CN105316625A - 真空蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种真空蒸镀装置。材料供给装置(3)向用于在基板(K)上形成薄膜的蒸镀用容器(1)内供给蒸镀材料，材料供给装置(3)包括：材料填充容器(11)，填充有蒸镀材料；材料引导管道(12)，利用从气体供给装置(14)供给的不活泼气体，将蒸镀材料从材料填充容器(11)向蒸镀用容器(1)内引导；加热器(17)，加热所述材料引导管道(12)以使蒸镀材料气化；以及振动赋予器(13)，对材料填充容器(11)赋予振动。

Description

真空蒸镀装置

技术领域

本发明涉及用于在基板等被蒸镀构件上形成金属材料、有机材料等的薄膜的真空蒸镀装置。

背景技术

通常，在基板的表面形成薄膜时，采用真空蒸镀装置。所述真空蒸镀装置将蒸镀材料放入坩埚等容器中，利用所述容器上配置的热源进行加热以使材料蒸发，并且使所述蒸发后的材料附着在成膜室上部所配置的基板的表面。此外，需要将对基板表面的蒸镀率控制为一定，基于膜厚传感器检测出的基板表面形成的薄膜厚度而得到的蒸镀率，通过控制坩埚上设置的加热器，将蒸镀率控制为一定(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利公开公报特开2012-132049号

按照上述以往的结构，通过控制容器内配置的热源来控制蒸镀率。例如蒸镀率低时，通过使热源的温度上升来促进蒸镀材料的蒸发，而蒸镀材料因为温度与时间的乘积的因素而劣化，产生不能使温度上升的情况，因此有时不得不降低节拍时间。即，出现因加热蒸镀材料带来的影响过大的问题。

发明内容

本发明的目的是提供能防止蒸镀材料的加热导致的恶劣影响的真空蒸镀装置。

为了解决上述问题，第一发明的真空蒸镀装置包括蒸镀用容器和材料供给装置，所述蒸镀用容器在真空环境下使蒸镀材料附着到被蒸镀构件的表面以形成薄膜，所述材料供给装置向所述蒸镀用容器内的被蒸镀构件引导蒸镀材料，所述材料供给装置包括：材料填充容器，填充有粉体的蒸镀材料；不活泼气体供给机构，向所述材料填充容器内供给不活泼气体；材料引导机构，向被蒸镀构件引导所述蒸镀材料；蒸镀材料控制机构，控制向所述被蒸镀构件引导的蒸镀材料的供给量；以及加热机构，通过加热所述材料引导机构或加热所述材料引导机构的内部，使被所述材料引导机构引导的蒸镀材料气化。

此外，第二发明的真空蒸镀装置在第一发明的真空蒸镀装置的基础上，蒸镀材料控制机构采用气体流量控制阀，所述气体流量控制阀设置于不活泼气体供给机构，用于控制不活泼气体的供给量。

此外，第三发明的真空蒸镀装置在第一发明的真空蒸镀装置的基础上，蒸镀材料控制机构采用蒸镀量控制阀，所述蒸镀量控制阀配置在材料引导机构的中途，用于控制蒸镀材料的通过量。

此外，第四发明的真空蒸镀装置在第一至第三发明中的任意的真空蒸镀装置的基础上，设有对材料填充容器赋予振动的振动赋予机构。

此外，第五发明的真空蒸镀装置在第一至第三发明中的任意的真空蒸镀装置的基础上，设有具备搅拌构件的搅拌机构，所述搅拌构件用于搅拌材料填充容器内部。

此外，第六发明的真空蒸镀装置在第一至第三发明中的任意的真空蒸镀装置的基础上，在材料引导机构和材料填充容器之间配置有冷却部。

此外，第七发明的真空蒸镀装置在第一至第三发明中的任意的真空蒸镀装置的基础上，在材料引导机构和材料填充容器之间配置有材料移动路径变更构件，以使设置于材料引导机构的加热部发出的辐射热不会直接到达所述材料填充容器内的蒸镀材料的表面。

根据上述结构，由于向填充于材料填充容器的粉体构成的蒸镀材料供给不活泼气体，并向材料引导机构进行引导，并且在所述材料引导机构上设置加热机构以使蒸镀材料气化，所以相比于以往由坩埚加热蒸镀材料并通过控制坩埚的加热量来控制蒸镀率的结构，不必加热坩埚即材料填充容器中的蒸镀材料，因此不必担心蒸镀材料劣化。此外，可以利用蒸镀材料控制机构控制蒸镀材料的供给量以提高蒸镀率，所以和以往依赖于蒸镀材料的加热温度的情况不同，不必考虑临界温度，因此能够在宽广范围内控制蒸镀率。即，可以防止蒸镀材料的加热导致的恶劣影响。

附图说明

图1是表示本发明实施例1的真空蒸镀装置的简要结构的局部剖切侧视图。

图2是表示本发明实施例1的真空蒸镀装置中的频率与蒸镀率的关系的坐标图。

图3是表示本发明实施例1的真空蒸镀装置中的不活泼气体供给量与蒸镀率的关系的坐标图。

图4是表示本发明实施例1的变形例的真空蒸镀装置的简要结构的断面图。

图5是表示本发明实施例1的变形例的真空蒸镀装置的要部结构的断面图。

图6是图5的A-A箭头方向断面图。

图7是表示本发明实施例1的其他变形例的真空蒸镀装置的简要结构的断面图。

图8是表示本发明实施例2的真空蒸镀装置的简要结构的局部剖切侧视图。

图9是表示本发明实施例3的真空蒸镀装置的简要结构的局部剖切侧视图。

图10是表示本发明实施例3的真空蒸镀装置中的频率与蒸镀率的关系的坐标图。

图11是表示本发明实施例3的变形例的真空蒸镀装置的简要结构的断面图。

图12是表示本发明实施例3的变形例的真空蒸镀装置的要部结构的断面图。

图13是表示图12的B-B箭头方向断面图。

图14是表示本发明实施例3的其他变形例的真空蒸镀装置的简要结构的断面图。

图15是表示本发明实施例4的真空蒸镀装置的简要结构的局部剖切侧视图。

附图标记说明

G不活泼气体

K基板

K′基板

M蒸镀材料

1蒸镀用容器

2蒸镀室

3材料供给装置

8蒸镀率控制装置

11材料填充容器

11a填充室

12材料引导管道

12a上侧引导管

12b下侧引导管

13振动赋予器

14不活泼气体供给装置

15气体供给量控制装置

15a气体流量控制阀

16蒸镀量控制阀

17加热器

21气体供给管

25管状连接构件

51冷却机构

52短管部

53冷却部

61材料移动路径变更管

61a第一路径变更管部

61b第二路径变更管部

71搅拌装置

72电动机

73搅拌件

74旋转轴

75搅拌叶片

101蒸镀用容器

102蒸镀室

103材料供给装置

108蒸镀率控制装置

111材料填充容器

111a填充室

112材料引导管道

112a上侧引导管

112b下侧引导管

113振动赋予器

114不活泼气体供给装置

115蒸镀材料控制装置

115a蒸镀量控制阀

115b驱动部

116加热器

121气体供给管

125管状连接构件

151冷却机构

152短管部

153冷却部

161材料移动路径变更管

161a第一路径变更管部

161b第二路径变更管部

171搅拌装置

172电动机

173搅拌件

174旋转轴

175搅拌叶片

具体实施方式

(实施例1)

以下根据附图说明本发明实施例1的真空蒸镀装置。

如图1所示，所述真空蒸镀装置包括蒸镀用容器(也称为成膜用容器或真空室)1和材料供给装置3。所述蒸镀用容器1具有蒸镀室(也称为成膜室)2，所述蒸镀室2用于在预定的真空环境下(例如10^-5Pa以下的高真空环境下)使蒸镀材料M附着到作为被蒸镀构件的薄膜状基板(具体采用薄片(film))K的表面(下表面)以形成薄膜。所述材料供给装置3向所述蒸镀用容器1供给(引导)蒸镀材料M，即向蒸镀室2供给(引导)蒸镀材料M。

首先简单说明蒸镀用容器1内部的结构。

在所述蒸镀用容器1的蒸镀室2内部的上部，配置有保持作为被蒸镀构件的基板K的保持装置5，并且在所述保持装置5的正侧方，配置有用于检测基板K表面附着的蒸镀材料M的膜厚的膜厚传感器6。此外，在保持装置5的下方，设有用于向基板K供给蒸镀材料M和停止供给蒸镀材料M的闸门构件7。

上述保持装置5用于将作为基板K的薄片连续地向蒸镀区域(与后述的材料引导管道前端的喷嘴部对应的预定范围的区域)引导，其包括：卷放基板K的卷放辊5a；卷取基板K的卷取辊5b；以及配置在卷放辊5a和卷取辊5b之间的引导辊5c，所述引导辊5c将基板K的蒸镀面向蒸镀区域引导。另外，用于使基板K沿引导辊5c的表面移动的转向用辊5d配置在引导辊5c的前后(基板移动方向上的前后)。

此外，上述闸门构件7包括：旋转轴体7b，例如利用电机等旋转机7a而围绕铅直轴心旋转；以及闸门板7c，安装在所述旋转轴体7b的上端，并在与保持装置5所保持的基板K的蒸镀面(包含引导辊5c最下端的直线部的水平面)平行的平面内摆动。利用上述旋转轴体7b的旋转，闸门板7c在覆盖基板K表面的蒸镀停止位置以及开放基板K表面的蒸镀容许位置之间摆动自如。而且，来自上述膜厚传感器6的测定值被输入到控制后述气体流量控制阀的蒸镀率控制装置8。

接着说明作为本发明要旨的材料供给装置3。

所述材料供给装置3包括：材料填充容器(例如采用与坩埚同样的有底圆筒状容器)11，配置在蒸镀用容器1的下方，填充有粉体(例如粒径在0.25mm以下的粉末)的蒸镀材料M；作为材料引导机构的材料引导管道12，从所述材料填充容器11延伸至上述蒸镀用容器1并沿铅直方向设置；振动赋予器(振动赋予机构)13，安装在上述材料填充容器11的底部，对所述材料填充容器11内的蒸镀材料M赋予振动；不活泼气体供给装置(不活泼气体供给机构)14，向上述材料填充容器11内部的下部供给不活泼气体G，把由上述振动赋予器13赋予了振动的蒸镀材料M向上述材料引导管道12内引导，即向上方引导；气体供给量控制装置15，设置在所述不活泼气体供给装置14的配管中途(后述)，由控制不活泼气体的供给量、即控制气体流量的气体流量控制阀15a和调节所述气体流量控制阀15a的开度的驱动部15b构成；蒸镀量控制阀16，配置在上述材料引导管道12的中途，能控制蒸镀材料M的供给量(通过量)；以及加热器(加热机构)17，通过加热上述材料引导管道12中的蒸镀量控制阀16的设置部分及其上侧的上侧引导管12a和下侧的下侧引导管12b，使输送到材料引导管道12内的蒸镀材料M气化(升华或蒸发)。此外，加热部位至少包括下侧引导管12b即可。另外，不活泼气体采用氩气、氦气、氮气等。此外，蒸镀材料不是氟化合物时，也可以采用氪、氙、氡等。

因此，不活泼气体供给装置14包括：气体供给管21，前端部与气体供给口11b连接，所述气体供给口11b形成在设置于材料填充容器11的填充室11a的下部；气体供给量控制装置15，包含设置在所述气体供给管21的中途的气体流量控制阀15a；以及气体填充储气瓶22，与上述气体供给管21的基端部连接，能供给不活泼气体G。

上述振动赋予器13并未具体图示，其例如包括：设置成在壳体内借助偏心轴而旋转自如的振动件；以及通过使上述偏心轴旋转而使所述振动件振动的电机。利用所述振动赋予器13，材料填充容器11内的蒸镀材料M主要在上下方向被赋予振动而漂浮，并且在水平方向上也振动，从而使蒸镀材料M变得松散。即，通过振动促进蒸镀材料M漂浮。

此外，上述加热器17包括缠绕在材料引导管道12周围的电热线(例如镍铬线等)和向所述电热线供电的电源(未图示)。

此外，上述材料引导管道12的上端即上侧引导管12a的上端部插通蒸镀用容器1的底壁部并朝向蒸镀室2内开口，并且上述材料引导管道12的下端借助波纹管等管状连接构件25与材料填充容器11的上端开口部连接。另外，在上侧引导管12a的上端设有释放蒸镀材料的喷嘴部12c。

而且，上述的蒸镀量控制阀16设置在上侧引导管12a的下部，即设置在上侧引导管12a和下侧引导管12b之间。另外，上述加热器17的电热线缠绕在蒸镀量控制阀16、上侧引导管12a和下侧引导管12b上。

此外，上述蒸镀量控制阀16的主要功能是开闭流道的功能，当然也具有流量控制功能。因此，所述蒸镀量控制阀16通常利用真空蒸镀装置的主控制部而进行开闭，在使用流量控制功能时，基于来自上述的蒸镀率控制装置8的开度指令而被控制。另外，由气体流量控制阀15a进行此处的蒸镀量的控制。

按照上述结构，在作为基板K的薄片的表面(下表面)形成预定材料的薄膜时，在蒸镀室2内的保持装置5保持基板K的状态下，即基板K被沿引导用辊5c的下部表面引导的状态下，将蒸镀室2内维持为预定的真空度。

而且，在填充材料供给侧，材料填充容器11的填充室11a内填充有预定的蒸镀材料M的粉体，并且还向气体填充储气瓶22填充不活泼气体G，而且由加热器17将材料引导管道12加热到预定温度。另外，材料引导管道12内也和蒸镀室2同样处于真空环境。

在所述状态下，通过使振动赋予器13动作，对材料填充容器11以预定的频率和振幅、例如1Hz～30Hz的频率和3mm以下的振幅赋予振动，并且使气体流量控制阀15a以预定的初始开度打开，由气体供给管21以预定的供给量向填充室11a内供给不活泼气体(例如采用氩气)G。

如此，填充室11a内的蒸镀材料M被赋予振动，且利用供给到填充室11a内的不活泼气体G，蒸镀材料M向上方飞起并且在材料引导管道12内向上方移动，利用处于打开状态的蒸镀量控制阀16和其上方部分配置的加热器17而被加热到预定温度(具体为蒸镀材料的气化温度)而气化。

所述气化的蒸镀材料M从喷嘴部12c向蒸镀室2内移动，附着并堆积到基板K的表面。即，在基板K的表面形成蒸镀材料的薄膜。当然，基板K在形成薄膜的同时，被以预定速度卷取到卷取辊5b侧而连续地形成，但有时也可以每隔预定长度间歇地(所谓分批式)形成。

另外，对于向所述基板K的蒸镀量，来自膜厚传感器6的作为测定值的膜厚值被输入蒸镀率控制装置8，在此求出蒸镀率并且以达到预先设定的蒸镀率的方式，向驱动部15b输出开度指令以控制气体流量控制阀15a。即如上所述，气体流量控制阀15a作为蒸镀材料控制机构发挥功能。

在此说明蒸镀材料。

即，蒸镀材料M采用无机材料和有机材料，特别是在有机材料中除了采用有机EL用的材料以外，还采用糖类等。

对此具体进行说明，无机材料使用铜、铝等金属(所有的金属和合金、含有金属的化合物)、半金属(所有的半金属和含有半金属的化合物)、卤素物质(所有的卤素物质、含有卤素物质的化合物)，此外也使用碳(C)、硒(Se)、含碳(C)的化合物或者含硒(Se)的化合物。

上述含有金属的化合物例如采用氧化镓(Ga₂O₃)、氧化钨(WO₃)等，上述半金属例如采用硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)、钋(Po)等，上述含有半金属的化合物例如采用氧化硼(B₂O₃)、氧化硅(SiO₂)等。

此外，有机EL用的材料用于空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子注入层和电子输送层。

用于空穴注入层和空穴输送层的材料有N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯]-4，4’-二胺(TPD)，以及N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)等。

用于发光层的材料有芳基胺衍生物、蒽衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物等。

用于电子注入层和电子输送层的材料有三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)，以及2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)等。

在此，调查频率与基板表面上的蒸镀率的关系时，如图2所示，可知蒸镀率与频率成比例。此外，关于不活泼气体的供给量，供给量越多时蒸镀率越大，供给量越少时蒸镀率越小。

图3用坐标图表示了不活泼气体的供给量与蒸镀率的关系。从所述坐标图可知，蒸镀率与不活泼气体的供给量成比例地上升。即，可知能通过频率和不活泼气体的供给量控制蒸镀率。当然，在频率维持一定的状态下，只要控制不活泼气体的供给量，就可以容易地控制蒸镀率。另外，通过将频率维持一定，可以使蒸镀材料均匀，能实现蒸镀率的稳定化。

如此，相对于以往不供给不活泼气体时蒸镀率依赖于蒸镀材料的临界温度的情况，利用不活泼气体的供给量能控制蒸镀率意味着蒸镀率能大于依赖于临界温度的蒸镀率。

按照上述真空蒸镀装置的结构，通过向材料填充容器11供给不活泼气体，将填充室11a中填充的蒸镀材料向材料引导管道12引导，并且通过在所述材料引导管道12上设置加热器17使蒸镀材料气化，因此相比于以往由坩埚加热蒸镀材料并且通过控制坩埚的加热量来控制蒸镀率的结构，不必加热坩埚即材料填充容器11中的蒸镀材料，因此不必担心蒸镀材料劣化。

此外，通过加大不活泼气体的供给量可以提高蒸镀率，所以和以往那种依赖于蒸镀材料的加热温度的情况不同，可以不考虑临界温度，因此能够将蒸镀率控制在宽广范围内。即，可以防止蒸镀材料的加热导致的恶劣影响。

可是，在上述实施例1中，在管状连接构件25的正上方(蒸镀材料移动方向上的下游侧)配置(连接)了进行加热的材料引导管道12，如图4～图6所示，也可以在管状连接构件25和材料引导管道12之间设置用于减少上游侧的温度梯度区域的冷却机构51。

所述冷却机构51包括：短管部52，配置在管状连接构件25和其正上方(蒸镀材料移动方向上的下游侧)的进行加热的下侧引导管12b之间；以及冷却部53，跨过所述短管部52和下侧引导管12b的一部分且相对于所述短管部52和下侧引导管12b的内表面具有预定的环状间隙d。

而且，所述冷却部53包括：冷却用管体54，配置在管内表面，利用双层管结构形成环状冷却室55并且在任意位置配置上下方向的隔板56，从而使所述环状冷却室55的水平断面成为C形；冷却流体供给管57，在所述冷却用管体54的环状冷却室55的靠近隔板56一个侧面的位置上连接于所述冷却用管体54，用于供给冷却水等冷却流体(所谓盐水)F；冷却流体排出管58，在环状冷却室55的靠近隔板56另一侧面的位置上连接于所述冷却用管体54，用于排出冷却流体F；以及冷却器59，借助上述冷却流体供给管57和冷却流体排出管58循环供给冷却流体。

此外，在上述环状冷却室55内，每隔预定间隔且上下交替地设有多个突出的挡板60，所述挡板60使冷却流体F上下蛇行移动。另外，环状间隙d的底部设有环状底板65，防止蒸镀材料和不活泼气体从上游侧(下方)进入。

另外，设置环状间隙d是为了防止热量从下侧引导管12b向冷却部53传递，且所述环状间隙d中配置有多枚(例如2～3层左右)彼此具有细小间隙的筒状的薄不锈钢板66(图5和图6用虚拟线表示了仅配置1枚的状态，但实际上配置有多枚)，可靠地防止来自下侧引导管12b的辐射热向冷却部53传递。

因此，从冷却流体供给管57供给的冷却流体F进入环状冷却室55的一端侧，并且利用挡板60边上下移动边向环状冷却室55的另一端侧移动，即，边冷却周围边从冷却流体排出管58排出。所述排出的冷却流体F被冷却器59冷却后，再次借助冷却流体供给管57被供给到环状冷却室55。

如此，由于利用冷却部53冷却下侧引导管12b的一部分和短管部52，所以能缩短蒸镀材料的温度梯度的距离。换句话说，通过将冷却部53的一部分配置在高温的加热部，进一步缩短蒸镀材料的温度梯度的距离，从而可以抑制蒸发的蒸镀材料即蒸发材料的液化。

另外，在上述冷却部53中，在环状冷却室55内配置了挡板60，但是也可以不设置挡板，此外可以代替双层管结构，在管内表面(下侧引导管12b的一部分和短管部52的内表面)上将冷却管设置成螺旋状卷绕的螺旋结构。此时，螺旋状卷绕的冷却管的螺旋部分的内侧通道中，设有使蒸镀材料、不活泼气体等能顺畅移动的引导筒部，并且通过在冷却管的螺旋部分的外侧与上述管内表面之间设置环状间隙(与图5的附图标记d所示的环状间隙相同的环状间隙)，防止从下侧引导管12b传递热量。此外，所述环状间隙的底部设有环状底板(与图5的附图标记65所示的环状底板相同的环状底板)，防止蒸镀材料、不活泼气体等从下方进入环状间隙。而且，如针对图5和图6所说明的那样，通过在上述环状间隙中配置多枚彼此具有细小间隙的筒状的薄不锈钢板(与图5和图6的附图标记66所示的不锈钢板相同的不锈钢板)，也能可靠地防止来自下侧引导管12b的辐射热向冷却部53传递。

此外，在上述实施例1中，在管状连接构件25的正上方直线状(沿铅直方向)连接有进行加热的材料引导管道12，如图7所示，也可以在所述材料引导管道12的下侧引导管12b与管状连接构件25之间配置侧视L形(也可以是倾斜)的管状体构成的材料移动路径变更管(也称为材料移动路径变更构件)61，以改变向上方移动的蒸镀材料的移动路径。

所述材料移动路径变更管61包括：水平的第一路径变更管部61a，一端部连接于侧视L形(准确说是倒L形)的下侧引导管12b；以及铅直的第二路径变更管部61b，连接所述第一路径变更管部61a的另一端部和管状连接构件25。当然，下侧引导管12b和第二路径变更管部61b的设置位置在水平方向彼此错开。另外，所述材料移动路径变更管61处于非加热区域。

如此，由于下侧引导管12b与管状连接构件25之间配置有侧视L形的材料移动路径变更管61，所以防止了材料填充容器11内的蒸镀材料受到来自设有加热器17的加热区域即下侧引导管12b的辐射热的影响。即，消除了材料填充容器11内的蒸镀材料表面的熔融，可以实现蒸镀率的稳定化以及不活泼气体的流量的降低。

另外，不设置材料移动路径变更管61时，由于能从蒸镀材料侧直接看到作为加热区域的高温加热部(下侧引导管12b)，所以蒸镀材料的表面因来自高温加热部的辐射热而熔融，从而由于熔融材料的损失以及抑制了材料飞起，所以蒸镀率不稳定并且供给的不活泼气体的流量增加。

对上述实施例1中的构成蒸镀材料的移动路径的管构件彼此连接的连接部没有特别说明，如附图所示，采用了法兰接头(以下所示的实施例2也相同)。

(实施例2)

接着根据附图说明本发明实施例2的真空蒸镀装置。

在上述的实施例1中，说明了利用振动赋予器(振动机构)使材料填充容器振动，本实施例2的真空蒸镀装置代替振动，对材料填充容器内进行搅拌。

因为本实施例2的真空蒸镀装置与实施例1的不同部位是材料填充容器的部分，所以本实施例2重点说明该部分，并且对和实施例1相同的构件标注相同的附图标记并省略其具体说明。

简单地说，在实施例1说明的材料移动路径变更管61中，设置有能搅拌材料填充容器11内的蒸镀材料的搅拌装置(搅拌机构)，这里以所述搅拌装置为中心进行说明。另外，由于材料填充容器不振动，所以未设置管状连接构件25。

即，如图8所示，实施例2的搅拌装置71包括：电动机72，配置在一端部连接于下侧引导管12b的水平的第一路径变更管部61a的另一端侧；以及搅拌件73，具有旋转轴74和安装在所述旋转轴下端的搅拌叶片(搅拌构件的一例，不限于叶片)75，所述旋转轴74在第二路径变更管部61b内沿铅直方向配置且上端连接于电动机72。

因此在蒸镀时，通过利用电动机72使搅拌件73旋转，可以让材料填充容器11内的蒸镀材料飞起并向材料引导管道12侧移动，因此得到和上述的实施例1中的振动同样的作用效果。

即，由于通过搅拌件73搅拌材料填充容器11内的粉体构成的蒸镀材料，并供给不活泼气体将蒸镀材料向材料引导管道12引导，而且在所述材料引导管道12上设置加热器17以使蒸镀材料气化，所以相比于以往那种由坩埚加热蒸镀材料并且通过控制坩埚的加热量来控制蒸镀率的结构，不必利用坩埚即材料填充容器11加热蒸镀材料，因此不必担心蒸镀材料劣化。

而且，通过控制不活泼气体的供给量，即通过加大不活泼气体的供给量，可以提高蒸镀率，所以和以往依赖于蒸镀材料的加热温度的情况不同，不必考虑临界温度，因此可以将蒸镀率控制在宽广范围内。即，可以防止蒸镀材料的加热导致的恶劣影响。

在上述说明中，替代振动赋予器设置了搅拌装置71，但是也可以一起设置搅拌装置71和振动赋予器。此时，需要设置管状连接构件25。

此时，由于在振动的同时也进行搅拌，所以当蒸镀材料因振动而结块时，可以将结块打散。

此外，在上述实施例1和实施例2中，说明了基板为薄片的情况，例如图1、图7和图8的虚拟线所示，基板K′也可以是平面视为矩形的不锈钢制、硅制的板材。当然，此时蒸镀作业分批进行。

此外，在上述实施例1和实施例2中，将除了前端部以外的材料引导管道和材料填充容器配置在蒸镀用容器的外部，但是根据需要，也可以将材料引导管道配置在蒸镀用容器的内部，或者将材料引导管道及材料填充容器配置在蒸镀用容器的内部。而且，说明了对蒸镀用容器内水平配置的基板的下表面进行蒸镀的情况，但也可以应用于例如将基板铅直配置并对基板的铅直面进行蒸镀的情况，或对水平配置的基板的上表面进行蒸镀的情况。

下面将此时的结构表示为上述实施例1和实施例2的结构所含的真空蒸镀装置的结构。

即，本真空蒸镀装置包括蒸镀用容器和材料供给装置，所述蒸镀用容器在真空环境下使蒸镀材料附着到被蒸镀构件的表面以形成薄膜，所述材料供给装置向上述蒸镀用容器内的被蒸镀构件引导蒸镀材料，

上述材料供给装置包括：

材料填充容器，填充有粉体的蒸镀材料；

不活泼气体供给机构，向上述材料填充容器内供给不活泼气体；

材料引导机构，向被蒸镀构件引导上述蒸镀材料；

蒸镀材料控制机构，控制向上述被蒸镀构件引导的蒸镀材料的供给量；以及

加热机构，通过加热上述材料引导机构或加热上述材料引导机构的内部，使被所述材料引导机构引导的蒸镀材料气化，

上述蒸镀材料控制机构采用气体流量控制阀，所述气体流量控制阀设置于不活泼气体供给机构，控制不活泼气体的供给量。

以下进一步说明实施例3和实施例4。

在上述实施例1和实施例2所示的真空蒸镀装置中，说明了根据振动和不活泼气体的供给量进行蒸镀材料的蒸发量的控制，在以下所示的实施例中，控制振动和材料引导管道中的蒸镀材料(蒸发的蒸镀材料)的通过量(蒸镀量)。

另外，虽然实施例3和实施例4的真空蒸镀装置的结构与上述实施例1和实施例2说明的结构基本相同，但是再次进行说明。

(实施例3)

以下根据附图说明本发明实施例3的真空蒸镀装置。

如图9所示，本真空蒸镀装置包括蒸镀用容器(也称为成膜用容器或真空室)101和材料供给装置103。所述蒸镀用容器101具有蒸镀室(也称为成膜室)102，所述蒸镀室102用于在预定的真空环境下(例如10^-5Pa以下的高真空环境下)使蒸镀材料M附着到作为被蒸镀构件的薄膜状基板(具体采用薄片(film))K的表面(下表面)以形成薄膜。所述材料供给装置103向所述蒸镀用容器101、即蒸镀室102供给(引导)蒸镀材料M。

首先简单说明蒸镀用容器101内部的结构。

在所述蒸镀用容器101的蒸镀室102内部的上部，配置有保持作为被蒸镀构件的基板K的保持装置105，并且在所述保持装置105的正侧方，配置有用于检测基板K表面附着的蒸镀材料M的膜厚的膜厚传感器106。此外，在保持装置105的下方，设有用于向基板K供给蒸镀材料M和停止供给蒸镀材料M的闸门构件107。

上述保持装置105用于将作为基板K的薄片连续地向蒸镀区域(与后述的材料引导管道前端的喷嘴部对应的预定范围的区域)引导，其包括：卷放基板K的卷放辊105a；卷取基板K的卷取辊105b；以及配置在卷放辊105a和卷取辊105b之间的引导辊105c，所述引导辊105c将基板K的蒸镀面向蒸镀区域引导。另外，用于使基板K沿引导辊105c的表面移动的转向用辊105d配置在引导辊105c的前后(基板移动方向上的前后)。

此外，上述闸门构件107包括：旋转轴体107b，例如利用电机等旋转机107a而围绕铅直轴心旋转；以及闸门板107c，安装在所述旋转轴体107b的上端，并在与保持装置105所保持的基板K的蒸镀面(包含引导辊105c最下端的直线部的水平面)平行的平面内摆动。利用上述旋转轴体107b的旋转，闸门板107c在覆盖基板K表面的蒸镀停止位置以及开放基板K表面的蒸镀容许位置之间摆动自如。而且，来自上述膜厚传感器106的测定值被输入到控制后述蒸镀量控制阀的蒸镀率控制装置108。

接着，说明作为本发明要旨的材料供给装置103。

所述材料供给装置103包括：材料填充容器(例如采用与坩埚同样的有底圆筒状容器)111，配置在蒸镀用容器101的下方，填充有粉体(例如粒径在0.25mm以下的粉末)的蒸镀材料M；作为材料引导机构的材料引导管道112，从所述材料填充容器111延伸至上述蒸镀用容器101并沿铅直方向设置；振动赋予器(振动赋予机构)113，安装在上述材料填充容器111的底部，对所述材料填充容器111内的蒸镀材料M赋予振动；不活泼气体供给装置(不活泼气体供给机构)114，向上述材料填充容器111内部的下部供给不活泼气体G，把由上述振动赋予器113赋予了振动的蒸镀材料M向上述材料引导管道112内引导，即向上方引导；蒸镀量控制装置(蒸镀材料控制机构)115，设置在所述材料引导管道112的中途，由控制蒸镀材料M的通过量(蒸镀量)的蒸镀量控制阀(也称为蒸镀材料控制阀)115a和调节所述蒸镀量控制阀115a的开度的驱动部115b构成；以及加热器(加热机构)116，通过加热上述材料引导管道112中的蒸镀量控制阀115a的设置部分及其上侧的上侧引导管112a和下侧的下侧引导管112b，使输送到材料引导管道112内的蒸镀材料M气化(升华或蒸发)。此外，加热部位至少包括下侧引导管112b即可(加热下侧引导管112b是因为用蒸镀量控制阀115a控制蒸镀率的关系中，需要在其上游侧使蒸镀材料M气化)。另外，不活泼气体采用氩气、氦气、氮气等。此外，蒸镀材料不是氟化合物时，也可以采用氪、氙、氡等。

上述振动赋予器113并未具体图示，其例如包括：设置成在壳体内借助偏心轴而旋转自如的振动件；以及通过使上述偏心轴旋转而使所述振动件振动的电机。利用所述振动赋予器113，材料填充容器111内的蒸镀材料M主要在上下方向被赋予振动而漂浮，并且在水平方向上也振动，从而使蒸镀材料M变得松散。即，通过振动促进蒸镀材料M漂浮。

此外，上述加热器116包括缠绕在材料引导管道112周围的电热线(例如镍铬线等)和向所述电热线供电的电源(未图示)。

此外，上述不活泼气体供给装置114包括：气体供给管121，前端部与气体供给口111b连接并且中途设有气体流量控制阀122，所述气体供给口111b形成在设置于材料填充容器111的填充室111a的下部；以及气体填充储气瓶123，与所述气体供给管121的基端部连接，能供给不活泼气体G。

此外，上述材料引导管道112的上端即上侧引导管112a的上端部插通蒸镀用容器101的底壁部并朝向蒸镀室102内开口，并且上述材料引导管道112的下端借助波纹管等管状连接构件125与材料填充容器111的上端开口部连接。另外，在上侧引导管112a的上端设有释放蒸镀材料的喷嘴部112c。

而且，上述的蒸镀量控制阀115a设置在上侧引导管112a的下部，即设置在上侧引导管112a和下侧引导管112b之间。另外，上述加热器116的电热线缠绕在蒸镀量控制阀115a、上侧引导管112a和下侧引导管112b上。上述蒸镀量控制阀115a基于来自上述蒸镀率控制装置108的开度指令而被控制。

按照上述结构，在作为基板K的薄片的表面(下表面)形成预定材料的薄膜时，在蒸镀室102内的保持装置105保持基板K的状态下，即基板K被沿引导用辊105c的下部表面引导的状态下，将蒸镀室102内维持为预定的真空度。

而且，在填充材料供给侧，材料填充容器111的填充室111a内填充有预定的蒸镀材料M的粉体，并且还向气体填充储气瓶123填充不活泼气体G，而且由加热器116将材料引导管道112加热到预定温度。另外，材料引导管道112内也和蒸镀室102同样处于真空环境。

在所述状态下，通过使振动赋予器113动作，对材料填充容器111以预定的频率和振幅、例如1Hz～30Hz的频率和3mm以下的振幅赋予振动，并且使气体流量控制阀122打开，由气体供给管121以预定的供给量向填充室111a内供给不活泼气体(例如采用氩气)G。

这时，填充室111a内的蒸镀材料M被赋予振动，且利用供给到填充室111a内的不活泼气体G，蒸镀材料M向上方飞起并且在材料引导管道112内向上方移动，利用蒸镀量控制阀115a和其上方部分配置的加热器116而被加热到预定温度(具体为蒸镀材料的气化温度)而气化。

所述气化的蒸镀材料M从喷嘴部112c向蒸镀室102内移动，附着并堆积到基板K的表面。即，在基板K的表面形成蒸镀材料的薄膜。当然，基板K在形成薄膜的同时，被以预定速度卷取到卷取辊105b侧而连续地形成，但有时也可以每隔预定长度间歇地(所谓分批式)形成。

另外，对于向所述基板K的蒸镀量，来自膜厚传感器106的作为测定值的膜厚值被输入蒸镀率控制装置108，在此求出蒸镀率并且以达到预先设定的蒸镀率的方式，向驱动部115b输出开度指令以控制蒸镀量控制阀115a。

在此说明蒸镀材料。

即，蒸镀材料M采用无机材料和有机材料，特别是在有机材料中除了采用有机EL用的材料以外，还采用糖类等。

对此具体进行说明，无机材料使用铜、铝等金属(所有的金属和合金、含有金属的化合物)、半金属(所有的半金属和含有半金属的化合物)、卤素物质(所有的卤素物质、含有卤素物质的化合物)，此外，也使用碳(C)、硒(Se)、含碳(C)的化合物或者含硒(Se)的化合物。

上述含有金属的化合物例如采用氧化镓(Ga₂O₃)、氧化钨(WO₃)等，上述半金属例如采用硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)、钋(Po)等，上述含有半金属的化合物例如采用氧化硼(B₂O₃)、氧化硅(SiO₂)等。

此外，有机EL用的材料用于空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子注入层和电子输送层。

用于空穴注入层和空穴输送层的材料有N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯]-4，4’-二胺(TPD)，以及N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)等。

用于发光层的材料有芳基胺衍生物、蒽衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物等。

用于电子注入层和电子输送层的材料有三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)，以及2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)等。

这里如图10所示，调查频率与基板表面上的蒸镀率的关系时可知，蒸镀率与频率成比例。即，可知即使控制频率的情况下也能控制蒸镀率。另外，通过将频率维持一定，可以使蒸镀材料均匀，因而可以实现蒸镀率的稳定化。

按照上述真空蒸镀装置的结构，通过向材料填充容器111供给不活泼气体，将填充室111a中填充的蒸镀材料向材料引导管道112引导，并且在所述材料引导管道112上设置加热器116使蒸镀材料气化，因此相比于以往由坩埚加热蒸镀材料并且通过控制坩埚的加热量来控制蒸镀率的结构，不必加热坩埚即材料填充容器111中的蒸镀材料，因此不必担心蒸镀材料劣化。

此外，在上述实施例3中，在管状连接构件125的正上方(蒸镀材料移动方向上的下游侧)配置(连接)了进行加热的材料引导管道112，如图11～图13所示，也可以在管状连接构件125和材料引导管道112之间设置用于减少上游侧的温度梯度区域的冷却机构151。

所述冷却机构151包括：短管部152，配置在管状连接构件125和其正上方(蒸镀材料移动方向上的下游侧)的进行加热的下侧引导管112b之间；以及冷却部153，跨过所述短管部152和下侧引导管112b的一部分且相对于所述短管部152和下侧引导管112b的内表面设有预定的环状间隙d。

而且，所述冷却部153包括：冷却用管体154，配置在管内表面，利用双层管结构形成环状冷却室155并且在任意位置配置上下方向的隔板156，从而使所述环状冷却室155的水平断面成为C形；冷却流体供给管157，在所述冷却用管体154的环状冷却室155的靠近隔板156一个侧面的位置上连接于所述冷却用管体154，用于供给冷却水等冷却流体(所谓盐水)F；冷却流体排出管158，在环状冷却室155的靠近隔板156另一侧面的位置上连接于所述冷却用管体154，用于排出冷却流体F；以及冷却器159，借助上述冷却流体供给管157和冷却流体排出管158循环供给冷却流体。

此外，在上述环状冷却室155内，每隔预定间隔且上下交替地设有多个突出的挡板160，所述挡板160使冷却流体F上下蛇行移动。另外，环状间隙d的底部设有环状底板165，防止蒸镀材料和不活泼气体从上游侧(下方)进入。

另外，设置环状间隙d是为了防止热量从下侧引导管112b向冷却部153传递，而且所述环状间隙d中配置有多枚(例如2～3层左右)彼此具有细小间隙的筒状的薄不锈钢板166(图12和图13用虚拟线表示了仅配置1枚的状态，但实际上配置有多枚)，可靠地防止来自下侧引导管112b的辐射热向冷却部153传递。

因此，从冷却流体供给管157供给的冷却流体F进入环状冷却室155的一端侧，并且利用挡板160边上下移动边向环状冷却室155的另一端侧移动，即，边冷却周围边从冷却流体排出管158排出。所述排出的冷却流体F被冷却器159冷却后，再次借助冷却流体供给管157被供给到环状冷却室155。

如此，由于利用冷却部153冷却下侧引导管112b的一部分和短管部152，所以能缩短蒸镀材料的温度梯度的距离。换句话说，通过将冷却部53的一部分配置在高温的加热部，进一步缩短蒸镀材料的温度梯度的距离，从而可以抑制蒸发的蒸镀材料即蒸发材料的液化。

另外，在上述冷却部153中，在环状冷却室155内配置挡板160，但也可以不设置挡板，此外可以代替双层管结构，在管内表面(下侧引导管112b的一部分和短管部152的内表面)上将冷却管设置成螺旋状卷绕的螺旋结构。此时，螺旋状卷绕的冷却管的螺旋部分的内侧通道中，设有使蒸镀材料、不活泼气体等能顺畅移动的引导筒部，并且通过在冷却管的螺旋部分的外侧与上述管内表面之间设置环状间隙(与图12的附图标记d所示的环状间隙相同的环状间隙)，防止从下侧引导管112b传递热量。此外，所述环状间隙的底部设有环状底板(与图12的附图标记165所示的环状底板相同的环状底板)，防止蒸镀材料、不活泼气体等从下方进入环状间隙。而且，如针对图12和图13所说明的那样，通过在上述环状间隙中配置多枚彼此具有细小间隙的筒状的薄不锈钢板(与图12和图13的附图标记166所示的不锈钢板相同的不锈钢板)，也能可靠地防止来自下侧引导管112b的辐射热向冷却部153传递。

此外，在上述实施例3中，在管状连接构件125的正上方直线状(沿铅直方向)连接有进行加热的材料引导管道112，如图14所示，也可以在所述材料引导管道112的下侧引导管112b与管状连接构件125之间配置侧视L形(也可以是倾斜)的管状体构成的材料移动路径变更管(也称为材料移动路径变更构件)161，以改变向上方移动的蒸镀材料的移动路径。

所述材料移动路径变更管161包括：水平的第一路径变更管部161a，一端部连接于侧视L形(准确说是倒L形)的下侧引导管112b；以及铅直的第二路径变更管部161b，连接所述第一路径变更管部1161a的另一端部和管状连接构件125。当然，下侧引导管112b和第二路径变更管部161b的设置位置在水平方向彼此错开。另外，所述材料移动路径变更管161处于非加热区域。

如此，由于下侧引导管112b与管状连接构件125之间配置有侧视L形的材料移动路径变更管161，所以防止了材料填充容器111内的蒸镀材料受到来自设有加热器116的加热区域即下侧引导管112b的辐射热的影响。即，消除了材料填充容器111内的蒸镀材料表面的熔融，可以实现蒸镀率的稳定化以及不活泼气体的流量的降低。

另外，不设置材料移动路径变更管161时，由于能从蒸镀材料侧直接看到作为加热区域的高温加热部(下侧引导管112b)，所以蒸镀材料的表面因来自高温加热部的辐射热而熔融，从而由于熔融材料的损失以及抑制了材料飞起，所以蒸镀率不稳定并且供给的不活泼气体的流量增加。

对上述实施例3中的构成蒸镀材料的移动路径的管构件彼此连接的连接部没有特别说明，如附图所示，采用了法兰接头(以下所示的实施例4也相同)。

(实施例4)

接着根据附图说明本发明实施例4的真空蒸镀装置。

在上述的实施例3中，说明了利用振动赋予器(振动机构)使材料填充容器振动，本实施例4的真空蒸镀装置代替振动，对搅拌材料填充容器内进行搅拌。

因为本实施例4的真空蒸镀装置与实施例3的不同部位是材料填充容器的部分，所以本实施例4重点说明该部分，并且对和实施例3相同的构件标注相同的附图标记并省略其具体说明。

简单地说，在实施例3说明的材料移动路径变更管161中，设置有能搅拌材料填充容器111内的蒸镀材料的搅拌装置(搅拌机构)，这里以所述搅拌装置为中心进行说明。另外，由于材料填充容器不振动，所以未设置管状连接构件125。

即，如图15所示，实施例4的搅拌装置171包括：电动机172，配置在一端部连接于下侧引导管112b的水平的第一路径变更管部161a的另一端侧；以及搅拌件173，具有旋转轴174和安装在所述旋转轴下端的搅拌叶片(搅拌构件的一例，不限于叶片)175，所述旋转轴174在第二路径变更管部161b内沿铅直方向配置且上端连接于电动机172。

因此在蒸镀时，通过利用电动机172使搅拌件173旋转，可以让材料填充容器111内的蒸镀材料飞起并向材料引导管道112侧移动，因此得到和上述的实施例3中的振动同样的作用效果。

即，通过搅拌件173搅拌材料填充容器111内的粉体构成的蒸镀材料，并供给不活泼气体将蒸镀材料向材料引导管道112引导，而且在所述材料引导管道112上设置加热器116以使蒸镀材料气化，所以相比于以往那种由坩埚加热蒸镀材料并且通过控制坩埚的加热量来控制蒸镀率的结构，不必利用坩埚即材料填充容器111加热蒸镀材料，因此不必担心蒸镀材料劣化。

在上述说明中，替代振动赋予器设置了搅拌装置171，但是也可以一起设置搅拌装置171和振动赋予器。此时，需要设置管状连接构件125。

此时，由于在振动的同时也进行搅拌，所以当蒸镀材料因振动而结块时，可以将结块打散。

此外，在本实施例4中，也可以采用与上述实施例3说明的图11～图13的变形例同样的结构。

即，可以在材料引导管道112的下侧引导管112b上采用冷却机构。具体进行说明，将进行加热的侧视L形的下侧引导管112b的铅直部加长，并将所述下侧引导管112b的上方部设为加热部而将所述下侧引导管112b的下方部设为短管部，将冷却部配置为跨过所述短管部和下侧引导管112b的上方部且相对于所述短管部和下侧引导管112b的内表面保持预定的环状间隙。另外，冷却部的结构和图11～图13说明的结构相同。

此外，在上述各实施例中，说明了基板为薄片的情况，例如图9、图14和图15的虚拟线所示，基板K′也可以是平面视为矩形的不锈钢制、硅制的板材。当然，此时蒸镀作业分批进行。

此外，在上述实施例3和实施例4中，将除了前端部以外的材料引导管道和材料填充容器配置在蒸镀用容器的外部，但是根据需要，也可以将材料引导管道配置在蒸镀用容器的内部，或者将材料引导管道及材料填充容器配置在蒸镀用容器的内部。而且，说明了对蒸镀用容器内水平配置的基板的下表面进行蒸镀的情况，但也可以应用于例如将基板铅直配置并对基板的铅直面进行蒸镀的情况，或对水平配置的基板的上表面进行蒸镀的情况。

下面将此时的结构表示为上述实施例3和实施例4的结构所含的真空蒸镀装置的结构。

即，本真空蒸镀装置包括蒸镀用容器和材料供给装置，所述蒸镀用容器在真空环境下使蒸镀材料附着到被蒸镀构件的表面以形成薄膜，所述材料供给装置向上述蒸镀用容器内的被蒸镀构件引导蒸镀材料，

上述材料供给装置包括：

材料填充容器，填充有粉体的蒸镀材料；

不活泼气体供给机构，向上述材料填充容器内供给不活泼气体；

材料引导机构，向被蒸镀构件引导上述蒸镀材料；

蒸镀材料控制机构，控制向上述被蒸镀构件引导的蒸镀材料的供给量；以及

加热机构，通过加热上述材料引导机构或加热上述材料引导机构的内部，使被所述材料引导机构引导的蒸镀材料气化，

上述蒸镀材料控制机构采用蒸镀量控制阀，所述蒸镀量控制阀配置在材料引导机构的中途，用于控制蒸镀材料的通过量。

在上述实施例1和实施例2中，说明了由蒸镀率控制装置控制不活泼气体的供给量，此外在上述实施例3和实施例4中，说明了由蒸镀率控制装置控制材料引导机构中的(材料引导管道内的)蒸镀材料的通过量，但根据情况，也可以由蒸镀率控制装置控制不活泼气体的供给量和蒸镀材料的通过量。即，也可以由蒸镀率控制装置控制气体流量控制阀和蒸镀量控制阀。

Claims (7)

1.一种真空蒸镀装置，其特征在于，

包括蒸镀用容器和材料供给装置，所述蒸镀用容器在真空环境下使蒸镀材料附着到被蒸镀构件的表面以形成薄膜，所述材料供给装置向所述蒸镀用容器内的被蒸镀构件引导蒸镀材料，

所述材料供给装置包括：

材料填充容器，填充有粉体的蒸镀材料；

不活泼气体供给机构，向所述材料填充容器内供给不活泼气体；

材料引导机构，向被蒸镀构件引导所述蒸镀材料；

蒸镀材料控制机构，控制向所述被蒸镀构件引导的蒸镀材料的供给量；以及

加热机构，通过加热所述材料引导机构或加热所述材料引导机构的内部，使被所述材料引导机构引导的蒸镀材料气化。

2.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，蒸镀材料控制机构采用气体流量控制阀，所述气体流量控制阀设置于不活泼气体供给机构，用于控制不活泼气体的供给量。

3.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，蒸镀材料控制机构采用蒸镀量控制阀，所述蒸镀量控制阀配置在材料引导机构的中途，用于控制蒸镀材料的通过量。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，设有对材料填充容器赋予振动的振动赋予机构。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，设有具备搅拌构件的搅拌机构，所述搅拌构件用于搅拌材料填充容器内部。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，在材料引导机构和材料填充容器之间配置有冷却部。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，在材料引导机构和材料填充容器之间配置有材料移动路径变更构件，以使设置于材料引导机构的加热部发出的辐射热不会直接到达所述材料填充容器内的蒸镀材料的表面。