TWI524754B - 整合式相機模組及其製造方法 - Google Patents

整合式相機模組及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI524754B
TWI524754B TW103129189A TW103129189A TWI524754B TW I524754 B TWI524754 B TW I524754B TW 103129189 A TW103129189 A TW 103129189A TW 103129189 A TW103129189 A TW 103129189A TW I524754 B TWI524754 B TW I524754B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cavity
substrate
top surface
camera module
opening
Prior art date
Application number
TW103129189A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201515461A (zh
Inventor
維吉 歐根賽安
盧振華
Original Assignee
歐普提茲股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 歐普提茲股份有限公司 filed Critical 歐普提茲股份有限公司
Publication of TW201515461A publication Critical patent/TW201515461A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI524754B publication Critical patent/TWI524754B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/204—Image signal generators using stereoscopic image cameras
    • H04N13/239—Image signal generators using stereoscopic image cameras using two 2D image sensors having a relative position equal to or related to the interocular distance
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N13/00—Stereoscopic video systems; Multi-view video systems; Details thereof
    • H04N13/20—Image signal generators
    • H04N13/204—Image signal generators using stereoscopic image cameras
    • H04N13/254—Image signal generators using stereoscopic image cameras in combination with electromagnetic radiation sources for illuminating objects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/45—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from two or more image sensors being of different type or operating in different modes, e.g. with a CMOS sensor for moving images in combination with a charge-coupled device [CCD] for still images
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/741—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by increasing the dynamic range of the image compared to the dynamic range of the electronic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/95—Computational photography systems, e.g. light-field imaging systems
    • H04N23/951—Computational photography systems, e.g. light-field imaging systems by using two or more images to influence resolution, frame rate or aspect ratio
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H01L2924/1816—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2924/18165—Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a wire bonded chip

Description

整合式相機模組及其製造方法 發明領域 相關申請案
本申請案主張申請於2013年8月26日之美國臨時申請案第61/870,084號的權益，其內容併入本文作為參考資料。
發明所屬之技術領域
本發明係有關於用在例如手機之行動裝置上的相機模組。
發明背景
本發明係有關於藉由減少整體大小來緊縮行動相機系統的方法。更特別的是，藉由改善用於與行動相機裝置有關的陳舊LED封裝技術，可得到許多不動產。
多年來，已投入大量研究及工作用來減少影像感測器晶粒的尺寸及其封裝尺寸。使用先進的晶圓級技術，此時製造商可實現晶片級封裝件，這意謂整個封裝件的不動產面積不大於晶粒本身。
在此同時，用作相機單元之閃光源(flash source) 的LED(發光二極體)單元(常在閃光模式下用作閃光)仍用老早過時的極原始包裝技術，以及在現今的行動裝置中沒有一席之地。通常，LED單元為與相機單元獨立以及用撓性PCB或其他連接器與其連接的組件。此一組態不但使用過多空間，它悖需要獨立安裝結構以使這兩個獨立組件彼此相鄰地固定使得它們隨後可相互電氣連接。
相機單元和用作相機單元之光源的LED單元兩者亟須緊縮解決方案。
發明概要
前述問題及需要是用一種相機模組解決，其係包括：一導電矽基板具有頂面及底面、一感測器裝置、以及一LED裝置。該基板包含一第一空腔形成於該基板之該底面內且有一上表面，一開孔由該第一空腔上表面延伸至該基板之該頂面，以及一第二空腔形成於該基板之該頂面內以及有一下表面。該感測器裝置包含至少一光偵測計至少部份設置於該第一空腔中而且安裝至該第一空腔上表面。該LED裝置包含至少一發光二極體至少部份設置於該第二空腔中而且安裝至該第二空腔下表面。
一種用以形成相機模組的方法，其係包括：一導電矽基板具有頂面及底面，形成一第一空腔於該基板之該底面內，該第一空腔有一上表面，形成一開孔由該第一空腔上表面延伸至該基板之該頂面，形成一第二空腔於該基板之該頂面內，該第二空腔有一下表面，安裝一感測器裝 置至該第一空腔上表面，其中該感測器裝置包含至少一光偵測計，以及安裝一LED裝置至該第二空腔下表面，其中該LED裝置包含至少一發光二極體。
審視本專利說明書，申請專利範圍及附圖可明白本發明的其他目標及特徵。
1‧‧‧相機模組
10‧‧‧導電矽基板(晶圓)
12‧‧‧光阻層
14‧‧‧第一空腔
16‧‧‧另一光阻層
18‧‧‧開孔
20‧‧‧肩部
22‧‧‧另一光阻層
24‧‧‧第二空腔
26‧‧‧另一光阻層
28‧‧‧第三空腔
28a‧‧‧斜角側壁反射面部份
30‧‧‧另一光阻層
34‧‧‧第二肩部
36‧‧‧導通孔
38‧‧‧電介質材料層
40‧‧‧導電材料層/導電層
42‧‧‧光阻層
44‧‧‧導電引線
46‧‧‧封膠層/囊封材料/囊封層
48‧‧‧接觸墊
50‧‧‧繞路接觸墊
56‧‧‧LED裝置
58‧‧‧發光二極體
60‧‧‧基板
60‧‧‧電力電容器
62‧‧‧焊墊
64‧‧‧感測器裝置
66‧‧‧光偵測計
68‧‧‧基板
70‧‧‧接觸墊
74‧‧‧散熱器
76‧‧‧接合線/焊線
78‧‧‧透鏡/封膠
80‧‧‧弧形構件
82‧‧‧空腔
84‧‧‧互連件
86‧‧‧透鏡模組
88‧‧‧殼體
90‧‧‧透鏡
92‧‧‧保護基板
94‧‧‧間隔體材料
96‧‧‧引線
98‧‧‧繞路接觸墊
100‧‧‧電氣接觸
102‧‧‧垂直側壁
104‧‧‧邏輯晶片
106‧‧‧電氣引線
108‧‧‧散熱器
110‧‧‧電力電容器
114‧‧‧電連接器
圖1至圖13為基板處理裝置的側視剖面圖，其係圖示形成本發明相機模組的順序步驟。
圖14A至圖14C的側視剖面圖圖示感測器封裝件的各種組態。
圖15A至圖15H的側視剖面圖圖示本發明相機模組的不同具體實施例。
圖16的流程圖圖示用於處理及組合來自兩個影像感測器之不同影像(一為低解析度，一為高解析度)以形成有較高品質之最終影像的步驟。
圖17的流程圖圖示用於處理及組合來自兩個影像感測器之不同影像以形成立體最終影像的步驟。
較佳實施例之詳細說明
本發明為一種相機模組尺寸縮小解決方案。利用晶圓級技術於LED單元上以及也在單一處理裝置(handler)上合併LED單元及影像感測器晶粒，可實現較大的空間節省及電氣連接，以及使影像感測器與LED單元更加靠近及對齊。
相機模組1的形成由也被稱為處理裝置的導電矽基板(晶圓)10開始。此基板10會被形塑成LED晶粒與影像感測器晶粒的主要基板。光阻層12沉積於矽基板10上(至少於頂面及底面上)。光阻劑沉積方法可為噴塗法或任何其他適當的沉積方法。用本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑12以選擇性地只移除光阻劑12的一部份，留下暴露基板10底面的選定部份。施加異向性乾蝕刻至矽基板的暴露部份以在矽基板10底面內形成第一空腔14，這產生圖1的結構。蝕刻劑可為CF4、SF6、NF3、C12、CC12F2或任何其他適當的蝕刻劑。第一空腔可具有傾斜/錐形側壁，或如圖1所示的垂直側壁。
在移除光阻劑12(例如，用硫酸、丙酮或本技藝所習知的任何其他光阻劑剝除法)後，沉積另一光阻層16於矽基板10上(至少於頂面及底面上，包括第一空腔14內的表面)。該光阻劑沉積方法可為噴塗法或任何其他適當的沉積方法。用本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑16以選擇性地移除光阻劑16的數個部份，留下暴露基板10頂面中在第一空腔14上方的部份，以及第一空腔14頂面的對應部份。施加異向性乾蝕刻至矽基板10的暴露部份以形成延伸穿過基板10的開孔18(由空腔頂面至基板頂面)，如圖2所示。蝕刻劑可為CF4、SF6、NF3、C12、CC12F2或任何其他適當的蝕刻劑。較佳地，開孔18的橫向尺寸小於第一空腔14的橫向尺寸，留下基板10在第一空腔14與開孔18之邊界的肩部20(亦即，第一空腔14上表面有一部 份形成肩部20)。
在移除光阻劑16後，沉積另一光阻層22於矽基板10上(至少於基板頂面及底面上、於第一空腔14內、以及於開孔18內)。本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑22以選擇性地移除光阻劑22之一部份，留下暴露基板10底面的一部份。施加異向性乾蝕刻至矽基板10的暴露部份，留下形成於基板10底面內的第二空腔24，如圖3所示。第二空腔24可具有傾斜/錐形側壁，或如圖3所示的垂直側壁。
在移除光阻劑22後，沉積另一光阻層26於矽基板10上(至少於基板頂面及底面上、於第一及第二空腔14及24內，以及於開孔18內)。用本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑26以選擇性地移除光阻劑26的一部份，留下暴露基板10頂面的一部份(與第二空腔24相反)。施加異向性乾蝕刻至矽基板10的暴露部份，留下形成於基板10頂面內的第三空腔28，如圖4所示。第三空腔28可具有垂直側壁，或如圖4所示的傾斜/錐形側壁。
在移除光阻劑26後，沉積另一光阻層30於矽基板10上(至少於基板頂面及底面上、於空腔14、24、28內以及於開孔18內)。用本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑30以選擇性地移除光阻劑26的一部份，留下暴露第三空腔28底面的一部份。施加異向性乾蝕刻至矽基板10的暴露部份，其係使第三空腔28向下延伸直到它會合第二空腔24(產生第二、第三空腔24、28會合處的第二肩部 34，亦即，第三空腔28的下表面有一部份形成肩部34)，如圖5所示。
在移除光阻劑30後，接下來形成延伸穿過基板10的多個導通孔36(亦即，由基板10頂面延伸至底面)。導通孔36可用雷射、乾蝕刻、濕蝕刻或本技藝習知的任何其他適當導通孔形成方法製成。乾電漿蝕刻用來形成導通孔36為較佳。導通孔36可具有錐形側壁(亦即，漏斗形孔洞)，或如圖6所示的垂直側壁。導通孔36的數目及位置可隨著模組的佈局而有所不同，而且不受限於圖6所示的4個示範導通孔36。
電介質材料層38形成於矽基板10的各種不同表面上(包括孔洞36及空腔14、24、28)。例如，電介質層38可為噴塗聚合物，或任何其他適當的電介質材料(例如，氧化矽、氮化矽等等)。導電材料層40形成於電介質層38上方。導電層40可為銅、鋁、導電聚合物及/或任何其他適當的導電材料。該導電層可用物理氣相沉積法(PVD)、化學氣相沉積法(CVD)、電鍍或任何其他適當沉積方法沉積。導電層40由第一層鈦及第二層鋁構成為較佳，這兩層都用物理氣相沉積法(PVD)沉積。導通孔36要麼塗上導電材料40，要麼完全填滿如圖7所示的導電材料40，以形成延伸穿過基板10的導電引線(electrically conductive lead)。視需要，第三空腔28的斜角側壁反射面部份28a可具有藉由沉積另一層銀或任何其他適當反射材料於導電層40之該部份上而增加的反射率。
光阻層42沉積於導電層40上。用本技藝習知適當微影製程曝光及蝕刻光阻劑以選擇性地移除光阻劑42，留下導電材料的數個部份暴露。用乾或濕蝕刻方法，移除導電材料40的暴露部份。導電材料40的剩餘部份構成導電引線44(包括在導通孔36中及第一空腔14中的導電材料40)，以及反射面部份28a(在第三空腔28中)。此蝕刻步驟使用適當的濕蝕刻用化學物為較佳。所得結構圖示於圖8。
在移除光阻劑42後，沉積由絕緣材料構成的封膠層(encapsulant layer)46於矽基板10的底面上，包括於導電引線44上方。封膠層46可為聚亞醯胺、陶瓷聚合物、高分子複合物、金屬氧化物、二氧化矽、環氧樹脂、矽氧樹脂、瓷、氮化物、玻璃、離子晶體、樹脂、或前述材料的組合或任何其他適當的電介質材料。封膠層46厚1至3微米為較佳，以及較佳材料為液體微影聚合物，例如可用噴塗法沉積的防焊劑(solder mask)。如果導通孔36注音，塗上而不是填滿導電材料40，則視需要，可用囊封材料46填充導通孔36。選擇性地移除囊封層46的數個部份(例如，用習知微影製造(或數個))以暴露底下導電層40中構成接觸墊48及繞路接觸墊(rerouted contact pad)50的選定部份。也有在基板頂面上的接觸墊48和反射面部份。所得結構圖示於圖9。
拾取及放置LED裝置(例如，晶粒)56於在第二、第三空腔24、28之間的肩部34以及上膠固定之。LED晶粒56包括形成於基板60上或中以及電氣連接至晶粒基板 60上之焊墊(bond pad)62的一或更多發光二極體58。LED晶粒56為本技藝所習知，因此在此不進一步描述。安裝感測器裝置(例如，CMOS感測器封裝件)64至在第一空腔14中的肩部20上，例如，用在兩者的接觸墊之間的電連接器(例如，球柵連接器)。CMOS感測器封裝件64包含形成於基板68上或中以及電氣連接至基板68上之接觸墊70的多個光檢器(photo detector)。CMOS感測器封裝件64為本技藝所習知，因此在此不進一步描述。視需要的電力電容器(power capacitor)60可用標準取放型SMT技術安裝至接觸墊48中之一個。視需要的散熱器74可安裝至LED晶粒56的背面以及於處理裝置的第二空腔24內。所得結構圖示於圖10。
習知焊線技術(wirebonding technique)可用來以接合線(bonding wire)76連接LED焊墊62與覆蓋或連接至導通孔36中之導電材料40的接觸墊48。然後，沉積透鏡/封膠78於LED晶粒56及其焊線76上方，其係保護焊線76而且也用作由LED 58射出之光線的透鏡，如圖11所示。該透鏡/封膠可由壓克力塑膠、環氧樹脂或任何其他適當材料製成。替換地，該透鏡/封膠可經製作成為由預成形玻璃、塑膠或任何其他適當透鏡適合材料構成的弧形構件80。弧形構件80呈氣密性密封以及形成含有及保護LED晶粒56及其焊線76的空腔82，如圖12所示。空腔82可填滿任何適當氣體、液體或甚至被抽空(亦即，真空)。
在基板10底面上之接觸墊48、50的電氣連線上 或中形成互連件84，例如球柵陣列(BGA)、地柵陣列(LGA)、凸塊成形(bumping)、銅柱或任何其他適當的互連件。球柵陣列為互連的較佳方法之一而且它可用接著是回焊製程的網印法沉積。視需要的精選透鏡或透鏡模組黏上基板10以及設置於影像感測器64的主動區上方，從而囊封感測器64中含有光偵測計66的側面。較佳地，有固定透鏡90於其中之殼體88的透鏡模組86安裝至基板10的上表面以及於開孔18上方。相機模組1的最終結構圖示於圖13。
相機模組1為影像感測器封裝件64及LED光源56兩者的整合式緊縮包裝。基板10提供能牢牢地安裝影像感測器64及LED光源56於其上的位置，以及提供這兩個裝置的電氣連接，和裝置56、64在基板10底面上的所有電氣接觸。處理裝置10不僅提供影像感測器封裝件64及LED光源56的電氣連接，也提供該等裝置的機械保護，因為這兩個裝置在處理裝置10的頂面及底面之間下凹(然而該等組件的相對強度可不同)。
圖14A至圖14C圖示影像感測器64的各種具體實施例。如圖14A所示，保護基板92可用間隔體材料94裝在於光偵測計66上方。在基板68上表面上可形成數條有繞路接觸墊98的引線96。圖14A的影像感測器圖示成為用於圖10至圖13之相機模組1的影像感測器64。如圖14B所示，引線96(電氣連接至接觸墊70)及繞路接觸墊98可向下形成進入形成於基板68頂面內的溝槽或凹部。如圖 14C所示，在沒有中央開孔(如其他具體實施例所示)下，可形成保護基板92以密封感測器的主動區。可形成穿過間隔體材料94的其他電氣接觸100(電氣連接至接觸墊70)。
圖15A至圖15H圖示相機模組1的替代具體實施例。具體言之，圖15A圖示有圖14B之影像感測器64的相機模組1。圖15B圖示有圖14C之影像感測器64的相機模組1。圖15C圖示第三空腔28使用垂直側壁102。圖15D圖示加入裝在LED晶粒56(在第二空腔24下)下面而且安裝至電氣引線106的邏輯晶片104。圖15E圖示安裝至圖15D之邏輯晶片104的散熱器108。圖15F圖示加入裝在LED晶粒56(在第二空腔24中)下面而且安裝至電氣引線106的電力電容器110。圖15G圖示加入安裝至基板10頂面的電力電容器110，其中它的電氣連線係通過導通孔中的電連接器114繞路至基板10的底面。
圖15H圖示設置於在同一個基板10上的兩個CMOS感測器封裝件64之間的LED晶粒56。這兩個CMOS感測器64可具有一或更多不同的光學感測特性(例如，不同的成像解析度(例如，不同的像素數目、不同的像素大小、不同的主動區大小及/或有不同透鏡聚焦特性(或數個)等等)的透鏡模組86、不同的光譜性質(例如，對不同波長或波長範圍有不同的敏感度)等等，藉此這兩個光學感測器一起提供比單一影像感測器還大的成像性能。例如，這兩個光學感測器可用來提供較高的單一影像品質，或可用來產生立體影像。圖16圖示處理及組合來自兩個影像感測器 之不同影像(一為低解析度，一為高解析度)以形成有較高品質之最終影像的一示範技術。圖17圖示處理及組合來自兩個影像感測器之不同影像以形成立體最終影像的另一示範技術。
應瞭解，本發明不受限於上述及圖示於本文的具體實施例，反而涵蓋落在隨附申請專利範圍之範疇內的任何及所有變體。例如，本發明的引文並非旨在限制任何申請專利範圍或申請項的範疇，反而只是提及可被該等申請專利範圍中之一或更多涵蓋的一或更多特徵。以上所描述的材料，方法及數值實施例係僅供示範，而不應被視為要限制該等申請專利範圍。此外，由該等申請專利範圍及專利說明書可明白，完成所有的方法步驟不需要用圖示或所主張的確切順序，反而可用允許正確地形成本發明相機模組的任何順序。最後，由該等或類似材料組成的多層可形成為單一材料層，反之亦然。
應注意，如本文所使用的，術語「上方」與「上」兩者都涵蓋」直接在...之上」(中間沒有材料、元件或空間)和「間接在...之上」(中間有材料、元件或空間)。同樣，術語「毗鄰」涵蓋「直接相毗鄰」(中間沒有材料、元件或空間)和「間接毗鄰」(中間有材料、元件或空間)，「安裝至」包含「直接安裝至」(中間沒有材料、元件或空間)和「間接安裝至」(中間有材料、元件或空間)，以及「電氣耦合」包含「直接電氣耦合至」(中間沒有與該等元件電氣連接的材料、元件或空間)和「間接電氣耦合至」(中間有與該等元件 電氣連接的材料、元件或空間)。例如，形成元件於「基板上方」或「基板上」可包含直接形成元件於基板上而其間沒有中間材料/元件，以及間接形成元件於基板上而其間有一或更多中間材料/元件。
10‧‧‧導電矽基板(晶圓)
12‧‧‧光阻層
14‧‧‧第一空腔

Claims (34)

  1. 一種相機模組，其係包含：一導電矽基板具有頂面及底面，該基板包含：一第一空腔形成於該基板之該底面內且有一上表面，一開孔由該第一空腔上表面延伸至該基板之該頂面，以及一第二空腔形成於該基板之該頂面內以及有一下表面；一感測器裝置包括至少一光偵測計，其係至少部份設置於該第一空腔中，而且安裝至該第一空腔上表面；以及一LED裝置包括至少一發光二極體，其係至少部份設置於該第二空腔中，而且安裝至該第二空腔下表面。
  2. 如請求項1所述之相機模組，其中該基板更包含：第一多條導電引線各自電氣連接至該感測器裝置以及包括一接觸墊在該基板之該底面上；以及第二多條導電引線延伸穿過該基板及與其絕緣，該等第二多條導電引線中之每一者延伸於在該頂面的一第一接觸墊與在該底面的一第二接觸墊之間。
  3. 如請求項2所述之相機模組，其中該等第一多條導電引線中之每一者延伸越過該第一空腔之該上表面、該第一 空腔之一側壁、以及該基板之該底面而且與彼等絕緣。
  4. 如請求項2所述之相機模組，其更包括：第一多個電氣互連件各自電氣連接至該等第一多條導電引線的該等接觸墊中之一者；以及第二多個電氣互連件各自電氣連接至該等第二多條導電引線的該等第二接觸墊中之一者。
  5. 如請求項2所述之相機模組，其更包含：多條接線各自電氣連接於該LED裝置與該等第一接觸墊中之一者之間。
  6. 如請求項5所述之相機模組，其更包含：封膠材料形成於該第二空腔中、於該LED裝置上方、於該等多條接線上方以及於該基板之該頂面之至少一部份上方。
  7. 如請求項5所述之相機模組，其更包含：一弧形構件安裝至該頂面及設置於該第二空腔、該LED裝置及該等多條接線上方。
  8. 如請求項1所述之相機模組，其中該至少一光偵測計經定向成可接收穿經該開孔的光線，以及其中該至少一發光二極體設置於該第二空腔中且面向該第二空腔在該基板之該頂面的一開口。
  9. 如請求項1所述之相機模組，其更包含：一透鏡模組，其係包括：一殼體安裝至該頂面及於該開孔上方；至少一透鏡，其係固定於該殼體中以及經設置 成可聚焦通過該開孔打在該頂面上及到該至少一光偵測計上的光線。
  10. 如請求項1所述之相機模組，其中該第二空腔的一側壁呈錐形以及覆蓋一反射材料。
  11. 如請求項1所述之相機模組，其中該基板更包含：一第三空腔由該基板之該底面延伸至該第二空腔之該下表面。
  12. 如請求項11所述之相機模組，其更包含：一散熱器設置於該第三空腔中而且安裝至該LED裝置。
  13. 如請求項11所述之相機模組，其更包含：一邏輯裝置設置於該第三空腔中；其中該基板更包含：第三多條導電引線各自電氣連接至該邏輯裝置以及包括在該基板之該底面上之一接觸墊，其中該等第三多條導電引線中之每一者延伸越過該第三空腔之一側壁及該基板之該底面而且與彼等絕緣。
  14. 如請求項13所述之相機模組，其更包含：一散熱器安裝至該邏輯裝置。
  15. 如請求項1所述之相機模組，其中：該基板更包含：一第三空腔形成於該基板之該底面內且有一上表面，以及 一第二開孔由該第三空腔上表面延伸至該基板之該頂面；該相機模組更包含：一第二感測器裝置包括至少一光偵測計，其係至少部份設置於該第三空腔中而且安裝至該第三空腔上表面。
  16. 如請求項15所述之相機模組，其中該感測器裝置有與該第二感測器裝置不同的一光學感測特性。
  17. 如請求項15所述之相機模組，其更包含：一第一透鏡模組，其係包括：一殼體安裝至該頂面及於該開孔上方；至少一透鏡，其係固定於該殼體中以及經設置成可聚焦通過該開孔打在該頂面上及到該感測器裝置的該至少一光偵測計上的光線；一第二透鏡模組，其係包括：一第二殼體安裝至該頂面以及於該第二開孔上方；至少一第二透鏡，其係固定於該殼體中以及經設置成可聚焦通過該第二開孔打在該頂面上及到該第二感測器裝置的該至少一光偵測計上的光線；其中該第一透鏡模組有與該第二透鏡模組不同的至少一聚焦特性。
  18. 一種用以形成相機模組的方法，其係包含下列步驟：提供一導電矽基板，該導電矽基板具有頂面及底 面；形成一第一空腔於該基板之該底面內，該第一空腔有一上表面；形成一開孔，該開孔由該第一空腔上表面延伸至該基板之該頂面；形成一第二空腔於該基板之該頂面內，該第二空腔有一下表面；安裝一感測器裝置至該第一空腔上表面，其中該感測器裝置包括至少一光偵測計；以及安裝一LED裝置至該第二空腔下表面，其中該LED裝置包括至少一發光二極體。
  19. 如請求項18所述之方法，其更包含：形成第一多條導電引線，該等第一多條導電引線各自電氣連接至該感測器裝置以及包括一接觸墊在該基板之該底面上；以及形成第二多條導電引線，該等第二多條導電引線延伸穿過該基板及與其絕緣，其中該等第二多條導電引線中之每一者延伸於在該頂面的一第一接觸墊與在該底面的一第二接觸墊之間。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該等第一多條導電引線中之每一者延伸越過該第一空腔之該上表面、該第一空腔之一側壁、以及該基板之該底面而且與彼等絕緣。
  21. 如請求項19所述之方法，其更包括：形成第一多個電氣互連件，該等第一多個電氣互連 件各自電氣連接至該等第一多條導電引線的該等接觸墊中之一者；以及形成第二多個電氣互連件，該等第二多個電氣互連件各自電氣連接至該等第二多條導電引線的該等第二接觸墊中之一者。
  22. 如請求項19所述之方法，其更包含：在該LED裝置與該等第一接觸墊之間連接多條接線。
  23. 如請求項22所述之方法，其更包含：形成封膠材料，該封膠材料設置於該第二空腔中、於該LED裝置上方、於該等多條接線上方以及於該基板之該頂面之至少一部份上方。
  24. 如請求項22所述之方法，其更包含：安裝一弧形構件至該頂面，其中該弧形構件設置於該第二空腔、該LED裝置及該等多條接線上方。
  25. 如請求項18所述之方法，其中該至少一光偵測計經定向成可接收穿經該開孔的光線，以及其中該至少一發光二極體設置於該第二空腔中且面向該第二空腔在該基板之該頂面的一開口。
  26. 如請求項18所述之方法，其更包含：安裝一透鏡模組至該頂面以及於該開孔上方，其中該透鏡模組包括至少一透鏡經設置成可聚焦通過該開孔打在該基板之該頂面上及到該至少一光偵測計上的光線。
  27. 如請求項18所述之方法，其中該第二空腔的形成步驟包含：形成該第二空腔中呈錐形的一側壁；以及用一反射材料覆蓋該第二空腔之該錐形側壁。
  28. 如請求項18所述之方法，其更包含：在該基板中形成一第三空腔，該第三空腔由該基板之該底面延伸至該第二空腔之該下表面。
  29. 如請求項28所述之方法，其更包含：安裝一散熱器至該LED裝置，其中該散熱器設置於該第三空腔中。
  30. 如請求項18所述之方法，其更包含：安裝一邏輯裝置至該第三空腔中；以及形成第三多條導電引線，該等第三多條導電引線各自電氣連接至該邏輯裝置以及包括在該基板之該底面上之一接觸墊，其中該等第三多條導電引線中之每一者延伸越過該第三空腔之一側壁及該基板之該底面而且與彼等絕緣。
  31. 如請求項30所述之方法，其更包括：安裝一散熱器至該邏輯裝置。
  32. 如請求項18所述之方法，其更包括：形成一第三空腔於該基板之該底面內，該第三空腔有一上表面；形成一第二開孔由該第三空腔上表面延伸至該基板之該頂面；以及 安裝一第二感測器裝置至該第三空腔上表面，其中該第二感測器裝置包括至少一光偵測計。
  33. 如請求項32所述之方法，其中該感測器裝置有與該第二感測器裝置不同的一光學感測特性。
  34. 如請求項32所述之方法，其更包含：安裝一第一透鏡模組至該頂面以及於該開孔上方，其中該第一透鏡模組包括至少一透鏡，該透鏡經設置成可聚焦通過該開孔打在該基板之該頂面上及到該第一透鏡模組之該至少一光偵測計上的光線；以及安裝一第二透鏡模組至該頂面以及於該第二開孔上方，其中該第二透鏡模組包括至少一第二透鏡，該第二透鏡經設置成可聚焦通過該第二開孔打在該基板之該頂面上及到該第二透鏡模組之該至少一光偵測計上之光線；其中該第一透鏡模組有與該第二透鏡模組不同的至少一聚焦特性。
TW103129189A 2013-08-26 2014-08-25 整合式相機模組及其製造方法 TWI524754B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361870084P 2013-08-26 2013-08-26
US14/463,896 US9496247B2 (en) 2013-08-26 2014-08-20 Integrated camera module and method of making same
PCT/US2014/052000 WO2015031145A1 (en) 2013-08-26 2014-08-21 Integrated camera module and method of making same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201515461A TW201515461A (zh) 2015-04-16
TWI524754B true TWI524754B (zh) 2016-03-01

Family

ID=52479574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103129189A TWI524754B (zh) 2013-08-26 2014-08-25 整合式相機模組及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9496247B2 (zh)
JP (1) JP6223580B2 (zh)
KR (1) KR101793850B1 (zh)
CN (1) CN105474625B (zh)
HK (1) HK1221100A1 (zh)
TW (1) TWI524754B (zh)
WO (1) WO2015031145A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9420149B2 (en) * 2014-06-13 2016-08-16 Lips Corporation Integrated depth camera
US9431442B2 (en) 2015-02-02 2016-08-30 Apple Inc. Overmolded reconstructed camera module
CN105187697B (zh) * 2015-08-04 2019-12-31 宁波舜宇光电信息有限公司 多镜头摄像模组连体支架和多镜头摄像模组及其应用
JP2017041467A (ja) * 2015-08-17 2017-02-23 ローム株式会社 光半導体装置
CN106470336A (zh) * 2015-08-17 2017-03-01 深圳富泰宏精密工业有限公司 相机色温补偿系统及智能终端
US9973669B2 (en) * 2015-08-28 2018-05-15 Apple Inc. Dual overmolded reconstructed camera module
US10908324B2 (en) * 2016-03-12 2021-02-02 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Molded photosensitive assembly of array imaging module
US10750071B2 (en) * 2016-03-12 2020-08-18 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module with lens array arrangement, circuit board assembly, and image sensor and manufacturing method thereof
US9911890B2 (en) * 2016-06-30 2018-03-06 Stmicroelectronics Pte Ltd Optical sensor package including a cavity formed in an image sensor die
KR101823272B1 (ko) * 2016-12-01 2018-01-29 삼성전기주식회사 카메라 모듈
CN106972007A (zh) * 2016-12-23 2017-07-21 创智能科技股份有限公司 具有抗静电结构的指纹感测辨识装置
WO2018125097A1 (en) * 2016-12-28 2018-07-05 Xu Yi Elyn Embedded component and methods of making the same
KR101942740B1 (ko) * 2017-10-19 2019-01-28 삼성전기 주식회사 팬-아웃 센서 패키지 및 이를 포함하는 광학방식 지문센서 모듈
KR102473424B1 (ko) * 2018-01-03 2022-12-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
WO2020038179A1 (zh) * 2018-08-24 2020-02-27 宁波舜宇光电信息有限公司 电路板组件及其半成品、泛光灯、摄像模组及其应用
CN111656144A (zh) * 2018-12-07 2020-09-11 索尼半导体解决方案公司 传感器设备、电子设备、传感器系统和控制方法
US11626448B2 (en) 2019-03-29 2023-04-11 Lumileds Llc Fan-out light-emitting diode (LED) device substrate with embedded backplane, lighting system and method of manufacture
US11621173B2 (en) 2019-11-19 2023-04-04 Lumileds Llc Fan out structure for light-emitting diode (LED) device and lighting system
US11777066B2 (en) 2019-12-27 2023-10-03 Lumileds Llc Flipchip interconnected light-emitting diode package assembly
US11664347B2 (en) 2020-01-07 2023-05-30 Lumileds Llc Ceramic carrier and build up carrier for light-emitting diode (LED) array
US11476217B2 (en) 2020-03-10 2022-10-18 Lumileds Llc Method of manufacturing an augmented LED array assembly
TWI764576B (zh) * 2021-02-19 2022-05-11 晉弘科技股份有限公司 影像感測器封裝件以及內視鏡
WO2023074342A1 (ja) * 2021-10-25 2023-05-04 京セラ株式会社 電子素子実装用基板、電子装置、および電子モジュール

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5340993A (en) * 1993-04-30 1994-08-23 Motorola, Inc. Optocoupler package wth integral voltage isolation barrier
US20080136955A1 (en) * 1996-09-27 2008-06-12 Tessera North America. Integrated camera and associated methods
IL123207A0 (en) 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
IL133453A0 (en) 1999-12-10 2001-04-30 Shellcase Ltd Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
JP4398065B2 (ja) 2000-05-19 2010-01-13 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
US6724794B2 (en) * 2001-06-29 2004-04-20 Xanoptix, Inc. Opto-electronic device integration
JP2004006753A (ja) * 2002-04-05 2004-01-08 Canon Inc 光半導体用パッケージ
KR100514917B1 (ko) 2002-05-07 2005-09-14 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 고체 촬상소자 장착용 패키지
US7274094B2 (en) 2002-08-28 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Leadless packaging for image sensor devices
US7033664B2 (en) 2002-10-22 2006-04-25 Tessera Technologies Hungary Kft Methods for producing packaged integrated circuit devices and packaged integrated circuit devices produced thereby
US7275877B2 (en) * 2003-04-30 2007-10-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical module having individual housing for an optical processing unit and an optical sub-assembly
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
CN100587962C (zh) 2003-07-03 2010-02-03 泰塞拉技术匈牙利公司 用于封装集成电路器件的方法和设备
US20050133808A1 (en) 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US6982437B2 (en) * 2003-09-19 2006-01-03 Agilent Technologies, Inc. Surface emitting laser package having integrated optical element and alignment post
JP2005203741A (ja) * 2003-12-16 2005-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置及びその製造方法
JP4426279B2 (ja) * 2003-12-25 2010-03-03 ローム株式会社 赤外線データ通信モジュール
TWI303491B (en) * 2004-02-20 2008-11-21 Toshiba Kk Semiconductor relay apparatus and wiring board fabrication method
JP2006038572A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Sharp Corp 反射型エンコーダおよびこの反射型エンコーダを用いた電子機器
US7521719B2 (en) * 2004-08-13 2009-04-21 Paul Steven Schranz Light emitting and image sensing device and apparatus
US20060045530A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Lim Sin H Compact optical transceiver module
KR100945621B1 (ko) * 2005-03-07 2010-03-04 로무 가부시키가이샤 광 통신 모듈 및 그 제조 방법
US7495462B2 (en) * 2005-03-24 2009-02-24 Memsic, Inc. Method of wafer-level packaging using low-aspect ratio through-wafer holes
CN100543575C (zh) * 2005-07-29 2009-09-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 自动对焦镜头
US7566853B2 (en) 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
US20070190747A1 (en) 2006-01-23 2007-08-16 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer level packaging to lidded chips
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
KR100790994B1 (ko) 2006-08-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이미지 센서패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈
US8513789B2 (en) 2006-10-10 2013-08-20 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking with leads extending along edges
US7829438B2 (en) 2006-10-10 2010-11-09 Tessera, Inc. Edge connect wafer level stacking
US7901989B2 (en) 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US7807508B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Tessera Technologies Hungary Kft. Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7935568B2 (en) 2006-10-31 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer-level fabrication of lidded chips with electrodeposited dielectric coating
US7847255B2 (en) * 2006-11-16 2010-12-07 Pilkington North America, Inc. Multi-mode rain sensor
US8569876B2 (en) 2006-11-22 2013-10-29 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips with array
US7791199B2 (en) 2006-11-22 2010-09-07 Tessera, Inc. Packaged semiconductor chips
US7749886B2 (en) 2006-12-20 2010-07-06 Tessera, Inc. Microelectronic assemblies having compliancy and methods therefor
KR101460141B1 (ko) 2007-03-05 2014-12-02 인벤사스 코포레이션 관통 비아에 의해 전면 컨택트에 연결되는 배면 컨택트를 갖는 칩
US20080239509A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Symbol Technologies, Inc. Compact imaging lens assembly for an imaging-based bar code reader
WO2009048604A2 (en) 2007-10-10 2009-04-16 Tessera, Inc. Robust multi-layer wiring elements and assemblies with embedded microelectronic elements
WO2009079498A2 (en) 2007-12-17 2009-06-25 Omnivision Technologies, Inc. Reflowable camera module with integrated flash
US20090212381A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Tessera, Inc. Wafer level packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US20100053407A1 (en) 2008-02-26 2010-03-04 Tessera, Inc. Wafer level compliant packages for rear-face illuminated solid state image sensors
US7859033B2 (en) 2008-07-09 2010-12-28 Eastman Kodak Company Wafer level processing for backside illuminated sensors
US7731433B1 (en) * 2008-12-05 2010-06-08 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optoelectronic surface-mounted device and method for forming an optoelectronic surface-mounted device
US7955885B1 (en) * 2009-01-09 2011-06-07 Integrated Device Technology, Inc. Methods of forming packaged micro-electromechanical devices
JP2010219425A (ja) 2009-03-18 2010-09-30 Toshiba Corp 半導体装置
JP5504695B2 (ja) 2009-05-29 2014-05-28 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器
WO2010144665A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Medtronic, Inc. Device and method for monitoring of absolute oxygen saturation and total hemoglobin concentration
US9525093B2 (en) * 2009-06-30 2016-12-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor
US8779361B2 (en) * 2009-06-30 2014-07-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical proximity sensor package with molded infrared light rejection barrier and infrared pass components
US8143608B2 (en) * 2009-09-10 2012-03-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Package-on-package (POP) optical proximity sensor
US8716665B2 (en) * 2009-09-10 2014-05-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Compact optical proximity sensor with ball grid array and windowed substrate
US8146247B2 (en) * 2009-09-16 2012-04-03 Lite-On Singapore Pte. Ltd. Method for packaging a sensor unit
JP5218497B2 (ja) * 2009-12-04 2013-06-26 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US8471289B2 (en) * 2009-12-28 2013-06-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device, optical pickup device and semiconductor device
US8847376B2 (en) * 2010-07-23 2014-09-30 Tessera, Inc. Microelectronic elements with post-assembly planarization
US9640437B2 (en) 2010-07-23 2017-05-02 Tessera, Inc. Methods of forming semiconductor elements using micro-abrasive particle stream
US8598695B2 (en) * 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
US8697569B2 (en) 2010-07-23 2014-04-15 Tessera, Inc. Non-lithographic formation of three-dimensional conductive elements
US8791575B2 (en) 2010-07-23 2014-07-29 Tessera, Inc. Microelectronic elements having metallic pads overlying vias
US8796135B2 (en) 2010-07-23 2014-08-05 Tessera, Inc. Microelectronic elements with rear contacts connected with via first or via middle structures
TWM399313U (en) * 2010-07-30 2011-03-01 Sigurd Microelectronics Corp Proximity sensor package structure
JP2013232694A (ja) * 2010-08-31 2013-11-14 Sanyo Electric Co Ltd 素子搭載用基板および光学モジュール
US8686565B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Stacked chip assembly having vertical vias
US8685793B2 (en) 2010-09-16 2014-04-01 Tessera, Inc. Chip assembly having via interconnects joined by plating
DE102010045784B4 (de) * 2010-09-17 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
US8610259B2 (en) 2010-09-17 2013-12-17 Tessera, Inc. Multi-function and shielded 3D interconnects
US8847380B2 (en) 2010-09-17 2014-09-30 Tessera, Inc. Staged via formation from both sides of chip
WO2012098981A1 (ja) * 2011-01-20 2012-07-26 ローム株式会社 光学装置
KR101095945B1 (ko) * 2011-02-03 2011-12-19 테쎄라 노쓰 아메리카, 아이엔씨. 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지
KR20140015397A (ko) 2011-02-24 2014-02-06 플렉스트로닉스 에이피, 엘엘씨 카메라 모듈용 플래시 시스템
JP2012182309A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Seiko Instruments Inc 光学デバイス
JP5659903B2 (ja) * 2011-03-29 2015-01-28 ソニー株式会社 発光素子・受光素子組立体及びその製造方法
FR2973573A1 (fr) * 2011-04-01 2012-10-05 St Microelectronics Grenoble 2 Boitier semi-conducteur comprenant un dispositif semi-conducteur optique
CN103477242B (zh) * 2011-04-15 2015-08-12 欧司朗光电半导体有限公司 光电子装置
US20120290255A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Intersil Americas Inc. Clear layer isolation
CN103548148B (zh) * 2011-05-19 2016-09-28 欧司朗光电半导体有限公司 光电子装置和用于制造光电子装置的方法
US8552518B2 (en) * 2011-06-09 2013-10-08 Optiz, Inc. 3D integrated microelectronic assembly with stress reducing interconnects
DE102011105374B4 (de) * 2011-06-22 2021-12-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund
CN103022062B (zh) * 2011-07-19 2016-12-21 索尼公司 固体摄像器件及其制造方法和电子设备
US9018725B2 (en) * 2011-09-02 2015-04-28 Optiz, Inc. Stepped package for image sensor and method of making same
DE102011113483B4 (de) * 2011-09-13 2023-10-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
JP5558446B2 (ja) * 2011-09-26 2014-07-23 株式会社東芝 光電変換装置及びその製造方法
TWM428490U (en) * 2011-09-27 2012-05-01 Lingsen Precision Ind Ltd Optical module packaging unit
US8432011B1 (en) * 2011-12-06 2013-04-30 Optiz, Inc. Wire bond interposer package for CMOS image sensor and method of making same
SG11201403240UA (en) * 2011-12-22 2014-07-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Opto-electronic modules, in particular flash modules, and method for manufacturing the same
US8570669B2 (en) * 2012-01-23 2013-10-29 Optiz, Inc Multi-layer polymer lens and method of making same
US9185307B2 (en) 2012-02-21 2015-11-10 Semiconductor Components Industries, Llc Detecting transient signals using stacked-chip imaging systems
US8692344B2 (en) * 2012-03-16 2014-04-08 Optiz, Inc Back side illuminated image sensor architecture, and method of making same
TWI453923B (zh) * 2012-06-22 2014-09-21 Txc Corp Light sensing chip package structure
TW201417250A (zh) * 2012-07-17 2014-05-01 海特根微光學公司 光學模組，特別是光電模組，及其製造方法
US8921759B2 (en) * 2012-07-26 2014-12-30 Optiz, Inc. Integrated image sensor package with liquid crystal lens
WO2014034755A1 (ja) * 2012-08-30 2014-03-06 京セラ株式会社 受発光素子およびこれを用いたセンサ装置
US8759930B2 (en) * 2012-09-10 2014-06-24 Optiz, Inc. Low profile image sensor package
DE102012109183A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung
US9322901B2 (en) * 2013-02-20 2016-04-26 Maxim Integrated Products, Inc. Multichip wafer level package (WLP) optical device
US9219091B2 (en) * 2013-03-12 2015-12-22 Optiz, Inc. Low profile sensor module and method of making same
US20140264693A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Optiz, Inc. Cover-Free Sensor Module And Method Of Making Same
US9190443B2 (en) * 2013-03-12 2015-11-17 Optiz Inc. Low profile image sensor
US9538909B2 (en) * 2013-07-08 2017-01-10 Omnivision Technologies, Inc. Self-illuminating CMOS imaging package
JP2015060998A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 パナソニック株式会社 センサモジュールおよび当該センサモジュールに用いられる立体配線回路基板
US9667900B2 (en) * 2013-12-09 2017-05-30 Optiz, Inc. Three dimensional system-on-chip image sensor package
US9627573B2 (en) * 2014-02-21 2017-04-18 Maxim Integreated Products, Inc. Optical sensor having a light emitter and a photodetector assembly directly mounted to a transparent substrate
TWI667767B (zh) * 2014-03-31 2019-08-01 菱生精密工業股份有限公司 Package structure of integrated optical module

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160046872A (ko) 2016-04-29
KR101793850B1 (ko) 2017-11-03
CN105474625B (zh) 2018-11-27
JP6223580B2 (ja) 2017-11-01
US9496247B2 (en) 2016-11-15
HK1221100A1 (zh) 2017-05-19
TW201515461A (zh) 2015-04-16
WO2015031145A1 (en) 2015-03-05
JP2016535533A (ja) 2016-11-10
US20150054001A1 (en) 2015-02-26
CN105474625A (zh) 2016-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI524754B (zh) 整合式相機模組及其製造方法
US9373653B2 (en) Stepped package for image sensor
KR101837808B1 (ko) 와이어 본드 센서 패키지 및 방법
US9142695B2 (en) Sensor package with exposed sensor array and method of making same
TWI533444B (zh) 無蓋式感測器模組及其製造方法
US20160163755A1 (en) Image sensor chip sidewall interconnection
CN103681715A (zh) 低轮廓图像传感器封装和方法
KR101597467B1 (ko) 쿨링 피처를 갖는 센서 패키지와 이를 제조하는 방법
TWI525805B (zh) 低輪廓影像感測器
TWI520322B (zh) 低輪廓感測器模組及其製造方法
CN104051489B (zh) 小轮廓图像传感器