CN105439212B - 一种电池级氢氧化钴的制备方法 - Google Patents

一种电池级氢氧化钴的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种电池级氢氧化钴的制备方法,包括如下步骤:以氨水溶液为底液,将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到所述底液中反应得到氢氧化钴,其中,所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制反应体系的pH值为9.8~10.5,温度为50~70℃;所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制反应体系的pH值为10.5~11.5,温度为40~50℃。本发明的实施例的电池级氢氧化钴的制备方法,通过分阶段控制反应条件,提高了反应效率,缩短了反应周期,制备出大粒径的电池级氢氧化钴。

Description

一种电池级氢氧化钴的制备方法
技术领域
本发明属于氢氧化钴技术领域,具体涉及一种电池级氢氧化钴的制备方法。
背景技术
球形氢氧化钴是制备电池材料钴酸锂的重要原料,为了获得具有高填充密度和高能量密度的钴酸锂,就要求氢氧化钴不但要有完整的球形形貌,还要有高的堆积密度以及一定的粒度分布,且微观形貌最好是由细晶粒聚集而成的球形颗粒,因细晶粒组成的氢氧化钴活性高,制备的电池材料性能更好。
现有技术中氢氧化钴很少采用连续合成工艺,且合成的颗粒较细,分布不均,产品一致性差;现有技术中为制备大粒径氢氧化钴,防止氢氧化钴氧化一般在反应体系中加入还原剂,但还原剂的加入,也会将氢氧化钴还原成单质钴,影响产品品质。
氢氧化钴在合成时容易形成胶体或絮状物。胶体或絮状物的氢氧化钴难以洗涤过滤,且易被空气中的氧气氧化成棕黑色的Co(OH)3。由于氢氧化钴溶度积较小,在无络合剂存在条件下,易局部过饱和,形成大量晶核,使得洗涤过滤困难,造成产品杂质高。目前,报道的方法中大多通过添加络合剂来控制晶体的生长,改善产品形貌和提高过滤性能。主要的络合剂有氨水或铵盐、酒石酸钠、乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸等。OMG芬兰公司公开的专利(CN1359353)将氢氧根离子加入钴盐溶液中形成金属氢氧化物,制得片状颗粒产品。但是该方法制备的氢氧化钴为片状且粒径较小。
发明内容
本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足,提供一种电池级氢氧化钴的制备方法,可以制备大粒径的电池级氢氧化钴。
为了实现上述发明目的,本发明实施例的技术方案如下:
一种电池级氢氧化钴的制备方法,包括如下步骤:
以氨水溶液为底液,将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到所述底液中反应得到氢氧化钴,其中,
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制反应体系的pH值为9.8~10.5,温度为50~70℃;
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制反应体系的pH值为10.5~11.5,温度为40~50℃。
本发明的实施例的电池级氢氧化钴的制备方法,通过分阶段控制反应条件,提高了反应效率,缩短了反应周期,制备出大粒径的电池级氢氧化钴。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1为本发明的实施例1的电池级氢氧化钴的扫描电镜图一;
图2为本发明的实施例1的电池级氢氧化钴的扫描电镜图二;
图3为本发明的实施例3的电池级氢氧化钴的扫描电镜图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例的电池级氢氧化钴的制备方法,包括如下步骤:
步骤S01:以氨水溶液为底液;
步骤S02:向底液中通入氮气;
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴;
步骤S04:将氢氧化钴洗涤、干燥。
具体地,上述过程的反应装置可以是反应釜。
具体地,步骤S01中,底液的氨浓度为3~20g/L,底液的pH为9.8~12.8,底液的温度为50~70℃。本发明中的底液的氨浓度均指的是每升底液中的NH3的质量(w/v)。
上述氨浓度可以有利于氢氧化钴颗粒的生长与粒径控制。由于氢氧化钴溶度积较小,如果氨浓度小于3g/L,氨与钴的络合较少,氢氧化钠加入时易使局部过饱和,形成大量晶核,使得洗涤过滤困难,造成产品杂质高,同时粒径生长缓慢;如果氨浓度高于20g/L,氨与钴络合较多,导致母液中钴浓度太高,影响钴的沉淀率。
上述底液的温度可以有利于氢氧化钴颗粒的生长与粒径控制,如果温度低于50℃,氢氧化钴颗粒生长缓慢且易团聚;高于70℃,体系中的氨易挥发,影响氨的利用率。
具体地,步骤S02中,通入氮气的目的是为了将反应装置内空气置换出来,使反应体系处于惰性的气氛中,不会由于存在氧气而使之后生成的氢氧化钴氧化为Co(OH)3。为了实现更好的效果,还可以密封反应装置,比如密封反应釜。
具体地,钴盐可以是氯化钴、硝酸钴、硫酸钴等。
具体地,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为10~32%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为10~20%,钴盐溶液中钴盐的浓度为60~180g/L。本发明中的氢氧化钠的质量浓度均指的是氢氧化钠在氢氧化钠溶液中的质量百分含量(w/w)。本发明中的并流加入的氨水溶液中的氨浓度均指的是NH3在氨水溶液中的质量百分含量(w/w)。
上述选取的氢氧化钠浓度、氨浓度和钴盐浓度可以有利于氢氧化钴颗粒的生长与粒径控制,以及有利于控制体系的固含量。如果浓度太小,体系中固含量小,体系中生成的氢氧化钴互相碰撞的机率低,从而密度较低;如浓度太大,易造成局部过饱和度高,易生长细晶核,影响粒径控制。
具体地,步骤S03分阶段进行,其中,
第一个阶段为:反应的过程中,当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制反应体系的pH值为9.8~10.5,温度为50~70℃;
第二个阶段为:反应的过程中,当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制反应体系的pH值为10.5~11.5,温度为40~50℃。
由于氢氧化钴的溶度积很小,在无络合剂条件下,易产生大量氢氧化钴晶核,颗粒很细。因此,络合剂的引入,可控制其成核速率和颗粒生长速度。本发明的实施例采用氨水为络合剂,络合剂的应用原理是先将氨离子与钴离子络合为钴氨络离子,再用氢氧根去沉淀游离的钴离子,破坏络合平衡,使钴氨络离子逐步释放钴离子,与氢氧根沉淀,控制了沉淀的速度,从而使氢氧化钴晶体的生长速度大于成核速度,得到结构比较紧密,颗粒比较粗的氢氧化钴。
通过碱的加入量调节反应pH值的高低,影响氢氧化钴的成核和生长速度。在反应的初期,低pH值和高温有利于晶核的生长,减少晶核数量的形成。当粒径接近或达到目标值时,提高反应pH值和降低反应温度,可以增加晶核的生成量,减缓颗粒生长速度,达到调整颗粒生长的目的。本发明的实施例的电池级氢氧化钴的制备方法正是基于上述原理通过分阶段控制反应条件,提高了反应效率,缩短了反应周期,制备出大粒径的电池级氢氧化钴。
此外,为了进一步提高反应效率,缩短反应周期,制备出效果更好的大粒径的电池级氢氧化钴,还可以对步骤S03中的以下工艺条件进行控制。
第一阶段的反应的过程中,当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,可以进一步控制反应体系中的氨浓度为8~20g/L(该氨浓度指的是反应体系中每升溶液中的NH3的质量),钴盐溶液的流量为100~250L/h,氢氧化钠溶液的流量为100~200L/h,氨水溶液的流量为30~50L/h,氮气的流量为1m3/h。
第一阶段的反应的过程中,通过控制反应体系中的氨浓度可以控制氨与钴的络合比例,络合的部分钴逐步释放出钴离子,在已生成的氢氧化钴颗粒基础上生长,减少晶核的形成数量,有利于提高颗粒的生长速度。
第二阶段的反应的过程中,当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,可以进一步控制反应体系中的氨浓度为3~8g/L(该氨浓度指的是反应体系中每升溶液中的NH3的质量),钴盐溶液的流量为20~50L/h,氢氧化钠溶液的流量为10~80L/h,氨水溶液的流量为3~20L/h,氮气的流量为0.8m3/h。
第二阶段的反应的过程中,逐步降低氨浓度,减少钴与氨的络合,使体系中更多地生长氢氧化钴晶核,稳定氢氧化钴颗粒的粒径在一定的范围内。
步骤S03的反应的过程中,还可以分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。氢氧化钠溶液、钴盐溶液和氨水溶液经反应装置底部加入,在搅拌的作用下,充分反应,反应过程中,经母液分离器把母液溢流分离,分离出的母液不再返回反应体系中,制备的氢氧化钴固体在重力作用下返回反应装置内。
检测分离母液中的钴浓度,分离出的母液中的钴浓度应控制在50mg/L以内。如果钴浓度过高,则表明钴盐反应不充分,可调整进料速度,延长停留时间,使反应更充分,达到钴盐等反应物的最大化利用。
为了增加反应体系的固含量,需要保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。通过调整进料量、颗粒生长速度和溢流量,维持氢氧化钴的固含量在1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。维持体系中的氢氧化钴的固含量,增加颗粒与颗粒间的碰撞机率,有利于提高氢氧化钴的密度。
当氢氧化钴的D50达到目标粒径时,打开反应釜溢流阀,连续排出氢氧化钴产物,洗涤干燥成产品。
下面以具体实施例来说明本发明的技术方案。
实施例1
步骤S01:以氨水溶液为底液。
底液的氨浓度为20g/L,底液的pH为12.8,底液的温度为70℃。
步骤S02:向底液中通入氮气。
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴。
其中,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为32%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为10%,钴盐溶液中钴盐的浓度为180g/L。
步骤S03分为两个阶段,其中,
第一个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制钴盐溶液的流量为250L/h,氢氧化钠溶液的流量为100L/h,氨水溶液的流量为50L/h,氮气的流量为1m3/h,pH值为9.8,温度为70℃,反应体系中的氨浓度为20g/L;
第二个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制钴盐溶液的流量为20L/h,氢氧化钠溶液的流量为10L/h,氨水溶液的流量为3L/h,氮气的流量为0.8m3/h,pH值逐步提高到10.5,温度为50℃,反应体系中的氨浓度为8g/L。
步骤S03的过程中,当氢氧化钴粒径达到35.9μm时,打开溢流排料阀,使氢氧化钴连续排出反应釜。
步骤S03的过程中,当反应生成氢氧化钴后,分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。分离出的母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
步骤S04:排出的氢氧化钴离心分离母液,60℃热纯水洗涤30分钟,120℃干燥4小时,筛分破碎得到电池级氢氧化钴成品。
实施例1的电池级氢氧化钴成品的物理指标如表1所示,实施例1的电池级氢氧化钴成品的扫描电镜图如图1和图2所示。从图1和图2可以看出,该电池级氢氧化钴成品的粒径较大,形貌接近球形,但是颗粒的粒径不太均一。
实施例2
步骤S01:以氨水溶液为底液。
底液的氨浓度为15g/L,底液的pH为11.9,底液的温度为55℃。
步骤S02:向底液中通入氮气。
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴。
其中,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为25%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为20%,钴盐溶液中钴盐的浓度为120g/L。
步骤S03分为两个阶段,其中,
第一个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制钴盐溶液的流量为200L/h,氢氧化钠溶液的流量为150L/h,氨水溶液的流量为50L/h,氮气的流量为1m3/h,pH值为10.0,温度为70℃,反应体系中的氨浓度为10g/L;
第二个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制钴盐溶液的流量为20L/h,氢氧化钠溶液的流量为10L/h,氨水溶液的流量为3L/h,氮气的流量为0.8m3/h,pH值逐步提高到10.5,温度为50℃,反应体系中的氨浓度为6g/L。
步骤S03的过程中,当氢氧化钴粒径达到28.79μm时,打开溢流排料阀,使氢氧化钴连续排出反应釜。
步骤S03的过程中,当反应生成氢氧化钴后,分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。分离出的母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
步骤S04:排出的氢氧化钴离心分离母液,60℃热纯水洗涤30分钟,120℃干燥4小时,筛分破碎得到电池级氢氧化钴成品。
实施例2的电池级氢氧化钴成品的物理指标如表1所示。
实施例3
步骤S01:以氨水溶液为底液。
底液的氨浓度为10g/L,底液的pH为11.2,底液的温度为55℃。
步骤S02:向底液中通入氮气。
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴。
其中,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为20%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为15%,钴盐溶液中钴盐的浓度为80g/L。
步骤S03分为两个阶段,其中,
第一个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制钴盐溶液的流量为150L/h,氢氧化钠溶液的流量为200L/h,氨水溶液的流量为50L/h,氮气的流量为1m3/h,pH值为10.2,温度为60℃,反应体系中的氨浓度为10g/L;
第二个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制钴盐溶液的流量为50L/h,氢氧化钠溶液的流量为80L/h,氨水溶液的流量为20L/h,氮气的流量为0.8m3/h,pH值逐步提高到10.8,温度为48℃,反应体系中的氨浓度为6g/L。
步骤S03的过程中,当氢氧化钴粒径达到21.89μm时,打开溢流排料阀,使氢氧化钴连续排出反应釜。
步骤S03的过程中,当反应生成氢氧化钴后,分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。分离出的母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
步骤S04:排出的氢氧化钴离心分离母液,60℃热纯水洗涤30分钟,120℃干燥4小时,筛分破碎得到电池级氢氧化钴成品。
实施例3的电池级氢氧化钴成品的物理指标如表1所示,实施例3的电池级氢氧化钴成品的扫描电镜图如图3所示。从图3可以看出,该电池级氢氧化钴成品的粒径较大,形貌接近球形,颗粒的粒径均一。
实施例4
步骤S01:以氨水溶液为底液。
底液的氨浓度为6g/L,底液的pH为10.8,底液的温度为50℃。
步骤S02:向底液中通入氮气。
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴。
其中,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为10%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为10%,钴盐溶液中钴盐的浓度为60g/L。
步骤S03分为两个阶段,其中,
第一个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制钴盐溶液的流量为100L/h,氢氧化钠溶液的流量为100L/h,氨水溶液的流量为30L/h,氮气的流量为1m3/h,pH值为10.3,温度为50℃,反应体系中的氨浓度为8g/L;
第二个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制钴盐溶液的流量为50L/h,氢氧化钠溶液的流量为50L/h,氨水溶液的流量为13L/h,氮气的流量为0.8m3/h,pH值逐步提高到11.2,温度为40℃,反应体系中的氨浓度为6g/L。
步骤S03的过程中,当氢氧化钴粒径达到15.37μm时,打开溢流排料阀,使氢氧化钴连续排出反应釜。
步骤S03的过程中,当反应生成氢氧化钴后,分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。分离出的母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
步骤S04:排出的氢氧化钴离心分离母液,60℃热纯水洗涤30分钟,120℃干燥4小时,筛分破碎得到电池级氢氧化钴成品。
实施例4的电池级氢氧化钴成品的物理指标如表1所示。
实施例5
步骤S01:以氨水溶液为底液。
底液的氨浓度为3g/L,底液的pH为9.8,底液的温度为50℃。
步骤S02:向底液中通入氮气。
步骤S03:将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到底液中反应得到氢氧化钴。
其中,氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为20%,并流加入的氨水溶液中氨浓度为15%,钴盐溶液中钴盐的浓度为80g/L。
步骤S03分为两个阶段,其中,
第一个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制钴盐溶液的流量为150L/h,氢氧化钠溶液的流量为200L/h,氨水溶液的流量为50L/h,氮气的流量为1m3/h,pH值为10.5,温度为50℃,反应体系中的氨浓度为8g/L;
第二个阶段为:当氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制钴盐溶液的流量为50L/h,氢氧化钠溶液的流量为80L/h,氨水溶液的流量为20L/h,氮气的流量为0.8m3/h,pH值逐步提高到11.5,温度为40℃,反应体系中的氨浓度为3g/L。
步骤S03的过程中,当氢氧化钴粒径达到11.42μm时,打开溢流排料阀,使氢氧化钴连续排出反应釜。
步骤S03的过程中,当反应生成氢氧化钴后,分离出母液,将反应得到的氢氧化钴保留在反应体系中。分离出的母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。当反应体系中的氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将氢氧化钴溢流,以保持反应体系中的氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
步骤S04:排出的氢氧化钴离心分离母液,60℃热纯水洗涤30分钟,120℃干燥4小时,筛分破碎得到电池级氢氧化钴成品。
实施例5的电池级氢氧化钴成品的物理指标如表1所示。
表1实施例产品物理指标
序号 D10(μm) D50(μm) D90(μm) AD(g/cm3) TD(g/cm3)
实施例1 25.82 35.9 52.87 1.76 2.52
实施例2 16.83 28.79 46.59 1.63 2.31
实施例3 13.07 21.98 43.34 1.47 2.06
实施例4 11.16 15.37 31.8 1.34 1.78
实施例5 8.26 11.42 25.67 1.26 1.65
注:表中AD为松装密度,TD为振实密度。
从表1可以看出,本发明的制备方法制备得到的电池级氢氧化钴的粒径较大。反应过程的pH值较低、温度越高,颗粒生长的速度越快,有利于得到大颗粒的氢氧化钴,反应过程的pH值较高、温度越低,颗粒生长的速度慢,成核速度快,有利于得到小颗粒的氢氧化钴,根据参数调整,可生产出不同粒径的电池级氢氧化钴产品,适用于不同牌号电池材料的需求。
综上所述,本发明的实施例的电池级氢氧化钴的制备方法,通过分阶段控制反应条件,提高了反应效率,缩短了反应周期,制备出大粒径的电池级氢氧化钴。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
以氨水溶液为底液,将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到所述底液中反应得到氢氧化钴,其中,
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制反应体系的pH值为9.8~10.5,温度为50~70℃;
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制反应体系的pH值为10.5~11.5,温度为40~50℃;
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,所述反应体系中的氨浓度为8~20g/L;
所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,所述反应体系中的氨浓度为3~8g/L。
2.如权利要求1所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径小于10μm时,控制所述钴盐溶液的流量为100~250L/h,所述氢氧化钠溶液的流量为100~200L/h,所述氨水溶液的流量为30~50L/h,所述氮气的流量为1m3/h。
3.如权利要求1所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述反应的过程中,当所述氢氧化钴的D50粒径达到10μm后,控制所述钴盐溶液的流量为20~50L/h,所述氢氧化钠溶液的流量为10~80L/h,所述氨水溶液的流量为3~20L/h,所述氮气的流量为0.8m3/h。
4.如权利要求1所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述反应的过程中,分离出母液,将反应得到的所述氢氧化钴保留在所述反应体系中,分离出的所述母液中的钴浓度控制在50mg/L以内,保持所述反应体系中的所述氢氧化钴的固含量为1500g/L以内。
5.如权利要求4所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述反应的过程中,当所述反应体系中的所述氢氧化钴的固含量超过1500g/L时,将所述氢氧化钴溢流。
6.如权利要求1~5任一项所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述氢氧化钠溶液中氢氧化钠的质量浓度为10~32%,所述并流加入的氨水溶液中氨浓度为10~20%,所述钴盐溶液中钴盐的浓度为60~180g/L。
7.如权利要求1~5任一项所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述底液的氨浓度为3~20g/L,所述底液的pH为9.8~12.8,所述底液的温度为50~70℃。
8.如权利要求1~5任一项所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于:所述将氢氧化钠溶液、钴盐溶液、氨水溶液和氮气并流加入到所述底液中的过程之前,向所述底液中通入氮气。
9.如权利要求1~5任一项所述的电池级氢氧化钴的制备方法,其特征在于,所述反应得到氢氧化钴的过程之后,还包括:将所述氢氧化钴洗涤、干燥。
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