60（即，所述开口60具有比所述腔58的横向尺寸更小的横向尺寸以限定横向延伸肩部61）。
图像传感器组件44利用具有0.1μm到20μm的厚度的粘合剂62的层而被安装在PCB50的腔58的内部，优选地被安装到肩部61，以致光电检测器14被定向为接收穿过开口60的光，如在图2B中所示出的。随后执行引线接合工艺以在焊盘区域39和相应的接触焊盘56之间以引线64的形式形成电连接器。引线64可以是合金金、铜或任何其他适当的引线接合材料，并且使用在本领域中是公知的任何适当的常规引线接合技术而被附接。
透镜模块66以覆盖开口60的方式被安装到PCB50上，如在图2C中所示出的。透镜模块66包括被隔片70分开并被安装在外壳72内的一个或更多光学透镜68。在图2C中示出了最终图像传感器封装组件。入射光被透镜模块66聚焦，被滤色器/微透镜20聚焦和过滤，以及被光电检测器14检测/测量。由光电检测器14产生的信号被支撑电路16处理或传播，并且被提供给接触焊盘18。所述信号从接触焊盘18行进，行进通过迹线38，通过引线64，通过接触焊盘56并且通过PCB电路层54。所述透镜模块66保护图像传感器组件44的上表面，并且PCB50为图像传感器组件44提供了机械支撑和电信号连通性。
图3示出了对图2C的显示内容的可替代的实施例，在其中基底24和隔片26从图像传感器组件44中被省略，并且晶片10的顶部表面被直接安装到肩部61。在装配期间，保护带可以被放置在晶片10的上表面上代替基底24和隔片26，并且在切割之后被去除。
图4示出了第二可替代的实施例，在其中利用在所述图像传感器组件44和所述PCB50之间的倒装芯片连接。在此实施例中，PCB50的取向被倒转（腔58被形成至基底52的顶部表面中，并且开口60在腔58和基底52的底表面之间延伸）。接触焊盘56被形成在所述肩部61上。所述图像传感器组件被插入到腔58中以致球栅阵列（BGA）或焊盘栅格阵列电连接器76在相应的焊盘区域39和接触焊盘56之间形成电接触。电连接器76也机械地将图像传感器组件44固定到PCB50上。
图5示出了对图4的显示内容的可替代的实施例，在其中基底24和隔片26从图像传感器组件44中被省略。在装配期间，保护带可以被放置在晶片10的上表面上代替基底24和隔片26，并且在切割之后被去除。
图6A-6F示出了根据另一可替代的实施例的封装的图像传感器的形成。此实施例利用图像传感器12，其是FSI（前表面照明的）传感器（即，所述光电检测器被配置为检测和测量从晶片10的前表面进入的光，所述晶片10的前表面是在其处形成所述电路16和接触焊盘18的相同的表面）。在FSI图像传感器的情况下，晶片10可以是足够厚的以取消对附接单独的支撑基底的需要（因为增加的晶片厚度将不会不利地影响所检测的光，其不再从后表面行进穿过所述基底以到达所述光电检测器）。
图6A示出了在基底10上被形成的FSI图像传感器12。沟槽78被形成至相邻图像传感器12之间的晶片10的前表面中，如在图6B中所示出的。介电材料层80被沉积或形成在沟槽78的侧壁和底壁上以及晶片10的前表面上直到但不越过接触焊盘18。可以使用与先前所描述的介电层34相同的技术和（一个或多个）材料形成介电层80。（导电材料的）导电迹线82以与导电迹线38相似的方式被形成在沟槽78中的介电层80上以及在晶片10的前表面的部分上，包括在接触焊盘18上。每个导电迹线82从接触焊盘18中的一个延伸到沟槽78中的一个中并且延伸到沟槽78的底表面。在图6C中示出了所得到的结构。
随后沿着切割线42切割（分割）晶片10，导致各个图像传感器组件84，如在图6D中所示出的。图像传感器组件84随后被安装到印刷电路板（PCB）86上，如在图6E中所示出的。PCB86的配置与上面所描述的PCB50相同，除了孔57包括完全延伸通过基底52的腔58（即没有肩部61）之外。在所述图像传感器组件84和PCB86之间的倒装芯片连接被利用，在其中球栅阵列（BGA）或焊盘栅格阵列电连接器76在相应的迹线82和PCB接触焊盘56之间形成电接触。电连接器76也机械地将图像传感器组件84固定到PCB86上。透明保护基底24被安装到PCB86上，并且透镜模块66被安装到保护基底24上，如先前所描述的。在图6F中示出了最终结构。
图7示出了对图6F的显示内容的可替代的实施例，在其中基底24和隔片26被省略，并且透镜模块66被直接安装到PCB86上。
将被理解的是：本发明不限于上面所描述的和此处示出的（一个或多个）实施例，而是涵盖落入随附的权利要求的范围内的任何和所有变体。例如，此处对本发明的参考不是意在限制任何权利要求或权利要求项的范围，而是相反地仅仅涉及可能由一项或多项权利要求覆盖的一个或多个特征。上面所描述的材料、工艺以及数值实例仅是示例性的，并且不应被认为限制所述权利要求。此外，如从权利要求和说明书是显而易见的，不是所有方法步骤需要按照所示出的或要求权利的精确顺序而被执行，而是独立地或同时地按照允许本发明的图像传感器封装的适当的形成的任何顺序。单个的材料层可以被形成为这样的或相似的材料的多层，并且反之亦然。
应被注意的是：如此处所使用的，术语“之上”和“上”两者广范围地包括“直接在…上”（没有中间材料、元件或空间被布置在其之间）和“间接在…上”（中间材料、元件或空间被布置在其之间）。同样地，术语“相邻”包括“直接相邻”（没有中间材料、元件或空间被布置在其之间）和“间接相邻”（中间材料、元件或空间被布置在其之间），“被安装到”包括“直接被安装到”（没有中间材料、元件或空间被布置在其之间）和“间接被安装到”（中间材料、元件或空间被布置在其之间），并且“被电耦合”包括“直接被电耦合到”（在其之间没有将所述元件电连接在一起的中间材料或元件）和“间接被电耦合到”（在其之间存在将所述元件电连接在一起的中间材料或元件）。例如，“在基底之上”形成元件可以包括在所述基底上直接形成所述元件而在其之间没有中间材料/元件，以及在所述基底上间接形成所述元件而在其之间存在一个或多个中间材料/元件。

Claims (27)

1.一种图像传感器封装，包括：
印刷电路板，包括：
第一基底，其具有相反的第一和第二表面，
孔，其在所述第一和第二表面之间延伸通过所述第一基底，一个或多个电路层，
多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述一个或多个电路层；
传感器芯片，其被安装到所述印刷电路板并且至少部分地被布置在所述孔中，其中所述传感器芯片包括：
第二基底，其具有相反的第一和第二表面，
多个光电检测器，其被形成在所述第二基底上或所述第二基底中，以及
多个第二接触焊盘，所述多个第二接触焊盘被形成在所述第二基底的所述第一表面处，其被电耦合到所述光电检测器；
电连接器，所述电连接器中的每个电连接所述第一接触焊盘中的一个和所述第二接触焊盘中的一个；以及
透镜模块，其被安装到所述印刷电路板上，其中所述透镜模块包括被布置用于将光聚焦到所述光电检测器上的一个或多个透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中，所述印刷电路板包括在所述孔中横向延伸的肩部。
3.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中，所述传感器芯片经由粘合剂而被安装到所述肩部上，并且其中所述多个光电检测器被定向为接收通过所述孔的光。
4.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中，所述透镜模块被安装到所述第一基底的所述第二表面上，并且被布置在所述孔之上。
5.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中，所述多个第一接触焊盘被布置在所述第一基底的所述第一表面处。
6.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中，所述传感器芯片进一步包括：
第三基底，其被附接到所述第二基底的所述第一表面上；
多个开口，所述多个开口中的每个延伸通过所述第三基底并且暴露所述第二接触焊盘中的一个；
多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每个从所述第二接触焊盘中的一个延伸并且通过所述多个开口中的一个；
其中所述电连接器中的每个是在所述多个导电迹线中的一个和所述第一接触焊盘中的一个之间连接的引线。
7.根据权利要求3所述的图像传感器封装，进一步包括：
光学透明基底，其被安装到所述第二基底第二表面上并且与所述第二基底第二表面相间隔，其中所述粘合剂被直接布置在所述光学透明基底和所述肩部之间。
8.根据权利要求3所述的图像传感器封装，其中，所述粘合剂被直接布置在所述第二基底第二表面和所述肩部之间。
9.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中：
所述多个第一接触焊盘被布置在所述第一基底的所述肩部处；
所述电连接器是球栅阵列(BGA)或焊盘栅格阵列电连接器；
所述传感器芯片经由所述电连接器被安装到所述印刷电路板上。
10.根据权利要求2所述的图像传感器封装，其中，所述传感器芯片进一步包括：
第三基底，其被附接到所述第二基底的所述第一表面上；
多个开口，所述多个开口中的每个延伸通过所述第三基底并且暴露所述第二接触焊盘中的一个；
多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每个从所述第二接触焊盘中的一个延伸并且通过所述多个开口中的一个；
其中所述电连接器中的每个是在所述多个导电迹线中的一个与所述第一接触焊盘中的一个之间连接的球栅阵列(BGA)或焊盘栅格阵列电连接器。
11.根据权利要求9所述的图像传感器封装，进一步包括：
光学透明基底，其被安装到所述传感器芯片第二表面上并且与所述传感器芯片第二表面相间隔。
12.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中，所述传感器芯片进一步包括：
沟槽，其被形成至所述第二基底的所述第一表面中，
多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每个从所述第二接触焊盘中的一个延伸并且进入到所述沟槽中；
其中所述电连接器是球栅阵列(BGA)或焊盘栅格阵列电连接器，其各自将所述第一接触焊盘中的一个电连接到所述多个导电迹线中的一个。
13.根据权利要求12所述的图像传感器封装，进一步包括：
光学透明基底，其被安装到所述印刷电路板上，其中所述光学透明基底被布置在所述印刷电路板与所述透镜模块之间并且被布置在所述孔之上。
14.一种形成图像传感器封装的方法，包括：
提供具有相反的第一和第二表面的第一基底和被形成在其上的多个图像传感器，其中每个图像传感器包括被形成在所述第一基底上或所述第一基底中的多个光电检测器和被形成在所述第一基底的所述第一表面处的多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述光电检测器；
通过将第二基底第一表面附接到所述第一基底第一表面上而将具有相反的第一和第二表面的第二基底安装到所述第一基底上；
将沟槽形成至所述第二基底第二表面中，其部分地延伸通过所述第二基底，其中所述沟槽中的每个被布置在所述第一接触焊盘中的一个或多个之上；
形成多个开口，所述多个开口中的每个从所述沟槽中的一个延伸到所述第二基底第一表面并且暴露所述第一接触焊盘中的一个；
形成多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每个从所述第一接触焊盘中的一个延伸并且通过所述多个开口中的一个；
沿着在所述图像传感器中间的切割线将所安装的第一和第二基底切割成多个分离的图像传感器组件，其中所述图像传感器组件中的每个包括所述图像传感器中的一个；
将所述图像传感器组件中的一个安装到印刷电路板上，其中所述印刷电路板包括具有相反的第一和第二表面的第三基底、被形成至所述第三基底第一表面中的腔、从所述腔延伸到所述第三基底第二表面的开口、一个或多个电路层以及被电耦合到所述一个或多个电路层的多个第二接触焊盘，其中所述一个图像传感器组件的所述第一基底被至少部分地布置在所述腔中；以及
将所述一个图像传感器组件的所述多个导电迹线中的每个电连接到所述第二接触焊盘中的一个。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述印刷电路板包括在所述第三基底的所述第二表面处横向延伸的肩部，以致所述开口具有比所述腔的横向尺寸更小的横向尺寸。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：
将透镜模块安装到所述印刷电路板上，其中所述透镜模块包括被布置用于将光聚焦到所述光电检测器上的一个或多个透镜。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述安装包括：将所述一个图像传感器组件经由粘合剂安装到所述肩部上，并且其中所述多个光电检测器被定向为接收通过从所述腔延伸到所述第三基底第二表面的开口的光。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述透镜模块被安装到所述第三基底的所述第二表面上，并且被布置在所述开口之上。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，所述多个第二接触焊盘被布置在所述第三基底的所述第一表面处。
20.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：
将光学透明基底安装到所述一个图像传感器组件的所述第一基底第二表面上并且与所述一个图像传感器组件的所述第一基底第二表面相间隔，其中所述粘合剂被直接布置在所述光学透明基底和所述肩部之间。
21.根据权利要求17所述的方法，其中，所述粘合剂被直接布置在所述一个图像传感器组件的所述第一基底第二表面和所述肩部之间。
22.根据权利要求15所述的方法，其中：
所述多个第二接触焊盘被布置在所述第三基底的所述肩部处；
所述电连接包括：使用球栅阵列(BGA)或焊盘栅格阵列电连接器。
23.根据权利要求22所述的方法，进一步包括：
将光学透明基底安装到所述一个图像传感器组件的所述第一基底第二表面上并且与所述一个图像传感器组件的所述第一基底第二表面相间隔。
24.一种形成图像传感器封装的方法，包括：
提供具有相反的第一和第二表面的第一基底和被形成在其上的多个图像传感器，其中每个图像传感器包括被形成在所述第一基底上或所述第一基底中的多个光电检测器和被形成在所述第一基底的所述第一表面处的多个第一接触焊盘，其被电耦合到所述光电检测器；
将沟槽形成至所述第一基底第一表面中，其部分地延伸通过所述第一基底，其中所述沟槽中的每个被布置在所述多个图像传感器中的两个图像传感器之间；
形成多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每个从所述第一接触焊盘中的一个延伸并且进入到所述沟槽的一个中；
沿着在所述图像传感器中间的切割线将所述第一基底切割成多个分离的图像传感器组件，其中所述图像传感器组件中的每个包括所述图像传感器中的一个；
将所述图像传感器组件中的一个安装到印刷电路板上，其中所述印刷电路板包括具有相反的第一和第二表面的第二基底、被形成穿过所述第二基底的孔、一个或多个电路层以及被电耦合到所述一个或多个电路层的多个第二接触焊盘，其中所述一个图像传感器组件的所述第一基底被至少部分地布置在所述孔中；以及
其中，所述安装包括：将所述一个图像传感器组件的所述多个导电迹线中的每个电连接到所述第二接触焊盘中的一个。
25.根据权利要求24所述的方法，其中，所述电连接包括：使用球栅阵列(BGA)或焊盘栅格阵列电连接器。
26.根据权利要求24所述的方法，进一步包括：
将光学透明基底安装到所述印刷电路板上，其中所述光学透明基底被布置在所述孔之上。
27.根据权利要求24所述的方法，进一步包括：
将透镜模块安装到所述印刷电路板上，其中所述透镜模块包括被布置用于将光聚焦到所述光电检测器上的一个或多个透镜。
CN201310405053.7A 2012-09-10 2013-09-09 低轮廓图像传感器封装和方法 Active CN103681715B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/609002 2012-09-10
US13/609,002 US8759930B2 (en) 2012-09-10 2012-09-10 Low profile image sensor package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103681715A CN103681715A (zh) 2014-03-26
CN103681715B true CN103681715B (zh) 2016-07-06

Family

ID=50232415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310405053.7A Active CN103681715B (zh) 2012-09-10 2013-09-09 低轮廓图像传感器封装和方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US8759930B2 (zh)
KR (1) KR101524359B1 (zh)
CN (1) CN103681715B (zh)
TW (1) TWI475680B (zh)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9190443B2 (en) * 2013-03-12 2015-11-17 Optiz Inc. Low profile image sensor
US9392700B2 (en) * 2013-03-28 2016-07-12 Nanchang O-Film Tech. Co., Ltd. Transparent conductive film and preparation method thereof
US9496247B2 (en) * 2013-08-26 2016-11-15 Optiz, Inc. Integrated camera module and method of making same
US9461190B2 (en) 2013-09-24 2016-10-04 Optiz, Inc. Low profile sensor package with cooling feature and method of making same
US11335721B2 (en) * 2013-11-06 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Backside illuminated image sensor device with shielding layer
US9496297B2 (en) 2013-12-05 2016-11-15 Optiz, Inc. Sensor package with cooling feature and method of making same
CN103904094B (zh) * 2014-04-01 2017-06-20 苏州晶方半导体科技股份有限公司 影像传感器封装结构及其封装方法
JP5986140B2 (ja) * 2014-05-16 2016-09-06 キヤノン・コンポーネンツ株式会社 回路基板、イメージセンサユニット、画像読取装置および画像形成装置
US9666730B2 (en) 2014-08-18 2017-05-30 Optiz, Inc. Wire bond sensor package
US9634059B2 (en) 2014-12-30 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming image sensor integrated circuit packages
CN105870138A (zh) * 2015-02-05 2016-08-17 精材科技股份有限公司 晶片封装体及其制造方法
US9543347B2 (en) 2015-02-24 2017-01-10 Optiz, Inc. Stress released image sensor package structure and method
CN106374008B (zh) * 2016-09-08 2018-01-26 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 一种大面积传感器阵列的制备方法
US10602039B2 (en) 2016-09-19 2020-03-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Ultra-compact image sensor assembly for thin profile devices
US20180102390A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Trutag Technologies, Inc. Integrated imaging sensor with tunable fabry-perot interferometer
US9996725B2 (en) 2016-11-03 2018-06-12 Optiz, Inc. Under screen sensor assembly
FR3060851B1 (fr) * 2016-12-20 2018-12-07 3D Plus Module optoelectronique 3d d'imagerie
CN108734071A (zh) * 2017-04-24 2018-11-02 上海箩箕技术有限公司 图像传感器的形成方法
CN107092757B (zh) * 2017-04-28 2020-12-22 无锡市同步电子科技有限公司 一种pcb设计中过孔压分割线的检查方法
KR101942740B1 (ko) * 2017-10-19 2019-01-28 삼성전기 주식회사 팬-아웃 센서 패키지 및 이를 포함하는 광학방식 지문센서 모듈
RU2743898C1 (ru) 2018-11-16 2021-03-01 Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс" Способ выполнения задач
JP2020088066A (ja) * 2018-11-20 2020-06-04 キヤノン株式会社 電子部品および機器
US11289522B2 (en) * 2019-04-03 2022-03-29 Semiconductor Components Industries, Llc Controllable gap height for an image sensor package
RU2744032C2 (ru) 2019-04-15 2021-03-02 Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс" Способ и система для определения результата выполнения задачи в краудсорсинговой среде
RU2744038C2 (ru) 2019-05-27 2021-03-02 Общество С Ограниченной Ответственностью «Яндекс» Способ и система для определения результата для задачи, выполняемой в краудсорсинговой среде
CN110112109A (zh) * 2019-05-30 2019-08-09 苏州多感科技有限公司 一种封装芯片、芯片模组及终端
RU2019128272A (ru) 2019-09-09 2021-03-09 Общество С Ограниченной Ответственностью «Яндекс» Способ и система для определения производительности пользователя в компьютерной краудсорсинговой среде
RU2019135532A (ru) 2019-11-05 2021-05-05 Общество С Ограниченной Ответственностью «Яндекс» Способ и система для выбора метки из множества меток для задачи в краудсорсинговой среде
US11408589B2 (en) 2019-12-05 2022-08-09 Optiz, Inc. Monolithic multi-focus light source device
RU2020107002A (ru) 2020-02-14 2021-08-16 Общество С Ограниченной Ответственностью «Яндекс» Способ и система приема метки для цифровой задачи, исполняемой в краудсорсинговой среде
US11543654B2 (en) * 2020-09-16 2023-01-03 Aac Optics Solutions Pte. Ltd. Lens module and system for producing image having lens module

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101217156A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 采钰科技股份有限公司 电子元件与cmos图像传感器的芯片级封装及制造方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
CN100587962C (zh) 2003-07-03 2010-02-03 泰塞拉技术匈牙利公司 用于封装集成电路器件的方法和设备
KR100673950B1 (ko) * 2004-02-20 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 구비하는 카메라 모듈 패키지
US20090026567A1 (en) * 2004-07-28 2009-01-29 Industrial Technology Research Institute Image sensor package structure and method for fabricating the same
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US20070190747A1 (en) 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
KR100691398B1 (ko) * 2006-03-14 2007-03-12 삼성전자주식회사 미소소자 패키지 및 그 제조방법
KR100770690B1 (ko) * 2006-03-15 2007-10-29 삼성전기주식회사 카메라모듈 패키지
KR100775136B1 (ko) * 2006-04-19 2007-11-08 삼성전기주식회사 이미지센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 및 이의제조방법 및 칩 스케일 패키지를 이용한 카메라 모듈
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
US7807508B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7935568B2 (en) 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7791199B2 (en) 2006-11-22 2010-09-07 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
TWI341025B (en) * 2007-02-02 2011-04-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor semiconductor package and method for fabricating the same
CN101675516B (zh) * 2007-03-05 2012-06-20 数字光学欧洲有限公司 具有通过过孔连接到前侧触头的后侧触头的芯片
CN100546026C (zh) * 2007-04-29 2009-09-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像摄取装置
EP2213148A4 (en) 2007-10-10 2011-09-07 Tessera Inc ROBUST MULTILAYER WIRING ELEMENTS AND ASSEMBLIES INCLUDING MICROELECTRONIC ELEMENTS INCLUDED
US20090212381A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Tessera, Inc. Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US20100053407A1 (en) 2008-02-26 2010-03-04 Tessera, Inc. Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US7859033B2 (en) 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
US8232633B2 (en) * 2008-09-25 2012-07-31 King Dragon International Inc. Image sensor package with dual substrates and the method of the same
JP2010166004A (ja) * 2009-01-19 2010-07-29 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
US8193555B2 (en) * 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
JP2010219425A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
JP2010238995A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
US8290008B2 (en) * 2009-08-20 2012-10-16 International Business Machines Corporation Silicon carrier optoelectronic packaging
US8111730B2 (en) * 2009-08-20 2012-02-07 International Business Machines Corporation 3D optoelectronic packaging
KR101647779B1 (ko) * 2009-09-09 2016-08-11 삼성전자 주식회사 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치
KR101711007B1 (ko) * 2010-04-29 2017-03-02 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지를 갖는 이미지 센서 모듈
US8847376B2 (en) 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US8598695B2 (en) 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8697569B2 (en) 2010-07-23 2014-04-15 Tessera, Inc. Non-lithographic formation of three-dimensional conductive elements
US8791575B2 (en) 2010-07-23 2014-07-29 Tessera, Inc. Microelectronic elements having metallic pads overlying vias
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
JP5682185B2 (ja) * 2010-09-07 2015-03-11 ソニー株式会社 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法ならびに光学モジュール
US8686565B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Stacked chip assembly having vertical vias
US8685793B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Chip assembly having via interconnects joined by plating
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
US8847380B2 (en) 2010-09-17 2014-09-30 Tessera, Inc. Staged via formation from both sides of chip
KR101142347B1 (ko) * 2011-09-09 2012-07-06 옵토팩 주식회사 포토센서 패키지 모듈 및 제작 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101217156A (zh) * 2007-01-04 2008-07-09 采钰科技股份有限公司 电子元件与cmos图像传感器的芯片级封装及制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201411820A (zh) 2014-03-16
US9196650B2 (en) 2015-11-24
TWI475680B (zh) 2015-03-01
US8759930B2 (en) 2014-06-24
CN103681715A (zh) 2014-03-26
KR20140034049A (ko) 2014-03-19
KR101524359B1 (ko) 2015-05-29
US20140070349A1 (en) 2014-03-13
US9373660B2 (en) 2016-06-21
US20160035785A1 (en) 2016-02-04
US20140248736A1 (en) 2014-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103681715B (zh) 低轮廓图像传感器封装和方法
CN102983111B (zh) 图像传感器的阶梯式封装及其制造方法
KR101457790B1 (ko) 개선된 후면 조명 이미지 센서 아키텍쳐, 및 그 제조 방법
KR100846962B1 (ko) 마이크로일렉트로닉 이미저들을 위한 커버 및마이크로일렉트로닉 이미저들을 웨이퍼 레벨 팩키징하는방법
KR101420934B1 (ko) Ｃｍｏｓ 이미지 센서를 위한 와이어 본드 인터포저 패키지 및 그 제조 방법
TWI533444B (zh) 無蓋式感測器模組及其製造方法
WO2015031145A1 (en) Integrated camera module and method of making same
KR20130056161A (ko) Ｃｍｏｓ 이미지 센서를 위한 인터포저 패키지 및 그 제조 방법
CN103199098A (zh) 改进的量子效率背照式cmos图像传感器与封装及其制作方法
US20130249031A1 (en) Quantum Efficiency Back Side Illuminated CMOS Image Sensor And Package, And Method Of Making Same
KR101571964B1 (ko) 로우 프로파일 이미지 센서
KR101571965B1 (ko) 로우 프로파일 센서 모듈 및 그 제조 방법
CN104051489A (zh) 小轮廓图像传感器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1196181

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1196181

Country of ref document: HK