CN109546008A - 有机发光二极管的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 77
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 72
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 67
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 120
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 6
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000344 molecularly imprinted polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0026—Activation or excitation of reactive gases outside the coating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机发光二极管的制备装置，其包括：一蒸发装置、一蒸镀装置、一导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室，使设置于该蒸发室内的蒸发源材料蒸发；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、一喷头和一载物台；该蒸发室通过该导管与一设置于该蒸镀室内的喷头连接；该喷头包括一喷头本体和一喷嘴，该喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，该第一表面设置一开口，该开口与该导管的排气端连接，该第二表面为一开口结构，该喷嘴设置于该开口结构处，该喷嘴包括多个间隔设置的通孔；该载物台设置于该蒸镀室内；该真空泵与该蒸镀室连接，用于维持制备装置的真空度。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)是一种发光层由有机复合物构成的发光二极管。作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成本等诸多特点。现有的OLED的制备方法包括蒸镀法和溶液法。然而现有的OLED蒸镀装置中，采用蒸镀法设置有机发光层时，由于气态蒸镀材料会向各个方向扩散，使得蒸镀装置的内壁上也沉积部分有机发光层，造成材料浪费，成本上升。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种能够使蒸发源得到充分利用的有机发光二极管的制备装置。
一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一制备装置，所述制备装置包括一蒸发装置、一蒸镀装置、一导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、一喷头和一载物台；所述蒸发室通过所述导管与设置于所述蒸镀室内的喷头连接；所述喷头包括一喷头本体和一喷嘴，所述喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设置一开口，该开口与所述导管的排气端连接，所述第二表面为一开口结构，所述喷嘴设置于所述开口结构处，所述喷嘴包括多个间隔设置的通孔；所述载物台设置于所述蒸镀室内；所述真空泵与所述蒸镀室连接；将一基底设置于该蒸镀室内的载物台上，该基底的表面形成有一第一电极，该第一电极远离基底的表面与该喷嘴相对且间隔设置；通过所述真空泵对所述蒸镀室抽真空；通过所述第一加热装置加热所述蒸发室，使蒸发室内的有机发光层源材料蒸发；通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔沉积到所述第一电极上形成有机发光层；以及在该有机发光层上形成第二电极。
相较于现有技术，本发明提供的有机发光二极管的制备方法中所使用的制备装置将蒸发室和蒸镀室分开设置，并通过导管导通，由于导管和喷头把所述有机发光层源材料产生的气体直接引导至被沉积待镀面，因此，一方面可以使得材料得到充分的利用，约了有机发光层源材料；另一方面，也可以通过控制在不同区域处气体的流速和停留时间，使得不同区域形成的有机发光层厚度均匀。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图2为本发明图1的制备装置中导管的排气端与喷头的连接示意图。
图3为本发明图1的制备装置中喷头喷嘴的结构示意图。
图4为本发明第一实施例提供的制备有机发光二极管的流程图。
图5为本发明第一实施例制备的有机发光二极管的结构示意图。
图6为本发明第二实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图7为本发明第三实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图8为本发明第四实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图9为本发明第五实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图10为本发明第六实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图11为本发明第七实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
图12为本发明第八实施例提供的有机发光二极管制备装置的结构示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的有机发光二极管的制备方法和制备装置作进一步的详细说明。
请参阅图1和5，本发明第一实施例提供一种有机发光二极管100的制备装置10，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13和一真空泵15；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述通孔127相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置10的真空度。
所述蒸发装置11用于向所述蒸镀装置12提供待镀气体。该蒸发装置11包括一蒸发室111，该蒸发室111内设置有机发光层源材料116。可以理解，该蒸发室111内也可以设置空穴传输层源材料、空穴注入层源材料、电子注入层源材料或电子传输层源材料。本发明第一实施例中，所述蒸发室111内仅设置一有机发光层源材料116。所述有机发光层源材料116可以为制备各种颜色的有机发光层160的有机发光层源材料116。
所述第一加热装置114对所述蒸发室111内的有机发光层源材料116进行加热。所述第一加热装置114与所述蒸发室111可以接触设置，也可以间隔设置。本发明第一实施例中，所述第一加热装置114与所述蒸发室111间隔设置。所述第一加热装置114可以为一电磁炉或电热套等，所述蒸发室111设置于该电磁炉上或设置于该电热套内。当对所述电磁炉或电热套输入电信号，所述电磁炉或电热套可以加热所述蒸发室111，使有机发光层源材料116蒸发。
所述导管13用于将所述蒸发室111内的有机发光层源材料116产生的气体导入到所述蒸镀装置12内，通过喷头122沉积到待镀第一电极140的表面。所述导管13的排气端131进一步包括一阀门16，用于控制导管13内气体的排放。此外，所述导管13靠近所述蒸发室111的一侧的一导气端130也可以进一步包括一阀门16，便于控制蒸发室111内的气体进入所述导管13。
所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，所述第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接。具体地，参见图2，所述开口1232处进一步包括一连接端口126，所述导管13的排气端131延伸到所述连接端口126内或套在连接端口126上，该连接端口126将所述导管13的排气端131卡紧。所述连接端口126与所述导管13的排气端131可拆卸连接，方便更换导管13或喷头122。所述导管13的排气端131的端面133可以与所述喷头122的第一表面1231在同一平面，也可以延伸到喷头122内。本发明第一实施例中，所述导管13的排气端131的端面133与所述第一表面1231在同一平面。
所述喷头本体123的第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处。所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127。参见图3，所述多个通孔127可以按照一定规律排列成相同或不同的图案。由于有机发光层源材料116蒸发产生的气体只能从所述图案化的通孔127通过，并到达该待蒸镀第一电极140的表面，在该待蒸镀第一电极的表面与该图案化的通孔127对应的局部位置形成有机发光层160，从而使该有机发光层160图案化。该图案化的有机发光层160的图案与该图案化通孔127的图案对应。
所述喷嘴124与所述喷头本体123可以拆卸连接，方便更换喷嘴124，由于所述喷嘴124包括不同排列方式的通孔127，因此通过更换喷嘴124可以制备不同图案的有机发光层160。所述喷嘴124与所述喷头本体123可以一体成型。本发明第一实施例中所述喷头本体123与所述喷嘴124为一体结构。
所述载物台129用于支撑待镀物体。所述载物台129可以在蒸镀室121内移动。具体地，所述蒸镀装置12进一步包括一控制元件(图未示)，用于控制载物台129移动，进而使所述第一电极140及基底120在所述蒸镀室121内移动。
所述真空泵15通过一阀门16控制其开关，真空泵15能够持续工作，维持一定的真空度。一方面可以避免制备装置中存在O2，从而导致所述有机发光层源材料116产生的有机小分子气体氧化；另一方面，由于蒸镀室121内的压力低，可以使所述蒸发室111内的有机小分子气体自发的通过所述导管13到达所述蒸镀室121内。
请一并参见图4-5，通过本发明第一实施例提供的制备装置10制备有机发光二极管100的方法包括以下步骤：
S1，提供一基底120，在该基底120的表面形成一第一电极140；
S2，将所述第一电极140及基底120设置于所述蒸镀室121内的载物台129上，所述第一电极140远离基底120的表面与所述喷嘴124相对且间隔设置；
S3，打开真空泵15，对所述蒸镀室121抽真空，并维持一定的真空度；
S4，所述第一加热装置114加热所述蒸发室111，使所述有机发光层源材料116蒸发；所述蒸发室111内的气体被所述导管13引导至喷头122，并通过该喷头122沉积到所述第一电极140上形成有机发光层160；以及
S5，在该有机发光层160上形成第二电极180。
在步骤S1中，所述第一电极140为绝缘的硬质第一电极140或柔性第一电极140，所述第一电极140及第二电极180均为导电层。当该有机发光二极管100的出光面为该第一电极140的一侧时，该基底120为透明基底120，如玻璃基底120、石英基底120或塑料基底120。所述第一电极140为透明导电层或多孔网状结构，如ITO层、FTO层或碳纳米管膜。所述第二电极180为透明或不透明的导电层或多孔网状结构，如金属薄膜、金属网、ITO层、FTO层或碳纳米管膜。当该有机发光二极管100的出光面为所述第二电极180的一侧时，所述第一电极140可以为不透明第一电极140。所述第二电极180为透明导电层或多孔网状结构。所述第一电极140为透明或不透明的导电层或多孔网状结构。该第一电极140及第二电极180均可通过现有的蒸镀、溅射、涂覆或铺设等方法制备。
在步骤S2中，所述喷头122的多个通孔127与第一电极140的表面相对且间隔设置。该第一电极140的表面各处均与所述喷头122的喷嘴124保持基本相等的间隔，即该喷头122的喷嘴124基本平行于该第一电极140的表面。
在步骤S3中，对所述蒸镀室121抽真空的步骤在有机发光层源材料116蒸发之前，且保持所述蒸镀室121和蒸发室111连通进行，一方面可以避免制备装置中存在O2从而导致所述有机发光层源材料116产生的有机小分子气体氧化；另一方面，由于蒸镀室121内的压力低，可以在后续步骤中使蒸发室111的有机小分子气体会自发的通过所述导管13到达所述蒸镀装置12内。
具体地，所述真空泵15通过一阀门16控制其开关。抽真空时，打开所述真空泵的阀门16，抽走制备装置10内的空气，并维持一定的真空度。
在步骤S4中，加热所述有机发光层源材料116前，先关闭导管13的排气端131一侧的阀门16，等所述导管13内的有机小分子气体达到一定压力时，再打开所述排气端131一侧的阀门16。
打开排气端131的阀门16后，使喷出的有机小分子气体保持固定的流速，并沉积固定的时间；然后关闭阀门16，移动所述载物台129，再打开阀门16，以相同的流速沉积相同的时间。这样可以使有机发光层160的厚度均匀。
所述有机发光层源材料116为该有机发光层160的材料或者用于形成该有机发光层160的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机发光层160的材料。
该有机发光层160为具有高量子效率、良好的半导体性、成膜性以及热稳定性的高分子聚合物或小分子有机化合物。所述高分子聚合物通常是导电共轭聚合物或半导体共轭聚合物。所述小分子有机化合物主要为有机染料，其具有化学修饰性强、选择范围广、易于提纯以及量子效率高等特性。所述小分子有机化合物可以为的红光材料、绿光材料和蓝光材料中一种或多种。该有机发光层160的材料及该有机发光层源材料116不限于上述材料，只要是在相同条件下气化温度低于碳纳米管的气化温度，且在蒸镀过程中不与碳反应的有机半导体发光材料即可。本发明第一实施例中，所述有机发光层源材料116为小分子有机化合物。
所述有机发光层源材料116设置于所述蒸发室111内，给所述第一加热装置114输入电信号，所述有机发光层源材料116受热蒸发产生的有机小分子气体进入到所述导管13内，并到达所述喷头122内，该喷头122内的气体沉积到所述第一电极140上，在该第一电极140上形成有机发光层160。具体地，所述有机发光层源材料116蒸发产生的有机小分子气体进入所述导管13，并扩散至喷头122内，沉积在该第一电极140的表面。由于导管13和喷头122把所述有机发光层源材料116产生的有机小分子气体直接引导至被沉积基底120第一电极140的表面，因此，一方面可以使得材料得到充分的利用，另一方面，也可以通过控制在不同区域处气体的流速和停留时间，使得不同区域形成的有机发光层160厚度均匀。参见图5，本发明第一实施例制备的有机发光二极管100。
所述有机发光二极管100的制备方法可进一步包括在该步骤S4之前在该第一电极140表面预先形成空穴注入层和/或空穴传输层的步骤。
所述有机发光二极管100的制备方法在该步骤S4之后及S5之前，可进一步包括在该有机发光层160表面形成电子传输层和/或电子注入层的步骤。
所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层为可选择结构，即所述有机发光二极管100可以包括所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层的一种或几种。
所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层也可以采用所述制备装置10和方法制备。可以理解，通过改变所述蒸发源材料的种类，以及多次重复该步骤S4，可以在该第一电极140上形成其他需要的有机材料层。优选地，所述制备装置10也可以包括多个蒸发装置11和多个喷头122，分别用于形成不同的功能层。
参见图6，本发明第二实施例提供的有机发光二极管100的制备装置20，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13和一真空泵15；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述蒸发室111与所述第一加热装置114接触设置，所述蒸发室111由一内衬112和一外壳113组成，所述第一加热装置114包括至少一电热丝115，该电热丝115缠绕于所述内衬112靠近外壳113的一侧；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置20的真空度。
本发明第二实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置20与本发明第一实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置10基本相同，其不同之处在于本发明第二实施例所述制备装置20中所述第一加热装置114与所述蒸发室111接触设置。具体地，所述蒸发室111由一内衬112和一外壳113组成，所述第一加热装置114包括至少一电热丝115，该电热丝115设置于所述内衬112和外壳113之间并缠绕于所述内衬112的外表面，向所述电热丝115通入电信号，使所述有机发光层源材料116被加热蒸发。所述外壳113可以与内衬112间隔设置，用于对所述内衬112进行保温。这种加热方式可以使有机发光层源材料116受热均匀，而且通过改变输入的电信号可以调节加热温度。此外，这种加热方式可以避免蒸发室111受热不不均匀，导致部分气体凝结到温度较低的所述蒸发室111的内壁上，进而可以节约有机发光层源材料116。所述电热丝115的材料可以为金属丝，如铬镍合金丝、铜丝、钼丝或钨丝等，也可以为碳纳米管结构或石墨烯等。
通过本发明第二实施例提供的制备装置20制备有机发光二极管100的方法与本发明第一实施例所提供的有机发光二极管100的制备方法基本相同，其不同之处在于，加热方式不同。本发明第二实施例提供的有机发光二极管100的制备方法的加热方式可以使有机发光层源材料116受热均匀，而且通过改变输入的电信号可以调节加热温度。
参见图7，本发明第三实施例提供一种有机发光二极管100的制备装置30，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13、一真空泵15和一第二加热装置117；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置30的真空度；所述第二加热装置117用于加热所述导管13。
本发明第三实施例所提供的发光二极管的制备装置30与本发明第一实施所提供的发光二极管的制备装置10基本相同，其区别在于本发明第三实施例所述制备装置30中进一步包括一第二加热装置117，所述第二加热装置117用于对所述导管13内的气体进行加热，防止气体进入所述导管13内部分冷却凝固道导管13内或由于温度降低而压强变小，流速变慢。所述第二加热装置117可以与所述导管13间隔设置，也可以与所述导管13接触设置。本发明第三实施例中所述第二加热装置117包括至少一电热丝115，所述至少一电热丝115缠绕于所述导管13的外表面。
通过本发明第三实施例提供的制备装置30制备有机发光二极管100的方法与本发明第一实施例制备有机发光二极管100的方法基本相同，其区别在于本发明第三实施例的制备方法中在有机发光层源材料116蒸发前，即步骤S4之前，对所述导管13进行加热，防止进入导管13内的气体冷却凝固。
参见图8，本发明第四实施例提供一种有机发光二极管100的制备装置40，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13和一真空泵15；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述导管13的排气端131延伸到喷头122内部；所述排气端131的侧壁132和端面133包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置40的真空度。
本发明第四实施例所提供的发光二极管的制备装置40与本发明第一实施所提供的发光二极管的制备装置10基本相同，其区别在于本发明第四实施例所述制备装置40中，所述导管13的排气端131延伸到喷头122内部。所述排气端131的侧壁132和端面133均包括多个间隔设置的通孔127。
对于排气端131的侧壁132没有通孔127的导管13而言，从导管13的排气端131的端面133排出的气体通过所述喷头122的通孔127沉积到待镀面时，由于气体向四周扩散的速度小于向下的速度，因此导致在喷头122的中间位置处的气体多于周围位置处的气体，进而使从中间位置的通孔127喷出的蒸汽的流速和密度较大，从周围位置的通孔127喷出的蒸汽的流速和密度小。本发明第四实施例中，所述排气端131的侧壁132和端面133均包括多个间隔设置的通孔127，所述侧壁132的通孔127可以使排气端131的气体快速分散到喷头122的两侧，以使喷头122内的气体能够均匀分布在所述喷嘴124，防止排气端131的气体集中到所述端面133的中间部分，从而使得通过所述喷嘴124喷出的气体压力均匀。优选地，侧壁132上通孔127的数量大于等于端面133上通孔127的数量，所述侧壁132通孔127的直径大于等于端面133上通孔127的直径，这样可以使得喷头122内的气体更均匀分布在所述喷嘴124。
参见图9，本发明第五实施例提供一种有机发光二极管100的制备装置50，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13和一真空泵15；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述喷头122内进一步包括多个扩散板128，所述多个扩散板128间隔设置于所述喷头本体123的第一表面1231和第二表面1233之间，并与该第一表面1231和第二表面1233平行，所述扩散板128为多孔网状结构；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置50的真空度。
本发明第五实施例所提供的发光二极管的制备装置50与本发明第一实施所提供的发光二极管的制备装置10基本相同，其区别在于本发明第五实施例所述制备装置50中，所述喷头122进一步包括多个扩散板128，所述多个扩散板128间隔设置于所述喷头本体123内，并与所述喷头本体123的第一表面1231和第二表面1233平行。所述扩散板128为多孔网状结构。所述扩散板128能够使排气端131排除的气体减速，进而使喷头122内有机小分子气体的压力分布均匀，进而使得有机小分子气体能够均匀到达所述第一电极140的表面。
参见图10，本发明第六实施例提供的有机发光二极管100的制备装置60，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13、一真空泵15和一气体供给装置14；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述导管13与所述蒸发室111连接的一端形成一分叉结构134，所述气体供给装置14通过该分叉结构134连接至所述导管13，该气体供给装置14用于向所述导管13通入惰性气体或N2，使得蒸发室111内产生的有机小分子气体通过所述导管13随着所述惰性气体或N2一起进入喷头122内；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置60的真空度。
本发明第六实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置60与本发明第一实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置10基本相同，其不同之处在于本发明第六实施例所述制备装置60进一步包括一气体供给装置14。所述气体供给装置14用于向所述导管13通入惰性气体或N2，一方面可以在通入有机小分子气体前通过惰性气体或N2对导管13内进行“清洗”，避免有机发光层源材料116产生的有机小分子气体被导管13内的空气中的O2氧化；另一方面，由于气体供给装置14提供的惰性气体或N2有一定的气体流速，可以推动有机小分子气体到达蒸镀装置12内，而且可以通过控制惰性气体或N2的流速来控制有机小分子气体的流速。所述气体供给装置14进一步包括一阀门16，用于控制惰性气体或N2的供应。
通过本发明第六实施例提供的制备装置60制备有机发光二极管100的方法与本发明第一实施例制备有机发光二极管100的方法基本相同，其区别在于在步骤S3之后以及在步骤S4之前，打开所述气体供给装置14。所述气体供给装置14开关通过一阀门16控制。此外，也可以在对所述蒸发室111加热之前先关闭所述导气端130的阀门16，给所述导管13通入一段时间之后再打开所述导气端130的阀门16。
参见图11，本发明第七实施例提供的有机发光二极管100的制备装置70，其包括：一蒸发装置11、一蒸镀装置12、一导管13、一真空泵15和一第三加热装置118；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、一喷头122和一载物台129；所述蒸发室111通过所述导管13与所述蒸镀室121导通；所述导管13与所述蒸发室111连接的一端形成一分叉结构134，所述气体供给装置14通过该分叉结构134连接至所述导管13，该气体供给装置14用于向所述导管13通入惰性气体或N2，使得蒸发室111内产生的有机小分子气体，通过所述导管13随着所述惰性气体或N2一起进入喷头122内；所述第三加热装置118用于加热所述导管13的分叉结构134，使分叉结构134内的惰性气体或N2预热后进入导管13；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，所述喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置70的真空度。
本发明第七实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置70与本发明第六实施例提供的有机发光二极管100的制备装置60相同，其不同之处在于本发明第七实施例中，所述制备装置70进一步包括一第三加热装置118，用于加热导管13的分叉结构134。本实施例中所述第三加热装置118为缠绕在所述导管13的分叉结构134的外表面的至少一电热丝115，所述电热丝115可以使分叉结构134内的惰性气体或N2预热后再进入导管13，这样避免导管13内的有机小分子遇到温度低的惰性气体或N2凝固。
通过本发明第七实施例提供的制备装置70制备有机发光二极管100的方法与本发明第六实施例制备有机发光二极管100的方法基本相同，其区别在于本发明第七实施例中，在通入惰性气体或N2之前给所述第三加热装置进行加热。
参见图12，本发明第八实施例提供的有机发光二极管100的制备装置80，包括：多个蒸发装置11、一蒸镀装置12、多个导管13和一真空泵15；所述蒸发装置11包括一蒸发室111和一第一加热装置114；所述第一加热装置114用于加热所述蒸发室111，使设置于该蒸发室111内的有机发光层源材料116蒸发；所述蒸镀装置12包括一蒸镀室121、多个喷头122和一载物台129；每一所述蒸发室111分别通过一所述导管13与所述蒸镀室121导通，每一导管13与一所述蒸发室111连接；所述喷头122设置于所述蒸镀室121内，每一喷头122包括一喷头本体123和一喷嘴124，所述喷头本体123具有相对的第一表面1231和第二表面1233，第一表面1231设置一开口1232，该开口1232与所述导管13的排气端131连接，所述第二表面1233为一开口结构，所述喷嘴124设置于所述开口结构处，所述喷嘴124包括多个间隔设置的通孔127；所述载物台129设置于所述蒸镀室121内，并与所述喷嘴124相对且间隔设置；所述真空泵15与所述蒸镀室121连接，用于维持制备装置10的真空度。
本发明第八实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置80与本发明第一实施例所提供的有机发光二极管100的制备装置10基本相同，其不同之处在于，本发明第八实施例所述制备装置80包括多个蒸发装置11，多个导管13以及多个喷头122。该多个蒸发装置11用于向所述蒸镀装置12内提供不同的有机发光层源材料116，从而可以制备不同颜色(RGB)的有机发光层160。所述蒸发室内也可以设置其他蒸发源材料，如空穴注入层源材料、空穴传输层源材料、电子传输层源材料及电子注入层源材料等，以形成不同的功能层。所述蒸发室111、导管13与喷头122一一对应且多个喷头122间隔设置，避免气体混合产生污染。
通过本发明第八实施例提供的制备装置80制备有机发光二极管100的方法与本发明第一实施例制备有机发光二极管100的方法基本相同，其区别在于本发明第八实施例中，所述步骤S4为多个第一加热装置114加热不同的蒸发室111，使有机发光层源材料116蒸发，每一蒸发的气体被所述导管13和喷头122引导至待镀第一电极140的表面；所述蒸发的气体沉积到所述第一电极140上形成有机发光层160在所述第一电极140上蒸镀形成不同颜色的有机发光层160。
本发明将蒸发装置和蒸镀装置分开并通过导管导通，所述导管先将蒸发室内的气体收集起来，再导入到所述蒸镀室内，在待蒸镀面上形成有机发光层，因此，一方面可以使有机发光层源材料得到有效利用，节约了有机发光层源材料；另一方面，可以使待镀面上各局部位置的形成的有机发光层厚度均匀。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一制备装置，所述制备装置包括一蒸发装置、一蒸镀装置、一导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、一喷头和一载物台；所述蒸发室通过所述导管与设置于所述蒸镀室内的喷头连接；所述喷头包括一喷头本体和一喷嘴，所述喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设置一开口，该开口与所述导管的排气端连接，所述第二表面为一开口结构，所述喷嘴设置于所述开口结构处，所述喷嘴包括多个间隔设置的通孔；所述载物台设置于所述蒸镀室内；所述真空泵与所述蒸镀室连接；
将一基底设置于该蒸镀室内的载物台上，该基底的表面形成有一第一电极，该第一电极远离基底的表面与该喷嘴相对且间隔设置；
通过所述真空泵对所述蒸镀室抽真空；
通过所述第一加热装置加热所述蒸发室，使蒸发室内的有机发光层源材料蒸发；
通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔沉积到所述第一电极上形成有机发光层；以及
在该有机发光层上形成第二电极。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头的步骤进一步包括通过一第二加热装置对该导管内的气体进行加热。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头的步骤进一步包括通过一气体供给装置向所述导管通入惰性气体或N2，使得导管内蒸发的气体随着所述惰性气体或N2一起进入喷头内。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过气体供给装置向所述导管通入惰性气体或N2的步骤之前对该惰性气体或N2进行预热处理。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头并通过所述喷头的通孔沉积到所述第一电极上形成有机发光层的步骤进一步包括通过移动所述载物台移动所述基底。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔沉积到所述第一电极上形成有机发光层步骤进一步包括更换所述喷嘴制备不同图案的有机发光层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，在第一电极上形成有机发光层之前进一步形成空穴注入层或空穴传输层中，在所述形成有机发光层之后进一步形成电子传输层或电子注入层。
8.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一制备装置，所述制备装置包括一蒸发装置、一蒸镀装置、一导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、一喷头和一载物台；所述蒸发室通过所述导管与设置于所述蒸镀室内的喷头连接；所述喷头包括一喷头本体和一喷嘴，所述喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设置一开口，该开口与所述导管的排气端连接，所述第二表面为一开口结构，所述喷嘴设置于所述开口结构处，所述喷嘴包括多个间隔设置的通孔；所述载物台设置于所述蒸镀室内；所述真空泵与所述蒸镀室连接；
将一待镀物设置于该蒸镀室内的载物台上，该待镀物的一表面与该喷嘴相对且间隔设置；
通过所述真空泵对所述蒸镀室抽真空；
通过所述第一加热装置加热所述蒸发室，使蒸发室内的蒸发源材料蒸发；
通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔沉积到所述待镀物上形成功能层；以及
在该有机发光层上形成第二电极。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔沉积到所述待镀物上形成功能层的步骤中所述功能层为第一电极、第二电极、有机发光层、空穴注入层空穴传输层中、电子传输层或电子注入层中的一种。
10.一种有机发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一制备装置，所述制备装置包括多个蒸发装置、一蒸镀装置、多个导管和一真空泵；所述蒸发装置包括一蒸发室和一第一加热装置；所述第一加热装置用于加热所述蒸发室；所述蒸镀装置包括一蒸镀室、多个喷头和一载物台；每个蒸发室通过所述导管与设置于所述蒸镀室内的一个喷头连接；所述喷头包括一喷头本体和一喷嘴，所述喷头本体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面设置一开口，该开口与所述导管的排气端连接，所述第二表面为一开口结构，所述喷嘴设置于所述开口结构处，所述喷嘴包括多个间隔设置的通孔；所述载物台设置于所述蒸镀室内；所述真空泵与所述蒸镀室连接；
将一基底设置于该蒸镀室内的载物台上，该基底的表面形成有一第一电极，该第一电极远离基底的表面与该喷嘴相对且间隔设置；
通过所述真空泵对所述蒸镀室抽真空；
通过所述第一加热装置分别加热所述蒸发室，使所护蒸发室内的蒸发源材料蒸发；
通过所述导管将所述蒸发的气体引导至所述喷头，并通过所述喷头的通孔分别沉积到所述第一电极上，形成不同的功能层；以及
在该有机发光层上形成第二电极。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710865957.6A CN109546008B (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 有机发光二极管的制备方法 |
| TW106137940A TWI664768B (zh) | 2017-09-22 | 2017-11-02 | 有機發光二極體的製備方法 |
| US16/121,792 US10424734B2 (en) | 2017-09-22 | 2018-09-05 | Method for making organic light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710865957.6A CN109546008B (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 有机发光二极管的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109546008A true CN109546008A (zh) | 2019-03-29 |
| CN109546008B CN109546008B (zh) | 2020-11-06 |
Family
ID=65828030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710865957.6A Active CN109546008B (zh) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | 有机发光二极管的制备方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10424734B2 (zh) |
| CN (1) | CN109546008B (zh) |
| TW (1) | TWI664768B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2022021935A1 (zh) * | 2020-07-29 | 2022-02-03 | 苏州迈正科技有限公司 | 一种快速切换镀膜工艺气体的方法及设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW201341555A (zh) | 2012-02-14 | 2013-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 蒸鍍頭及蒸鍍裝置 |
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- 2017-09-22 CN CN201710865957.6A patent/CN109546008B/zh active Active
- 2017-11-02 TW TW106137940A patent/TWI664768B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201917925A (zh) | 2019-05-01 |
| CN109546008B (zh) | 2020-11-06 |
| TWI664768B (zh) | 2019-07-01 |
| US10424734B2 (en) | 2019-09-24 |
| US20190115534A1 (en) | 2019-04-18 |
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| GR01 | Patent grant |