CN105470195A - Tft基板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF，ColorFilter)基板、薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-silicon，简称LTPS)，由于其具有高的电子迁移率，可以有效的减小TFT的器件的面积，从而提升像素的开口率。增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。
在LTPS制作工艺中会使用氮化硅，氧化硅或者氮化硅与氧化硅多层结构作为层间介电层(interlayerdielectric，ILD)，在后续氢化及活化的高温制程中由于附着力不佳或者应力不匹配容易使ILD膜脱落，极大影响产品良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，可以增强层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，从而防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率。
为实现上述目的，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在所述基板上形成间隔设置的第一遮光层与第二遮光层，在所述第一遮光层、第二遮光层与基板上形成缓冲层；
步骤2、在所述缓冲层上形成分别对应于第一遮光层与第二遮光层的第一多晶硅层与第二多晶硅层，分别对所述第一多晶硅层与第二多晶硅层进行离子掺杂，在所述多晶硅层上形成位于两侧的第一重掺杂区、位于中间的第一沟道区、及位于所述第一重掺杂区与第一沟道区之间的第一轻掺杂区，在所述第二多晶硅层上形成位于两侧的第二重掺杂区、及位于中间的第二沟道区；
步骤3、在所述第一多晶硅层、第二多晶硅层、及缓冲层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成分别对应于第一多晶硅层与第二多晶硅层的第一栅极与第二栅极；
步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层表面的附着力；
步骤5、在栅极绝缘层及第一栅极、第二栅极上沉积层间介电层，然后通过高温制程对所述层间介电层进行氢化和活化；
步骤6、对所述层间介电层及栅极绝缘层进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区上方的第一过孔及位于所述第二重掺杂区上方的第二过孔，之后在所述层间介电层上形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极与第一漏极分别通过第一过孔与第一重掺杂区相接触，所述第二源极与第二漏极分别通过第二过孔与第二重掺杂区相接触；
步骤7、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及层间介电层上制作平坦层，对所述平坦层进行图案化处理，得到位于所述第一漏极上方的第三过孔，在所述平坦层上依次制作公共电极与钝化层，所述钝化层包覆所述平坦层上的第三过孔，之后在覆盖所述第三过孔底部的钝化层上钻孔，使得所述第一漏极暴露出来，在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过第三过孔与第一漏极相接触。
所述步骤1中，所述基板为玻璃基板；所述第一遮光层与第二遮光层的材料为金属；所述缓冲层为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
所述步骤2中，所述离子掺杂的方式为离子植入机植入掺杂或者气相沉积掺杂。
所述步骤2中，所述第一重掺杂区、第一轻掺杂区为N型掺杂，所述第二重掺杂区为P型掺杂，或者所述第一重掺杂区、第一轻掺杂区为P型掺杂，所述第二重掺杂区为N型掺杂。
所述步骤4中，所述等离子体为氢气等离子体、氮气等离子体和氨气等离子体中的一种或多种。
所述步骤4具体为：将所述步骤3得到的基板放入等离子体化学气相沉积装置中，向等离子体化学气相沉积装置中通入氢气、氮气和氨气中的一种或多种，通过射频放电使通入的气体转化为等离子体，从而对基板进行等离子体处理，使其表面活化，增强栅极绝缘层表面的附着力。
所述等离子体化学气相沉积装置的射频放电功率介于200瓦至4千瓦之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氢气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氮气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氨气的流量介于1000sccm至15000sccm之间。
所述步骤5中，所述层间介电层为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层叠加构成的复合层。
所述层间介电层包括沉积于栅极绝缘层及第一栅极、第二栅极上的厚度为的氮化硅层以及沉积于氮化硅层上的厚度为的氧化硅层。
所述步骤5中，所述高温制程的温度为590℃。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的TFT基板的制作方法的示意流程图；
图2为本发明的TFT基板的制作方法的步骤1的示意图；
图3为本发明的TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
图4为本发明的TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
图5为本发明的TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
图6为本发明的TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
图7为本发明的TFT基板的制作方法的步骤6的示意图；
图8为本发明的TFT基板的制作方法的步骤7的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一基板10，在所述基板10上形成间隔设置的第一遮光层21与第二遮光层22，在所述第一遮光层21、第二遮光层22、及基板10上形成缓冲层30。
优选的，所述基板10为玻璃基板。
具体的，所述第一遮光层21与第二遮光层22的材料为金属。
具体的，所述缓冲层30为氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
步骤2、如图3所示，在所述缓冲层30上形成分别对应于第一遮光层21与第二遮光层22的第一多晶硅层40与第二多晶硅层90，分别对所述第一多晶硅层40与第二多晶硅层90进行离子掺杂，在所述多晶硅层40上形成位于两侧的第一重掺杂区41、位于中间的第一沟道区42、及位于所述第一重掺杂区41与第一沟道区42之间的第一轻掺杂区43，在所述第二多晶硅层90上形成位于两侧的第二重掺杂区91、及位于中间的第二沟道区92。
具体的，所述离子掺杂的方式可以为离子植入机植入掺杂或者气相沉积掺杂。
具体的，所述第一重掺杂区41、第一轻掺杂区43为N型掺杂，所述第二重掺杂区91为P型掺杂，或者所述第一重掺杂区41、第一轻掺杂区43为P型掺杂，所述第二重掺杂区91为N型掺杂。
具体的，所述N型掺杂掺入的离子为磷离子或砷离子；所述P型掺杂掺入的离子硼离子或镓离子。
通过在第一多晶硅层40与第二多晶硅层90下方分别设置第一遮光层21与第二遮光层22，可以对第一多晶硅层40的第一沟道区42及第二多晶硅层90的第二沟道区92进行覆盖，避免光线射入，从而可以降低TFT器件的漏电流，提高TFT器件的电学性能。
步骤3、如图4所示，在所述第一多晶硅层40、第二多晶硅层90、及缓冲层30上沉积栅极绝缘层51，在所述栅极绝缘层51上形成分别对应于第一多晶硅层40与第二多晶硅层90的第一栅极52与第二栅极93。
步骤4、如图5所示，对暴露出来的栅极绝缘层51表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层51表面的附着力。
具体的，所述等离子体可以为氢气等离子体、氮气等离子体和氨气等离子体中的一种或多种。
所述步骤4具体可以为：将所述步骤3得到的基板放入等离子体化学气相沉积装置中，向等离子体化学气相沉积装置中通入氢气、氮气和氨气中的一种或多种，通过射频放电使通入的气体转化为等离子体，从而对基板进行等离子体处理，使其表面活化，增强栅极绝缘层51表面的附着力。具体的，所述等离子体化学气相沉积装置的射频放电功率介于200瓦至4千瓦之间，优选为2800瓦。具体的，向等离子体化学气相沉积装置中通入的氢气的流量介于1000sccm至15000sccm之间，优选为8000sccm；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氮气的流量介于1000sccm至15000sccm之间，优选为10000sccm；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氨气的流量介于1000sccm至15000sccm之间。
步骤5、如图6所示，在栅极绝缘层51及第一栅极52、第二栅极93上沉积层间介电层53，然后通过高温制程对所述层间介电层53进行氢化和活化。
具体的，所述层间介电层53可以为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层叠加构成的复合层；优选的，所述层间介电层53为氮化硅层与氧化硅层叠加构成的复合层，包括沉积于栅极绝缘层51及第一栅极52、第二栅极93上的厚度为的氮化硅层以及沉积于氮化硅层上的厚度为的氧化硅层。
具体的，所述高温制程的温度一般为590℃，传统的TFT基板制程中，在该高温制程中经常会发生层间介电层53(ILD膜)裂纹或者脱落的问题，而在本申请的制程中，由于在沉积层间介电层53之前已经对栅极绝缘层51进行等离子体处理，增强了其附着力，从而增强了层间介电层53与栅极绝缘层51之间的粘着力，可以有效防止后高温制程造成层间介电层53裂纹或者脱落的问题，提高产品良率。
步骤6、如图7所示，对所述层间介电层53及栅极绝缘层51进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区41上方的第一过孔55及位于所述第二重掺杂区91上方的第二过孔95，之后在所述层间介电层53上形成第一源极61、第一漏极62、第二源极96、第二漏极97，所述第一源极61与第一漏极62分别通过第一过孔55与第一重掺杂区41相接触，所述第二源极96与第二漏极97分别通过第二过孔95与第二重掺杂区91相接触。
步骤7、如图8所示，在所述第一源极61、第一漏极62、第二源极96、第二漏极97、及层间介电层53上制作平坦层70，对所述平坦层70进行图案化处理，得到位于所述第一漏极62上方的第三过孔71，在所述平坦层70上依次制作公共电极80与钝化层81，所述钝化层81包覆所述平坦层70上的第三过孔71，之后在覆盖所述第三过孔71底部的钝化层81上钻孔，使得所述第一漏极62暴露出来，在所述钝化层81上形成像素电极82，所述像素电极82通过第三过孔71与第一漏极62相接触。
综上所述，本发明提供的一种TFT基板的制作方法，通过在沉积层间介电层之前对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，增强其表面附着力，之后在栅极绝缘层上沉积层间介电层，从而增强了层间介电层与栅极绝缘层之间的粘着力，可以防止在后高温制程中造成层间介电层裂纹或者脱落的问题，提高产品良率，提高TFT基板的电学性能。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成间隔设置的第一遮光层(21)与第二遮光层(22)，在所述第一遮光层(21)、第二遮光层(22)与基板(10)上形成缓冲层(30)；
步骤2、在所述缓冲层(30)上形成分别对应于第一遮光层(21)与第二遮光层(22)的第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)，分别对所述第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)进行离子掺杂，在所述多晶硅层(40)上形成位于两侧的第一重掺杂区(41)、位于中间的第一沟道区(42)、及位于所述第一重掺杂区(41)与第一沟道区(42)之间的第一轻掺杂区(43)，在所述第二多晶硅层(90)上形成位于两侧的第二重掺杂区(91)、及位于中间的第二沟道区(92)；
步骤3、在所述第一多晶硅层(40)、第二多晶硅层(90)、及缓冲层(30)上沉积栅极绝缘层(51)，在所述栅极绝缘层(51)上形成分别对应于第一多晶硅层(40)与第二多晶硅层(90)的第一栅极(52)与第二栅极(93)；
步骤4、对暴露出来的栅极绝缘层(51)表面进行等离子体处理，以增强栅极绝缘层(51)表面的附着力；
步骤5、在栅极绝缘层(51)及第一栅极(52)、第二栅极(93)上沉积层间介电层(53)，然后通过高温制程对所述层间介电层(53)进行氢化和活化；
步骤6、对所述层间介电层(53)及栅极绝缘层(51)进行图案化处理，得到位于所述第一重掺杂区(41)上方的第一过孔(55)及位于所述第二重掺杂区(91)上方的第二过孔(95)，之后在所述层间介电层(53)上形成第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)，所述第一源极(61)与第一漏极(62)分别通过第一过孔(55)与第一重掺杂区(41)相接触，所述第二源极(96)与第二漏极(97)分别通过第二过孔(95)与第二重掺杂区(91)相接触；
步骤7、在所述第一源极(61)、第一漏极(62)、第二源极(96)、第二漏极(97)、及层间介电层(53)上制作平坦层(70)，对所述平坦层(70)进行图案化处理，得到位于所述第一漏极(62)上方的第三过孔(71)，在所述平坦层(70)上依次制作公共电极(80)与钝化层(81)，所述钝化层(81)包覆所述平坦层(70)上的第三过孔(71)，之后在覆盖所述第三过孔(71)底部的钝化层(81)上钻孔，使得所述第一漏极(62)暴露出来，在所述钝化层(81)上形成像素电极(82)，所述像素电极(82)通过第三过孔(71)与第一漏极(62)相接触。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述基板(10)为玻璃基板；所述第一遮光层(21)与第二遮光层(22)的材料为金属；所述缓冲层(30)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述离子掺杂的方式为离子植入机植入掺杂或者气相沉积掺杂。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述第一重掺杂区(41)、第一轻掺杂区(43)为N型掺杂，所述第二重掺杂区(91)为P型掺杂，或者所述第一重掺杂区(41)、第一轻掺杂区(43)为P型掺杂，所述第二重掺杂区(91)为N型掺杂。
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4中，所述等离子体为氢气等离子体、氮气等离子体和氨气等离子体中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4具体为：将所述步骤3得到的基板放入等离子体化学气相沉积装置中，向等离子体化学气相沉积装置中通入氢气、氮气和氨气中的一种或多种，通过射频放电使通入的气体转化为等离子体，从而对基板进行等离子体处理，使其表面活化，增强栅极绝缘层(51)表面的附着力。
7.如权利要求6所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述等离子体化学气相沉积装置的射频放电功率介于200瓦至4千瓦之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氢气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氮气的流量介于1000sccm至15000sccm之间；向等离子体化学气相沉积装置中通入的氨气的流量介于1000sccm至15000sccm之间。
8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，所述层间介电层(53)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层叠加构成的复合层。
9.如权利要求8所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述层间介电层(53)包括沉积于栅极绝缘层(51)及第一栅极(52)、第二栅极(93)上的厚度为的氮化硅层以及沉积于氮化硅层上的厚度为的氧化硅层。
10.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中，所述高温制程的温度为590℃。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107046003A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-08-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅tft基板及其制作方法 |
| CN107256869A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-10-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN108305879A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-20 | 昆山龙腾光电有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置 |
| WO2019232955A1 (zh) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板 |
| WO2020155399A1 (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN111987110A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020014625A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-07 | Taketomi Asami | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN101071816A (zh) * | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| US20080142804A1 (en) * | 2004-04-06 | 2008-06-19 | Kum-Mi Oh | Liquid crystal display device including driving circuit and method of fabricating the same |
| CN103700710A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | Tcl集团股份有限公司 | Igzo薄膜晶体管及其制备方法 |
-
2016
- 2016-01-04 CN CN201610003067.XA patent/CN105470195B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020014625A1 (en) * | 2000-08-02 | 2002-02-07 | Taketomi Asami | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US20080142804A1 (en) * | 2004-04-06 | 2008-06-19 | Kum-Mi Oh | Liquid crystal display device including driving circuit and method of fabricating the same |
| CN101071816A (zh) * | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| CN103700710A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-04-02 | Tcl集团股份有限公司 | Igzo薄膜晶体管及其制备方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107046003A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-08-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅tft基板及其制作方法 |
| WO2018218712A1 (zh) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅tft基板及其制作方法 |
| CN107046003B (zh) * | 2017-06-02 | 2019-05-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 低温多晶硅tft基板及其制作方法 |
| US10355138B2 (en) | 2017-06-02 | 2019-07-16 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | LTPS TFT substrate and method for manufacturing the same |
| CN107256869A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-10-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法 |
| CN108305879A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-20 | 昆山龙腾光电有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置 |
| WO2019232955A1 (zh) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft阵列基板的制造方法及tft阵列基板 |
| WO2020155399A1 (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| CN111987110A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-24 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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