CN105415803B - 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途 - Google Patents

一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途 Download PDF

Info

Publication number
CN105415803B
CN105415803B CN201510971671.7A CN201510971671A CN105415803B CN 105415803 B CN105415803 B CN 105415803B CN 201510971671 A CN201510971671 A CN 201510971671A CN 105415803 B CN105415803 B CN 105415803B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
capacitor material
buried capacitor
dielectric layer
layer according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510971671.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105415803A (zh
Inventor
柴颂刚
刘潜发
郝良鹏
殷卫峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shengyi Technology Co Ltd
Original Assignee
Shengyi Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shengyi Technology Co Ltd filed Critical Shengyi Technology Co Ltd
Priority to CN201510971671.7A priority Critical patent/CN105415803B/zh
Publication of CN105415803A publication Critical patent/CN105415803A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105415803B publication Critical patent/CN105415803B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/16—Layered products comprising a layer of metal next to a particulate layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
    • B32B2260/025—Particulate layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/046—Synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/107—Ceramic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/204—Di-electric

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途，所述介质层包含柔韧性良好的树脂组合物层，所述树脂组合物层由树脂组合物形成，所述树脂组合物含有经无机填料包覆处理的陶瓷填料，所述无机填料为二氧化硅/或氧化铝。在本发明中，通过添加经特定无机填料包覆处理的陶瓷填料，可以使埋容材料具有高的介电强度和介电常数，其制备得到的固化物的介电强度可以高达110‑180KV/mm，介电常数可达8.2‑13.4。

Description

一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途
技术领域
本发明属于埋容材料技术领域，涉及一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途。
背景技术
随着电子器件向着高功能化、微型化方向发展，电子系统中的无源器件所占的比重越来越大。例如在手机中无源器件的数量是有源器件的20倍。目前无源器件主要采用表面贴装的方式(如分立式电容器件)，占据着基板的大量空间，且面上互连长度和焊接点多，使得材料和系统的电性能及可靠性能大为降低。为了提供更加轻巧、性能更好、价格便宜、性能的可靠性更强的电子系统，将过去表面贴装型封装系统转换为埋入式封装系统是唯一的选择。在所有的无源器件中，电容器的数量最多，受到更加特别的关注。
为了节省电路板表面的空间并减少电磁干扰，将分立式电容器件以平板电容的材料形式(上下为两块金属电极，中间为绝缘介质的平板结构)埋进(层压进)多层印制电路板(PCB)中，是解决问题的趋势。
预获得具有较高应用价值的埋入式电容器，其介质材料需要具有高的电容率、较高的耐电压强度(低渗漏电流)、介质与金属电极之间有较高的剥离强度，以及具有良好的耐热性能和加工性能。
众所周知，作为埋入式电容器为了获得高的电容率需要具有薄的介质层厚度和较高的介电常数，以及较高的耐压强度。
为了解决耐电压强度的问题，美国申请专利US6693793揭示了一种中间加入耐热有机薄膜来作为支撑材料，来提高埋容材料的强度(即解决了脆性)和提高耐压强度，但是因为使用了介电常数低的有机薄膜作为中间夹层，所获得的埋容材料的介电常数不高。
关于陶瓷填料的表面修饰，DE102009037691A8通过在填料表面形成一层有机壳层，提高填料的分散性，但此方法对提高耐电压强度帮助不大。
CN103382240公开了一种高介电常数的钛酸钡/聚合物复合材料，所述复合材料包括如下体积百分含量的各组分：单核1～60％，内壳3～30％，外壳20～80％，所述单核为钛酸钡陶瓷颗粒，所述内壳为相对介电常数为4～10的聚酰胺，所述外壳为相对介电常数为3～4的聚甲基丙烯酸甲酯。
CN103987766A提供了涂覆的聚合物组合物，包含聚合物衬底和沉积在其至少一个表面上的无机材料，其中，与相同组合物的未涂覆的聚合物衬底相比，涂覆的聚合物组合物具有改善的介电强度。其中，所述聚合物衬底包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、尼龙、聚对苯二甲酸乙酯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、超高分子量聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚砜、聚酰胺、芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁酯、聚苯醚、丙烯腈丁二烯苯乙烯、聚醚酮、聚醚醚酮、聚甲醛塑料、聚偏氟乙烯、乙酸纤维素、或它们的组合，所述无机材料包含二氧化硅。
但是，上述已有技术提供的复合材料均无法有效改善埋容材料的耐电压强度和介电常数。
发明内容
针对已有技术的问题，本发明的目的在于提供一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途。采用该介质层的埋容材料具有高的介电强度和介电常数。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一方面，本发明提供一种埋容材料用介质层，所述介质层包含柔韧性良好的树脂组合物层，所述树脂组合物层由树脂组合物形成，所述树脂组合物含有经无机填料包覆处理的陶瓷填料，所述无机填料为二氧化硅和/或氧化铝。
在本发明中，通过添加经特定无机填料包覆处理的陶瓷填料，可以使埋容材料具有高的介电强度和介电常数。
优选地，所述无机填料占陶瓷填料总重量的0.1～20％，例如0.2％、0.4％、0.6％、0.8％、1％、3％、5％、7％、9％、10％、12％、14％、15％、16％、18％或19％。
在本发明中，所述柔韧性良好的树脂组合物层指拉伸弹性模量为1000～10000MPa，延伸率为8～30％的树脂组合物层。
优选地，所述陶瓷填料选自二氧化钛、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙钡、钛酸锆铅陶瓷或钛酸铅-铌镁酸铅中的任意一种或者至少两种的混合物。所述混合物可以为但不限于二氧化钛和钛酸钡的混合物，钛酸钡和钛酸锶的混合物，钛酸锶和钛酸锶钡的混合物，钛酸钙钡和钛酸锆铅陶瓷的混合物，钛酸锆铅陶瓷和钛酸铅-铌镁酸铅的混合物，二氧化钛、钛酸钡和钛酸锶的混合物，钛酸锶钡、钛酸钙钡和钛酸锆铅陶瓷的混合物。
为了减少因粒径过大可能产生的渗漏电流增大的影响，优选地，所述陶瓷填料的粒径中度值为10～1500nm，例如50nm、120nm、180nm、250nm、350nm、450nm、550nm、750nm、950nm、1000nm、1100nm、1150nm、1300nm或1400nm，优选100～800nm，进一步优选200～700nm。
为了能够获得更大的介电常数，以及为获得更大的介电常数而添加更大量陶瓷填料，其在树脂中的分散性变差影响工艺性能，本发明树脂组合物层中陶瓷填料的体积百分率为15～50％，例如17％、20％、23％、26％、29％、32％、35％、38％、41％、44％或47％，优选20～45％，进一步优选30～40％，这样可保证既能获得相对高的介电常数，又能使得填料在树脂中的分散良好。
所述陶瓷填料的体积百分率定义如下：
体积百分率Vol％＝V填料/(V树脂+V填料)，其中Vol％就是陶瓷填料的体积百分率，V树脂为树脂组合物层中树脂的体积，V填料为树脂组合物层中陶瓷填料的体积。
优选地，所述树脂组合物层中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、丁苯树脂、PTFE树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、液晶树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、酚氧树脂或丁腈橡胶的任意一种或者至少两种的混合物。所述混合物例如环氧树脂和氰酸酯树脂的混合物，聚苯醚树脂和聚丁二烯树脂的混合物，丁苯树脂和PTFE树脂的混合物，酚醛树脂和丙烯酸酯树脂的混合物，聚酰亚胺树脂和液晶树脂的混合物，双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)和双马来酰亚胺树脂的混合物，苯并恶嗪树脂和酚氧树脂的混合物，丁腈橡胶和PTFE树脂的混合物，环氧树脂、氰酸酯树脂和聚苯醚树脂的混合物，聚丁二烯树脂、丁苯树脂和PTFE树脂的混合物，酚醛树脂、丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的混合物，液晶树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)和双马来酰亚胺树脂的混合物，酚氧树脂、丁腈橡胶和丁腈橡胶的混合物。
优选地，所述酚醛树脂为苯并噁嗪树脂。
优选地，所述丁腈橡胶为端羟基丁腈橡胶和/或端羧基丁腈橡胶。
根据本发明，所述树脂组合物中包含以下组分：熔融粘度低于100Pa·s的树脂；数均分子量大于10000的树脂；经无机填料包覆处理的陶瓷填料。
为了获得良好的韧性和高介电常数，以树脂组合物总重量为100重量份计，熔融粘度低于100Pa·s的树脂占有10～20重量份，数均分子量大于10000的树脂占有30～50重量份，经无机填料包覆处理的陶瓷填料占有20～70重量份。
所述熔融粘度低于100Pa·s的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、丁苯树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、液晶树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)或双马来酰亚胺树脂中的任意一种或者至少两种的混合物，优选地，所述酚醛树脂可以为苯并噁嗪树脂。所述混合物例如环氧树脂和氰酸酯树脂的混合物，聚苯醚树脂和聚丁二烯树脂的混合物，丁苯树脂和酚醛树脂的混合物，丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的混合物，液晶树脂和双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT)的混合物，双马来酰亚胺树脂和酚醛树脂的混合物。
数均分子量大于10000的树脂选自聚酰亚胺树脂、液晶树脂、酚氧树脂或丁腈橡胶中的任意一种或者至少两种的混合物，优选地，所述丁腈橡胶为端羟基丁腈橡胶和/或端羧基丁腈橡胶。所述混合物例如聚酰亚胺树脂和液晶树脂的混合物，酚氧树脂和丁腈橡胶的混合物，端羧基丁腈橡胶和端羟基丁腈橡胶的混合物，聚酰亚胺树脂、液晶树脂和酚氧树脂的混合物，丁腈橡胶、端羧基丁腈橡胶和端羟基丁腈橡胶的混合物。
所述熔融粘度低于100Pa·s的树脂占有的重量份例如为11重量份、12重量份、13重量份、14重量份、15重量份、16重量份、17重量份、18重量份或19重量份。
所述数均分子量大于10000的树脂占有的重量份例如为32重量份、34重量份、36重量份、38重量份、40重量份、42重量份、44重量份、46重量份或48重量份。
所述经无机填料包覆处理的陶瓷填料占有的重量份例如为23重量份、25重量份、28重量份、30重量份、35重量份、40重量份、45重量份、50重量份、55重量份、60重量份、63重量份、65重量份或68重量份。
优选地，所述经包覆处理的陶瓷填料经过表面处理剂处理，优选地，所述表面处理剂选自硅烷偶联剂、钛酸酯类处理剂、铝酸盐、锆酸盐、阳离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂、两性表面活性剂、非离子型表面活性剂或酚醛树脂中的任意一种或者至少两种的混合物；所述混合物可以为但不限于硅烷偶联剂和钛酸酯类处理剂的混合物，铝酸盐和锆酸盐的混合物，锆酸盐和阳离子型表面活性剂的组合物，阴离子型表面活性剂和硅烷偶联剂的混合物，两性表面活性剂和非离子型表面活性剂的混合物，酚醛树脂、硅烷偶联剂和钛酸酯类处理剂的混合物，但是阳离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂不能同时使用。
优选地，所述阳离子型表面活性剂选自有机硅油。
优选地，所述非离子型表面活性剂选自聚乙二醇。
优选地，经包覆处理的陶瓷填料的粒径中度值为10～1500nm，优选100～800nm。
根据本发明，所述树脂组合物层的厚度为5～50μm，例如8μm、12μm、17μm、22μm、28μm、32μm、37μm、42μm、45μm或48μm，优选7～30μm，进一步优选8～10μm。
本发明的目的之二在于提供一种埋容材料，所述埋容材料由如上所述的介质层及其两侧的金属箔组成。
所述埋容材料中是一种由两面是金属箔做电极、中间是介质层的片状材料构成。
根据本发明，可列举的金属箔包括铜、黄铜、铝、镍、锌或这些金属的合金或复合金属箔，金属箔的厚度为9～150μm，例如15μm、25μm、35μm、45μm、55μm、65μm、75μm、85μm、95μm、105μm、115μm、125μm或135μm。
本发明的目的之三在于提供一种如上所述的埋容材料的用途，所述埋容材料用于印制电路板。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
在本发明中，通过添加经特定无机填料包覆处理的陶瓷填料，可以使埋容材料具有高的介电强度和介电常数，其制备得到的固化物的介电强度可以高达110-180KV/mm，介电常数可达8.2-13.4。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
陶瓷填料的包覆二氧化硅的方法：
100g陶瓷粉体加入400mL乙二醇中，超声分散30min。将悬浮液加入三颈瓶中，水浴加热，温度80℃,同时缓慢滴加0.1mol·L-1的Na2SiO3溶液和1％H2SO4溶液(质量分数)，调节pH为10.5，反应3h。过滤、洗涤、干燥。
陶瓷填料的包覆氧化铝的方法：
100g陶瓷粉体加入400mL乙二醇中，超声分散30min。将悬浮液加入三颈瓶中，水浴加热，温度80℃。缓慢滴加3％Al(NO3)3溶液(质量分数)，调节pH为5～6，反应3h。过滤、洗涤、干燥。
实施例1
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入150g中位粒径为10nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为二氧化硅，包覆层占钛酸钡重量比为1％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例2
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为二氧化硅，包覆层占钛酸钡重量比为10％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例3
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入450g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为二氧化硅，包覆层占钛酸钡重量比为20％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例4
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入150g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为氧化铝，包覆层占钛酸钡重量比为10％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例5
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入150g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为氧化铝，包覆层占钛酸钡重量比为20％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例6
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为1500nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为氧化铝，包覆层占钛酸钡重量比为20％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例7
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入450g中位粒径为300nm，经包覆处理的二氧化钛(包覆层为氧化铝，包覆层占二氧化钛重量比为5％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗、介电损耗和介电强度。
实施例8
将45g双酚A环氧树脂(树脂A)、55g溴化环氧树脂(树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.9摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为二氧化硅，包覆层占钛酸钡重量比为10％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例9
将45g双酚A氰酸酯树脂(树脂A)、55g溴化环氧树脂(树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为100nm，经包覆处理的钛酸钡(包覆层为二氧化硅，包覆层占钛酸钡重量比为10％)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
比较例1
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为100nm的钛酸钡，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
比较例2
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入450g中位粒径为300nm的二氧化钛，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
比较例3
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入250g中位粒径为100nm的有机材料包覆钛酸钡(包覆层材料为聚酰胺和聚甲基丙烯酸甲酯，包覆层占钛酸钡重量比为20％，包覆方法参考专利CN103382240)，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
比较例4
将35g聚苯醚树脂(羟基当量790)、55g溴化环氧树脂(环氧树脂B)以及20g酚氧树脂(C)，溶解在乙二醇甲醚中，并添加相对于环氧树脂0.7摩尔比的邻甲酚线型酚醛树脂和2-MI(2-甲基咪唑)，再加入135g中位粒径为10nm的钛酸钡和15g二氧化硅粉体，然后在室温下混合得到胶液。将所得胶液涂覆在铜箔上，然后在155℃的烘箱中烘烤5分钟固化为B阶段，以获得涂树脂铜箔(RCC)，RCC的胶层厚度为8μm。取两个树脂复合铜箔以其胶面贴合对叠，在190℃层压固化，得到固化物后测量介电常数、介电损耗和介电强度。
实施例1-9及比较例1-4的性能见表1和表2。
表1
表2
以上特性的测试方法如下：
1、介电强度：ASTM D149-09法进行测试，测试条件为A态
2、介电性能：SPDR(splite post dielectric resonator)法进行测试，测试条件为A态，1.1GHz。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的埋容材料用介质层、埋容材料及其用途，但本发明并不局限于上述实施例，即不意味着本发明必须依赖上述实施例才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (17)

1.一种埋容材料用介质层，其特征在于，所述介质层包含柔韧性良好的树脂组合物层，所述树脂组合物层由树脂组合物形成，所述树脂组合物含有经无机填料包覆处理的陶瓷填料，所述无机填料为二氧化硅或氧化铝；
所述无机填料占陶瓷填料总重量的0.1～20％，所述树脂组合物层中陶瓷填料的体积百分率为30～40％，所述树脂组合物层的厚度为8～10μm，所述陶瓷填料的粒径中度值为10～1500nm；
所述树脂组合物层中的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、丁苯树脂、PTFE树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、液晶树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、酚氧树脂或丁腈橡胶中任意一种或者至少两种的混合物。
2.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述陶瓷填料选自二氧化钛、钛酸钡、钛酸锶、钛酸锶钡、钛酸钙钡、钛酸锆铅陶瓷或钛酸铅-铌镁酸铅中的任意一种或者至少两种的混合物。
3.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述陶瓷填料的粒径中度值为100～800nm。
4.根据权利要求3所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述陶瓷填料的粒径中度值为200～700nm。
5.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述树脂组合物层中陶瓷填料的体积百分率为20～45％。
6.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述酚醛树脂为苯并噁嗪树脂。
7.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述丁腈橡胶为端羟基丁腈橡胶和/或端羧基丁腈橡胶。
8.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述树脂组合物包含以下组分：熔融粘度低于100Pa·s的树脂；数均分子量大于10000的树脂和经无机填料包覆处理的陶瓷填料。
9.根据权利要求8所述的埋容材料用介质层，其特征在于，以树脂组合物总重量为100重量份计，树脂组合物中熔融粘度低于100Pa·s的树脂占有10～20重量份；数均分子量大于10000的树脂占有30～50重量份；经无机填料包覆处理的陶瓷填料占有20～70重量份。
10.根据权利要求9所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述熔融粘度低于100Pa·s的树脂选自环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂、聚丁二烯树脂、丁苯树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、聚酰亚胺树脂、液晶树脂、双马来酰亚胺-三嗪树脂或双马来酰亚胺树脂中的任意一种或者至少两种的混合物。
11.根据权利要求10所述的埋容材料用介质层，其特征在于，数均分子量大于10000的树脂选自聚酰亚胺树脂、液晶树脂、酚氧树脂或丁腈橡胶中的任意一种或者至少两种的混合物。
12.根据权利要求1所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述经包覆处理的陶瓷填料经过表面处理剂处理。
13.根据权利要求12所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述表面处理剂选自硅烷偶联剂、钛酸酯类处理剂、铝酸盐、锆酸盐、阳离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂、两性表面活性剂、非离子型表面活性剂或酚醛树脂中的任意一种或者至少两种的混合物。
14.根据权利要求13所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述阳离子型表面活性剂选自有机硅油。
15.根据权利要求14所述的埋容材料用介质层，其特征在于，所述非离子型表面活性剂选自聚乙二醇。
16.一种埋容材料，其特征在于，所述埋容材料由权利要求1-15中任一项所述的介质层及其两侧的金属箔组成。
17.一种如权利要求16所述的埋容材料的用途，其特征在于，所述埋容材料用于印制电路板。
CN201510971671.7A 2015-12-21 2015-12-21 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途 Active CN105415803B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510971671.7A CN105415803B (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510971671.7A CN105415803B (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105415803A CN105415803A (zh) 2016-03-23
CN105415803B true CN105415803B (zh) 2018-07-17

Family

ID=55494543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510971671.7A Active CN105415803B (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105415803B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107686657A (zh) * 2016-08-04 2018-02-13 深圳光启高等理工研究院 一种预浸料及其制备方法
CN108178925A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 辽宁法库陶瓷工程技术研究中心 一种嵌入式埋容材料及其制备方法
JP7258845B2 (ja) * 2018-03-07 2023-04-17 デンカ株式会社 セラミックス樹脂複合体と金属板の仮接着体、その製造方法、当該仮接着体を含んだ輸送体、およびその輸送方法
CN109400006A (zh) * 2018-12-17 2019-03-01 安徽升鸿电子有限公司 一种介电埋容材料、制备方法及其用途
CN113808779B (zh) * 2021-11-17 2022-03-01 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种片式电阻器低温固化绝缘介质浆料
CN115820154A (zh) * 2022-12-07 2023-03-21 广东生益科技股份有限公司 一种埋容用涂胶层铜箔及其制备方法和应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422055A1 (en) * 2001-07-30 2004-05-26 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Capacitor layer forming both-side copper-clad laminated heet and production method therefor
CN102504449A (zh) * 2011-11-01 2012-06-20 清华大学 一种高储能密度的聚合物基复合膜及其制备方法
CN102745988A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 中国科学院化学研究所 一种壳/核纳米陶瓷电介质粉体材料的制备方法
CN103358631A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 广东生益科技股份有限公司 一种埋容材料用介质层、埋容材料、制备方法及其用途
CN104893187A (zh) * 2015-04-09 2015-09-09 同济大学 高储能密度及效率的聚合物复合薄膜及其制备方法
CN105295263A (zh) * 2015-11-11 2016-02-03 同济大学 一种聚合物基复合材料及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101659541A (zh) * 2009-09-22 2010-03-03 西北工业大学 一种氧化铝包覆钛酸锶钡的复合粉体及其制备方法
CN102531580B (zh) * 2011-12-14 2014-01-29 同济大学 一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1422055A1 (en) * 2001-07-30 2004-05-26 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Capacitor layer forming both-side copper-clad laminated heet and production method therefor
CN102504449A (zh) * 2011-11-01 2012-06-20 清华大学 一种高储能密度的聚合物基复合膜及其制备方法
CN102745988A (zh) * 2012-07-31 2012-10-24 中国科学院化学研究所 一种壳/核纳米陶瓷电介质粉体材料的制备方法
CN103358631A (zh) * 2013-07-19 2013-10-23 广东生益科技股份有限公司 一种埋容材料用介质层、埋容材料、制备方法及其用途
CN104893187A (zh) * 2015-04-09 2015-09-09 同济大学 高储能密度及效率的聚合物复合薄膜及其制备方法
CN105295263A (zh) * 2015-11-11 2016-02-03 同济大学 一种聚合物基复合材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105415803A (zh) 2016-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105415803B (zh) 一种埋容材料用介质层、埋容材料及其用途
CN103402311B (zh) 一种埋容材料、制备方法及其用途
CN103358631B (zh) 一种埋容材料用介质层、埋容材料、制备方法及其用途
JP5246207B2 (ja) チップ型電子部品
JP3133976B2 (ja) 高誘電率フレキシブルポリイミドフィルムおよびその製造方法
CN104558688B (zh) 一种填料组合物及其应用
CN103350542B (zh) 一种埋容材料、制备方法及其用途
JPWO2009008471A1 (ja) 誘電層付銅箔
KR101814084B1 (ko) 세라믹 칩부품의 연성외부전극 형성용 도전성 페이스트 조성물
TWI439439B (zh) 具有優異電容溫度系數（ｔｃｃ）之聚合物-陶瓷複合物
JP2011177929A (ja) 金属−絶縁樹脂基板及びその製造方法
JP4893396B2 (ja) 誘電体フィルムおよびそれを用いた電子部品
WO2004102589A1 (ja) 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法
JP2009280758A (ja) スラリー組成物、スラリー組成物の製造方法、樹脂ワニスの製造方法
JP2012102227A (ja) エポキシ樹脂前駆体組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板および半導体装置
JPWO2014087882A1 (ja) 樹脂層付き金属層、積層体、回路基板および半導体装置
CN106427135A (zh) 一种高介电材料、制备方法及其用途
CN103395243B (zh) 一种埋容材料、制备方法及其用途
CN207699509U (zh) 一种复合导热绝缘胶膜
JP3553351B2 (ja) プリプレグおよび基板
TWI262204B (en) Resin composition having high dielectric constant and uses thereof
JP2006225484A (ja) 複合誘電体材料及び電子部品
JP2023120170A (ja) 接着フィルム、及びこれを含む接着フィルム積層体
JP3563260B2 (ja) チップ型インピーダンス素子
CN103350543B (zh) 一种埋容材料、制备方法及其用途

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant