CN105182704A - 电子照相感光体用导电性支承体、电子照相感光体、成像装置及处理盒 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种圆筒度高，且因外部冲击所致的永久变形得到抑制的电子照相感光体用导电性支承体。所述电子照相感光体用导电性支承体(导电性支承体(4))含有铝，且X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为5mm以上30mm以下。本发明还提供一种电子照相感光体、处理盒和成像装置。

Description

电子照相感光体用导电性支承体、电子照相感光体、成像装置及处理盒

技术领域

本发明涉及一种电子照相感光体用导电性支承体、电子照相感光体、成像装置及处理盒。

背景技术

目前，作为电子照相方式的成像装置，广泛已知有使用电子照相感光体(以下，有时称为“感光体”。)依次进行充电、曝光、显影、转印、清洁等工序的装置。

作为电子照相感光体，已知有在铝等具有导电性的支承体上层叠通过曝光而产生电荷的电荷产生层和输送电荷的电荷输送层的功能分离型的感光体或同一层发挥产生电荷的功能和输送电荷的功能的单层型感光体。

例如，在专利文献1中公开有一种感光鼓用铝板材，其特征在于，含有Fe0.3～1.0wt％、Si0.2～0.8wt％，且Fe/Si<3，板面的平均结晶粒径为35μm以下，拉深比(絞り比)(空白径/冲孔径)为2且制耳率在3％以内。

另外，在专利文献2中公开有在感光体的制作中，切掉冲击加工后的薄壁圆筒管的两端部，把持与加工时的配置有钢坯(ビレット)侧的相反侧来实施表面涂料的浸渍涂布。

在专利文献3中公开有在感光体的制作中，把持冲击加工后的薄壁圆筒管的加工时的钢坯残留侧来实施表面涂料的浸渍涂布。

在专利文献4中，作为感光体基材，公开有一种圆筒管，其为将熔渣冲击加工而成的圆筒管，其中处理部件轴线中心相对于基材轴线中心向与配置有熔渣侧的相反侧移动。

在专利文献5中，作为感光体基材，公开有一种壁厚的圆筒管，其为将熔渣冲击加工而成的圆筒管，从一端部侧向另一端部侧呈锥状。

在专利文献6中，作为感光体基材，公开有一种将由添加有锂的铝合金构成的熔渣进行冲击加工而成的圆筒管。

在专利文献7中，作为感光体基材，公开有一种表面为非切削加工(精密抽伸加工(抽伸加工)、减薄加工、冲击加工)的圆筒管。

在专利文献8中，作为感光体基材，公开有一种通过冲击挤出加工、拉深加工而形成的有底圆筒管。

在专利文献9中，作为感光体基材，公开有一种在通过进行冲击挤出加工，接着进行减薄加工后，进行切削而形成的有底圆筒管。

在专利文献10中，作为感光体基材，公开有一种通过冲击挤出加工而形成，且在底部实施了驱动用加工的有底圆筒管。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开昭61-044148号公报

专利文献2日本特开2000-010306号公报

专利文献3日本特开2000-010314号公报

专利文献4日本特开平11-352836号公报

专利文献5日本特开2000-066429号公报

专利文献6日本特开2000-010318号公报

专利文献7日本特开平07-239562号公报

专利文献8日本特开昭61-073961号公报

专利文献9日本特开昭61-169120号公报

专利文献10日本特开昭57-115560号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种圆筒度高、且因外部冲击所致的永久变形得到抑制的电子照相感光体用导电性支承体。

用于解决课题的手段

上述课题通过以下手段解决。

权利要求1所述的发明为一种电子照相感光体用导电性支承体，其含有铝，且X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为5mm以上30mm以下。

权利要求2所述的发明为权利要求1所述的电子照相感光体用导电性支承体，其中，铝含有率为90.0％以上。

权利要求3所述的发明为权利要求1或权利要求2所述的电子照相感光体用导电性支承体，其中，厚度为0.2mm以上0.9mm以下。

权利要求4所述的发明为一种电子照相感光体，其具有权利要求1～权利要求3中任一项所述的电子照相感光体用导电性支承体和配置在所述电子照相感光体用导电性支承体上的感光层。

权利要求5所述的发明为一种处理盒，其具备权利要求4所述的电子照相感光体，并且可从成像装置上拆卸下来。

权利要求6所述的发明为一种成像装置，其具备权利要求4所述的电子照相感光体、对所述电子照相感光体的表面充电的充电装置、在带电的所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像的静电潜像形成装置、利用含有调色剂的显影剂使所述电子照相感光体的表面上所形成的静电潜像显影而形成调色剂图像的显影装置、以及将所述调色剂图像转印于记录介质的表面的转印装置。

发明效果

根据权利要求1或2所述的发明，与结晶吸收的半峰宽低于5mm或超过30mm的情况相比，可提供一种圆筒度高、且因外部冲击所致的永久变形得到抑制的电子照相感光体用导电性支承体。

根据权利要求3所述的发明，与结晶吸收的半峰宽低于5mm或超过30mm的情况相比，即使厚度在上述范围内，也可提供一种圆筒度高、且因外部冲击所致的永久变形得到抑制的电子照相感光体用导电性支承体。

根据权利要求4所述的发明，与导电性支承体中的结晶吸收的半峰宽低于5mm或超过30mm的情况相比，可提供一种圆筒度高、且导电体支承体的因外部冲击所致的永久变形得到抑制的电子照相感光体。

根据权利要求5或6所述的发明，与具备导电性支承体中的结晶吸收的半峰宽低于5mm或超过30mm的电子照相感光体的情况相比，可提供一种图像缺陷的发生得到抑制的处理盒或成像装置，其中图像缺陷是因导电性支承体的圆筒度恶化以及外部冲击所致的永久变形而导致的。

附图简要说明

图1为表示本实施方式的电子照相感光体的构成的一个例子的概略局部剖面图。

图2为表示本实施方式的电子照相感光体的其它构成例的概略局部剖面图。

图3为表示本实施方式的电子照相感光体的其它构成例的概略局部剖面图。

图4为表示制造本实施方式的导电性支承体的工序的一部分(冲击压制加工)的概略图。

图5为表示制造本实施方式的导电性支承体的工序的一部分(拉深加工及减薄加工)的概略图。

图6为表示通过拉拔加工(引き抜き)成形导电性支承体的工序的一个例子的概略图。

图7为表示本实施方式的成像装置的一个例子的概略构成图。

图8为表示本实施方式的成像装置的其它例子的概略构成图。

符号说明

1底涂层、2电荷产生层、3电荷输送层、4导电性支承体、5保护层、7电子照相感光体、8充电装置、9曝光装置、11显影装置、13清洁装置、14润滑剂、40转印装置、50中间转印体、100成像装置、120成像装置、131清洁刮板、132纤维状部件(辊状)、133纤维状部件(平整刷状)、300处理盒

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，附图中，对具有同样功能的要素附加相同的符号，省略重复的说明。

[电子照相感光体用导电性支承体]

本实施方式的电子照相感光体用导电性支承体(有时简称为“导电性支承体”。)含有铝，含有铝，且X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为5mm以上30mm以下。

本实施方式的导电性支承体通过上述构成，圆筒度高，且可抑制因外部冲击所致的永久变形。其原因如下进行推测。

一般而言，电子照相感光体中所使用的导电性支承体为了提高圆筒度，选择高硬度且加工性优异的材料。具体而言，导电性支承体通过杨氏模量等各物性值来谋求圆筒度提高。例如，关于导电性支承体的X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽，通常设定为35mm至70mm的范围。然而，若为了薄壁且高强度而使用加工固化后的高硬度的铝合金制作导电性支承体，则有时导电性支承体自身因加工时的残留应变而发生变形，圆筒度降低。

进而，若为了高精度而使用高硬度的铝合金制作导电性支承体，则由于具有高硬度，因此，在输送中的落下等时，导电性支承体自身有时因与导电性支承体相接的其它部件的冲击而发生变形。

另外，从保持强度的方面考虑，也无法减薄导电性支承体的厚度，难以谋求铝的使用量的减少。

另一方面，本实施方式的导电性支承体通过含有铝或铝合金，从而硬度较高。此外，将X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽设在上述范围内，使作为圆筒度降低的原因的加工时的残留应变减少到强度不会过度降低的状态。即，在本实施方式的导电性支承体中，使残留应变适度地残留以确保强度，同时减少过量的应变以提高圆筒度。

因此，认为本实施方式的导电性支承体可提高圆筒度，同时在因落下等而受到与导电性支承体相接的部件冲击时容易弹性形变，可抑制永久变形(塑性变形)。

[电子照相感光体]

本实施方式的电子照相感光体具有本实施方式的上述导电性支承体和配置在上述导电性支承体上的感光层而构成。

图1为表示本实施方式的电子照相感光体7A的层构成的一个例子的示意剖面图。图1所示的电子照相感光体7A具有在导电性支承体4上依次层叠有底涂层1、电荷产生层2及电荷输送层3的结构，电荷产生层2及电荷输送层3构成感光层5。

图2及图3分别为表示本实施方式的电子照相感光体的层构成的其它例子的示意剖面图。

图2及图3所示的电子照相感光体7B、7C与图1所示的电子照相感光体7A同样地具备功能分离为电荷产生层2和电荷输送层3的感光层5，作为最外层，形成有保护层6。图2所示的电子照相感光体7B具有在导电性支承体4上依次层叠有底涂层1、电荷产生层2、电荷输送层3及保护层6的结构。图3所示的电子照相感光体7C具有在导电性支承体4上依次层叠有底涂层1、电荷输送层3、电荷产生层2、保护层6的结构。

需要说明的是，各电子照相感光体7A至7C可以不一定设置底涂层1。另外，各电子照相感光体7A至7C也可以为电荷产生层2和电荷输送层3的功能一体化的单层型感光层。

以下，对电子照相感光体的各要素进行说明。另外，对各要素的符号而言，省略符号进行说明。

<导电性支承体>

导电性支承体4为含有铝的支承体。导电性支承体可以由铝单质构成，也可以由铝合金构成。

在此，所谓“导电性”是指体积电阻率低于10¹³Ωcm。

作为构成导电性支承体的铝合金，可以举出：除铝以外，含有(例如)Si、Fe、Cu、Mn、Mg、Cr、Zn、Ti的铝合金。

构成导电性支承体的铝合金优选所谓的1000系合金。

另外，导电性支承体的铝含有率(铝纯度：质量比)从加工性的观点考虑，优选为90.0％以上，更优选为93.0％以上，进一步优选为95.0％以上。

在导电性支承体中，X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为5mm以上30mm以下，从圆筒度的提高及永久变形的抑制方面考虑，优选7mm以上25mm以下，更优选10mm以上20mm以下。

在此，X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为以数字表示材料中存在何种程度残留应力的指标。

而且，关于结晶吸收的半峰宽，利用理学电机公司制造的X射线衍射装置(RD)得到衍射峰图，由该衍射峰图中出现的结晶吸收的峰求出。需要说明的是，半峰宽为峰高度的1/2的高度下的扩展宽度。

具体而言，结晶吸收的半峰宽使用(株)リガク制X射线残留应力测定装置AutoMATEII在X射线源：CuKα、测角仪半径：R＝300mm、检测器：闪烁计数器SC-70、管电压/管电流：40kV/30mA、扫描轴：θ/2θ反射法、扫描速度：10deg/min的条件下实施测定。

导电性支承体的结晶吸收的半峰宽可通过加工方法、加工后的处理等来控制。特别是结晶吸收的半峰宽可通过减少加工后的残留应变的加热处理(退火处理)的温度及时间来控制。

制造导电性支承体的方法没有特别限定，冲击压制加工、拉深加工、减薄加工等形状整形的工序与现有的拉拔加工相比，使结晶吸收的半峰宽减小。例如，若组合冲击压制加工和减薄加工，则结晶吸收的半峰宽通常被调整为35mm以上且70mm以下。

图4示出将铝或铝合金的被加工材料(以下有时称为“熔渣”)利用冲击压制加工成形为圆筒形状的工序的一个例子，图5示出对通过冲击压制加工而成形的圆筒状的成形体的外周面实施减薄加工而制造本实施方式的导电性支承体的工序的一个例子。

-冲击压制加工-

首先，准备涂布了润滑材料的铝或铝合金的熔渣30，如图4(A)所示那样固定在模具(阴型)20上所设置的圆形孔24中。接着，如图4(B)所示将固定于模具20的熔渣30利用圆柱状的冲头(阳型)21进行压制。由此，将熔渣30从模具20的圆形孔以覆盖冲头21的周围的方式拉伸而成形为圆筒状。成形后，如图4(C)所示，提起冲头21并通过脱模器(ストリッパー)22的中央孔23，由此拔出冲头21而得到圆筒状的成形体4A。

根据这样的冲击压制加工，硬度通过加工硬化而上升，可制造厚度薄、且硬度高的铝或铝合金制的圆筒状的成形体4A。

成形体4A的厚度没有特别限定，从保持作为电子照相感光体用导电性支承体的硬度的同时通过后面的减薄加工加工成例如0.3mm以上且0.9mm以下的厚度的观点考虑，通过冲击压制加工成形的成形体4A的厚度优选为0.4mm以上且0.8mm以下，更优选为0.4mm以上且0.6mm以下。

-减薄加工-

接着，如图5(A)所示，根据需要将通过冲击压制加工而成形的圆筒状的成形体4A从内部利用圆柱状的冲头31压入模具32以实施拉深加工而减少直径，之后，如图5(B)所示，压入进一步减小了直径的模具33间以实施减薄加工。

需要说明的是，可以不经由拉深加工而实施减薄加工，也可以分多阶段进行减薄加工。通过减薄加工的次数来调整成形体4B的厚度及结晶吸收的半峰宽。

另外，可以在实施减薄加工之前实施退火而释放应力。

关于减薄加工后的成形体4B的厚度，从保持作为电子照相感光体用导电性支承体的硬度的观点考虑，优选为0.2mm以上且0.9mm以下，更优选为0.4mm以上且0.6mm以下。

如上所述，通过冲击压制加工将成形体4A成形后，实施减薄加工，由此可得到厚度薄、轻量并且硬度高的导电性支承体4。

作为加工后的热处理，可以举出：退火等。例如如图6所示，使用铝合金的锭块41，通过模具42进行拉伸而成形圆筒形的拉拔管43，然后，例如在超过150℃的温度下进行长时间退火，由此，适度地除去加工时的残留应变，抑制导电性支承体自身的变形，容易实现圆筒度的提高。

另外，通过对加工前的熔渣或锭块实施进行利用退火的均质化等的处理作为前处理，也可谋求结晶吸收的半峰宽的调整。

在此，结晶吸收的半峰宽的调整如上所述可通过例如加热处理的温度及时间来实现。从该方面考虑，在制作导电性支承体时，无需形成目标结晶吸收的半峰宽，而是在制作感光体后，以成为目标结晶吸收的半峰宽的方式在感光体的制作工程中调整加热处理的温度及时间。具体而言，可以在感光体的制作过程中调整在导电性支承体上形成各层时的加热处理的温度及时间，成为目标结晶吸收的半峰宽。

经过以上工序得到的导电性支承体的厚度(壁厚)优选0.2mm以上且0.9mm以下，优选0.2mm以上且0.9mm以下，更优选为0.4mm以上且0.6mm以下。

特别是上述范围的薄壁导电性支承体容易产生圆筒度的降低及永久变形，但通过将结晶吸收的半峰宽调整为上述范围，可谋求圆筒度的提高及永久变形的抑制。

需要说明的是，在将感光体用于激光打印机的情况下，作为激光的振荡波长，优选350nm以上且850nm以下，波长越短，分辨率越优异，故优选。为了防止在照射激光时产生的干涉条纹，导电性支承体4的表面优选以中心线平均粗糙度Ra粗糙化为0.04μm以上且0.5μm以下。若Ra为0.04μm以上，则可得到干涉防止效果，另一方面，若Ra为0.5μm以下，则可有效地抑制画质变粗糙的倾向。

需要说明的是，在将非干涉光用于光源的情况下，不特别需要防止干涉条纹的粗糙化，因而防止了因导电性支承体4的表面的凹凸引起的缺陷的产生，因此，更适于长寿命化。

作为粗糙化的方法，可以举出：通过使研磨剂悬浮于水并喷涂于支承体而进行的湿式珩磨处理、将支承体压接于旋转的磨石从而连续地进行磨削加工的无心磨削处理、阳极氧化处理、或形成含有有机或者无机的半导电性微粒的层的方法等。

阳极氧化处理通过将铝设为阳极并在电解质溶液中进行阳极氧化来在铝表面形成氧化膜。作为电解质溶液，可以举出：硫酸溶液、草酸溶液等。但是，处理后的多孔质阳极氧化膜为化学活性，容易被污染，因环境引起的电阻变动也较大。因此，阳极氧化膜优选进行封孔处理，其中利用加压水蒸气或沸腾水(也可以加入镍等的金属盐)进行处理，由微细孔水合反应引起的体积膨胀封闭，变为更稳定的水合氧化物。

阳极氧化膜的膜厚优选0.3μm以上且15μm以下。若膜厚低于0.3μm，则存在相对于注入的阻隔性不足且效果不充分的倾向。另外，若超过15μm，则存在因反复使用导致残留电位上升的倾向。

也可以对导电性支承体的表面实施利用酸性处理液的处理、或勃姆石处理。

利用酸性处理液的处理使用由磷酸、铬酸及氟酸构成的酸性处理液如下实施。酸性处理液中的磷酸、铬酸及氟酸的配合比例优选磷酸为10质量％以上且11质量％以下的范围、铬酸为3质量％以上且5质量％以下的范围、氟酸为0.5质量％以上且2质量％以下的范围，且这些酸整体的浓度为13.5质量％以上且18质量％以下的范围。处理温度为42℃以上且48℃以下，通过保持处理温度较高，可进一步迅速地形成较厚的被膜。被膜的膜厚优选0.3μm以上且15μm以下。

勃姆石处理可通过将导电性支承体在90℃以上100℃以下的纯水中浸渍5分钟以上60分钟以下，或与90℃以上120℃以下的加热水蒸汽接触5分钟以上60分钟以下来进行。被膜的厚度优选为0.1μm以上且5μm以下。还可以进一步使用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐等被膜溶解性低的电解质溶液对其进行阳极氧化处理。

<底涂层>

底涂层为含有(例如)无机颗粒和粘结剂树脂的层。

作为无机颗粒，可以举出(例如)：粉体电阻(体积电阻率)为10²Ωcm以上且10¹¹Ωcm以下的无机颗粒。

其中，作为具有上述电阻值的无机颗粒，例如可以为氧化锡颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒、氧化锆颗粒等金属氧化物颗粒，特别优选氧化锌颗粒。

无机颗粒的利用BET法得到的比表面积例如可以为10m²/g以上。

无机颗粒的体积平均粒径例如可以为50nm以上且2000nm以下(优选为60nm以上且1000nm以下)。

无机颗粒的含量例如相对于粘结剂树脂优选为10质量％以上且80质量％以下，更优选为40质量％以上且80质量％以下。

无机颗粒也可以实施表面处理。无机颗粒也可以混合2种以上表面处理不同的颗粒或粒径不同的颗粒来使用。

作为表面处理剂，例如可以举出：硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝系偶联剂、表面活性剂等。特别优选硅烷偶联剂，优选具有氨基的硅烷偶联剂。

利用表面处理剂的表面处理方法只要为公知的方法则可以为任何方法，可以为干式法或湿式法中的任一者。

表面处理剂的处理量例如相对于无机颗粒优选为0.5质量％以上且10质量％以下。

在此，从电特性的长期稳定性、载流子阻隔性提高的观点考虑，底涂层可以与无机颗粒一起含有电子受体型化合物(受体化合物)。

作为电子受体型化合物，例如可以举出：四氯苯醌和四溴苯醌等醌系化合物；四氰基苯醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮、2,4,5,7-四硝基-9-芴酮等芴酮系化合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑、2,5-双(4-萘基)-1,3,4-噁二唑、2,5-双(4-二乙基氨基苯基)-1,3,4-噁二唑等噁二唑系化合物；呫吨酮系化合物；噻吩化合物；3,3',5,5'-四叔丁基联苯醌等联苯醌化合物；等电子输送性物质。

作为电子受体型化合物，特别优选具有蒽醌结构的化合物。作为具有蒽醌结构的化合物，例如优选羟基蒽醌化合物、氨基蒽醌化合物、氨基羟基蒽醌化合物，具体而言，例如优选蒽醌、茜素、醌茜、蒽绛酚、红紫素。

电子受体型化合物可以与无机颗粒一起分散含有于底涂层中，也可以以附着于无机颗粒的表面的状态含有。

干式法例如为以剪切力较大的混合机等搅拌无机颗粒的同时，将电子受体型化合物直接或溶解于有机溶剂中的电子受体型化合物滴加到无机颗粒中，或与干燥空气或氮气一起喷雾而将电子受体型化合物附着于无机颗粒的表面的方法。滴加或喷雾电子受体型化合物时，可以在溶剂的沸点以下的温度下进行。可以在滴加或喷雾电子受体型化合物后，进一步在100℃以上进行烧结。烧结只要为可得到电子照相特性的温度、时间就没有特别限制。

湿式法为例如通过搅拌、超声波、砂磨机、磨碎机或球磨机等将无机颗粒分散在溶剂中，同时添加电子受体型化合物并搅拌分散后，除去溶剂，将电子受体型化合物附着于无机颗粒的表面的方法。溶剂除去方法例如可通过过滤或蒸馏来蒸馏除去。在溶剂除去后，可进一步在100℃以上进行烧结。烧结只要为可得到电子照相特性的温度、时间就没有特别限定。在湿式法中，可以在添加电子受体型化合物之前除去无机颗粒的含有水分，作为其例子，可以举出：一边在溶剂中搅拌加热一边除去的方法、与溶剂共沸而除去的方法。

需要说明的是，电子受体型化合物的附着可在对无机颗粒实施利用表面处理剂的表面处理之前或之后进行，电子受体型化合物的附着与利用表面处理剂的表面处理也可以同时进行。

电子受体型化合物的含量例如相对于无机颗粒可以为0.01质量％以上且20质量％以下，优选为0.01质量％以上且10质量％以下。

作为底涂层中使用的粘结树脂，例如可以举出：缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅树脂、硅酮-醇酸树脂、尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等公知的高分子化合物；锆螯合物化合物；钛螯合物化合物；铝螯合物化合物；钛醇盐化合物；有机钛花湖而无；硅烷偶联剂等公知的材料。

作为底涂层中使用的粘结剂树脂，例如也可以举出：具有电荷输送性基团的电荷输送性树脂、导电性树脂(例如聚苯胺等)等。

其中，作为底涂层中使用的粘结剂树脂，优选不溶于上层的涂布溶剂的树脂，特别优选通过选自由下述树脂构成的组中的至少1种树脂和固化剂的反应得到的树脂，所述树脂为：尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等热固性树脂；聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇树脂及聚乙烯醇缩醛树脂。

在组合使用2种以上这些粘结剂树脂的情况下，其混合比例可根据需要设定。

为了提高电特定、环境稳定性、画质，也可以在底涂层中含有各种添加剂。

底涂层的维氏硬度可以为35以上。

底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)可从所使用的曝光用激光波长λ的1/4n(n为上层的折射率)调节至1/2λ以防止形成波纹图像。

为了调节表面粗糙度，可以在底涂层中添加树脂颗粒。作为树脂颗粒，可以举出：硅树脂颗粒、交联型聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒等。另外，为了调整表面粗糙度，也可以对底涂层的表面进行研磨。作为研磨方法，可以举出：擦光研磨、喷砂处理、湿式珩磨、磨削处理等。

底涂层的形成没有特别限定，可利用众所周知的方法，例如通过形成在溶剂中加入了上述成分的底涂层形成用涂布液的涂膜，干燥该涂膜，并根据需要进行加热来进行。

作为用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂，可以举出公知的有机溶剂，例如醇系溶剂、芳香族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮系溶剂、酮醇系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂等。

作为这些溶剂，具体而言，例如可以举出：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等通常的有机溶剂。

作为制备底涂层形成用涂布液时的无机颗粒的分散方法，例如可以举出：辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨或油漆搅拌器等公知方法。

作为在导电性基体上涂布底涂层形成用涂布液的方法，例如可以举出：刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、微珠涂布法、气刀涂布法或幕涂法等通常的方法。

底涂层的膜厚例如优选设定为15μm以上，更优选设定为20μm以上且50μm以下的范围内。

(中间层)

省略图示，也可以在底涂层和感光层之间进一步设置中间层。

中间层例如为含有树脂的层。作为中间层中使用的树脂，例如可以举出：缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅树脂、硅酮-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂等高分子化合物。

中间层也可以为含有有机金属化合物的层。作为中间层中使用的有机金属化合物，可以举出：含有锆、钛、铝、锰、硅等金属原子的有机金属化合物等。

这些中间层中使用的化合物可单独使用或以多个化合物的混合物或者缩聚物的形式使用。

其中，中间层优选为包含含有锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。

中间层的形成没有特别限定，可利用众所周知的方法，例如通过形成在溶剂中加入了上述成分的中间层形成用涂布液的涂膜，干燥该涂膜，并根据需要进行加热来进行。

作为形成中间层的涂布方法，可使用浸渍涂布法、上推涂布法(突き上げ塗布法)、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刀涂法、幕涂法等通常的方法。

中间层的膜厚例如优选设定为0.1μm以上且3μm以下的范围。另外，也可以使用中间层作为底涂层。

(电荷产生层)

电荷产生层例如为含有电荷产生材料和粘结剂树脂的层。另外，电荷产生层例如可以为电荷产生材料的沉积层。电荷产生材料的沉积层在使用LED(LightEmittingDiode)、有机EL(Electro-Luminescence)图像阵列等非干涉性光源时较为合适。

作为电荷产生材料，可以举出：双偶氮或三偶氮等偶氮颜料；二溴蒽嵌蒽醌(dibromoanthanthrone)等稠环芳香族颜料；苝颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；或三方硒等。

作为电荷产生层中使用的粘结剂树脂，选自广泛的绝缘性树脂，另外，作为粘结剂树脂，可以从聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘、聚硅烷等有机光导电性聚合物中选择。

作为粘结剂树脂，例如可以举出：聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚类和芳香族二元羧酸的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂、聚乙烯基吡咯烷酮树脂等。在此，所谓“绝缘性”是指体积电阻率为10¹³Ωcm以上。

这些粘结剂树脂可单独使用1种或混合2种以上使用。

需要说明的是，电荷产生材料和粘结剂树脂的配合比优选以质量比计在10:1至1:10的范围内。

此外，电荷产生层中也可以含有众所周知的添加剂。

电荷产生层的形成没有特别限定，可利用众所周知的形成方法，例如通过形成在溶剂中加入了上述成分的电荷发生形成用涂布液的涂膜，干燥该涂膜，并根据需要进行加热来进行。需要说明的是，电荷产生层的形成可通过电荷产生材料的沉积来进行。关于电荷产生层的利用沉积的形成，在利用稠环芳香族颜料、苝颜料作为电荷产生材料时特别合适。

作为用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂，可以举出：甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等。这些溶剂可单独使用1种或混合使用2种以上。

作为在电荷产生层形成用涂布液中分散颗粒(例如电荷产生材料)的方法，例如可利用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、卧式砂磨机等介质分散机或搅拌、超声波分散机、辊磨机、高压均质器等非介质分散机。作为高压均质器，例如可以举出：在高压状态下使分散液进行液-液碰撞或液-壁碰撞而分散的碰撞方式或在高压状态下使微细的流路贯通而分散的贯通方式。

需要说明的是，该分散时，有效的是使电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平均粒径为0.5μm以下，优选为0.3μm以下，进一步优选为0.15μm以下。

作为将电荷产生层形成用涂布液涂布于底涂层上(或中间层)上的方法，例如可以举出：刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、微珠涂布法、气刀涂布法、幕涂法等通常的方法。

电荷产生层的膜厚例如优选设定为0.1μm以上且5.0μm以下，更优选设定为0.2μm以上且2.0μm以下的范围内。

(电荷输送层)

电荷输送层例如为含有电荷输送材料和粘结剂树脂的层。电荷输送层也可以为含有高分子输送材料的层。

作为电荷输送材料，可以举出：对苯醌、氯醌、溴醌、蒽醌等醌系化合物；四氰基苯醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮等芴酮化合物；呫吨酮系化合物；二苯甲酮系化合物；氰基乙烯基系化合物；乙烯系化合物等电子输送性化合物。作为电荷输送材料，还可以举出：三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、芳基烷烃系化合物、芳基取代乙烯系化合物、茋系化合物、蒽系化合物、腙类化合物等空穴输送性化合物。这些电荷输送材料可以单独使用1种，或者使用2种以上，但并不限于此。

作为高分子电荷输送材料，可使用聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等具有电荷输送性的公知的材料。特别是，特别优选在日本特开平8-176293号公报、日本特开平8-208820号公报中所公开的聚酯系的高分子电荷输送材料。另外，高分子电荷输送材料可单独使用，也可以与粘结剂树脂并用。

作为电荷输送层中使用的粘结剂树脂，可以举出：聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、硅树脂、硅酮醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等。其中，作为粘结剂树脂，优选聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂。这些粘结剂树脂可单独使用1种或使用2种以上。

另外，电荷输送材料和粘结剂树脂的配合比优选以质量比计为10:1至1:5。

此外，电荷输送层中也可以含有众所周知的添加剂。

电荷输送层的形成没有特别限定，可利用众所周知的形成方法，例如通过形成在溶剂中加入了上述成分的电荷输送层形成用涂布液的涂膜，干燥该涂膜，并根据需要进行加热来进行。

作为用于制备电荷输送层形成用涂布液的溶剂，可以举出：苯、甲苯、二甲苯、氯苯等芳香族烃类；丙酮、2-丁酮等酮类；二氯甲烷、氯仿、氯乙烯等卤代脂肪族烃类；四氢呋喃、乙基醚等环状或直链状的醚类等通常的有机溶剂。这些溶剂可单独使用或混合使用2种以上。

作为将电荷输送层形成用涂布液涂布在电荷产生层上时的涂布方法，可以举出：刮板涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸渍涂布法、微珠涂布法、气刀涂布法或幕涂法等通常的方法。

电荷输送层的膜厚例如优选设定为5μm以上且50μm以下，更优选设定为10μm以上且30μm以下的范围内。

<保护层>

保护层根据需要设置在感光层上。保护层例如出于防止带电时的感光层的化学变化或进一步改善感光层的机械强度的目的而设置。

因此，保护层可以应用由固化膜(交联膜)构成的层。作为这些层，例如可以举出：下述1)或2)所示的层。

1)由含有在同一分子内具有反应性基团及电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料的组合物的固化膜构成的层(简言之，含有该含反应性基团的电荷输送材料的聚合物或交联物的层)

2)由含有非反应性的电荷输送材料和不具有电荷输送性骨架而具有反应性基团的含反应性基团的非电荷输送材料的组合物的固化膜构成的层(简言之，含有非反应性的电荷输送材料和该含反应性基团的非电荷输送材料的聚合物或交联物的层)

作为含反应性基团的电荷输送材料的反应性基团，可以举出：链聚合性基团、环氧基、-OH、-OR[其中，R表示烷基]、-NH₂、-SH、-COOH、-SiR^Q1 _3-Qn(OR^Q2)_Qn[其中，R^Q1表示氢原子、烷基、或取代或者非取代的芳基，R^Q2表示氢原子、烷基、三烷基甲硅烷基，Qn表示1～3的整数]等众所周知的反应性基团。

作为链聚合性基团，只要为可自由基聚合的官能团就没有特别限定，例如为至少具有含有碳双键的基团的官能团。具体而言，可以举出：含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及它们的衍生物中的至少一个的基团。其中，从其反应性优异的方面考虑，作为链聚合性基团，优选为含有选自乙烯基、苯乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、及它们的衍生物中的至少一个的基团。

作为含反应性基团的电荷输送材料的电荷输送性骨架，只要为电子照相感光体中的公知的结构就没有特别限定，例如可以举出：为源自三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、腙系化合物等含氮的空穴输送性化合物的骨架的与氮原子共轭的结构。其中，优选三芳基胺骨架。

这些具有反应性基团及电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料、非反应性的电荷输送材料、含反应性基团的非电荷输送材料只要从众所周知的材料中选择即可。

此外，保护层中也可以含有众所周知的添加剂。

保护层的形成没有特别限定，可利用众所周知的方法，例如通过以下方式进行：形成在溶剂中加入了上述成分的保护层形成用涂布液的涂膜，干燥该涂膜，并根据需要进行加热等固化处理。

作为用于制备保护层形成用涂布液的溶剂，可以举出：甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂；甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；乙二醇单甲基醚系溶纤剂溶剂；异丙醇、丁醇等醇系溶剂。这些溶剂可单独使用或混合使用2种以上。

另外，保护层形成用涂布液可以为无溶剂的涂布液。

作为将保护层形成用涂布液涂布在感光层(例如电荷输送层)上的方法，可以举出：浸渍涂布法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮板涂布法、刀涂法、幕涂法等通常的方法。

保护层的膜厚例如优选设定为1μm以上且20μm以下，更优选设定为2μm以上且10μm以下的范围内。

(单层型感光层)

单层型感光层(电荷产生/电荷输送层)例如为含有电荷产生材料、电荷输送材料和根据需要的粘结剂树脂及其它众所周知的添加剂的层。需要说明的是，这些材料与电荷产生层及电荷输送层中说明的材料相同。

而且，相对于全部固体成分，单层型感光层中的电荷产生材料的含量可以为10重量％以上且85重量％以下，优选为20重量％以上且50重量％以下。另外，单层型感光层中的电荷产生材料的含量相对于全部固体成分可以为5重量％以上且50重量％以下。

单层型感光层的形成方法与电荷产生层或电荷输送层的形成方法相同。

单层型感光层的膜厚例如可以为5μm以上且50μmm，优选为10μm以上且40μm以下。

[成像装置(及处理盒)]

本实施方式的成像装置具备电子照相感光体、对电子照相感光体的表面充电的充电装置、在带电的电子照相感光体的表面形成静电潜像的静电潜像形成装置、利用含有调色剂的显影剂使所述电子照相感光体的表面上所形成的静电潜像显影而形成调色剂图像的显影装置和将调色剂图像转印于记录介质的表面的转印装置。而且，作为电子照相感光体，可应用上述本实施方式的电子照相感光体。

本实施方式的成像装置可应用具备将转印于记录介质的调色剂图像定影的定影装置的装置；将电子照相感光体的表面上所形成的调色剂图像直接转印于记录介质的直接转印方式的装置；将电子照相感光体的表面上所形成的调色剂图像一次转印于中间转印体的表面，将中间转印体的表面所转印的调色剂图像二次转印于记录介质的表面的中间转印方式的装置；具备在调色剂图像转印之后清洁充电前的电子照相感光体的表面的清洁装置的装置；具备在调色剂图像转印之后且充电前对图像保持体的表面照射除电光而除电的除电装置的装置；具备用于使电子照相感光体的温度上升、使温度相对下降的电子照相感光体加热部件的装置等众所周知的成像装置。

在中间转印方式的装置的情况下，转印装置例如可应用以下构成：其具有在表面转印有调色剂图像的中间转印体、将图像保持体的表面上所形成的调色剂图像一次转印于中间转印体的表面的一次转印装置和将中间转印体的表面上所转印的调色剂图像二次转印于记录介质的表面的二次转印装置。

本实施方式的成像装置可以为干式显影方式的成像装置、湿式显影方式(利用液体显影剂的显影方式)的成像装置中的任一者。

另外，在本实施方式的成像装置中，例如，具备电子照相感光体的部分也可以为相对于成像装置可装卸的盒结构(处理盒)。作为处理盒，例如可使用具备本实施方式的电子照相感光体的处理盒。另外，处理盒除电子照相感光体以外，也可以具备例如选自由充电装置、静电潜像形成装置、显影装置、转印装置构成的组中的至少一个。

以下，示出本实施方式的成像装置的一个例子，但并不限定于此。另外，对图中所示的主要部分进行说明，其它省略其说明。

图7为表示本实施方式的成像装置的一个例子的概略构成图。

本实施方式的成像装置100如图7所示具备具有电子照相感光体7的处理盒300、曝光装置9(静电潜像形成装置的一个例子)、转印装置40(一次转印装置)和中间转印体50。另外，在成像装置100中，曝光装置9配置于可从处理盒300的开口部对电子照相感光体7曝光的位置，转印装置40隔着中间转印体50配置于与电子照相感光体7相对的位置，中间转印体50被配置为其一部分与电子照相感光体7接触。虽然未图示，但也可以举出将中间转印体50上所转印的调色剂图像转印于记录介质(例如用纸)的二次转印装置。另外，中间转印体50、转印装置40(一次转印装置)、及二次转印装置(未图示)相当于转印装置的一个例子。

图7中的处理盒300在壳体内一体支承电子照相感光体7、充电装置8(充电装置的一个例子)、显影装置11(显影装置的一个例子)、及清洁装置13(清洁装置的一个例子)。清洁装置13具有清洁刮板(清洁部件的一个例子)131，清洁刮板131以与电子照相感光体7的表面接触的方式配置。另外，清洁部件可以不是清洁刮板131的样态，可以为导电性或绝缘性的纤维状部件，可以将其单独或与清洁刮板131并用。

另外，在图7中，作为成像装置，示出具有将润滑材料14供给于电子照相感光体7的表面的纤维状部件132(辊状)及辅助清洁的纤维状部件133(平整刷状)的例子。这些可根据需要配置。

以下，对本实施方式的成像装置的各构成进行说明。

-充电装置-

作为充电装置8，例如，使用采用导电性或半导电性的充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刮片、充电管等的接触型充电器。此外，还使用了自身已知的充电器，如非接触型辊充电器，和各自利用电晕放电的栅格充电器和电晕管充电器。

-曝光装置-

作为曝光装置9，例如可举出用于使半导体激光束、LED光或液晶快门光等的光在电子照相感光体7的表面上以所希望的成像方式曝光的光学装置。光源的波长设在电子照相感光体的分光灵敏度区域内。作为半导体激光的波长，主要是在780nm附近具有振荡波长的近红外波长。但是，并不限于该波长，也可以利用具有600nm左右的振荡波长的激光，或者作为蓝色激光的在400nm以上且450nm以下具有振荡波长的激光。另外，为了形成彩色图像，可输出多光束类型的表面发光型的激光光源也有效。

-显影装置-

作为显影装置11，例如可以举出：使显影剂以接触或不接触的方式进行显影的一般的显影装置。作为显影装置11，只要具有上述功能就没有特别限定，可根据目的选择。例如可以举出具有使用刷、辊使单组分显影剂或双组分显影剂附着于电子照相感光体7的功能的公知的显影器等。其中，优选使用在表面保持有显影剂的显影辊。

显影装置11中所使用的显影剂可以为只有调色剂的单组分显影剂，也可以为含有调色剂和载体的双组分显影剂。另外，显影剂可以是磁性的，也可以是非磁性的。这些显影剂可使用众所周知的显影剂。

-清洁装置-

清洁装置13可使用具备清洁刮板131的清洁刮板方式的装置。

另外，除清洁刮板方式以外，也可以采用毛刷清洁方式、显影同時清洁方式。

-转印装置-

作为转印装置40，例如可以举出：使用带、辊、膜或橡胶刮板的接触式转印充电器；或利用了电晕放电的栅格转印充电器或电晕管转印充电器等其自身公知的充电器等。

-中间转印体-

作为中间转印体50，可使用含有赋予了半导电性的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡胶等的带状的转印体(中间转印带)。另外，作为中间转印体的形式，除带状之外还可以使用鼓状的转印体。

图8为表示本实施方式的成像装置的另一个例子的概略构成图。

图8所示的成像装置120为搭载了四个处理盒300的串联方式的全色成像装置。成像装置120在中间转印体50上分别并排设置有四个处理盒300，成为每种颜色使用1个电子照相感光体的构成。另外，成像装置120除串联方式以外，还具有与成像装置100相同的构成。

实施例

以下，基于本发明的实施例进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。

<实施例1>

准备涂布了润滑剂的JISA1050铝合金(铝纯度(Al纯度)：99.5％)制的熔渣，使用该熔渣，利用模具(阴型)和冲头(阳型)通过冲击压制加工制作具有底面的直径34mm的圆筒管，然后，通过1次减薄加工制作直径30mm、长度251mm、壁厚0.8mm的圆筒状的铝制的导电性支承体。然后，对于导电性支承体，在280℃下进行1小时热处理(退火处理)，得到导电性支承体(1)。

<实施例2～12>

依据表1变更使用的铝合金制的熔渣的Al纯度、减薄加工的次数、热处理(退火处理)的条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(1)同样地制作各导电性支承体(2)～(12)。

<比较例1～6>

依据表2变更使用的铝合金制的熔渣的Al纯度、减薄加工的次数、热处理(退火处理)的条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(1)同样地得到各导电性支承体(13)～(18)。

<比较例7～8>

通过抽伸加工，以JISA1050铝合金制制作直径28mm的圆筒管，对该圆筒管的表面实施切削加工，得到表1所示壁厚的导电性支承体(19)～(20)。

另外，导电性支承体(20)在切削加工后，在400℃下进行2小时热处理(退火处理)。

<比较例9～16>

准备JISA1070铝合金(Al纯度＝99.7％)制的熔渣，以220℃下对其进行均质化处理10小时，进行均质化。接着，通过冲击压制加工将均质化的熔渣成型成圆筒管，得到外径42mm、厚度0.7mm的圆筒管。接着，对圆筒管实施4次减薄加工，得到外径40mm、厚度0.55mm的导电性支承体(21)。但是，未进行减薄加工后的热处理(退火处理)。

另外，依据表3变更加工条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(21)同样地制作导电性支承体(22)～(28)。

<比较例17～25>

准备涂布了润滑剂的JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的熔渣，在450℃下进行40分钟的均质化处理。使用进行了均质化处理的熔渣，利用模具(阴型)和冲头(阳型)通过冲击压制加工制作具有底面的圆筒管，然后，通过减薄加工制作直径24mm、长度251mm、厚度0.5mm的导电性支承体(29)。但是，未对导电性支承体(29)实施热处理(退火处理)。

然后，依据表4变更加工条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(29)同样地制作导电性支承体(30)～(37)。

<比较例26～32>

准备涂布了润滑材料的JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的熔渣，利用模具(阴型)和冲头(阳型)通过冲击压制加工制作具有底面的圆筒管，然后，通过减薄加工制作直径24mm、长度251mrn、厚度0.5mm的导电性支承体(38)。但是，未对导电性支承体(38)实施热处理(退火处理)。

然后，依据表5变更加工条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(29)同样地制作导电性支承体(39)～(44)。

<比较例33>

准备涂布了润滑材料的JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的熔渣，利用模具(阴型)和冲头(阳型)通过冲击压制加工制作具有底面的圆筒管，然后，进行拉深加工，在150℃下实施1小时热处理，制作直径24mm、长度251mm、厚度0.5mm的导电性支承体(45)。

<比较例34～36>

在制作JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的拉拔管后实施表面切削，在200℃下实施1小时热处理，制作直径24mm、长度251mm、厚度0.5mm的导电性支承体(46)。

然后，依据表5变更加工条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(46)同样地制作导电性支承体(47)～(48)。

<比较例37>

准备涂布了润滑材料的JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的熔渣，利用模具(阴型)和冲头(阳型)通过冲击压制加工制作具有底面的圆筒管，然后，通过减薄加工进行尺寸精度提高，制作直径24mm、长度251mm、厚度0.9mm的导电性支承体(49)。

<比较38>

在制作JISA1050铝合金(Al纯度：95.5％)制的拉拔管后实施开口前端部的加工、拉深加工及表面切削，在200℃下进行1小时热处理，制作直径24mm、长度251mm、厚度0.9mm的导电性支承体(50)。

<比较例39～50>

使用JISA1050铝合金(Al纯度：99.5％)制的熔渣，通过冲击压制+减薄加工(减薄次数＝3次)制作导电性支承体(51)。

然后，依据表6变更加工条件、支承体的壁厚，除此以外，与导电性支承体(51)同样地制作导电性支承体(52)～(62)。

其中，导电性支承体(54)使用JISA3003铝合金作为熔渣制作。另外，导电性支承体(60)将现有的抽伸管制作的铝制圆筒管进行表面切削而制作。

<评价>

(结晶吸收的半峰宽的测定)

由各例中得到的导电性支承体得到样品，依据上述的方法实施结晶吸收的半峰宽的测定。将其结果示于表1～表6。

(圆筒度的测定)

各例中得到的导电性支承体的圆筒度使用东京精密公司制ロンコム60A，在倍率：×200、测定速度：(旋转)6°/min、(上下移动)3mm/sec、滤波器：数字滤波器2RC的条件下进行测定。

(电子照相感光体的制作)

使用各例中得到的导电性支承体，通过以下所示的方法制作电子照相感光体。

-底涂层-

将100重量份氧化锌(平均粒径70nm；テイカ公司制：比表面积15m²/g)与500重量份甲苯搅拌混合，添加1.3重量份硅烷偶联剂(KBM503：信越化学工业(株)制)，搅拌2小时。然后，通过减压蒸馏蒸馏除去甲苯，在120℃下烧结3小时，得到表面由硅烷偶联剂处理的氧化锌。

将110重量份所述实施了表面处理的氧化锌与500重量份四氢呋喃搅拌混合，添加在50重量份四氢呋喃中溶解有0.6重量份茜素的溶液，在50℃下搅拌5小时。然后，通过减压过滤收集添加有茜素的氧化锌，进而在60℃下进行减压干燥，得到添加有茜素的氧化锌。

将60重量份该添加有茜素的氧化锌、13.5重量份固化剂(封闭型异氰酸酯スミジュール3175、住友バイエルンウレタン制)和15重量份丁缩醛树脂(エスレックBM-1、积水化学工业株式会社制)溶解于85重量份甲基乙基酮中而形成溶液，使38重量份得到的溶液与25重量份甲基乙基酮混合，使用直径为1mmφ的玻璃珠利用砂磨机进行2小时的分散，得到分散液。

在得到的分散液中添加作为催化剂的0.005重量份二月桂酸二辛基锡和45重量份有机硅树脂颗粒(トスパール145、GE东芝シリコーン制)，得到底涂层用涂布液。通过浸渍涂布法将该涂布液涂布在导电性支承体上，进行180℃、30分钟的干燥固化，得到厚度23μm的底涂层。

-电荷产生层-

接着，将1质量份在X射线衍射图谱中的布拉格角(2θ±0.2°)为7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°、28.3°处具有强衍射峰的羟基镓酞菁与1质量份聚乙烯醇缩丁醛(エスレックBM-S、积水化学工业株式会社制)及80质量份乙酸正丁酯混合，将其与玻璃珠一起利用油漆搅拌器进行1小时分散处理，由此制备电荷产生层形成用涂布液。将得到的涂布液浸渍涂布于形成有底涂层的导电性支承体上，在100℃下加热干燥10分钟，形成膜厚0.15μm的电荷产生层。

-电荷输送层-

接着，使2.6质量份下述式(CT-1)所示的联苯胺化合物、及3质量份具有下述式(B-1)所示的重复单元的高分子化合物(粘均分子量：79,000)溶解于25质量份氯苯中，制备电荷输送层形成用涂布液。通过浸渍涂布法将得到的涂布液涂布在上述电荷产生层上，进行130℃、45分钟的加热，形成膜厚20μm的电荷输送层。

[化学式1]

[化学式2]

(落下试验)

将制作的各感光体搭载于彩色成像装置(富士施乐公司制、DocuPrintC1100)的处理盒，使其从距地面2.0m的高度自由落下而与地面碰撞。

落下后，利用东京精密公司制ロンコム60A测定导电性支承体的变形量，确认有无变形，通过以下的基准进行评价。

-变形量-

A：没有问题

B：实际使用上没有问题(真圆度有变化)

C：确认真圆度的劣化(对画质有影响的水平)

D：目视可见存在涂膜浮起。

将各例的详细情况与评价结果示于下述表1～表6。需要说明的是，表1～表6中，“-”标记表示未实施测定或评价。

由上述结构可知，本实施例与比较例相比，圆筒度及落下试验均可得到良好的结果。

由此，可知本实施例的导电性支承体的圆筒度高，且可抑制因外部冲击引起的永久变形。

Claims (6)

1.一种电子照相感光体用导电性支承体，其含有铝，并且X射线衍射中的结晶吸收的半峰宽为5mm以上30mm以下。

2.根据权利要求1所述的电子照相感光体用导电性支承体，其中，铝含有率为90.0％以上。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光体用导电性支承体，其中，厚度为0.2mm以上0.9mm以下。

4.一种电子照相感光体，其具有

权利要求1～3中任一项所述的电子照相感光体用导电性支承体，和

配置在所述电子照相感光体用导电性支承体上的感光层。

5.一种处理盒，其具有权利要求4所述的电子照相感光体，并且可从成像装置上拆卸下来。

6.一种成像装置，其具有

权利要求4所述的电子照相感光体、

对所述电子照相感光体的表面充电的充电装置、

在带电的所述电子照相感光体的表面上形成静电潜像的静电潜像形成装置、

利用含有调色剂的显影剂使所述电子照相感光体的表面上所形成的静电潜像显影而形成调色剂图像的显影装置、以及

将所述调色剂图像转印于记录介质的表面的转印装置。