CN105358734B - 溅镀靶材 - Google Patents

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6876268B2 (ja) * 2016-03-22 2021-05-26 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
WO2017164168A1 (ja) * 2016-03-22 2017-09-28 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
JP6932908B2 (ja) * 2016-09-26 2021-09-08 住友金属鉱山株式会社 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
WO2018159753A1 (ja) * 2017-03-01 2018-09-07 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP6447761B2 (ja) * 2017-03-01 2019-01-09 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP6533805B2 (ja) * 2017-03-31 2019-06-19 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、非晶質膜、非晶質膜の製造方法、結晶質膜及び結晶質膜の製造方法
WO2019167564A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 Cu-Ni合金スパッタリングターゲット
JP6627993B2 (ja) * 2018-03-01 2020-01-08 三菱マテリアル株式会社 Cu−Ni合金スパッタリングターゲット
JP6853440B2 (ja) * 2019-03-11 2021-03-31 三菱マテリアル株式会社 金属銅及び酸化銅含有粉、金属銅及び酸化銅含有粉の製造方法、及び、スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3779856B2 (ja) * 2000-04-10 2006-05-31 株式会社日鉱マテリアルズ 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010030824A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法
JP2010077530A (ja) * 2008-08-26 2010-04-08 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法及びスパタリングターゲット
JP2011084754A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP5641402B2 (ja) * 2010-02-01 2014-12-17 学校法人 龍谷大学 酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法

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