CN105322906B - Lc复合部件 - Google Patents

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Abstract

本发明所涉及的LC复合部件具备1个以的上电感器、1个以上的电容器、磁性层、基板。基板具有第1面、与第1面为相反侧的第2面。磁性层是以与基板的第1面相对的形式被配置的。1个以上的电感器被配置于基板的第1面与磁性层之间。在垂直于基板的第1面的方向上，基板的厚度大于磁性层的厚度。基板的复数导磁率的实部和虚部分别小于磁性层的复数导磁率的实部和虚部。

Description

LC复合部件
技术领域
本发明涉及包含电感器和电容器的电子部件即LC复合部件。
背景技术
关于手提电话以及无线LAN通信设备等无线通信设备，因为被强烈要求小型化和薄型化以及低成本化，所以用于那些无线通信设备的电子部件也被要求小型化和薄型化以及低成本化。另外，在无线通信设备中因为多个电子部件被容纳于狭窄的空间内，所以对于用于那些无线通信设备的电子部件来说要求具有高水准的电磁屏蔽性能。
在用于无线通信设备的电子部件中具有包含电感器和电容器的LC复合部件。作为能够实现包含电感器的电子部件的小型化的技术众所周知如例如日本专利申请公开平7-135403号公报、日本专利申请公开2002-52644号公报以及日本专利申请公开2008-27982号公报所记载的那样将具有磁性的材料配置于电感器的周围的技术。根据该技术就能够减小为了获得所希望的电感而必须的电感器的大小，其结果电子部件的小型化成为可能。
在日本专利申请公开平7-135403号公报中记载有以下所述的高频滤波器，即，将接地电极形成于电介质基板的一个面上，将为了形成多个微带谐振器的多个图形电极形成于电介质基板的另一个面上，将磁性基板形成于多个图形电极之上。
在日本专利申请公开2002-52644号公报中记载有层叠以下所述两个功能层来进行构成的电子部件，该两个功能层分别为：①将含有磁性材料粉和电介质覆盖金属粉以及绝缘体覆盖磁性金属粉当中的任意一种、电介质材料粉的树脂涂布于玻璃布从而被形成的多层构成层；②多层导电层。
在日本专利申请公开2008-27982号公报中记载有具备第1磁性基板、被形成于第1磁性基板上的电容器层、被形成于电容器层上的电感器层、被形成于电感器层上的第2磁性基板、芯部件的LC复合部件。电容器层具备被形成于第1磁性基板之上的下部电极、被形成于下部电极的上面的电介质薄膜、通过电介质薄膜与下部电极相对的上部电极。电感器层具备被形成于绝缘层的上面的线圈导体。芯部件贯通线圈导体的内周部并连接第1磁性基板和第2磁性基板。
作为为了提高电子部件的电磁屏蔽性能的一般方法有以夹着电子部件的构成要素特别是夹着电感器的形式设置一对面的面积大的金属层的方法。但是，如果想要将该方法适用于LC复合部件并且对LC复合部件实行薄型化的话则会产生如以下所述那样的问题。即，在此情况下，电感器与金属层之间的距离变小，由于涡电流损耗引起的电感器的损耗变大，高频带上的LC复合部件的特性发生劣化。
在日本专利申请公开平7-135403号公报中记载有，根据被该公报记载的高频滤波器，与不使用磁性体基板的以往的高频滤波器相比较相对能够实施小型化，而且因为由磁性基板就能够获得屏蔽效果所以没有必要形成屏蔽电极等，并且能够获得廉价的高频滤波器。
但是，关于日本专利申请公开平7-135403号公报所记载的高频滤波器，因为具有电感成分并且实现电容器的多个图形电极全部被配置于同一个平面上，要进一步实现小型化是困难的。另外，关于日本专利申请公开平7-135403号公报所记载的高频滤波器，如果想要实施薄型化的话，则图形电极与面的面积大的接地电极之间的距离变小，图形电极所具有的电感成分降低，因而要获得图形电极的所希望的特性电感会变得困难。因此，关于日本专利申请公开平7-135403号公报所记载的高频滤波器，进一步实现薄型化是困难的。
关于日本专利申请公开2002-52644号公报所记载的电子部件，因为所有构成层包含磁性材料粉、电介质覆盖金属粉、绝缘体覆盖磁性金属粉当中的任意一种，所以会有磁性材料粉、电介质覆盖金属粉、绝缘体覆盖磁性金属粉当中的任意一种的使用量变多并且电子部件的成本增大的问题。另外，关于日本专利申请公开2002-52644号公报所记载的电子部件，在从多个构成层的层叠方向进行观察的时候为了构成电感器的导电体层和为了构成电容器的导电体层被配置于通过构成层互相重叠的位置。因此，关于日本专利申请公开2002-52644号公报所记载的电子部件，如果想要实行薄型化的话则会有所谓以下所述的问题，即，为了构成电感器的导电体层与为了构成电容器的导电体层之间的距离变小并且由于涡电流损耗引起的电感器的损耗变大，高频带上的电子部件的特性发生劣化。
关于日本专利申请公开2008-27982号公报所记载的LC复合部件，因为具备2个磁性基板，所以会有所谓磁性材料的使用量变多并且LC复合部件的成本增大的问题。另外，关于日本专利申请公开2008-27982号公报所记载的LC复合部件，在从垂直于磁性基板的面的方向进行观察的时候电容器层和线圈导体被配置于通过绝缘层互相重叠的位置。因此，关于日本专利申请公开2008-27982号公报所记载的LC复合部件，如果想要实行薄型化的话则会有所谓以下所述的问题。即，电容器层与线圈导体之间的距离变小，由于涡电流损耗引起的线圈导体的损耗变大，高频带上的LC复合部件的特性发生劣化。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够小型化和薄型化以及低成本化的电磁品屏蔽性能好的由电感器的损耗引起的特性劣化小的LC复合部件。
本发明的LC复合部件具备1个以上的电感器、1个以上的电容器、具有磁性的磁性层、支撑1个以上的电感器、1个以上的电容器以及磁性层的基板。基板具有第1面、与第1面为相反侧的第2面。磁性层以与基板的第1面相对的形式被配置。1个以上的电感器被配置于基板的第1面与磁性层之间。在垂直于基板的第1面的方向上，基板的厚度大于磁性层的厚度。基板的复数导磁率的实部和虚部分别小于磁性层的复数导磁率的实部和虚部。
在本发明的LC复合部件中，基板的厚度可以在磁性层厚度的1.1～3倍的范围内。
另外，在本发明的LC复合部件中，1个以上的电容器被配置于基板的第1面与磁性层之间的位置，并且被配置于从垂直于基板的第1面的方向观察时与1个以上的电感器不相重叠的位置。
另外，在本发明的LC复合部件中，1个以上的电容器可以被配置于在其与1个以上的电感器之间夹持基板的位置。
另外，本发明的LC复合部件也可以进一步具备1个以上的芯部，其被配置于基板的第1面与磁性层之间且被连接于磁性层，并且具有磁性，1个以上的电感器可以包含沿着1个以上的芯部外周进行延伸的1个以上的线状导体部。
在本发明的LC复合部件中，因为设置有磁性层所以1个以上的电感器能够小型化，其结果LC复合部件能够小型化。另外，在本发明的LC复合部件中，磁性层相对于1个以上的电感器只被设置于垂直于基板的第1面的方向上的单侧。因此，根据本发明就能够减少磁性材料的使用量，其结果LC复合部件的低成本成为可能。
另外，在本发明的LC复合部件中，1个以上的电感器被配置于基板的第1面与磁性层之间，在垂直于基板的第1面的方向上，基板的厚度大于磁性层的厚度。由此，根据本发明，能够提高LC复合部件的电磁屏蔽性能。另外，根据本发明，因为提高了LC复合部件的电磁屏蔽性能，所以就没有必要以夹住1个以上的电感器的形式设置面的面积大的一对金属层。因此，根据本发明，能够减少由电感器的损耗引起的LC复合部件特性的劣化，并且LC复合部件的薄型化成为可能。
根据以上所述，根据本发明，可取得所谓能够实现能够小型化和薄型化以及低成本化的、电磁屏蔽性能好的、由电感器的损耗引起的特性劣化小的LC复合部件的效果。
本发明的其他目的和特性以及益处凭借以下的说明足以变得充分明了。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的LC复合部件结构的立体图。
图2是本发明的第1实施方式所涉及的LC复合部件的截面图。
图3是表示本发明的第1实施方式所涉及的LC复合部件的电路结构的电路图。
图4A～图4C分别是为了说明图1以及图2所表示的LC复合部件结构的说明图。
图5A～图5C分别是为了说明图1以及图2所表示的LC复合部件结构的说明图。
图6是表示本发明的第1实施方式所涉及的LC复合部件的制造方法的一个例子的流程图。
图7是表示第1模拟实验结果的特性图。
图8是表示第1实施例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。
图9是表示第2实施例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。
图10是表示比较例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。
图11是本发明的第2实施方式所涉及的LC复合部件的截面图。
图12A～图12C分别是为了说明图11所表示的LC复合部件结构的说明图。
图13A～图13C分别是为了说明图11所表示的LC复合部件结构的说明图。
图14是表示本发明的第3实施方式所涉及的LC复合部件的外观的立体图。
图15A～图15C分别是为了说明图14所表示的LC复合部件的结构的说明图。
图16A～图16C分别是为了说明图14所表示的LC复合部件的结构的说明图。
图17A～图17C分别是为了说明图14所表示的LC复合部件的结构的说明图。
图18是本发明的第4实施方式所涉及的LC复合部件的截面图。
图19A～图19C分别是为了说明图18所表示的LC复合部件的结构的说明图。
图20A～图20C分别是为了说明图18所表示的LC复合部件的结构的说明图。
图21A～图21C分别是为了说明图18所表示的LC复合部件的结构的说明图。
具体实施方式
[第1实施方式]
以下是参照附图并就本发明的实施方式进行详细说明。首先，参照图1以及图2并就本发明的第1实施方式所涉及的LC复合部件的概略结构作如下说明。图1是表示本实施方式所涉及的LC复合部件结构的立体图。图2是本实施方式所涉及的LC复合部件的截面图。
本实施方式所涉及的LC复合部件1是一种被用于例如手机、无线LAN通信设备等无线电通信设备的电子部件。LC复合部件1具备1个以上的电感器、1个以上的电容器、具有磁性的磁性层22、支撑1个以上的电感器、1个以上的电容器以及磁性层22的基板21。如图2所示基板21具有第1面21a、与第1面21a为相反侧的第2面21b。磁性层22是以与基板21的第1面21a相对的形式被配置的。另外，磁性层22具有朝着与基板21的第1面21a相同方向的第1面22a、朝着与基板21的第2面21b相同方向的第2面22b。磁性层22的第2面22b与基板21的第1面21a相对。
在此，如图2所示用记号T1来表示垂直于基板21的第1面21a的方向上的基板21的厚度，用记号T2来表示垂直于基板21的第1面21a的方向上的磁性层22的厚度。基板21的厚度T1大于磁性层22的厚度T2。基板21的厚度T1优选在磁性层22厚度T2的1.1～3倍的范围内，更加优选在磁性层22厚度T2的1.5～2倍的范围内。
基板21的复数导磁率的实部和虚部分别小于磁性层22的复数导磁率的实部和虚部。因此，基板21的复数相对导磁率的实部和虚部分别小于磁性层22的复数相对导磁率的实部和虚部。如果满足该复数相对导磁率的条件的话，则基板21既可以是非磁性的又可以具有磁性。只要满足上述复数相对导磁率的条件，那么作为基板21的材料可以使用树脂、陶瓷、玻璃、非磁性铁氧体、复数相对导磁率的实部大于1且小于等于2.5的低导磁率铁氧体、或这些材料的复合材料等各种各样材料。
磁性层22除了非磁性铁氧体之外也可以只由铁氧体等磁性材料来构成。或者，磁性层22也可以由使磁性材料粒子分散于树脂、陶瓷、玻璃等没有磁性的电介质材料中的材料来构成。
1个以上的电感器被配置于基板21的第1面21a与磁性层22(第2面22b)之间。在本实施方式中，1个以上的电容器被配置的位置是基板21的第1面21a与磁性层22(第2面22b)之间的位置，并且是被配置于在从垂直于第1面21a的方向进行观察的时候与1个以上的电感器不相重叠的位置。LC复合部件1进一步具备分别由电介质材料构成并且在基板21的第1面21a与磁性层22(第2面22b)之间被层叠的多个电介质层。1个以上的电感器和1个以上的电容器被设置于该多个电介质层的层叠体内。基板21和磁性层22以及多个电介质层构成为了对LC复合部件1的构成要素实行一体化的部件主体20。
部件主体20被做成长方体形状，并具有上面、底面、4个侧面。在本实施方式中，部件主体20的上面是由基板21的第2面21构成的。另外，部件主体20的底面是由磁性层22的第1面22a构成的。LC复合部件1例如是以部件主体20的底面即磁性层22的第1面22a朝着没有图示的实装基板的上面的形态被实装于实装基板。
LC复合部件1进一步具备被配置于基板21的第1面21a与磁性层22(第2面22b)之间、并被连接于磁性层22的、具有磁性的1个以上的芯部。1个以上的芯部被埋入于以上所述的多个电介质层的层叠体中。1个以上的芯部与没有该芯部的情况相比较具有增大1个以上的电感器的电感的功能。在本实施方式中，LC复合部件1具备棱柱形状的2个芯部23,24。芯部23,24从图2中的左侧起按顺序排列。芯部23,24例如是由与磁性层22相同的材料来进行构成的。关于芯部23,24与1个以上的电感器的关系将在后面进行详细说明。
接着，参照图3的电路图并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的电路结构作如下说明。在本实施方式中，LC复合部件1具有低通滤波器的功能。如图3所示LC复合部件1具备信号被输入的输入端子2、输出信号的输出端子3、3个电感器11,12,17、4个电容器13,14,15,16。
电感器11的一端、电容器13的一端以及电容器15的一端被电连接于输入端子2。电感器12的一端、电容器14的一端以及电容器16的一端被电连接于电感器11的另一端以及电容器13的另一端。电感器12的另一端、电容器14的另一端以及电容器15的另一端被电连接于输出端子3。电感器17的一端被电连接于电容器16的另一端。电感器17的另一端被连接于接地。
接着，参照图4A～图5C并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的具体结构的一个例子作如下说明。在本实施方式中，LC复合部件1具备作为多个电介质层的6个电介质层31,32,33,34,35,36。电介质层31～36被配置于基板21与磁性层22之间，并且从基板21的第1面21a侧起按该顺序配置。电介质层31～36分别具有朝着与基板21的第1面21a相同的方向的第1面、朝着与基板21的第2面21b相同的方向的第2面。还有，在图4A～图5C中省略了芯部23,24。
图4A是表示电介质层31的第1面。在电介质层31的第1面上形成电感器用导体部311,312、电容器用导体部313,315,316、端子用导体部31T1,31T2,31T3,31T4。还有，图4A是以从电介质层31的第2面侧进行观察的状态表示上述多个导体部。以上所述的多个导体部的图4A中的配置如以下所述。导体部311被配置于比左右方向的中心更左侧的区域。导体部312被配置于比左右方向的中心更右侧的区域。导体部316被配置于导体部311与导体部312之间。导体部313被配置于导体部311,312,316的下侧的位置。导体部315被配置于导体部313的下侧的位置。导体部31T1被配置于左下角部的近旁。导体部31T2被配置于右下角部的近旁。导体部31T3被配置于左上角部的近旁。导体部31T4被配置于右上角部的近旁。
导体部313被连接于导体部311,312,316的各一端。在图4A中，用点线来表示2个导体部的边界。在以后的说明过程中在与所使用的图4A相同的图中也使用与图4A相同的表示方式。导体部311,312任一个都是从其一端朝着另一端以环状进行延伸的线状导体部。
图4B是表示电介质层32的第1面。在电介质层32的第1面上形成电容器用导体部323,324,325A,325B,326。还有，图4B是以从电介质层32的第2面侧进行观察的状态表示上述多个导体部。以上所述的多个导体部的图4B中的配置如以下所述。导体部326被配置于左右方向的大致中央的位置。导体部323,324在导体部326的下侧的位置从左侧其按该顺序被配置。导体部325A,325B在导体部323,324的下侧的位置从左侧其按该顺序被配置。
导体部323,324通过电介质层32与图4A所表示的导体部313相对。图3中的电容器13是由导体部313,323、位于这两个导体部之间的电介质层32的一部分所构成。图3中的电容器14是由导体部313,324、位于这两个导体部之间的电介质层32的一部分所构成。另外，导体部325A,325B通过电介质层32与图4A所表示的导体部315相对。图3中的电容器15是由导体部315,325A,325B、位于这些导体部之间的电介质层32的一部分所构成。另外，导体部326通过电介质层32与图4A所表示的导体部316相对。图3中的电容器16是由导体部316,326、位于其之间的电介质层32的一部分所构成。
LC复合部件1包含贯通电介质层32,33的导体部33V1,33V2,33V3,33V4,33V5,33V6。在图4B中，将阴影线画于导体部33V1～33V6。在图4A所表示的导体部31T1～31T4,311,312上分别连接导体部33V1～33V6的一端。
图4C是表示电介质层33的第1面。在电介质层33的第1面上形成电感器用导体部331,332,337、连接用导体部333,334,335A,335B,336、端子用导体部33T1,33T2,33T3,33T4。还有，图4C是以从电介质层33的第2面侧进行观察的状态表示上述多个导体部。上述多个导体部的图4C中的配置如以下所述。导体部331被配置于比左右方向的中心更左侧的区域。导体部332被配置于比左右方向的中心更右侧的区域。导体部336被配置于导体部331与导体部332之间。导体部333,334在导体部331,332,336的下侧的位置从左侧起按该顺序被配置。导体部335A,335B在导体部333,334的下侧的位置从左侧起按该顺序被配置。导体部337被配置于导体部331,332,336的上侧的位置。导体部33T1被配置于左下角部的近旁。导体部33T2被配置于右下角部的近旁。导体部33T3被配置于左上角部的近旁。导体部33T4被配置于右上角部的近旁。
导体部33T1被连接于导体部333,335A的各一端。导体部33T2被连接于导体部334,335B的各一端。导体部337被连接于导体部336的一端。导体部331,332任一个都是从其一端朝着另一端以环状进行延伸的线状导体部。
导体部331,332,33T1～33T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层33的第1面的方向相同)进行观察的时候与图4A所表示的导体部311,312,31T1～31T4相重叠的位置。导体部333,334,335A,335B,336分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与图4B所表示的导体部323,324,325A,325B,326相重叠的位置。
LC复合部件1包含贯通电介质层33的导体部33V7,33V8,33V9,33V10,33V11。在图4C中用两点划线来表示导体部33V1～33V11。在导体部33T1～33T4,331,332上分别连接导体部33V1～33V6的另一端。在图4B所表示的导体部323,324,325A,325B,326上分别连接导体部33V7～33V11的一端。在导体部333,334,335A,335B,336上分别连接导体部33V7～33V11的另一端。
图5A是表示电介质层34的第1面。在电介质层34的第1面上形成电感器用导体部341,342,347、端子用导体部34T1,34T2,34T3,34T4。还有，图5A是以从电介质层34的第2面侧进行观察的状态表示上述多个导体部。上述多个导体部的在图5A中的配置如以下所述。导体部341被配置于比左右方向的中心更左侧的区域。导体部342被配置于比左右方向的中心更右侧的区域。导体部347被配置于导体部341,342的上侧的位置。导体部34T1被配置于左下角部的近旁。导体部34T2被配置于右下角部的近旁。导体部34T3被配置于左上角部的近旁。导体部34T4被配置于右上角部的近旁。
导体341,342任一个都是从其一端朝着另一端以环状进行延伸的线状导体部。导体部341,342,347,34T1～34T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层34的第1面的方向相同)进行观察的时候与图4C所表示的导体部331,332,337,33T1～33T4相重叠的位置。
LC复合部件1包含贯通电介质层34的导体部34V1,34V2,34V3,34V4,34V5,34V6,34V7。在图5A中用两点划线来表示导体部34V1～34V7。在图4C所表示的导体部33T1～33T4,331,332，337上分别连接导体部34V1～34V7的一端。在导体部34T1～34T4,341,342,347上分别连接导体部34V1～34V7的另一端。
图5B是表示电介质层35的第1面。在电介质层35的第1面上形成电感器用导体部351,352,357A,357B、端子用导体部35T1,35T2,35T3,35T4。还有，图5B是以从电介质层35的第2面侧进行观察的状态表示上述多个导体部。上述多个导体部的在图5B中的配置如以下所述。导体部351被配置于比左右方向的中心更左侧的区域。导体部352被配置于比左右方向的中心更右侧的区域。导体部357A,357B在导体部351,352的上侧的位置是从左侧起按该顺序被配置。导体部35T1被配置于左下角部的近旁。导体部35T2被配置于右下角部的近旁。导体部35T3被配置于左上角部的近旁。导体部35T4被配置于右上角部的近旁。
导体部35T1～35T4分别被连接于导体部351,352,357A,357B的一端。导体部351,352任一个都是从其一端朝着另一端以环状进行延伸的线状导体部。
导体部351,352,35T1～35T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层35的第1面的方向相同)进行观察的时候与图5A所表示的导体部341,342,34T1～34T4相重叠的位置。导体部357A,357B被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与图5A所表示的导体部347相重叠的位置。
LC复合部件1包含贯通电介质层35的导体部35V1,35V2,35V3,35V4,35V5,35V6,35V7,35V8。在图5B中用两点划线来表示导体部35V1～35V8。在图5A所表示的导体部34T1～34T4,341,342上分别连接导体部35V1～35V6的一端。在图5A所表示的导体部347上连接导体部35V7,35V8的各一端。在导体部35T1～35T4,351,352,357A,357B上分别连接导体部35V1～35V8的另一端。
图5C是表示磁性层22以及电介质层36、贯通磁性层22以及电介质层36的要素。LC复合部件1包含贯通磁性层22以及电介质层36的端子用导体部41,42,43,44。在图5C中，将阴影线画于导体部41～44。在图5B所表示的导体部35T1～35T4上分别连接导体部41～44的一端。
以下是参照图2以及图3并就LC复合部件1的具体结构作进一步说明。图3中的输入端子2是由端子用导体部41的另一端所构成。图3中的输出端子3是由端子用导体部42的另一端所构成。端子用导体部43,44的各个另一端构成了被连接于接地的接地端子。
图3中的电感器11是由电感器用导体部311,331,341,351和导体部33V5,34V5,35V5所构成。如图2所示，芯部23贯通电介质层32～36并位于导体部311,331,341,351的内周部的内侧。导体部311,331,341,351任一个都是沿着芯部23的外周进行延伸的线状导体部。
图3中的电感器12是由电感器用导体部312,332,342,352和导体部33V6,34V6,35V6所构成。如图2所示，芯部24贯通电介质层32～36并位于导体部312,332,342,352的内周部的内侧。导体部312,332,342,352任一个都是沿着芯部24的外周进行延伸的线状导体部。
图3中的电感器17是由电感器用导体部337,347,357A,357B和导体部34V7,35V7,35V8所构成。
如以上所述，电容器用导体部313,315,316,323,324,325A,325B,326、电介质层32的所述多个部分构成电容器13～16。如图4A～图5C所示，导体部313,315,316,323,324,325A,325B,326任一个都被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与电感器用导体部311,312,331,332,337,341,342,347,351,352,357A,357B以及导体部33V5,33V6,34V5～34V7,35V5～35V8不相重叠的位置。因此，电容器13～16可以说是被配置于在垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与电感器11,12,17不相重叠的位置。
接着，参照图4A～图5C以及图6并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法的一个例子作如下说明。图6是表示本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法的一个例子的流程图。关于该例子的制造方法，包含多个LC复合部件1的成为基板21的部分的硅晶圆片上形成多个LC复合部件1的基板21以外的构成要素，并制作LC复合部件1的部件主体20被排列成多列的基础构造物，通过切断该基础构造物从而使多个部件主体20互相分离。由此，制作出多个LC复合部件1。
以下着重于1个LC复合部件来就LC复合部件1的制造方法的一个例子进行进一步详细说明。还有，在以下说明过程中为了方便起见将成为基板21的部分称作为基板21。在该例子的制造方法中，首先在基板21之上使用薄膜形成技术来形成多个电介质层以及多个导体部(图6的步骤S101)。具体地来说首先在基板21的第1面21a之上形成电介质层31。接着，在电介质层31之上形成图4A所表示的多个导体部。多个导体部的形成方法既可以是在形成没有被图形化的导体层之后由使用了掩膜的蚀刻来对导体层实行图形形成的方法，又可以是使用掩膜来形成图形化的导体层的方法。作为导体层的形成方法能够使用溅射法和电镀法等各种各样的薄膜形成方法。以下所说明的其他多个导体部的形成方法与该方法相同。
接着，由例如溅射法来形成电介质层32。接着，在电介质层32之上形成图4B所表示的电容器用导体部323,324,325A,325B,326。接着，形成电介质层33。接着，随着在电介质层32,33上形成导体部33V1～33V6用的6个孔而在电介质层33上形成导体部33V7～33V11用的5个孔。接着，形成图4C所表示的多个导体部。
接着，形成电介质层34。接着，在电介质层34上形成导体部34V1～34V7用的7个孔。接着，形成图5A所表示的多个导体部。接着，形成电介质层35。接着，在电介质层35上形成导体部35V1～35V8用的8个孔。接着，形成图5B所表示的多个导体部。接着，形成电介质层36。
接着，在电介质层36上形成端子用导体部41～44用的4个孔。接着，由例如电镀法来形成图5C所表示的端子用导体部41～44(图6的步骤S102)。端子用导体部41～44是以其厚度成为大于电介质层36的厚度的形式被形成的。
接着，在电介质层32～36上形成芯部23,24用的2个孔(图6的步骤S103)。接着，以填埋上述2个孔内并且覆盖端子用导体部41～44的形式形成之后成为磁性层22以及芯部23,24的预备磁性层(图6的步骤S104)。接着，研磨预备磁性层至端子用导体部41～44露出(图6的步骤S105)。由此，在预备磁性层当中留在芯部23,24用的2个孔内的部分成为芯部23,24，剩余的部分成为磁性层22。通过形成磁性层22以及芯部23,24从而完成基础构造物的制作。接着，以切割下多个部件主体20的形式切断基础构造物(图6的步骤S107).
在以上所说明的例子的制造方法中，厚度比较大的基板21成为必要。这就是说基板21的厚度T1大于磁性层22的厚度T2，这样对于实现本实施方式所涉及的LC复合部件1的特征来说是方便可行的。
还有，本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法并不限定于以上所述的例子。例如，在LC复合部件1当中至少基板21与磁性层22之间的多个电介质层以及多个导体部也可以由低温同时烧成法来进行形成。
接着，就本实施方式所涉及的LC复合部件1的作用以及效果作如下说明。在本实施方式所涉及的LC复合部件1中，如图1所示因为将磁性层22设置于3个电感器11,12,17的近旁所以能够减小为了获得所希望的电感器而必要的电感器11,12,17的尺寸。因此，根据本实施方式，电感器11,12,17能够小型化，其结果LC复合部件1能够小型化。
另外，在本实施方式中能够缩短构成电感器11,12,17的电感器用导体部的长度，并且使电感器11,12,17能够小型化。在此情况下，能够减小电感器11,12,17的电阻值，因而其结果能够减小电感器11,12,17的导体损耗。
另外，在本实施方式中磁性层22相对于电感器11,12,17只被设置于垂直于基板21的第1面21a的方向上的单侧。因此，根据本实施方式，与磁性层相对于电感器11,12,17被设置于上述垂直方向上的两侧情况相比较相对能够减少磁性材料的使用量。其结果LC复合部件1的低成本化成为可能。从该观点出发基板21优选为非磁性即复数相对导磁率的实部为1或者复数相对导磁率的实部接近于1。具体地来说基板21的复数相对导磁率的实部优选为1～2.5的范围内。还有，复数导磁率的实部是由复数相对导磁率的实部与真空导磁率[4π×10-7(H/m)]的积来求得的。
另外，在本实施方式中电感器11,12,17被基板21和磁性层22夹持。从电感器11,12,17来看，关于磁性层22侧的第1空间，由磁性层22就能够获得相对于电感器11,12,17的电磁屏蔽效果。另外，从电感器11,12,17来看，关于基板21侧的第2空间，不存在磁性层22，但是存在厚于磁性层22的基板21。关于该第2空间，由基板21就能够从电感器11,12,17避开相对于电感器11,12,17给予电磁影响的要素。因此，关于该第2空间，由基板21就能够获得相对于电感器11,12,17的电磁屏蔽效果。因此，根据本实施方式，能够提高LC复合部件1的电磁屏蔽性能。
在本实施方式中，基板21的复数导磁率的虚部小于磁性层22的复数导磁率的虚部。由此，根据本实施方式，能够抑制由于位于电感器11,12,17近旁的基板21的厚度T1变大而引起的电感器11,12,17的磁损耗增加。从该观点出发优选基板21的复数相对导磁率的虚部要小。具体地来说基板21的复数相对导磁率的虚部优选为0～0.025的范围内。还有，复数导磁率的虚部是由复数相对导磁率的虚部与真空导磁率的积来求得的。
为了使取决于磁性层22的上述电感器11,12,17的小型化效果被明显发挥，磁性层22的复数相对导磁率的实部优选为在某种程度上较大。具体地来说磁性层22的复数相对导磁率的实部优选为1.1～5.0的范围内。
在此，就所求得的第1模拟实验的结果而言说明磁性层22的复数相对导磁率的实部相对于基板21的复数相对导磁率的实部的比率与获得所希望电感的电感器11的长度的关系。在此，将磁性层22的复数相对导磁率的实部相对于基板21的复数相对导磁率的实部的比率定义为导磁率比。另外，将在导磁率为任意的时候获得所希望电感的电感器11的长度相对于在导磁率比为1的时候获得所希望电感的电感器11的长度的比率定义为电感器长度比率。在第1模拟实验中，将基板21的复数相对导磁率的实部设定为1。以下，将电感器11的长度称作为电感器长度。在第1模拟实验中，作为电感器11是设想在一个方向上进行延伸的带状电感器。另外，在第1模拟实验中，在导磁率比为1的时候将获得所希望电感的电感器长度设定为2725μm。将第1模拟实验的结果表示于表1和图7中。
[表1]
导磁率比 电感器长度比率 电感器长度[μm]
1.0 1.0 2725
1.1 0.96 2617
1.5 0.87 2372
2.0 0.79 2156
2.5 0.74 2010
3.0 0.70 1898
3.5 0.67 1813
4.0 0.64 1742
4.5 0.62 1685
5.0 0.60 1637
5.5 0.59 1597
6.0 0.57 1563
根据表1和图7可了解到如果导磁率比成为1.1以上的话则电感器长度比率成为0.96以下并且获得电感器长度的有意义的短缩效果。另外，根据表1和图7可以了解到如果导磁率比成为1.5以上的话则电感器长度比率成为0.87以下并且明显获得上述缩短效果。还有，关于线圈状的电感器11，与在一个方向上进行延伸的带状电感器相比较相对能够期待电感器长度的缩短效果变大。因此，第1模拟实验的结果可以说是显示了由实际的LC复合部件1来获得的电感器长度的短缩效果的最小限的大小。
考虑第1模拟实验的结果来与假定磁性层22的复数相对导磁率的实部与基板21的复数相对导磁率的实部相等的情况相比较，为了有意义地发挥取决于磁性层22的所述电感器11,12,17的小型化的效果，磁性层22的复数相对导磁率的实部优选为基板21的复数相对导磁率的实部的1.1倍以上。另外，为了明显发挥上述效果，磁性层22的复数相对导磁率的实部优选为基板21的复数相对导磁率的实部的1.5倍以上。
另外，从明显地使相对于取决于磁性层22的电感器11,12,17的电磁屏蔽效果发挥的观点出发，磁性层22的复数相对导磁率的虚部优选为较大，但是如果过大的话则会招致电感器11,12,17的磁损耗增加。鉴于这些原因，磁性层22的复数相对导磁率的虚部优选为0.0011～0.05的范围内。
为了由基板21来获得充分的磁屏蔽效果，有必要与磁性层22的厚度T2相比较来明显地增大基板21的厚度T1。另外，如果基板21的厚度T1变得过大的话，则LC复合部件1的厚度也会变得过大以至于变得违背于LC复合部件1的小型化以及薄型化的要求。鉴于这些原因，在本实施方式中将基板21的厚度T1控制在磁性层22的厚度T2的1.1～3倍的范围内，优选为1.5～2倍的范围内。
另外，在将磁性层22的复数相对导磁率的实部设定为基板21的复数相对导磁率的实部的1.1倍以上的时候，为了由基板21来获得与磁性层22相同等以上的电磁屏蔽效果，而有必要将基板21的厚度T1做到磁性层22的厚度T2的1.1倍以上。在将磁性层22的复数相对导磁率的实部设定为基板21的复数相对导磁率的实部的1.5倍以上的时候，为了由基板21来获得与磁性层22相同等以上的电磁屏蔽效果，而有必要将基板21的厚度T1做到磁性层22的厚度T2的1.5倍以上。
然而，作为为了提高电子部件的电磁屏蔽性能的一般方法为以夹持电子部件的构成要素特别是夹持电感器的形式设置面的面积大的一对金属层。但是，如果将该方法适用于LC复合部件并且想要对LC复合部件实行薄型化的话，则电感器与金属层之间的距离变小并且由涡电流损耗引起的电感的损耗变大，以至于高频带上的LC复合部件的特性劣化。相对于此，在本实施方式中因为能够如以上所述由基板21以及磁性层22来获得电磁屏蔽效果，所以没有必要以夹持电感器11,12,17的形式设置面的面积大的一对金属层。因此，根据本实施方式，能够减少由电感器11,12,17的损耗引起的LC复合部件1的特性的劣化，并且LC复合部件1的能够薄型化。
另外，在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候，如果构成电容器13～16的电容器用导体部和构成电感器11,12,17的电感器用导体部被配置于互相重叠的位置的话，则电容器用导体部与电感器用导体部之间的距离会伴随于LC复合部件1的薄型化而变小，并且起因于电容器用导体部的由涡电流损耗引起的电感器11,12,17的损耗变大，以至于高频带上的LC复合部件1的特性发生劣化。相对于此，在本实施方式中电容器13～16被配置的位置是基板21的第1面21a与磁性层22之间的位置，并且是被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与电感器11,12,17不相重叠的位置。由此，根据本实施方式，就能够减少由电感器11,12,17的损耗引起的LC复合部件1的特性劣化，并且LC复合部件1能够薄型化。
另外，本实施方式所涉及的LC复合部件1进一步具备2个芯部23,24，电感器11包含沿着芯部23的外周进行延伸的线状导线部即电感器用导体部311,331,341,351，电感器12包含沿着芯部24的外周进行延伸的线状导线部即电感器用导体部312,332,342,352。由此，根据本实施方式，电感器11,12能够小型化，其结果LC复合部件1能够小型化。另外，在缩短导体部311,312,331,332,341,342,351,352的长度来对电感器11,12实行小型化的情况下，能够减小电感器11,12的电阻值，其结果能够减小电感器11,12的导体损耗。
根据以上所述，根据本实施方式，能够实现能够小型化和薄型化以及低成本化、以及电磁屏蔽性能高、并且由电感器损耗引起的特性劣化小的LC复合部件1。
以下是参照第2模拟实验的结果并就取决于磁性层22的电磁屏蔽效果进行说明。在第2模拟实验中是使用第1以及第2实施例的模型、比较例的模型。第1以及第2实施例的模型是使用本实施方式所涉及的LC复合部件1。第1实施例的模型是LC复合部件1单独的模型。第2实施例的模型是以分别与LC复合部件1的部件主体20的上面(基板21的第2面21b)和部件主体20的底面(磁性层22的第1面22a)相对的形式将2个金属制的屏蔽板配置于LC复合部件1的近旁的模型。在第1以及第2实施例的模型中，基板21的复数相对导磁率的实部为1，基板21的复数相对导磁率的虚部为0，磁性层22的复数相对导磁率的实部为4.0，磁性层22的复数相对导磁率的虚部为0.04。
比较例的模型是使用比较例的LC复合部件。在比较例的LC复合部件中，替代磁性层22而设置比较例的电介质层。比较例的LC复合部件的其他结构与本实施方式所涉及的LC复合部件1相同。比较例的电介质层具有朝着与基板21的第1面21a相同方向的第1面、朝着与基板21的第2面21b相同方向的第2面。在比较例的模型中，基板21的复数相对导磁率的实部为1，基板21的复数相对导磁率的虚部为0，电介质层的复数相对导磁率的实部为1，电介质层的复数相对导磁率的虚部为0。比较例的模型是与第2实施例的模型相同以分别与比较例的LC复合部件的部件主体20的上面(基板21的第2面21b)和部件主体20的底面(比较例的电介质层的第1面)相对的形式将2个金属制的屏蔽板配置于比较例的LC复合部件的近旁的模型。
在第2模拟实验中，分别就第1以及第2实施例的模型和比较例的模型来求得插入损耗的频率特性。还有，比较例的LC复合部件是以其单独模型中的插入损耗的频率特性成为与第1实施例的模型相同的形式进行设计的。
图8是表示第1实施例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。图9是表示第2实施例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。图10是表示比较例的模型中的插入损耗的频率特性的特性图。在图8～图10中，横轴是表示频率，纵轴是表示插入损耗。第1以及第2实施例的模型和比较例的模型各自的通带内的特定频率(0.787GHz和0.96GHz)上的插入损耗如以下所述。在第1实施例的模型中，在0.787GHz上的插入损耗为0.43dB，0.96GHz上的插入损耗为0.66dB。在第2实施例的模型中，在0.787GHz上的插入损耗为0.44dB，0.96GHz上的插入损耗为0.68dB。在比较例的模型中，在0.787GHz上的插入损耗为0.82dB，0.96GHz上的插入损耗为1.06dB。
在比较例的模型中，与第1实施例的模型相比较相对通带上的插入损耗变大。这是因为在比较例的模型中没有取决于磁性层22的电磁屏蔽效果，所以认为原因在于起因于屏蔽板的由涡电流损耗引起的电感器的损耗变大。相对于此，第2实施例的模型的通带上的插入损耗大致与第1实施例的模型的通带上的插入损耗相同。根据第2模拟实验结果就可明了在本实施方式中由磁性层22而能够获得电磁屏蔽效果。
[第2实施方式]
接着，就本发明的第2实施方式所涉及的LC复合部件1作如下说明。首先，参照图11并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的概略结构作如下说明。图11是本实施方式所涉及的LC复合部件1的截面图。本实施方式所涉及的LC复合部件1的电路结构与第1实施方式相同，并与图3所表示的相同。
在本实施方式中，LC复合部件1的1个以上的电容器(电容器13～16)的配置与第1实施方式不同。如图11所示在本实施方式中，电容器16是处于在其与电感器11,12,17之间夹持基板21的位置，即被配置于基板21的第2面21b侧的位置。虽然没有图示但是电容器16以外的3个电容器13～15也是处于在其与电感器11,12,17之间夹持基板21的位置，即被配置于基板21的第2面21b侧的位置。
接着，参照图12A～图13C并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的具体结构作如下说明。在本实施方式中，在基板21的第1面21a侧和第2面21b侧分别设置被层叠的多个电介质层。具体地来说LC复合部件1具备被配置于基板21的第1面21a与磁性层22的第2面22b之间的电介质层31,33,34,35,36、被配置于基板21的第2面21b侧的电介质层51,52,53。电介质层31,33～36自基板21的第1面21a侧其就按该顺序被配置。电介质层51～53自基板21的第2面21b侧起按53,52,51的顺序被配置。电介质层31,33～36,51～53分别具有朝着与基板21的第1面21a相同的方向的第1面、朝着与基板21的第2面21b相同的方向的第2面。
LC复合部件1进一步具备由被配置于电介质层51的第2面之上的电介质材料构成的保护用电介质层。保护用电介质层具有朝着与基板21的第1面21a相同的方向的第1面、朝着与基板21的第2面21b相同的方向的第2面。在本实施方式中，LC复合部件1的部件主体20的上面是由保护用电介质层的第2面所构成。
在本实施方式中，芯部23,24被埋入到电介质层31,33～36的层叠体中。还有，在图13B以及图13C中省略了芯部23,24。
图12A是表示电介质层51的第2面。在电介质层51的第2面上形成电容器用导体部513,515,516、端子用导体部51T1,51T2,51T3,51T4。导体部513,515,516，51T1～51T4的图12A中的配置与在第1实施方式中已作了说明的导体部313,315,316，31T1～31T4的图4A中的配置相同。
LC复合部件1包含贯通电介质层51,52的导体部51V1,51V2,51V3,51V4,51V5。在图12A中，用虚线来表示导体部51V1～51V5。在导体部51T1～51T4,513上分别连接导体部51V1～51V5的一端。
图12B是表示电介质层52的第2面。在电介质层52的第2面上形成电容器用导体部523,524,525A,52B,526。导体部523,524,525A,525B,526的在图12B中的配置与在第1实施方式中已作了说明的导体部323,324,325A,325B,326的在图4B中的配置相同。
导体部523,524通过电介质层51与图12A所表示的导体部513相对。本实施方式中的电容器13是由导体部513,523、位于这两个导体部之间的电介质层51的一部分所构成。本实施方式中的电容器14是由导体部513,524、位于这两个导体部之间的电介质层51的一部分所构成。另外，导体部525A,525B通过电介质层51与图12A所表示的导体部515相对。本实施方式中的电容器15是由导体部515,525A,525B、位于这些导体部之间的电介质层51的一部分所构成。另外，导体部526通过电介质层51与图12A所表示的导体部516相对。本实施方式中的电容器16是由导体部516,526、位于这两个导体部之间的电介质层51的一部分所构成。
在图12B中，将阴影线画于导体部51V1～55V6。LC复合部件1包含贯通电介质层52的导体部52V7,52V8,52V9,52V10,52V11。在图12B中，用虚线来表示导体部52V7～52V11。在导体部523,524,525A,525B,526上分别连接导体部52V7～52V11的一端。
图12C是表示电介质层53的第2面。在电介质层53的第2面上形成连接用导体部533,534,535A,535B,536,538、端子用导体部53T1,53T2,53T3,53T4。导体部533,534,535A,535B,536,53T1～53T4的图12C中的配置与在第1实施方式中已作了说明的导体部333,334,335A,335B,336,33T1～33T4的图C中的配置相同。导体部538被配置于导体部533与导体部534之间。
导体部538,53T1～53T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层53的第1面的方向相同)进行观察的时候与图12A所表示的导体部513,51T1～51T4相重叠的位置。导体部533,534,535A,535B,536分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与图12B所表示的导体部523,524,525A,525B,526相重叠的位置。
在导体部53T1～53T4,538上分别连接图12A以及图12B所表示的导体部51V1～51V5的另一端。在导体部533,534,535A,535B,536上分别连接图12B所表示的导体部52V7～52V11的另一端。
LC复合部件1包含贯通基板21以及电介质层31,53的连接用导体部61,62,63,64,65,66。在图12C中，用虚线来表示导体部61～66。在导体部53T1～53T4,538,536上分别连接导体部61～66的一端。
图13A是表示基板21、贯通基板21的导体部61～66。在图13A中，将阴影线画于导体部61～66。
图13B是表示电介质层31的第1面。在本实施方式中，与第1实施方式相同形成电感器用导体部311,312以及端子用导体部31T1～31T4。上述多个导体部的形状以及配置与第1实施方式相同。在本实施方式中，特别是导体部31T1～31T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层31的第1面的方向相同)进行观察的时候与图12C所表示的导体部53T1～53T4相重叠的位置。还有，在本实施方式中不设置连接用导体部313,315,316。
在本实施方式中，在电介质层31的第1面上进一步形成连接用导体部318,319。导体部318被配置于图13B中的导体部311,312的下侧的位置。另外，导体部318被连接于导体部311,312的各一端。导体部319被配置于图13B中的导体部311,312的上侧的位置。导体部318,319分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与图12C所表示的导体部538,536相重叠的位置。
在图13B中用两点划线表示导体部61～66。在导体部31T1～31T4,318,319上分别连接导体部61～66的另一端。
图13C是表示导电体层33的第1面。在本实施方式中与第1实施方式相同形成电感器用导体部331,332,337、端子用导体部33T1～33T4以及导体部33V1～33V6。上述多个导体部的形状以及配置与第1实施方式相同。在本实施方式中，特别是导体部337被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层33的第1面的方向相同)进行观察的时候与图13B所表示的导体部319相重叠的位置。另外，导体部33V1～33V6只贯通电介质层33。还有，在本实施方式中不设置连接用导体部333,3334,335A,335B,336以及导体部33V7～33V11。
LC复合部件1包含贯通电介质层33的导体部33V12。在图13C中，用两点划线表示导体部33V12。在图13B所表示的导体部319上连接导体部33V12的一端。在导体部337上连接导体部33V12的另一端。
从电介质层34到磁性层22的部分的结构与第1实施方式中的图5A～图5C所表示的例子相同。
接着，就本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法的一个例子作如下简单说明。在本实施方式中，首先，由与第1实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法的一个例子相同的方法在基板21的第1面21a之上形成从电介质层31到电介质层36的部分(除了芯部23,24以及端子用导体部41～44之外)。接着，在基板21的第2面21b之上形成电介质层53。接着，在基板21以及电介质层31,53上形成连接用导体部61～66用的6个孔。接着，将导体部61～66形成于该6个孔内。另外，在电介质层53以及导体部61～66之上形成图12C所表示的其他多个导体部。接着，形成从电介质层52到保护用电介质层的部分。本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法中的其他工序与第1实施方式相同。
还有，在LC复合部件1中从保护电介质层到电介质层36的部分(除了芯部23,24以及端子用导体部41～44之外)也可以由低温同时烧成法来进行形成。
在本实施方式中，电容器13～16被配置于在其与电感器11,12,17之间夹持基板21的位置。由此，根据本实施方式，能够增大电容器用导体部与电感器用导体部之间的距离，并且能够减少由于电感器11,12,17的损耗引起的LC复合部件1的特性劣化。
本实施方式中的其他结构、作用以及效果与第1实施方式相同。
[第3实施方式]
接着，就本发明的第3实施方式所涉及的LC复合部件1作如下说明。首先，参照图14并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的概略结构作如下说明。图14是表示本实施方式所涉及的LC复合部件1的外观的立体图。本实施方式所涉及的LC复合部件1的电路结构与第1实施方式相同，与图3所表示的相同。
在本实施方式中，不设置在第2实施方式中已作了说明的端子用导体部41～44以及连接用导体部61～64。取而代之的是本实施方式所涉及的LC复合部件1具备分别被配置于部件主体20的4个侧面中任意一个侧面的4个外部导体层25,26,27,28、被配置于部件主体20的底面的4个端子用导体部T1,T2,T3,T4以及4个连接用导体部C1,C2,C3,C4。在本实施方式中，外部导体层25,26被配置于同一个侧面(朝着图14中的左下方向的侧面)。以下，将外部导体层25,26被配置的侧面称作为第1侧面，并用符号20A进行表示。另外，将朝着图14中的右下方向的侧面称作为第2侧面，并用符号20B进行表示。另外，将朝着图14中的右上方向的侧面称作为第3侧面，并用符号20C进行表示。另外，将朝着图14中的左上方向的侧面称作为第4侧面，并用符号20D进行表示。外部导体层27,28被配置于第3侧面20C。
外部导体层25被配置于第1侧面20A与第4侧面20D之间的棱线的近旁。外部导体层26被配置于第1侧面20A与第2侧面20B之间的棱线的近旁。外部导体层25,26的各一端被配置于部件主体20的底面与第1侧面20A之间的棱线的位置。外部导体层25,26的各另一端被配置于部件主体20的上面与第1侧面20A之间的棱线的位置。
外部导体层27被配置于第3侧面20C与第4侧面20D之间的棱线的近旁。外部导体层28被配置于第2侧面20B与第3侧面20C之间的棱线的近旁。外部导体层27,28的各一端被配置于部件主体20的底面与第3侧面20C之间的棱线的位置。外部导体层27,28的各另一端被配置于部件主体20的上面与第3侧面20C之间的棱线的位置。
端子用导体部T1～T4分别通过连接用导体部C1～C4被连接于外部导体层25～28的一端。端子用导体部T1构成本实施方式中的输入端子2。端子用导体部T2构成本实施方式中的输出端子3。端子用导体部T3,T4构成被连接于接地的接地端子。
接着参照图15A～图17C并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的具体结构作如下说明。本实施方式所涉及的LC复合部件1具备与第2实施方式同样配置的电介质层31,33,34,35,36,51,52,53以及保护用电介质层。另外，与第2实施方式相同地，芯部23,24被埋入到电介质层31,33～36的层叠体中。还有，在图16B～图17B中省略了芯部23,24。
图15A是表示电介质层51的第2面，图15B是表示电介质层52的第2面，图15C是表示电介质层53的第2面。在本实施方式中，与第2实施方式相同地，形成电容器用导体部513,515,516,523,524,525A,525B,526、连接用导体部533,534,535A,535B,536,538、端子用导体部53T1,53T2、导体部51V5,52V7～52V11以及连接用导体部65,66。上述多个导体部的形状以及配置与第2实施方式相同。还有，在本实施方式中不设置端子用导体部51T1～51T4,53T3,53T4、导体部51V1～51V4以及连接用导体部61～64。
如图15C所示在本实施方式中，在电介质层53的第2面上进一步形成2个连接用导体部53C1,53C2。导体部53C1,53C2的一端分别被连接于导体部53T1,53T2。导体部53C1,53C2的另一端分别被连接于图14所表示的外部导体层25,26。
图16A表示基板21、贯通基板21的导体部65,66，图16B是表示电介质层31的第1面，图16C是表示电介质层33的第1面。在本实施方式中，与第2实施方式相同形成电感器用导体部311,312,331,332,337、连接用导体部318,319、导体部33V5,33V6,33V12以及连接用导体部65,66。上述多个导体部的形状以及配置与第2实施方式相同。还有，在本实施方式中不设置端子用导体部31T1～31T4,33T1～33T4以及导体部33V1～33V4。
图17A是表示电介质层34的第1面，图17B是表示电介质层35的第1面。在本实施方式中，与第2实施方式(第1实施方式)相同地形成电感器用导体部341,342,347,351,352,357A,357B、端子用导体部35T1～35T4以及导体部34V5～34V7,35V5～35V8。上述多个导体部的形状以及配置与第2实施方式(第1实施方式)相同。还有，在本实施方式中不设置端子用导体部34T1～34T4。
如图17B所示在本实施方式中，在电介质层35的第1面上进一步形成4个连接用导体部35C1,35C2,35C3,35C4。导体部35C1～35C4的一端分别被连接于导体部35T1～35T4。导体部35C1～35C4的另一端分别被连接于图14所表示的外部导体层25～28。
图17C表示磁性层22的第1面22a。在本实施方式中不设置端子用导体部41～44。取而代之，在磁性层22的第1面22a上形成端子用导体部T1～T4以及连接用导体部C1～C4。还有，图17C是以从磁性层22的第2面22b侧看到的状态表示上述多个导体部。上述多个导体部的图17C中的配置如以下所述。导体部T1被配置于左下角部的近旁。导体部T2被配置于右下角部的近旁。导体部T3被配置于左上角部的近旁。导体部T4被配置于右上角部的近旁。
导体部C1～C4的一端分别被连接于导体部T1～T4。导体部C1～C4的另一端分别被连接于图14所表示的外部导体层25～28。导体部T1～T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于磁性层22的第1面22a的方向相同)进行观察的时候与图17B所表示的导体部35T1～35T4相重叠的位置。
接着，就本实施方式所涉及的LC复合部件1的制造方法的一个例子作如下简单说明。在本实施方式中，首先根据与第2实施方式相同的方法制作部件主体20。接着，在部件主体20的第1侧面20A上形成外部导体层25,26，在部件主体20的第3侧面20C上形成外部导体层27,28，并在部件主体20的底面上形成端子用导体部T1～T4以及连接用导体部C1～C4。
本实施方式中的其他结构、作用以及效果与第2实施方式相同。
[第4实施方式]
接着，就本发明的第4实施方式所涉及的LC复合部件1作如下说明。首先，参照图18并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的概略结构作如下说明。图18是表示本实施方式所涉及的LC复合部件1的结构的截面图。本实施方式所涉及的LC复合部件1的电路结构与第1实施方式相同，并如同图3所示。
如图18所示，在本实施方式所涉及的LC复合部件1中，基板21、磁性层22、形成有电感器11,12,17的多个电介质层的层叠体、以及形成有电容器13～16的多个电介质层的层叠体的上下位置关系成为与第2实施方式相反。在本实施方式中，基板21的第1面21a和磁性层22的第1面的第1面22a朝上，基板21的第2面21b和磁性层22的第2面22b朝下。与第2实施方式相同，在本实施方式中电容器13～16是处于在其与电感器11,12,17之间夹持基板21的位置，即被配置于基板21的第2面21b侧的位置。
接着，参照图19A～图21C并就本实施方式所涉及的LC复合部件1的具体结构作如下说明。在本实施方式中，被层叠的多个电介质层分别被设置于基板21的第1面21a侧和第2面21b侧。具体地来说LC复合部件1具备被配置于基板21的第1面21a与磁性层22的第2面22b之间的电介质层71,72,73,74、被配置于基板21的第2面21b侧的导电体层81,82,83,84。电介质层71～74从基板21的第1面21a侧起按74,73,72,71的顺序进行配置。电介质层81～84从基板21的第2面21b侧起按该顺序进行配置。电介质层71～74,81～84分别具有朝着与基板21的第1面21a相同方向的第1面、朝着与基板21的第2面21b相同方向的第2面。LC复合部件1进一步具备由被配置于电介质层71的第1面与磁性层22的第2面22b之间的电介质材料构成的保护用电介质层。
在本实施方式中，LC复合部件1的部件主体20的上面是由磁性层22的第1面22a所构成。LC复合部件1的部件主体20的底面是由电介质层84的第2面所构成。LC复合部件1例如其部件主体20的底面即电介质层84的第2面以朝着没有图示的实装基板的上面的形态被实装于实装基板。
在本实施方式中，芯部23,24被埋入到电介质层71～74以及保护用电介质层的层叠体。还有，在图19A～图20A中省略了芯部23,24。
图19A是表示电介质层71的第1面。在电介质层71的第1面上形成电感器用导体部711,712,717A,717B、端子用导体部71T1,71T2,71T3,71T4。导体部711,712,717A,717B,71T1～71T4的图19A中的配置与在第1实施方式中已作了说明的导体部351,352,357A,357B,35T1～35T4的图5B中的配置相同。另外，导体部711,712的形状与在第1实施方式中已作了说明的导体部351,352的形状相同。
LC复合部件1包含贯通电介质层71的导体部71V1,71V2,71V3,71V4,71V5,71V6,71V7,71V8。在图19A中，用虚线来表示导体部71V1～71V8。在导体部71T1～71T4,711,712,717A,717B上分别连接导体部71V1～71V8的一端。
图19B是表示电介质层72的第1面。在电介质层72的第1面上形成电感器用导体部721,722,727、端子用导体部72T1,72T2,72T3,72T4。导体部721,722,727,72T1～72T4的图19B中的配置与在第1实施方式中已作了说明的导体部341,342,347,34T1～34T4的图5A中的配置相同。另外，导体部721,722的形状与在第1实施方式中已作了说明的导体部341,342的形状相同。
导体部721,722,72T1～72T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层72的第1面的方向相同)进行观察的时候与图19A所表示的导体部711,712,71T1～71T4相重叠的位置。导体部727被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向进行观察的时候与图19A所表示的导体部717A,717B相重叠的位置。在导体部72T1～72T4,721,722上分别连接图19A所表示的导体部71V1～71V6的另一端。在导体部727上连接图19A所表示的导体部71V7,71V8的各另一端。
LC复合部件1包含贯通电介质层72的导体部72V1,72V2,72V3,72V4,72V5,72V6,72V7。在图19B中，用虚线来表示导体部72V1～72V7。在导体部72T1～72T4,721,722,727上分别连接导体部72V1～72V7的另一端。
图19C是表示电介质层73的第1面。在电介质层73的第1面上形成电感器用导体部731,732,737、端子用导体部73T1,73T2,73T3,73T4。导体部731,732,737,73T1～73T4的图19C中的配置与在第2实施方式中已作了说明的导体部331,332,337,33T1～33T4的图13C中的配置相同。另外，导体部731,732的形状与在第2实施方式(第1实施方式)中已作了说明的导体部331,332的形状相同。
导体部731,732,737,73T1～73T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层73的第1面的方向相同)进行观察的时候与图19B所表示的导体部721,722,727,72T1～72T4相重叠的位置。在导体部73T1～73T4,731,732,737上分别连接图19B所表示的导体部72V1～72V7的另一端。
LC复合部件1包含贯通电介质层73的导体部73V1,73V2,73V3,73V4,73V5,73V6,73V12。在图19C中，用虚线来表示导体部73V1～73V6,73V12。在导体部73T1～73T4,731,732,737上分别连接导体部73V1～73V6,73V12的一端。
图20A是表示电介质层74的第1面。在电介质层74的第1面上形成电感器用导体部741,742、连接用导体部748,749、端子用导体部74T1,74T2,74T3,74T4。导体部741,742,748,749,74T1～74T4的图20A中的配置与在第2实施方式中已作了说明的导体部311,312,318,319,31T1～31T4的图13B中的配置相同。另外，导体部741,742的形状与在第2实施方式(第1实施方式)中已作了说明的导体部311,312的形状相同。
导体部741,742,749,74T1～74T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层74的第1面的方向相同)进行观察的时候与图19C所表示的导体部731,732,737,73T1～73T4相重叠的位置。在导体部74T1～74T4,741,742,749上分别连接图19C所表示的导体部73V1～73V6,73V12的另一端。
本实施方式中的连接用导体部61～66贯通基板21以及电介质层74,81。在图20A中，用虚线来表示导体部61～66。在导体部74T1～74T4,748,749上分别连接导体部61～66的一端。
图20B是表示基板21、贯通基板21的导体部61～66。在图20B中，将阴影线画于导体部61～66。
图20C是表示电介质层81的第2面。在电介质层81的第2面上形成连接用导体部813,814,815A,815B,816,818、端子用导体部81T1,81T2,81T3,81T4。还有，图20C是以从电介质层81的第1面侧看到的状态表示上述多个导体部。导体部813,814,815A,815B,816,818,81T1～81T4的图20C中的配置与在第2实施方式中已作了说明的导体部533,534,535A,535B,536,538,53T1～53T4的图12C中的配置相同。
导体部818,816,81T1～81T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层81的第1面的方向相同)进行观察的时候与图20A所表示的导体部748,749,74T1～74T4相重叠的位置。另外，在图20C中，用两点划线来表示导体部61～66。在导体部81T1～81T4,818,816上分别连接导体部61～66的另一端。
图21A是表示电介质层82的第2面。在电介质层82的第2面上形成电容器用导体部823,824,825A,825B,826。还有，图21A是以从电介质层82的第1面侧看到的状态表示上述多个导体部。导体部823,824,825A,825B,826的图21A中的配置与在第2实施方式中已作了说明的导体部523,524,525A,52B,526的图12B中的配置相同。
导体部823,824,825A,825B,826分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层81的第2面的方向相同)进行观察的时候与图20C所表示的导体部813,814,815A,815B,816相重叠的位置。
LC复合部件1包含贯通磁性层82，83的导体部83V1,83V2,83V3,83V4,83V5、贯通电介质层82的导体部82V7,82V8,82V9,82V10,82V11。在图21A中，将阴影线画于导体部83V1～83V5。另外，在图21A中，用两点划线来表示导体部82V7～82V11。在图20C所表示的导体部81T1～81T4,818上分别连接导体部83V1～83V5的一端。在图20C所表示的导体部813,814,815A,815B,816上分别连接导体部82V7～82V11的一端。在导体部823,824,825A,825B,826上分别连接导体部82V7～82V11的另一端。
图21B是表示电介质层83的第2面。在电介质层83的第2面上形成电容器用导体部833,835,836、端子用导体部83T1,83T2,83T3,83T4。还有，图21B是以从电介质层83的第1面侧看到的状态表示上述多个导体部。导体部833,835,836,83T1～83T4的图21B中的配置与在第2实施方式中已作了说明的导体部513,515,516,51T1～51T4的图12A中的配置相同。
图21A所表示的导体部823,824通过电介质层83与导体部833相对。本实施方式中的电容器13是由导体部823,833、位于这两个导体部之间的电介质层83的一部分所构成。本实施方式中的电容器14是由导体部824,833、位于这两个导体部之间的电介质层83的一部分所构成。另外，图21A所表示的导体部825A,825B通过电介质层83与导体部835相对。本实施方式中的电容器15是由导体部825A,825B,835、位于这些导体部之间的电介质层83的一部分所构成。另外，图21A所表示的导体部826通过电介质层83与导体部836相对。本实施方式中的电容器16是由导体部826,836、位于这两个导体部之间的电介质层83的一部分所构成。
导体部833,83T1～83T4分别被配置于在从垂直于基板21的第1面21a的方向(与垂直于电介质层83的第1面的方向相同)进行观察的时候与图20C所表示的导体部818,81T1～81T4相重叠的位置。另外，在图21B中，用两点划线来表示导体部83V1～83V5。在导体部83T1～83T4,835上分别连接导体部83V1～83V5的另一端。
图21C是表示电介质层84、贯通电介质层84的要素。LC复合部件1包含贯通电介质层84的端子用导体部84V1,84V2,84V3,84V4。在图21C中，将阴影线画于导体部84V1～84V4。在图21B所表示的导体部83T1～83T4上分别连接导体部84V1～84V4的一端。本实施方式中的输入端子2是由导体部84V1的另一端所构成。本实施方式中的输出端子3是由导体部84V2的另一端所构成。导体部84V3,84V4的各另一端构成被连接于接地的接地端子。
本实施方式中的电感器11是由电感器用导体部711,721,731,741和导体部71V5,72V5,73V5所构成。如图18所示，本实施方式中的芯部23位于导体部711,721,731,741的内周部的内侧。导体部711,721,731,741任一个都是沿着芯部23的外周进行延伸的线状导体部。
本实施方式中的电感器12是由电感器用导体部712,722,732,742和导体部71V6,72V6,73V6所构成。如图18所示，本实施方式中的芯部24位于导体部712,722,732,742的内周部的内侧。导体部712,722,732,742任一个都是沿着芯部24的外周进行延伸的线状的导体部。
本实施方式中的电感器17是由电感器用导体部717A,717B,727,737和导体部71V7,71V8,72V7所构成。
本实施方式中的其他结构、作用以及效果与第1或者第2实施方式相同。
还有，本发明并不限定于以上所述各个实施方式，只要是在本发明的宗旨范围内各种各样的变更都是可能的。例如，本发明的LC复合部件并不限定于低通滤波器，能够适用于包含电感器和电容器的所有电子部件。
根据以上说明就可明确实施本发明的各种各样形态或变形例是可能的。因此，在与本发明的权利要求范围相均等的范围内即使是上述最佳方式以外的方式也能够实施本发明。

Claims (5)

1.一种LC复合部件，其特征在于：
具备：
1个以上的电感器；
1个以上的电容器；
具有磁性的磁性层；以及
支撑所述1个以上的电感器、所述1个以上的电容器以及所述磁性层的基板，
所述基板具有第1面、与所述第1面为相反侧的第2面，
所述磁性层以与所述基板的第1面相对的形式被配置，
所述1个以上的电感器被配置于所述基板的第1面与所述磁性层之间，
所述1个以上的电感器与所述基板的第1面之间，不存在任何磁性层，
在垂直于所述基板的第1面的方向上，所述基板的厚度大于所述磁性层的厚度，
所述基板的复数导磁率的实部和虚部分别小于所述磁性层的复数导磁率的实部和虚部，
所述LC复合部件不包含所述1个以上的电感器以外的电感器，
所述LC复合部件不包含所述1个以上的电容器以外的电容器，
所述1个以上的电容器的各个，从垂直于所述基板的第1面的方向观察时与所述1个以上的电感器的任意一个不相重叠。
2.如权利要求1所述的LC复合部件，其特征在于：
所述基板的厚度在所述磁性层的厚度的1.1～3倍的范围内。
3.如权利要求1所述的LC复合部件，其特征在于：
所述1个以上的电容器被配置于所述基板的第1面与所述磁性层之间的位置。
4.如权利要求1所述的LC复合部件，其特征在于：
所述1个以上的电容器被配置于在其与所述1个以上的电感器之间夹持所述基板的位置。
5.如权利要求1所述的LC复合部件，其特征在于：
进一步具备1个以上的芯部，其被配置于所述基板的第1面与所述磁性层之间且连接于所述磁性层、并具有磁性，
所述1个以上的电感器包含沿着所述1个以上的芯部的外周延伸的1个以上的线状的导体部。
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