JP6677359B1 - アンテナ素子及びアンテナ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子の通信性能を向上させることができる。アンテナ素子（１）は、積層体（２）と、コイル導体（３）とを備える。積層体（２）は、互いに積層する第１非磁性部（４１）と第１磁性部（５１）とを含む。第１磁性部（５１）は、第１非磁性部（４１）に比べて第１主面（２１）に近接する。コイル導体（３）は、第１導体パターン部（６１）と、第１絶縁パターン部（７１）とを含む。第１導体パターン部（６１）は、第１非磁性部（４１）と第１磁性部（５１）との間に位置する。第１絶縁パターン部（７１）は、第１導体パターン部（６１）の第２主面（２２）側に設けられており、第１導体パターン部（６１）の線幅（δ１１）よりも細い線幅（δ２１）を有する。第１絶縁パターン部（７１）は、積層体（２）の積層方向（Ｄ１）からの平面視で、第１導体パターン部（６１）と重なる。

Description

本発明は、一般にアンテナ素子及びアンテナ素子の製造方法に関し、より詳細には、非磁性部と磁性部とを含む積層体内にコイル導体が設けられているアンテナ素子及びアンテナ素子の製造方法に関する。

従来、アンテナコイル（コイル導体）を備えるアンテナ装置（アンテナ素子）が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載されたアンテナ装置では、複数の磁性体層（磁性層）が積層されており、アンテナコイルが、複数の磁性体層の表面に形成された複数の配線パターン（導体パターン部）を備える。特許文献１に記載されたアンテナコイルは、コイル巻回軸を磁性体層の積層方向に一致させて磁性体層に形成されている。

国際公開第２０１５／００８７０４号

ところで、特許文献１に記載されたアンテナ装置のような従来のアンテナ素子では、コイル導体が磁性部に覆われていると磁性損が大きくなるという問題があった。この問題を解消しようとする場合、例えば、コイル導体を磁性部で覆わず、コイル導体を磁性部から離れた位置に設けることが考えられる。しかし、コイル導体が磁性部から離れると、磁束を効率的に放射させにくくなり、アンテナ素子の通信性能が低下するという問題が生じうる。

本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子の通信性能を向上させることができるアンテナ素子及びアンテナ素子の製造方法を提供することにある。

本発明の一態様に係るアンテナ素子は、積層体と、コイル導体とを備える。前記積層体は、第１非磁性部と第１磁性部とを含む。前記第１磁性部は、前記第１非磁性部と積層する。前記コイル導体は、前記積層体内に設けられている。前記コイル導体の巻回軸は、前記積層体の積層方向に平行である。前記積層体は、第１主面と、第２主面とを有する。前記第２主面は、前記積層方向において前記第１主面に対向し、実装面である。前記第１磁性部は、前記積層方向において前記第１非磁性部に比べて前記第１主面に近接する。前記コイル導体は、第１導体パターン部と、第１絶縁部とを含む。前記第１導体パターン部は、前記積層方向において前記第１非磁性部と前記第１磁性部との間に位置する。前記第１絶縁部は、前記第１導体パターン部の前記第２主面側に設けられており、前記第１導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する。前記第１絶縁部は、前記積層方向からの平面視で、前記第１導体パターン部と重なる。

本発明の一態様に係るアンテナ素子の製造方法は、非磁性部を構成する非磁性層と、磁性部を構成する磁性層とを準備する工程を有する。前記アンテナ素子の製造方法は、前記磁性層の主面に第１導体パターン部を設ける工程を更に有する。前記アンテナ素子の製造方法は、前記第１導体パターン部上に、前記第１導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する補助膜を設ける工程を更に有する。前記アンテナ素子の製造方法は、前記第１導体パターン部及び前記補助膜が設けられた前記主面を覆うように前記磁性層に前記非磁性層を積層する工程を更に有する。前記アンテナ素子の製造方法は、前記磁性層と前記非磁性層とを積層させた状態で積層方向から押して、前記第１導体パターン部のうち前記補助膜が設けられている部分を残りの部分よりも前記磁性層側に位置させる工程を更に有する。前記アンテナ素子の製造方法は、積層体を焼結して、前記第１導体パターン部の前記線幅よりも細い幅を有する第１絶縁部を形成する工程を更に有する。

本発明の上記態様に係るアンテナ素子によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子の通信性能を向上させることができる。

本発明の上記態様に係るアンテナ素子の製造方法によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子の通信性能を向上させるアンテナ素子を製造することができる。

図１Ａは、実施形態１に係るアンテナ素子の断面図である。図１Ｂは、同上のアンテナ素子の要部の拡大図である。 図２は、同上のアンテナ素子の斜視図である。 図３は、同上のアンテナ素子の正面図である。 図４Ａは、同上のアンテナ素子の磁束を示す概略図である。図４Ｂは、比較例のアンテナ素子の磁束を示す概略図である。 図５は、同上のアンテナ素子を構成する複数の基材層の一部の平面図である。 図６は、同上のアンテナ素子を構成する複数の基材層の残りの平面図である。 図７Ａは、実施形態２に係るアンテナ素子の断面図である。図７Ｂは、同上のアンテナ素子の要部の拡大図である。 図８は、実施形態３に係るアンテナ素子の断面図である。 図９は、実施形態４に係るアンテナ素子の断面図である。 図１０は、実施形態５に係るアンテナ素子の断面図である。 図１１は、同上のアンテナ素子を構成する複数の基材層の一部の平面図である。 図１２は、同上のアンテナ素子を構成する複数の基材層の残りの平面図である。

以下、実施形態１〜５に係るアンテナ素子及びアンテナ素子の製造方法について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等では、既に説明した実施形態と異なる点を重点的に説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、全ての実施形態等で逐一説明せず、一部あるいは全部省略する。下記の実施形態等において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。なお、図１Ａ、図１Ｂ、図７Ａ、図７Ｂ、図８〜図１０は、いずれも断面図であるが、構造をわかりやすくするため、構成の一部をドットパターンで示す。図１Ａは、図３のＸ−Ｘ線断面図である。

各実施形態に係る「アンテナ素子」は、「無線伝送システム」に用いられるアンテナ素子である。ここで、「無線伝送システム」は、伝送相手（外部機器のアンテナ）と、磁界結合による無線伝送を行うシステムである。「伝送」は、信号の送受信と電力の送受信との両方の意味を含む。また、「無線伝送システム」は、近距離無線通信システムと無線給電システムとの両方の意味を含む。アンテナ素子は磁界結合による無線伝送を行うため、アンテナ素子の電流経路の長さつまり後述のコイル導体の線路長は、無線伝送で使用する周波数における波長λに比べて十分に小さく、λ／１０以下である。したがって、無線伝送の使用周波数帯においては電磁波の放射効率は低い。なお、ここでいう波長λは、コイル導体が設けられている基材の誘電性及び透磁性による波長短縮効果を考慮した実効的な波長である。コイル導体の両端は、給電回路に接続され、アンテナの電流経路つまりコイル導体には、ほぼ一様な大きさの電流が流れる。

また、各実施形態に係る「アンテナ素子」が用いられる近距離無線通信としては、例えばＮＦＣ（Near Field Communication）がある。近距離無線通信で使用される周波数帯は、例えばＨＦ帯であり、特に１３．５６ＭＨｚ及びその近傍の周波数帯である。

また、各実施形態に係る「アンテナ素子」に用いられる無線給電の方式としては、例えば、電磁誘導方式及び磁界共鳴方式のような磁界結合方式がある。電磁誘導方式の無線給電規格としては、例えばＷＰＣ（Wireless Power Consortium）の策定する規格「Ｑｉ（登録商標）」がある。電磁誘導方式で使用される周波数帯は、例えば１１０ｋＨｚ以上２０５ｋＨｚ以下の範囲及び上記範囲の近傍の周波数帯に含まれている。磁界共鳴方式の無線給電規格としては、例えば、ＡｉｒＦｕｅｌ（登録商標） Ａｌｌｉａｎｃｅの策定する規格「ＡｉｒＦｕｅｌ Ｒｅｓｏｎａｎｔ」がある。磁界共鳴方式で使用される周波数帯は、例えば６．７８ＭＨｚ帯又は１００ｋＨｚ帯である。

（実施形態１）
（１）実施形態１の概要
まず、実施形態１の概要について、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明する。

実施形態１に係るアンテナ素子１は、積層体２と、コイル導体３とを備える。アンテナ素子１では、積層体２は、第１非磁性部４１と、第１非磁性部４１と積層する第１磁性部５１とを含む。コイル導体３は、積層体２内に設けられており、巻回軸が積層体２の積層方向Ｄ１に平行である。ここで、本明細書における「平行」とは、必ずしも厳密に「平行」であることのみを意味するのではなく、所定方向に対して０°〜±１５°の角度をなしていてもよい。すなわち、実質的に平行であればよい。コイル導体３の巻回軸は、例えば、積層方向Ｄ１に対して０°〜±１５°の角度をなしていてもよい。

積層体２は、第１主面２１と、第２主面２２とを有する。第２主面２２は、積層方向Ｄ１において第１主面２１に対向し、実装面である。第１磁性部５１は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１に比べて第１主面２１に近接する。

上記のようなアンテナ素子１において、コイル導体３は、第１導体パターン部６１と、第１絶縁パターン部７１とを含む。第１導体パターン部６１は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間に位置する。第１絶縁パターン部７１は、第１導体パターン部６１の第２主面２２側に設けられており、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する。そして、第１絶縁パターン部７１は、積層方向Ｄ１からの平面視で、第１導体パターン部６１と重なる。

本明細書において、「導体パターン部が積層方向Ｄ１において非磁性部と磁性部との間に位置する」とは、導体パターン部が積層方向Ｄ１において非磁性部と磁性部との両方に接していることをいう。

上記より、アンテナ素子１では、第１磁性部５１と第１非磁性部４１との間にコイル導体３の第１導体パターン部６１が設けられている。これにより、コイル導体３が磁性部に覆われている場合に比べて、磁性損を抑制することができる。

また、アンテナ素子１では、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間に位置する第１導体パターン部６１において、第１導体パターン部６１の第２主面２２側に、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する第１絶縁パターン部７１が設けられている。これにより、押圧等の工程を経て、第１導体パターン部６１を第１主面２１側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２よりも積層方向Ｄ１に近づけることができる。特に、第１導体パターン部６１の第１主面２１側の側面のほうが、第１導体パターン部６１の第２主面２２側の側面よりも大きく突出させることができるので、磁束の方向を積層方向Ｄ１に容易に近づけることができる。その結果、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

これにより、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

（２）実施形態１の詳細
次に、実施形態１の詳細について説明する。

（２．１）アンテナ素子の全体構成
実施形態１に係るアンテナ素子１は、図１Ａ、図２及び図３に示すように、積層体２と、コイル導体３とを備える。アンテナ素子１は、図２に示すように、例えば直方体状に形成されている。アンテナ素子１の寸法は、例えば、縦６ｍｍ程度、幅３ｍｍ程度、高さ１ｍｍ程度である。なお、アンテナ素子１は、上記の寸法には限定されない。

（２．２）アンテナ素子の各構成要素
次に、実施形態１に係るアンテナ素子１の各構成要素について、図面を参照して説明する。

（２．２．１）積層体
積層体２は、図１Ａに示すように、第１非磁性部４１と、第１非磁性部４１と積層する第１磁性部５１とを含む。積層体２は、第２磁性部５２を更に含む。

積層体２は、第１主面２１と、第２主面２２とを有する。第２主面２２は、積層体２の積層方向Ｄ１において第１主面２１に対向し、実装面である。

（２．２．２）第１非磁性部
第１非磁性部４１は、複数の非磁性層Ｓ３〜Ｓ９（図５及び図６参照）を積層して構成されている。第１非磁性部４１は、積層方向Ｄ１において第１磁性部５１と第２磁性部５２とに挟まれている。第１非磁性部４１を構成する複数の非磁性層Ｓ３〜Ｓ９は、例えば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）の非磁性体フェライト等の焼結体である。

（２．２．３）第１磁性部
第１磁性部５１は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１に比べて第１主面２１に近接する。より詳細には、第１磁性部５１は、第１非磁性部４１の放射面側に配置されている。第１磁性部５１は、磁性層Ｓ１０（図６参照）を含む少なくとも１つの磁性層で構成されている。第１磁性部５１を構成する磁性層Ｓ１０は、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体である。なお、「第１磁性部５１が積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１に比べて第１主面２１に近接する」とは、図１Ａに示すように第１磁性部５１の主面が第１主面２１となっている場合と、第１磁性部５１の主面が第１主面２１と異なっている場合との両方を含む。

（２．２．４）第２磁性部
第２磁性部５２は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１に比べて第２主面２２に近接する。より詳細には、第２磁性部５２は、第１非磁性部４１の実装面側に配置されている。第２磁性部５２は、磁性層Ｓ２（図５参照）を含む少なくとも１つの磁性層で構成されている。第２磁性部５２を構成する磁性層Ｓ２は、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体である。なお、「第２磁性部５２が積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１に比べて第２主面２２に近接する」とは、図１Ａに示すように第２磁性部５２の主面が第２主面２２となっている場合と、第２磁性部５２の主面が第２主面２２と異なっている場合との両方を含む。

（２．２．５）コイル導体
コイル導体３は、図１Ａに示すように、積層体２内に設けられている。コイル導体３の巻回軸は、積層体２の積層方向Ｄ１に平行である。より詳細には、コイル導体３は、第１非磁性部４１、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との境界、又は第１非磁性部４１と第２磁性部５２との境界に設けられている。

コイル導体３は、第１導体パターン部６１と、第２導体パターン部６２と、複数（図示例では６つ）の第３導体パターン部６３と、第１絶縁パターン部７１とを含む。

（２．２．６）第１導体パターン部
第１導体パターン部６１は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間に位置する。より詳細には、第１導体パターン部６１は、コイル導体３のうち第１主面２１（放射面）に最も近接する部分であり、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との境界に設けられている。第１導体パターン部６１は、例えばＡｇを主成分とする導体パターン部である。

（２．２．７）第２導体パターン部
第２導体パターン部６２は、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１と第２磁性部５２との間に位置する。より詳細には、第２導体パターン部６２は、コイル導体３のうち第２主面２２（実装面）に最も近接する部分であり、第１非磁性部４１と第２磁性部５２との境界に設けられている。第２導体パターン部６２は、例えばＡｇを主成分とする導体パターン部である。

（２．２．８）第３導体パターン部
複数の第３導体パターン部６３の各々は、第１非磁性部４１内に位置する。つまり、各第３導体パターン部６３は、第１非磁性部４１で覆われている。第３導体パターン部６３は、例えばＡｇを主成分とする導体パターン部である。

複数の第３導体パターン部６３のうち第１導体パターン部６１と隣接する第３導体パターン部６３は、層間接続導体によって第１導体パターン部６１と電気的に接続されている。上記層間接続導体は、第１非磁性部４１に設けられている。より詳細には、上記層間接続導体は、第１非磁性部４１を構成する非磁性層Ｓ９（図６参照）を貫通するように設けられている。

複数の第３導体パターン部６３のうち第２導体パターン部６２と隣接する第３導体パターン部６３は、層間接続導体によって第２導体パターン部６２と電気的に接続されている。上記層間接続導体は、第１非磁性部４１に設けられている。より詳細には、上記層間接続導体は、第１非磁性部４１を構成する非磁性層Ｓ３（図５参照）を貫通するように設けられている。

（２．２．９）第１絶縁パターン部
第１絶縁パターン部７１は、第１導体パターン部６１の第２主面２２側に設けられており、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する。第１絶縁パターン部７１は、積層方向Ｄ１からの平面視で、第１導体パターン部６１と重なる。つまり、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも狭い線幅δ２１を有する第１絶縁パターン部７１が第１導体パターン部６１に沿って配置されている。ここで、本明細書における「絶縁パターン部」は、本発明における「絶縁部」に対応する。第１絶縁パターン部７１は、本発明における第１絶縁部に対応する。

第１絶縁パターン部７１の線幅δ２１は第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細く、第１絶縁パターン部７１の厚さは第１導体パターン部６１の厚さよりも薄い。なお、第１絶縁パターン部７１及び第１導体パターン部６１の寸法の大小関係は上記に限定されない。

第１導体パターン部６１の第２主面２２側に第１絶縁パターン部７１が設けられていることによって、後述する製造の工程を経て、第１導体パターン部６１は、第１主面２１（放射面）側に盛り上がった形状になる。

ここで、第１導体パターン部６１は、図１Ｂに示すような形状である。つまり、第１導体パターン部６１は、凸状である。あるいは、第１導体パターン部６１は、両端部よりも中央部が第１磁性部５１側に突出している。あるいは、積層方向Ｄ１において、第１導体パターン部６１の重心Ｏ１が第１磁性部５１側に位置している。つまり、第１導体パターン部６１の重心Ｏ１は、平らな第１導体バターン部に比べて、積層方向Ｄ１において第１主面２１側に位置している。なお、第１導体パターン部６１は、急峻に突出していなくてもよく、滑らかに突出していてもよい。

第１導体パターン部６１上において第１絶縁パターン部７１が形成される位置に補助膜７０１（図６参照）が設けられた後、第１非磁性部４１と第１磁性部５１と第２磁性部５２との積層体を積層方向Ｄ１から押した場合、第１導体パターン部６１は、積層方向Ｄ１から押されることによって、両端部よりも中央部が第１主面２１側に突出した形状になる。さらに、上記積層体を積層方向Ｄ１から押した状態で焼結すると、補助膜７０１が燃えて、第１絶縁パターン部７１が形成される。一方、第１絶縁パターン部７１のような絶縁パターン部がない第２導体パターン部６２及び複数の第３導体パターン部６３は、第１導体パターン部６１のような形状にはならず、平らな形状になる。

ところで、第１絶縁パターン部７１は空隙である。すなわち、第１絶縁パターン部７１は、空隙のパターンを有する空隙パターン部である。

（２．３）磁束の流れ
次に、磁束の流れについて、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明する。

図４Ａに示すように、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する第１絶縁パターン部７１が第１導体パターン部６１の第２主面２２側に設けられている。これにより、上述したように、第１導体パターン部６１は、第１主面２１側に盛り上がった形状になる。

第１導体パターン部６１が第１主面２１側に盛り上がった形状になっていることにより、図４Ａの矢印で示すように、第１磁性部５１において、磁束φ１の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２から積層方向Ｄ１に近づけることができる。つまり、磁束φ１について、積層方向Ｄ１の成分を大きくすることができる。その結果、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

一方、第１絶縁パターン部７１が設けられていない比較例の場合、図４Ｂに示すように、第１非磁性部９２と第１磁性部９３との間に位置する第１導体パターン部９１は盛り上がった形状になっていない。第１磁性部９３における磁束φ１０の方向は、実施形態１の場合に比べて、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２に近い。このため、積層方向Ｄ１の成分が小さく、アンテナ素子の通信性能を向上させることが容易でない。

すなわち、実施形態１に係るアンテナ素子１は、第１導体パターン部６１を第１主面２１側に盛り上がった形状にすることにより、第１導体パターン部９１が盛り上がっていない比較例に比べて、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

（２．４）アンテナ素子の製造方法
次に、実施形態１に係るアンテナ素子１の製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。実施形態１に係るアンテナ素子１は、第１工程から第７工程により製造される。図５及び図６に示されている複数の基材層は、非磁性層Ｓ３〜Ｓ９及び磁性層Ｓ２，Ｓ１０である。なお、図５及び図６中における一点鎖線は、層間接続導体による主要な接続関係を示している。図５の非磁性層Ｓ６と図６の非磁性層Ｓ７とは層間接続導体で電気的に接続されている。

第１工程では、第１非磁性部４１を構成する複数の非磁性層Ｓ３〜Ｓ９と、第２磁性部５２を構成する磁性層Ｓ２と、第１磁性部５１を構成する磁性層Ｓ１０とを準備する。非磁性層Ｓ３〜Ｓ９は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体（グリーンシート）である。磁性層Ｓ２，Ｓ１０は、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体（グリーンシート）である。

第２工程では、磁性層Ｓ２の裏面に、複数の端子電極Ｔ１〜Ｔ６を形成する。複数の端子電極のＴ１〜Ｔ６の各々は略矩形の導体パターンである。端子電極Ｔ１〜Ｔ６の材料は、例えばＡｇを主成分とする導体である。

なお、磁性層Ｓ２の裏面に、端子電極Ｔ１〜Ｔ６の外縁部を覆う枠状の絶縁膜（図示せず）を形成する。より詳細には、磁性層Ｓ２の裏面に端子電極Ｔ１〜Ｔ６を形成した後、端子電極Ｔ１〜Ｔ６の外縁部を覆うように枠状に印刷した非磁性体（非磁性フェライト）ペーストを焼成して、絶縁膜として形成する。

第３工程では、非磁性層Ｓ３の裏面に第２導体パターン部６２を設け、非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の裏面に第３導体パターン部６３を設け、磁性層Ｓ１０の裏面（主面）に第１導体パターン部６１を設ける。より詳細には、非磁性層Ｓ３の裏面に、約１ターンの第２導体パターン部６２を形成する。非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の各々の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３を形成する。磁性層Ｓ１０の裏面に、約１ターンの第１導体パターン部６１を形成する。第１導体パターン部６１、第２導体パターン部６２、及び各第３導体パターン部６３の各々の材料は、例えばＡｇを主成分とする導体である。

第４工程では、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に、補助膜７０１を設ける。補助膜７０１は、例えばカーボン膜であり、第１導体パターン部６１の線幅δ１１（図１Ｂ参照）よりも細い線幅δ２１（図１Ｂ参照）を有する。

第５工程では、磁性層Ｓ２、非磁性層Ｓ３、非磁性層Ｓ４、非磁性層Ｓ５、非磁性層Ｓ６、非磁性層Ｓ７、非磁性層Ｓ８、非磁性層Ｓ９、磁性層Ｓ１０の順に積層する。積層体において、磁性層Ｓ２が最下層であり、磁性層Ｓ１０が最上層である。より詳細には、第５工程では、第１導体パターン部６１及び補助膜７０１が設けられた裏面を覆うように磁性層Ｓ１０に非磁性層Ｓ９を積層する。

第６工程では、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向Ｄ１から押圧して、第１導体パターン部６１のうち補助膜７０１が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。

第７工程では、積層体を焼結して、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する第１絶縁パターン部７１を形成する。このとき、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に設けられた補助膜７０１が燃えることによって、補助膜７０１が存在した位置に、第１絶縁パターン部７１としての空隙を形成する。

なお、積層体２には、非磁性層Ｓ３〜Ｓ９以外の層であって導体パターン部が設けられていない非磁性層が含まれていてもよい。また、積層体２には、磁性層Ｓ２，Ｓ１０以外の層であって導体パターン部が設けられていない磁性層が含まれていてもよい。これらの非磁性層及び磁性層についての図示及び説明は省略する。

（３）効果
実施形態１に係るアンテナ素子１では、第１磁性部５１と第１非磁性部４１との間（第１磁性部５１と第１非磁性部４１との境界）にコイル導体３の第１導体パターン部６１が設けられている。これにより、コイル導体３が磁性部に覆われている場合に比べて、磁性損を抑制することができる。

また、実施形態１に係るアンテナ素子１では、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間に位置する第１導体パターン部６１において、第１導体パターン部６１の第２主面２２側に、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する第１絶縁パターン部７１が設けられている。これにより、押圧等の工程を経て、第１導体パターン部６１を第１主面２１側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２よりも積層方向Ｄ１に近づけることができる。特に、第１導体パターン部６１の第１主面２１側の側面のほうが、第１導体パターン部６１の第２主面２２側の側面よりも大きく突出させることができるので、磁束の方向を積層方向Ｄ１に容易に近づけることができる。その結果、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

上記より、実施形態１に係るアンテナ素子１によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

実施形態１に係るアンテナ素子１では、第１絶縁パターン部７１は、他の導体（第３導体パターン部６３等）との間に配置される空隙である。ここで、第１導体パターン部６１の周囲に他の導体が存在する場合には、第１導体パターン部６１と他の導体との間に浮遊容量が発生する。しかし、第１導体パターン部６１と他の導体との間に空隙が位置すると、第１導体パターン部６１と他の導体との間に空隙がない（第１導体パターン部６１と他の導体との間の全てが第１非磁性部４１である）ときよりも、第１導体パターン部６１と他の導体との間に発生する浮遊容量が低くなる。すなわち、第１絶縁パターン部７１が空隙であるから、第１非磁性部４１に比べて第１絶縁パターン部７１の比誘電率は小さい。したがって、第１絶縁パターン部７１が設けられていない場合（第１導体パターン部６１と他の導体との間の全てが第１非磁性部４１である場合）に比べて、第１導体パターン部６１と他の導体との間に発生する浮遊容量を低減させることができる。その結果、アンテナ素子１のＱ値を向上させることができる。

実施形態１に係るアンテナ素子１の製造方法では、第１磁性部５１を構成する磁性層Ｓ１０と第１非磁性部４１を構成する非磁性層Ｓ９との間（磁性層Ｓ１０と非磁性層Ｓ９との境界）にコイル導体３の第１導体パターン部６１が設けられているアンテナ素子１を製造する。これにより、アンテナ素子１において、コイル導体３が磁性部に覆われている場合に比べて、磁性損を抑制することができる。

また、実施形態１に係るアンテナ素子１の製造方法では、非磁性層Ｓ９と磁性層Ｓ１０との間に位置する第１導体パターン部６１において、第１導体パターン部６１の非磁性層Ｓ９側に、第１導体パターン部６１の線幅δ１１よりも細い線幅δ２１を有する補助膜７０１から第１絶縁パターン部７１を形成する。これにより、アンテナ素子１において、第１導体パターン部６１を磁性層Ｓ１０側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束φ１の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向（例えば方向Ｄ２）よりも積層方向Ｄ１に近づけることができる。特に、第１導体パターン部６１の磁性層Ｓ１０側の側面のほうが、第１導体パターン部６１の非磁性層Ｓ９側の側面よりも大きく突出させることができるので、磁束φ１の方向を積層方向Ｄ１に容易に近づけることができる。その結果、アンテナ素子１の通信性能を向上させることができる。

上記より、実施形態１に係るアンテナ素子１の製造方法によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子１の通信性能を向上させるアンテナ素子１を製造することができる。

（４）変形例
以下、実施形態１の変形例について説明する。

実施形態１の変形例として、第１絶縁パターン部７１は、空隙でなく、第１非磁性部４１より比誘電率の小さい絶縁ペーストで形成されてもよい。本変形例の場合、第１導体パターン部６１の第２主面２２側に、絶縁ペーストが設けられることにより、第１絶縁パターン部７１が形成される。

また、実施形態１の変形例として、コイル導体３は、１つだけの第３導体パターン部６３を含んでもよい。要するに、コイル導体３は、少なくとも１つの第３導体パターン部６３を含んでいればよい。

上記の各変形例に係るアンテナ素子においても、実施形態１に係るアンテナ素子１と同様の効果を奏する。

（実施形態２）
実施形態２に係るアンテナ素子１ａは、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第２導体パターン部６２ａ上に第２絶縁パターン部７２が設けられている点で、実施形態１に係るアンテナ素子１（図１Ａ及び図１Ｂ参照）と相違する。なお、実施形態２に係るアンテナ素子１ａに関し、実施形態１に係るアンテナ素子１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るアンテナ素子１ａは、実施形態１のコイル導体３に代えて図７Ａに示すようなコイル導体３ａを備える。実施形態２に係るアンテナ素子１ａでは、実施形態１と同様、第１非磁性部４１の第２主面２２（実装面）側に第２磁性部５２が配置されている。

コイル導体３ａは、実施形態１の第２導体パターン部６２に代えて第２導体パターン部６２ａを含む。また、コイル導体３ａは、第２絶縁パターン部７２を更に含む。なお、実施形態２のコイル導体３ａに関し、実施形態１のコイル導体３（図１Ａ参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

第２導体パターン部６２ａは、実施形態１の第２導体パターン部６２と同様、積層方向Ｄ１において第１非磁性部４１と第２磁性部５２との間に位置する。

第２絶縁パターン部７２は、第２導体パターン部６２ａの第１主面２１側に設けられており、第２導体パターン部６２の線幅δ１２よりも細い線幅δ２２を有する。第２絶縁パターン部７２は、積層方向Ｄ１からの平面視で第２導体パターン部６２ａと重なる。つまり、第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも狭い線幅δ２２を有する第２絶縁パターン部７２が第２導体パターン部６２ａに沿って配置されている。第２絶縁パターン部７２は、本発明における第２絶縁部に対応する。

第２絶縁パターン部７２の線幅δ２２は第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも細く、第２絶縁パターン部７２の厚さは第２導体パターン部６２ａの厚さよりも薄い。なお、第２絶縁パターン部７２及び第２導体パターン部６２ａの寸法の大小関係は上記に限定されない。

第２導体パターン部６２ａの第１主面２１側に第２絶縁パターン部７２が設けられていることによって、第２導体パターン部６２ａは、第２主面２２（実装面）側に盛り上がった形状になる。

ここで、第２導体パターン部６２ａは、図７Ｂに示すような形状である。つまり、第２導体パターン部６２ａは、凸状である。あるいは、第２導体パターン部６２ａは、両端部よりも中央部が第２磁性部５２側に突出している。あるいは、積層方向Ｄ１において、第２導体パターン部６２ａの重心Ｏ２が第２磁性部５２側に位置している。つまり、第２導体パターン部６２ａの重心Ｏ２は、平らな第２導体バターン部に比べて、積層方向Ｄ１において第２主面２２側に位置している。なお、第２導体パターン部６２ａは、急峻に突出していなくてもよく、滑らかに突出していてもよい。

第２導体パターン部６２ａ上において第２絶縁パターン部７２が形成される位置に補助膜が設けられた後、第１非磁性部４１と第１磁性部５１と第２磁性部５２との積層体を積層方向Ｄ１から押した場合、第２導体パターン部６２ａは、積層方向Ｄ１から押されることによって、両端部よりも中央部が第２主面２２側に突出した形状になる。さらに、上記積層体を積層方向Ｄ１から押した状態で焼結すると、補助膜が燃えて、第２絶縁パターン部７２が形成される。一方、第２絶縁パターン部７２のような絶縁パターン部がない複数の第３導体パターン部６３は、第２導体パターン部６２ａのような形状にはならず、平らな形状になる。

ところで、第２絶縁パターン部７２は空隙である。すなわち、第２絶縁パターン部７２は、空隙のパターンを有する空隙パターン部である。

次に、磁束φ２の流れについて、図７Ｂを参照して説明する。

図７Ｂに示すように、第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも細い線幅δ２２を有する第２絶縁パターン部７２が第２導体パターン部６２ａの第１主面２１側に設けられている。これにより、上述したように、第２導体パターン部６２ａは、第２主面２２側に盛り上がった形状になる。

第２導体パターン部６２ａが第２主面２２側に盛り上がった形状になっていることにより、図７Ｂの矢印で示すように、第２磁性部５２において、磁束φ２の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２から積層方向Ｄ１に近づけることができる。つまり、積層方向Ｄ１の成分を大きくすることができる。その結果、アンテナ素子１ａの通信性能を向上させることができる。

一方、第２絶縁パターン部７２が設けられていない比較例の場合、第２導体パターン部は盛り上がった形状にならない。また、この比較例の場合、第２磁性部における磁束の方向は、実施形態２の場合に比べて、積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２に近くなる。このため、積層方向Ｄ１の成分が小さく、アンテナ素子の通信性能を向上させることが容易でない。

上述したように、実施形態２に係るアンテナ素子１ａは、第２導体パターン部６２ａを第２主面２２側に盛り上がった形状にすることにより、第２導体パターン部が盛り上がっていない比較例に比べて、アンテナ素子１ａの通信性能を向上させることができる。

次に、実施形態２に係るアンテナ素子１ａの製造方法について説明する。実施形態２に係るアンテナ素子１ａは、第１工程から第７工程により製造される。

まず、実施形態１と同様、第１工程から第３工程を行う。より詳細には、第１工程では、複数の非磁性層Ｓ３〜Ｓ９（図５及び図６参照）と、磁性層Ｓ２，Ｓ１０（図５及び図６参照）とを準備する。第２工程では、磁性層Ｓ２の裏面に、複数の端子電極Ｔ１〜Ｔ６（図５参照）を形成する。第３工程では、非磁性層Ｓ３の裏面に第２導体パターン部６２ａを設け、非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の裏面に第３導体パターン部６３を設け、磁性層Ｓ１０の裏面に第１導体パターン部６１を設ける。

実施形態２の第４工程では、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に補助膜７０１を設けると共に、非磁性層Ｓ３の裏面における第２導体パターン部６２ａ上に補助膜を形成する。第２導体パターン部６２ａ上に形成される補助膜は、第１導体パターン部６１上に形成される補助膜７０１と同様、例えばカーボン膜である。第２導体パターン部６２ａ上に形成される補助膜は、第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも細い線幅を有する。

その後、実施形態１と同様、第５工程を行う。より詳細には、第５工程では、磁性層Ｓ２、非磁性層Ｓ３、非磁性層Ｓ４、非磁性層Ｓ５、非磁性層Ｓ６、非磁性層Ｓ７、非磁性層Ｓ８、非磁性層Ｓ９、磁性層Ｓ１０の順に積層する。

実施形態２の第６工程では、実施形態１と同様、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向Ｄ１から押して、第１導体パターン部６１のうち補助膜７０１が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。さらに、実施形態２では、第２導体パターン部６２ａのうち補助膜が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ２側に位置させる。

実施形態２の第７工程では、積層体を焼結して、実施形態１と同様、空隙の第１絶縁パターン部７１を形成する。さらに、実施形態２では、第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも細い線幅δ２２を有する第２絶縁パターン部７２を形成する。このとき、非磁性層Ｓ３の裏面における第２導体パターン部６２ａ上に形成された補助膜が燃えることによって、補助膜が存在した位置に、第２絶縁パターン部７２としての空隙を形成する。

以上説明したように、実施形態２に係るアンテナ素子１ａでは、第１非磁性部４１と第２磁性部５２との間に位置する第２導体パターン部６２ａにおいて、第２導体パターン部６２ａの第１主面２１側に、第２導体パターン部６２ａの線幅δ１２よりも細い線幅δ２２を有する第２絶縁パターン部７２が設けられている。これにより、第２導体パターン部６２ａを第２主面２２側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束φ２の方向を、積層方向Ｄ１と直交する方向（例えば方向Ｄ２）よりも積層方向Ｄ１に近づけることができる。その結果、アンテナ素子１ａの通信性能を更に向上させることができる。

なお、実施形態２の変形例として、第２絶縁パターン部７２は、空隙でなく、第１非磁性部４１より比誘電率の小さい絶縁ペーストで形成されてもよい。本変形例の場合、第２導体パターン部６２ａの第１主面２１側に、絶縁ペーストが設けられることにより、第２絶縁パターン部７２が形成される。

上記の変形例に係るアンテナ素子においても、実施形態２に係るアンテナ素子１ａと同様の効果を奏する。

（実施形態３）
実施形態３に係るアンテナ素子１ｂは、図８に示すように、複数（図示例では７つ）の第３絶縁パターン部７３を備える点で、実施形態１に係るアンテナ素子１（図１Ａ参照）と相違する。なお、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂに関し、実施形態１に係るアンテナ素子１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係るアンテナ素子１ｂは、実施形態１のコイル導体３に代えて図８に示すようなコイル導体３ｂを備える。

コイル導体３ｂは、第１導体パターン部６１と、第２導体パターン部６２と、複数（図示例では７つ）の第３導体パターン部６３ｂと、第１絶縁パターン部７１とを備える共に、複数（図示例では７つ）の第３絶縁パターン部７３を更に含む。なお、実施形態３のコイル導体３ｂに関し、実施形態１のコイル導体３（図１Ａ参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

複数の第３導体パターン部６３ｂの各々は、実施形態１の第３導体パターン部６３と同様、第１非磁性部４１内に位置する。

複数の第３絶縁パターン部７３の各々は、複数の第３導体パターン部６３ｂと一対一に対応し、対応する第３導体パターン部６３ｂの第２主面２２側に設けられている。各第３絶縁パターン部７３は、対応する第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも細い線幅を有する。各第３絶縁パターン部７３は、積層方向Ｄ１からの平面視で、対応する第３導体パターン部６３ｂと重なる。つまり、第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも狭い線幅を有する第３絶縁パターン部７３が第３導体パターン部６３ｂに沿って配置されている。第３絶縁パターン部７３は、本発明における第３絶縁部に対応する。

第３絶縁パターン部７３の線幅は第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも細く、第３絶縁パターン部７３の厚さは第３導体パターン部６３ｂの厚さよりも薄い。なお、第３絶縁パターン部７３及び第３導体パターン部６３ｂの寸法は上記に限定されない。

第３導体パターン部６３ｂの第２主面２２側に第３絶縁パターン部７３が設けられていることによって、第３導体パターン部６３ｂは、第１主面２１（実装面）側に盛り上がった形状になる。

ここで、第３導体パターン部６３ｂは、図８に示すような形状である。つまり、第３導体パターン部６３ｂは、凸状である。あるいは、第３導体パターン部６３ｂは、両端部よりも中央部が第１磁性部５１側に突出している。あるいは、積層方向Ｄ１において、第３導体パターン部６３ｂの重心が第１磁性部５１側に位置している。つまり、第３導体パターン部６３ｂの重心は、平らな第３導体バターン部に比べて、積層方向Ｄ１において第１主面２１側に位置している。なお、第３導体パターン部６３ｂは、急峻に突出していなくてもよく、滑らかに突出していてもよい。

第３導体パターン部６３ｂ上に第３絶縁パターン部７３が設けられた後、第１非磁性部４１と第１磁性部５１と第２磁性部５２との積層体を積層方向Ｄ１から押した状態で焼結した場合、第３導体パターン部６３ｂは、積層方向Ｄ１から押されることによって、両端部よりも中央部が第１主面２１側に突出した形状になる。一方、第２絶縁パターン部７２のような絶縁パターン部がない第２導体パターン部６２は、第３導体パターン部６３ｂのような形状にはならず、平らな形状になる。

実施形態３のように、複数の第３絶縁パターン部７３が、対応する第３導体パターン部６３ｂ上に設けられていると、押圧によって、各第３導体パターン部６３ｂは、第１主面２１側に盛り上がった形状になる。この際に、複数の第３導体パターン部６３ｂの盛り上がり度合いによって、積層方向Ｄ１において、複数の第３導体パターン部６３ｂと並んでいる第３絶縁パターン部７３の厚さが累積されるので、第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いを大きくすることができる。言い換えると、複数の第３絶縁パターン部７３が、対応する第３導体パターン部６３ｂ上に設けられていると、押圧の工程によって、各第３導体パターン部６３ｂは、第１主面２１側に盛り上がった形状になる。この際に、複数の第３導体パターン部６３ｂの盛り上がり度合いによって、積層方向Ｄ１において、複数の第３導体パターン部６３ｂと並んでいる第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いを大きくすることができる。第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いが大きくなると、第１磁性部５１における磁束φ１（図４Ａ参照）の方向を、より積層方向Ｄ１に近づけることができる。

ところで、複数の第３絶縁パターン部７３は空隙である。すなわち、各第３絶縁パターン部７３は、空隙のパターンを有する空隙パターン部である。

複数の第３絶縁パターン部７３が空隙であるから、第１非磁性部４１に比べて、各第３絶縁パターン部７３の比誘電率は小さい。したがって、第３絶縁パターン部７３が設けられていない場合に比べて、積層方向Ｄ１において隣接する２つの第３導体パターン部６３ｂ間の比誘電率を１に近づけることができる。これにより、積層方向Ｄ１において隣接する２つの第３導体パターン部６３ｂ間の浮遊容量、及び、第２導体パターン部６２に最も近い第３導体パターン部６３ｂと第２導体パターン部６２との間の浮遊容量を減少させることができる。その結果、アンテナ素子１ｂのＱ値を向上させることができる。

また、複数の第３絶縁パターン部７３が空隙であることによって、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間の線膨張係数差により第１非磁性部４１の内部に生じる応力を緩和することができる。また、第１非磁性部４１と第２磁性部５２との間の線膨張係数差により第１非磁性部４１の内部に生じる応力を緩和することができる。これにより、積層方向Ｄ１と直交する方向（例えば方向Ｄ２）へのクラックの発生を低減させることができる。

次に、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂの製造方法について説明する。実施形態３に係るアンテナ素子１ｂは、第１工程から第７工程により製造される。

まず、実施形態１と同様、第１工程から第３工程を行う。より詳細には、第１工程では、複数の非磁性層Ｓ３〜Ｓ９（図５及び図６参照）と、磁性層Ｓ２，Ｓ１０（図５及び図６参照）とを準備する。第２工程では、磁性層Ｓ２の裏面に、複数の端子電極Ｔ１〜Ｔ６（図５参照）を形成する。第３工程では、非磁性層Ｓ３の裏面に第２導体パターン部６２を設け、非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の裏面に第３導体パターン部６３ｂを設け、磁性層Ｓ１０の裏面（主面）に第１導体パターン部６１を設ける。

実施形態３の第４工程では、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に補助膜７０１（図１２参照）を設けると共に、非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の裏面における第３導体パターン部６３ｂ上に補助膜７０３（図１１及び図１２参照）を設ける。第３導体パターン部６３ｂ上に設けられた補助膜７０３は、第１導体パターン部６１上に設けられた補助膜７０１と同様、例えばカーボン膜である。第３導体パターン部６３ｂ上に設けられた補助膜７０３は、第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも細い線幅を有する。

その後、実施形態１と同様、第５工程を行う。より詳細には、第５工程では、磁性層Ｓ２、非磁性層Ｓ３、非磁性層Ｓ４、非磁性層Ｓ５、非磁性層Ｓ６、非磁性層Ｓ７、非磁性層Ｓ８、非磁性層Ｓ９、磁性層Ｓ１０の順に積層する。

実施形態３の第６工程では、実施形態１と同様、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向Ｄ１から押して、第１導体パターン部６１のうち補助膜７０１が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。さらに、実施形態３では、第３導体パターン部６３ｂのうち補助膜７０３が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。

実施形態３の第７工程では、積層体を焼結して、実施形態１と同様、空隙の第１絶縁パターン部７１を形成する。さらに、実施形態３では、第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも細い線幅を有する第３絶縁パターン部７３を形成する。このとき、非磁性層Ｓ４〜Ｓ９の裏面における第３導体パターン部６３ｂ上に形成された補助膜７０３が燃えることによって、補助膜７０３が存在した位置に、第３絶縁パターン部７３としての空隙を形成する。

以上説明したように、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂでは、第１非磁性部４１内に位置する第３導体パターン部６３ｂに、第３導体パターン部６３ｂの線幅よりも細い線幅を有する第３絶縁パターン部７３が設けられている。これにより、積層方向Ｄ１において、第１絶縁パターン部７１と第３絶縁パターン部７３との厚さが累積されるので、第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いを大きくすることができる。その結果、磁束の方向を積層方向Ｄ１へ更に向けることができる。

また、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂでは、第３絶縁パターン部７３が空隙である場合、第２導体パターン部６２と第３導体パターン部６３ｂとの間の浮遊容量を低減させることができるので、アンテナ素子１ｂのＱ値を向上させることができる。

さらに、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂでは、第３絶縁パターン部７３が空隙である場合、非磁性部（例えば第１非磁性部４１）と磁性部（例えば第１磁性部５１）との線膨張係数差により非磁性部の内部に生じる応力を緩和させることができる。これにより、導体パターン間（第１導体パターン部６１と第３導体パターン部６３ｂとの間、２つの第３導体パターン部６３ｂ間）において、積層方向Ｄ１とは直交する方向Ｄ２のクラックの発生を低減させることができる。

なお、実施形態３の変形例として、コイル導体３ｂは、１つだけの第３導体パターン部６３ｂを含んでもよい。要するに、コイル導体３ｂは、少なくとも１つの第３導体パターン部６３ｂを含んでいればよい。

また、実施形態３の変形例として、コイル導体３ｂは、１つだけの第３絶縁パターン部７３を含んでもよい。要するに、コイル導体３ｂは、少なくとも１つの第３絶縁パターン部７３を含んでいればよい。

実施形態３の変形例として、複数の第３絶縁パターン部７３の各々は、空隙でなく、第１非磁性部４１より比誘電率の小さい絶縁ペーストで形成されてもよい。本変形例の場合、複数の第３導体パターン部６３ｂの各々の第２主面２２側に、絶縁ペーストが設けられることにより、複数の第３絶縁パターン部７３が形成される。

上記の各変形例に係るアンテナ素子においても、実施形態３に係るアンテナ素子１ｂと同様の効果を奏する。

（実施形態４）
実施形態４に係るアンテナ素子１ｃは、図９に示すように、第１非磁性部４１の間に第３磁性部５３が設けられている点で、実施形態１に係るアンテナ素子１（図１Ａ参照）と相違する。なお、実施形態４に係るアンテナ素子１ｃに関し、実施形態１に係るアンテナ素子１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係るアンテナ素子１ｃは、実施形態１の積層体２に代えて図９に示すような積層体２ｃを備える。

積層体２ｃは、第３磁性部５３を更に含む。なお、実施形態４の積層体２ｃに関し、実施形態１の積層体２（図１Ａ参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

第３磁性部５３は、第１非磁性部４１を積層方向Ｄ１において２つに分割するように設けられている。第３磁性部５３は、第１非磁性部４１の中間に設けられている。第３磁性部５３は、磁性層Ｓ６ａ（図１１参照）を含む少なくとも１つの磁性層で構成されている。第３磁性部５３を構成する磁性層Ｓ６ａは、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体である。

実施形態４のように、第１非磁性部４１の中間に第３磁性部５３が設けられていることにより、２つに分かれた非磁性部４１１，４１２を薄くすることができる。これにより、第１非磁性部４１が第１磁性部５１及び第２磁性部５２から受ける引っ張り応力（第１非磁性部４１と第１磁性部５１及び第２磁性部５２との線膨張係数差により生じる、積層方向Ｄ１と直交する方向の応力）を低減させることができる。その結果、第１磁性部５１及び第２磁性部５２における積層方向Ｄ１のクラックの発生を低減させることができる。

また、積層体２ｃは、第２非磁性部４２を更に含む。第２非磁性部４２は、積層方向Ｄ１において第１磁性部５１よりも第１主面２１に近接する。第２非磁性部４２は、非磁性層Ｓ１１（図１２参照）で構成されている。第２非磁性部４２を構成する非磁性層Ｓ１１は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体である。

さらに、積層体２ｃは、第３非磁性部４３を更に含む。第３非磁性部４３は、積層方向Ｄ１において第２磁性部５２よりも第２主面２２に近接する。第３非磁性部４３は、非磁性層Ｓ１（図１１参照）で構成されている。第３非磁性部４３を構成する非磁性層Ｓ１は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体である。

上記より、積層体２ｃでは、積層方向Ｄ１の両端が非磁性部となる。一般的に、非磁性部に比べて磁性部のほうが脆いため、積層体２ｃの両端を非磁性部とすることによって、機械強度を高めることができる。

次に、実施形態４に係るアンテナ素子１ｃの製造方法について説明する。実施形態４に係るアンテナ素子１ｃは、第１工程から第８工程により製造される。

第１工程では、複数の非磁性層Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９，Ｓ１１（図１１及び図１２参照）と、磁性層Ｓ２，Ｓ１０（図１１及び図１２参照）とを準備する。さらに、実施形態４の第１工程では、実施形態１の非磁性層Ｓ６に代えて、磁性層Ｓ６ａ（図１１参照）を準備する。

第２工程では、非磁性層Ｓ１の裏面に、複数の端子電極Ｔ１〜Ｔ６（図１１参照）を形成し、磁性層Ｓ２の裏面に、複数の導体２３〜２８（図１１参照）を形成する。

実施形態１と同様、第３工程及び第４工程を行う。より詳細には、第３工程では、実施形態１と同様、非磁性層Ｓ３の裏面に第２導体パターン部６２を設け、非磁性層Ｓ４，Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９及び磁性層Ｓ６ａの裏面に第３導体パターン部６３を設け、磁性層Ｓ１０の裏面に第１導体パターン部６１を設ける。第４工程では、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に補助膜７０１を設ける。

第５工程では、非磁性層Ｓ１１の表面にポジションマーク７０５（図１２参照）を形成し、非磁性層Ｓ１１の裏面に導体７０４（図１２参照）を形成する。

第６工程では、非磁性層Ｓ１、磁性層Ｓ２、非磁性層Ｓ３、非磁性層Ｓ４、非磁性層Ｓ５、磁性層Ｓ６ａ、非磁性層Ｓ７、非磁性層Ｓ８、非磁性層Ｓ９、磁性層Ｓ１０、非磁性層Ｓ１１の順に積層する。

その後、実施形態１の第６工程及び第７工程と同様、第７工程及び第８工程を行う。より詳細には、第７工程では、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向Ｄ１から押して、第１導体パターン部６１のうち補助膜７０１が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。第８工程では、積層体を焼結して、空隙の第１絶縁パターン部７１を形成する。

以上説明したように、実施形態４に係るアンテナ素子１ｃでは、第１非磁性部４１を少なくとも２つに分断するように第３磁性部５３が設けられている。これにより、２つに分断された第１非磁性部４１の１つ当たりの厚さを薄くすることができるので、第１磁性部５１等の磁性部が受ける引っ張り応力を低減させることができる。その結果、磁性部の積層方向Ｄ１のクラックの発生を低減させることができる。

実施形態４に係るアンテナ素子１ｃでは、第１磁性部５１よりも強度の高い第２非磁性部４２が第１磁性部５１よりも第１主面２１に近接し（外側に設けられており）、かつ、第２磁性部５２よりも強度の高い第３非磁性部４３が第２磁性部５２よりも第２主面２２に近接している（外側に設けられている）。これにより、アンテナ素子１ｃの強度を高めることができる。

なお、実施形態４の変形例として、積層体２ｃは、複数の第３磁性部５３を含んでもよい。本変形例の場合、複数の第３磁性部５３は、第１非磁性部４１を２つ以上に分断するように設けられている。

上記の変形例に係るアンテナ素子においても、実施形態４に係るアンテナ素子１ｃと同様の効果を奏する。

（実施形態５）
実施形態５に係るアンテナ素子１ｄは、図１０に示すように、第３導体パターン部６３ｄ上に第３絶縁パターン部７３が設けられており、かつ、第１非磁性部４１の間に第３磁性部５３が設けられている点で、実施形態１に係るアンテナ素子１（図１Ａ参照）と相違する。なお、実施形態５に係るアンテナ素子１ｄに関し、実施形態１に係るアンテナ素子１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態５に係るアンテナ素子１ｄは、実施形態１の積層体２及びコイル導体３に代えて図１０に示すような積層体２ｄ及びコイル導体３ｄを備える。

積層体２ｄは、第３磁性部５３を更に含む。なお、実施形態５の積層体２ｄに関し、実施形態１の積層体２（図１Ａ参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

第３磁性部５３は、第１非磁性部４１を積層方向Ｄ１において２つに分割するように設けられている。第３磁性部５３は、第１非磁性部４１の中間に設けられている。第３磁性部５３は、磁性層Ｓ６ａ（図１１参照）を含む少なくとも１つの磁性層で構成されている。第３磁性部５３を構成する磁性層Ｓ６ａは、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体である。

実施形態５のように、第１非磁性部４１の中間に第３磁性部５３が設けられていることにより、２つに分かれた非磁性部４１１，４１２を薄くすることができる。これにより、第１磁性部５１及び第２磁性部５２が第１非磁性部４１から受ける引っ張り応力（積層方向Ｄ１と直交する方向の応力）を低減させることができる。その結果、第１磁性部５１及び第２磁性部５２における積層方向Ｄ１のクラックの発生を低減させることができる。

また、積層体２ｄは、第２非磁性部４２を更に含む。第２非磁性部４２は、積層方向Ｄ１において第１磁性部５１よりも第１主面２１に近接する。第２非磁性部４２は、非磁性層Ｓ１１（図１２参照）で構成されている。第２非磁性部４２を構成する非磁性層Ｓ１１は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体である。

さらに、積層体２ｄは、第３非磁性部４３を更に含む。第３非磁性部４３は、積層方向Ｄ１において第２磁性部５２よりも第２主面２２に近接する。第３非磁性部４３は、非磁性層Ｓ１（図１１参照）で構成されている。第３非磁性部４３を構成する非磁性層Ｓ１は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体である。

上記より、積層体２ｄでは、積層方向Ｄ１の両端が非磁性部となる。一般的に、非磁性部に比べて磁性部のほうが脆いため、積層体２ｄの両端を非磁性部とすることによって、機械強度を高めることができる。

さらに、コイル導体３ｄは、第１導体パターン部６１と、第２導体パターン部６２と、複数（図示例では７つ）の第３導体パターン部６３ｄと、第１絶縁パターン部７１とを備えると共に、複数（図示例では７つ）の第３絶縁パターン部７３を更に含む。なお、実施形態５のコイル導体３ｄに関し、実施形態１のコイル導体３（図１Ａ参照）と同様の構成及び機能については説明を省略する。

複数の第３導体パターン部６３ｄの一部は、実施形態１の第３導体パターン部６３と同様、第１非磁性部４１内に位置する。一方、複数の第３導体パターン部６３ｄの残りは、第１非磁性部４１と第３磁性部５３との境界に設けられている。

複数の第３絶縁パターン部７３の各々は、複数の第３導体パターン部６３ｄと一対一に対応し、対応する第３導体パターン部６３ｄの第２主面２２側に設けられている。各第３絶縁パターン部７３は、対応する第３導体パターン部６３ｄの線幅よりも細い線幅を有する。各第３絶縁パターン部７３は、積層方向Ｄ１からの平面視で、対応する第３導体パターン部６３ｄと重なる。つまり、第３導体パターン部６３ｄの線幅よりも狭い線幅を有する第３絶縁パターン部７３が第３導体パターン部６３ｄに沿って配置されている。

第３絶縁パターン部７３の線幅は第３導体パターン部６３ｄの線幅よりも細く、第３絶縁パターン部７３の厚さは第３導体パターン部６３ｄの厚さよりも薄い。なお、第３絶縁パターン部７３及び第３導体パターン部６３ｄの寸法は上記に限定されない。

第３導体パターン部６３ｄの第２主面２２側に第３絶縁パターン部７３が設けられていることによって、第３導体パターン部６３ｄは、第１主面２１（実装面）側に盛り上がった形状になる。

ここで、第３導体パターン部６３ｄは、図１０に示すような形状である。つまり、第３導体パターン部６３ｄは、凸状である。あるいは、第３導体パターン部６３ｄは、両端部よりも中央部が第１磁性部５１側に突出している。あるいは、積層方向Ｄ１において、第３導体パターン部６３ｄの重心が第１磁性部５１側に位置している。つまり、第３導体パターン部６３ｄの重心は、平らな第３導体バターン部に比べて、積層方向Ｄ１において第１主面２１側に位置している。なお、第３導体パターン部６３ｄは、急峻に突出していなくてもよく、滑らかに突出していてもよい。

第３導体パターン部６３ｄ上に第３絶縁パターン部７３が設けられた後、第１非磁性部４１と第１磁性部５１と第２磁性部５２との積層体を積層方向Ｄ１から押した状態で焼結した場合、第３導体パターン部６３ｄは、積層方向Ｄ１から押されることによって、両端部よりも中央部が第１主面２１側に突出した形状になる。一方、第２絶縁パターン部７２のような絶縁パターン部がない第２導体パターン部６２は、第３導体パターン部６３ｄのような形状にはならず、平らな形状になる。

実施形態５のように、複数の第３絶縁パターン部７３が、対応する第３導体パターン部６３ｄ上に設けられていると、第３絶縁パターン部７３の厚さが累積されるので、第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いを大きくすることができる。第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いが大きくなると、第１磁性部５１における磁束φ１（図４Ａ参照）の方向を、より積層方向Ｄ１に近づけることができる。

実施形態５のように、複数の第３絶縁パターン部７３が、対応する第３導体パターン部６３ｄ上に設けられていると、第３絶縁パターン部７３の厚さが累積されるので、第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いを大きくすることができる。第１導体パターン部６１の盛り上がり度合いが大きくなると、第１磁性部５１における磁束の方向を、より積層方向Ｄ１に近づけることができる。

ところで、複数の第３絶縁パターン部７３は空隙である。すなわち、各第３絶縁パターン部７３は、空隙のパターンを有する空隙パターン部である。

複数の第３絶縁パターン部７３が空隙であるから、第１非磁性部４１に比べて、各第３絶縁パターン部７３の比誘電率は小さい。したがって、第３絶縁パターン部７３が設けられていない場合に比べて、積層方向Ｄ１において隣接する２つの第３導体パターン部６３ｄ間の浮遊容量、及び、第２導体パターン部６２に最も近い第３絶縁パターン部７３と第２導体パターン部６２との間の浮遊容量を減少させることができる。その結果、アンテナ素子１ｄのＱ値を向上させることができる。

また、複数の第３絶縁パターン部７３が空隙であることによって、第１非磁性部４１と第１磁性部５１との間の線膨張係数差により第１非磁性部４１の内部に生じる応力を緩和することができる。また、第１非磁性部４１と第２磁性部５２との間の線膨張係数差により第１非磁性部４１の内部に生じる応力を緩和することができる。これにより、積層方向Ｄ１と直交する方向（例えば方向Ｄ２）へのクラックの発生を低減させることができる。

次に、実施形態５に係るアンテナ素子１ｄの製造方法について、図１１及び図１２を参照して説明する。実施形態５に係るアンテナ素子１ｄは、第１工程から第８工程により製造される。図１１及び図１２に示されている複数の基材層は、非磁性層Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９，Ｓ１１及び磁性層Ｓ２，Ｓ６ａ，Ｓ１０である。なお、図１１及び図１２中における一点鎖線は、層間接続導体による主要な接続関係を示している。図１１の磁性層Ｓ６ａと図１２の非磁性層Ｓ７とは層間接続導体で電気的に接続されている。

第１工程では、複数の非磁性層Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９，Ｓ１１及び複数の磁性層Ｓ２，Ｓ６ａ，Ｓ１０を準備する。非磁性層Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９，Ｓ１１は、例えば低温同時焼成セラミックスの非磁性体フェライト等の焼結体である。磁性層Ｓ２，Ｓ６ａ，Ｓ１０は、例えば低温同時焼成セラミックスの磁性体フェライト等の焼結体である。

第２工程では、非磁性層Ｓ１の裏面に、複数の端子電極Ｔ１〜Ｔ６を形成する。複数の端子電極のＴ１〜Ｔ６の各々は略矩形の導体パターンである。磁性層Ｓ２の裏面に、複数の導体２３〜２８を形成する。複数の導体２３〜２８は、それぞれ端子電極Ｔ１〜Ｔ６に類似した形状（略矩形）の導体パターンである。端子電極Ｔ１〜Ｔ６及び導体２３〜２８は、例えばＡｇを主成分とする導体パターンである。

なお、非磁性層Ｓ１の裏面に、端子電極Ｔ１〜Ｔ６の外縁部を覆う枠状の絶縁膜（図示せず）を形成する。より詳細には、非磁性層Ｓ１の裏面に端子電極Ｔ１〜Ｔ６を形成した後、端子電極Ｔ１〜Ｔ６の外縁部を覆うように枠状に印刷した非磁性体（非磁性フェライト）ペーストを焼成して、絶縁膜として形成する。

第３工程では、非磁性層Ｓ３の裏面に第２導体パターン部６２を設け、非磁性層Ｓ４〜Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９及び磁性層Ｓ６ａの裏面に第３導体パターン部６３ｄを形成し、磁性層Ｓ１０の裏面に第１導体パターン部６１を設ける。より詳細には、非磁性層Ｓ３の裏面に、約１ターンの第２導体パターン部６２を形成する。非磁性層Ｓ４の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。非磁性層Ｓ５の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。磁性層Ｓ６ａの裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。非磁性層Ｓ７の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。非磁性層Ｓ８の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。非磁性層Ｓ９の裏面に、約１ターンの第３導体パターン部６３ｄを形成する。磁性層Ｓ１０の裏面に、約１ターンの第１導体パターン部６１を形成する。

第４工程では、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に、約１ターンの補助膜７０１を設けると共に、非磁性層Ｓ４，Ｓ５，Ｓ７〜Ｓ９及び磁性層Ｓ６ａの裏面における第３導体パターン部６３ｄ上に、約１ターンの補助膜７０３を設ける。

第５工程では、非磁性層Ｓ１１の表面にポジションマーク７０５（製造時の位置決めを容易にするマーク）を形成する。非磁性層Ｓ１１の裏面に導体７０４を形成する。ポジションマーク７０５は矩形の導体パターンである。導体７０４は、ポジションマーク７０５に類似した形状（略矩形）の導体パターンである。ポジションマーク７０５及び導体７０４は、例えばＡｇを主成分とする導体パターンである。

第６工程では、非磁性層Ｓ１、磁性層Ｓ２、非磁性層Ｓ３、非磁性層Ｓ４、非磁性層Ｓ５、磁性層Ｓ６ａ、非磁性層Ｓ７、非磁性層Ｓ８、非磁性層Ｓ９、磁性層Ｓ１０、非磁性層Ｓ１１の順に積層する。積層体において、非磁性層Ｓ１が最下層であり、非磁性層Ｓ１１が最上層である。より詳細には、より詳細には、第６工程では、第１導体パターン部６１及び補助膜７０１が設けられた裏面を覆うように磁性層Ｓ１０に非磁性層Ｓ９を積層する。

第７工程では、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向Ｄ１から押して、第１導体パターン部６１のうち補助膜７０１が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層Ｓ１０側に位置させる。

第８工程では、積層体を焼結して、第１導体パターン部６１の線幅δ１１（図１Ｂ参照）よりも細い線幅δ２１（図１Ｂ参照）を有する第１絶縁パターン部７１を形成する。このとき、磁性層Ｓ１０の裏面における第１導体パターン部６１上に設けられた補助膜７０１が燃えることによって、補助膜７０１が存在した位置に、第１絶縁パターン部７１としての空隙を形成する。

以上説明したように、実施形態５に係るアンテナ素子１ｄでは、第１非磁性部４１を少なくとも２つに分断するように第３磁性部５３が設けられている。これにより、２つに分断された第１非磁性部４１の１つ当たりの厚さを薄くすることができるので、第１磁性部５１等の磁性部が受ける引っ張り応力を低減させることができる。その結果、磁性部の積層方向Ｄ１のクラックの発生を低減させることができる。

実施形態５に係るアンテナ素子１ｄでは、第１磁性部５１よりも強度の高い第２非磁性部４２が第１磁性部５１よりも第１主面２１に近接し（外側に設けられており）、かつ、第２磁性部５２よりも強度の高い第３非磁性部４３が第２磁性部５２よりも第２主面２２に近接している（外側に設けられている）。これにより、アンテナ素子１ｄの強度を高めることができる。

なお、実施形態５の変形例として、積層体２ｄは、複数の第３磁性部５３を含んでもよい。本変形例の場合、複数の第３磁性部５３は、第１非磁性部４１を２つ以上に分断するように設けられている。

実施形態５の変形例として、コイル導体３ｄは、１つだけの第３導体パターン部６３ｄを含んでもよい。要するに、コイル導体３ｄは、少なくとも１つの第３導体パターン部６３ｄを含んでいればよい。

また、実施形態５の変形例として、コイル導体３ｄは、１つだけの第３絶縁パターン部７３を含んでもよい。要するに、コイル導体３ｄは、少なくとも１つの第３絶縁パターン部７３を含んでいればよい。

実施形態５の変形例として、複数の第３絶縁パターン部７３の各々は、空隙でなく、第１非磁性部４１より比誘電率の小さい絶縁ペーストで形成されてもよい。本変形例の場合、複数の第３導体パターン部６３ｄの各々の第２主面２２側に、絶縁ペーストが設けられることにより、複数の第３絶縁パターン部７３が形成される。

上記の変形例に係るアンテナ素子においても、実施形態５に係るアンテナ素子１ｄと同様の効果を奏する。

以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

例えば、上述した各実施形態では、絶縁部として、第１絶縁パターン部７１、第２絶縁パターン部７２、及び第３絶縁パターン部７３を示したが、これらの絶縁部は、必ずしもコイル導体のほぼ全周に沿って形成されたパターン状である必要はない。これらの絶縁部は、コイル導体の周の一部にのみ形成されていてもよく、又は、パターンが途切れながら形成されていてもよい。

（態様）
以上説明した実施形態及び変形例より以下の態様が開示されている。

第１の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、積層体（２；２ｃ；２ｄ）と、コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）とを備える。積層体（２；２ｃ；２ｄ）は、第１非磁性部（４１）と、第１磁性部（５１）とを含む。第１磁性部（５１）は、第１非磁性部（４１）と積層する。コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）は、積層体（２；２ｃ；２ｄ）内に設けられている。コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）の巻回軸は、積層体（２；２ｃ；２ｄ）の積層方向（Ｄ１）に平行である。積層体（２；２ｃ；２ｄ）は、第１主面（２１）と、第２主面（２２）とを有する。第２主面（２２）は、積層方向（Ｄ１）において第１主面（２１）に対向し、実装面である。第１磁性部（５１）は、積層方向（Ｄ１）において第１非磁性部（４１）に比べて第１主面（２１）に近接する。コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）は、第１導体パターン部（６１）と、第１絶縁部（第１絶縁パターン部７１）とを含む。第１導体パターン部（６１）は、積層方向（Ｄ１）において第１非磁性部（４１）と第１磁性部（５１）との間に位置する。第１絶縁部は、第１導体パターン部（６１）の第２主面（２２）側に設けられており、第１導体パターン部（６１）の線幅（δ１１）よりも細い幅（線幅δ２１）を有する。第１絶縁部は、積層方向（Ｄ１）からの平面視で、第１導体パターン部（６１）と重なる。

第１の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）によれば、コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）が磁性部に覆われている場合に比べて、磁性損を抑制することができる。

また、第１の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）によれば、第１導体パターン部（６１）を第１主面（２１）側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束（φ１）の方向を、積層方向（Ｄ１）と直交する方向（Ｄ２）よりも積層方向（Ｄ１）に近づけることができる。特に、第１導体パターン部（６１）の第１主面（２１）側の側面のほうが、第１導体パターン部（６１）の第２主面（２２）側の側面よりも大きく突出させることができるので、磁束（φ１）の方向を積層方向（Ｄ１）に容易に近づけることができる。その結果、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の通信性能を向上させることができる。

上記より、第１の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の通信性能を向上させることができる。

第２の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）では、第１の態様において、第１絶縁部（第１絶縁パターン部７１）は空隙である。

第２の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）によれば、第１導体パターン部（６１）の周囲に他の導体が存在する場合、第１導体パターン部（６１）と他の導体との間に空隙が位置するので、第１導体パターン部（６１）と他の導体との間に発生する浮遊容量を低減させることができる。

第３の態様に係るアンテナ素子（１ａ）では、第１又は２の態様において、積層体（２）は、第２磁性部（５２）を更に含む。第２磁性部（５２）は、第１非磁性部（４１）に比べて第２主面（２２）に近接する。コイル導体（３ａ）は、第２導体パターン部（６２ａ）と、第２絶縁部（第２絶縁パターン部７２）とを更に含む。第２導体パターン部（６２ａ）は、積層方向（Ｄ１）において第１非磁性部（４１）と第２磁性部（５２）との間に位置する。第２絶縁部は、第２導体パターン部（６２ａ）の第１主面（２１）側に設けられており、第２導体パターン部（６２ａ）の線幅（δ１２）よりも細い幅（線幅δ２２）を有する。第２絶縁部は、積層方向（Ｄ１）からの平面視で第２導体パターン部（６２ａ）と重なる。

第３の態様に係るアンテナ素子（１ａ）によれば、第２導体パターン部（６２ａ）を第２主面（２２）側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束（φ２）の方向を、積層方向（Ｄ１）と直交する方向（Ｄ２）よりも積層方向（Ｄ１）に近づけることができる。その結果、アンテナ素子（１ａ）の通信性能を更に向上させることができる。

第４の態様に係るアンテナ素子（１ｂ；１ｄ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、コイル導体（３ｂ；３ｄ）は、少なくとも１つの第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）と、少なくとも１つの第３絶縁部（第３絶縁パターン部７３）とを更に含む。第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）は、第１非磁性部（４１）内に位置する。第３絶縁部は、第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）の第２主面（２２）側に設けられており、第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）の線幅よりも細い幅を有する。第３絶縁部は、積層方向（Ｄ１）からの平面視で第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）と重なる。

第４の態様に係るアンテナ素子（１ｂ；１ｄ）によれば、積層方向（Ｄ１）において、第１絶縁部（第１絶縁パターン部７１）と第３絶縁部（第３絶縁パターン部７３）との厚さが累積されるので、第１導体パターン部（６１）の盛り上がり度合いを大きくすることができる。その結果、磁束の方向を積層方向（Ｄ１）へ更に向けることができる。

また、第４の態様に係るアンテナ素子（１ｂ；１ｄ）によれば、第３絶縁部が空隙である場合、第２導体パターン部（６２）と第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）との間の浮遊容量を低減させることができるので、アンテナ素子（１ｂ；１ｄ）のＱ値を向上させることができる。

さらに、第４の態様に係るアンテナ素子（１ｂ；１ｄ）によれば、第３絶縁部が空隙である場合、非磁性部（例えば第１非磁性部（４１））と磁性部（例えば第１磁性部（５１））との線膨張係数差により非磁性部に生じる応力を緩和させることができる。これにより、導体パターン間（第１導体パターン部（６１）と第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）との間、第３導体パターン部（６３ｂ；６３ｄ）間）において、積層方向（Ｄ１）とは直交する方向（Ｄ２）のクラックの発生を低減させることができる。

第５の態様に係るアンテナ素子（１ｃ；１ｄ）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、積層体（２ｃ；２ｄ）は、第３磁性部（５３）を更に含む。第３磁性部（５３）は、第１非磁性部（４１）を積層方向（Ｄ１）において少なくとも２つに分割するように設けられている。

第５の態様に係るアンテナ素子（１ｃ；１ｄ）によれば、２つに分断された第１非磁性部（４１）の１つ当たりの厚さを薄くすることができるので、第１磁性部（５１）等の磁性部が受ける引っ張り応力を低減させることができる。その結果、磁性部の積層方向（Ｄ１）のクラックの発生を低減させることができる。

第６の態様に係るアンテナ素子（１ｄ）では、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、積層体（２ｄ）は、第２磁性部（５２）と、第２非磁性部（４２）と、第３非磁性部（４３）とを更に含む。第２磁性部（５２）は、第１非磁性部（４１）に比べて第２主面（２２）に近接する。第２非磁性部（４２）は、積層方向（Ｄ１）において第１磁性部（５１）よりも第１主面（２１）に近接する。第３非磁性部（４３）は、積層方向（Ｄ１）において第２磁性部（５２）よりも第２主面（２２）に近接する。

第６の態様に係るアンテナ素子（１ｄ）によれば、アンテナ素子（１ｄ）の強度を高めることができる。

第７の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法は、非磁性部を構成する非磁性層と、磁性部を構成する磁性層とを準備する工程を有する。上記製造方法は、磁性層の主面に第１導体パターン部（６１）を設ける工程を更に有する。上記製造方法は、第１導体パターン部（６１）上に、第１導体パターン部（６１）の線幅（δ１１）よりも細い線幅を有する補助膜（７０１）を設ける工程を更に有する。上記製造方法は、第１導体パターン部（６１）及び補助膜（７０１）が設けられた主面を覆うように磁性層に非磁性層を積層する工程を更に有する。上記製造方法は、磁性層と非磁性層とを積層させた状態で積層方向（Ｄ１）から押して、第１導体パターン部（６１）のうち補助膜（７０１）が設けられている部分を残りの部分よりも磁性層側に位置させる工程を更に有する。上記製造方法は、積層体を焼結して、第１導体パターン部（６１）の線幅（δ１１）よりも細い幅（線幅δ２１）を有する第１絶縁部（第１絶縁パターン部７１）を形成する工程を更に有する。

第７の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法によれば、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）において、コイル導体（３；３ａ；３ｂ；３ｄ）が磁性部に覆われている場合に比べて、磁性損を抑制することができる。

また、第７の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法によれば、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）において、第１導体パターン部（６１）を磁性層側に盛り上がった形状にすることができるので、磁束（φ１）の方向を、積層方向（Ｄ１）と直交する方向（Ｄ２）よりも積層方向（Ｄ１）に近づけることができる。特に、第１導体パターン部（６１）の磁性層側の側面のほうが、第１導体パターン部（６１）の非磁性層側の側面よりも大きく突出させることができるので、磁束（φ１）の方向を積層方向（Ｄ１）に容易に近づけることができる。その結果、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の通信性能を向上させることができる。

上記より、第７の態様に係るアンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の製造方法によれば、磁性損を抑制し、かつ、アンテナ素子（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）の通信性能を向上させるアンテナ素子を製造することができる。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ アンテナ素子
２，２ｃ，２ｄ 積層体
３，３ａ，３ｂ，３ｄ コイル導体
２１ 第１主面
２２ 第２主面
４１ 第１非磁性部
４２ 第２非磁性部
４３ 第３非磁性部
５１ 第１磁性部
５２ 第２磁性部
５３ 第３磁性部
６１ 第１導体パターン部
６２，６２ａ 第２導体パターン部
６３，６３ｂ，６３ｄ 第３導体パターン部
７１ 第１絶縁パターン部（第１絶縁部）
７２ 第２絶縁パターン部（第２絶縁部）
７３ 第３絶縁パターン部（第３絶縁部）
δ１１，δ１２，δ２１，δ２２ 線幅

Claims (7)

1. 第１非磁性部と前記第１非磁性部と積層する第１磁性部とを含む積層体と、
   前記積層体内に設けられており、巻回軸が前記積層体の積層方向に平行であるコイル導体と、を備え、
   前記積層体は、
   第１主面と、
   前記積層方向において前記第１主面に対向し実装面である第２主面と、を有し、
   前記第１磁性部は、前記積層方向において前記第１非磁性部に比べて前記第１主面に近接し、
   前記コイル導体は、
   前記積層方向において前記第１非磁性部と前記第１磁性部との間に位置する第１導体パターン部と、
   前記第１導体パターン部の前記第２主面側に設けられており、前記第１導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する第１絶縁部と、を含み、
   前記第１絶縁部は、前記積層方向からの平面視で、前記第１導体パターン部と重なる、
   アンテナ素子。
2. 前記第１絶縁部は空隙である、
   請求項１に記載のアンテナ素子。
3. 前記積層体は、
   前記第１非磁性部に比べて前記第２主面に近接する第２磁性部を更に含み、
   前記コイル導体は、
   前記積層方向において前記第１非磁性部と前記第２磁性部との間に位置する第２導体パターン部と、
   前記第２導体パターン部の前記第１主面側に設けられており、前記第２導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する第２絶縁部と、を更に含み、
   前記第２絶縁部は、前記積層方向からの平面視で前記第２導体パターン部と重なる、
   請求項１又は２に記載のアンテナ素子。
4. 前記コイル導体は、
   前記第１非磁性部内に位置する少なくとも１つの第３導体パターン部と、
   前記第３導体パターン部の前記第２主面側に設けられており、前記第３導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する少なくとも１つの第３絶縁部と、を更に含み、
   前記第３絶縁部は、前記積層方向からの平面視で前記第３導体パターン部と重なる、
   請求項１〜３のいずれか１項に記載のアンテナ素子。
5. 前記積層体は、前記第１非磁性部を前記積層方向において少なくとも２つに分割するように設けられている第３磁性部を更に含む、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載のアンテナ素子。
6. 前記積層体は、
   前記第１非磁性部に比べて前記第２主面に近接する第２磁性部と、
   前記積層方向において前記第１磁性部よりも前記第１主面に近接する第２非磁性部と、
   前記積層方向において前記第２磁性部よりも前記第２主面に近接する第３非磁性部と、を更に含む、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載のアンテナ素子。
7. 非磁性部を構成する非磁性層と、磁性部を構成する磁性層とを準備する工程と、
   前記磁性層の主面に第１導体パターン部を設ける工程と、
   前記第１導体パターン部上に、前記第１導体パターン部の線幅よりも細い幅を有する補助膜を設ける工程と、
   前記第１導体パターン部及び前記補助膜が設けられた前記主面を覆うように前記磁性層に前記非磁性層を積層する工程と、
   前記磁性層と前記非磁性層とを積層させた状態で積層方向から押して、前記第１導体パターン部のうち前記補助膜が設けられている部分を残りの部分よりも前記磁性層側に位置させる工程と
   積層体を焼結して、前記第１導体パターン部の前記線幅よりも細い幅を有する第１絶縁部を形成する工程と、を有する、
   アンテナ素子の製造方法。

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