JP6711072B2 - 導電性支持体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、導電性支持体の製造方法に関する。

従来、電子写真方式の画像形成装置には、トナー像が形成される像保持体として、電子写真感光体が用いられており、この電子写真感光体としては、アルミニウム等の導電性基体上に感光層を形成した感光体が知られている。
なお、こうした電子写真感光体等に用いられる導電性基体を製造するにあたり、形状精度の観点で、絞り加工が施されることがある。この絞り加工の方法として、様々な技術が開示されている。

例えば、特許文献１には、缶素材に絞り・しごき加工が行われポンチに冠着された缶胴体がストリッパ本体に形成されている経路孔を通過するとき、カムリングが揺動してカムフォロワ部がカムリングのカム部と協働することで、フィンガは回転軸の回りに個別に回転し、各フィンガの爪部が経路孔の外側に後退して、缶胴体と干渉せず、ポンチが戻り工程にあるときには、各フィンガは、弾性部材で個別に付勢されて回転軸回りに回転し、爪部が缶胴体に係合して、缶胴体をポンチから抜き取る絞り・しごき加工される缶胴体用ストリッパ装置が開示されている。

また、特許文献２には、パンチに張り付いた缶材の開口端部に接触して該缶材を該パンチから脱着する複数のフィンガー部と、該各フィンガー部を開動作または閉動作する駆動部とを備えて成る絞り・しごき缶成形装置用のストリッパー装置であって、前記フィンガー部は複数の小フィンガーから成り、且つ該各小フィンガーは前記パンチの軸方向に対し弾性的に移動可能に構成され、前記駆動部は前記各フィンガー部に対応した揺動支点を有する複数の揺動アームと、該各揺動アームに係合するカム部を有する回転可能なカムリングとから成る絞り・しごき缶成形装置用のストリッパー装置が開示されている。

また、特許文献３には、センターパンチが成形孔に向かって前進する途中で、アウターパンチの上端部がパンチホルダに押されて、アウターパンチの下端部の成形部がストリッパの下端面よりダイ側に突出した状態になり、センターパンチが成形孔に突入して成形された一端有底筒形のワークにおける開口端に、成形部によって拡開部が成形され、センターパンチが成形孔から後退するときには、パンチホルダがストリッパの上端面から離間するように移動して、拡開部の先端をストリッパの下端面に接触させた状態でワークからセンターパンチが抜かれると共に、コイルスプリングの弾発力によって拡開部からアウターパンチの成形部が抜かれる成形装置が開示されている。

特開２００３−１０３３１２号公報 特許第５２８６５１０号公報 特許第５４４８１０３号公報

本発明は、円柱雄型を内部に配置した状態で円筒管材に絞り加工を施した後、円筒管材の内周面全面と接触する円柱雄型を円筒管材から引き抜く際、円筒管材に対して円柱雄型を引き抜く方向とは逆側の方向に負荷を掛ける方法として、円筒管材の開口部側の端部に押し当て部材を押し当てる方法のみを採用する場合に比べ、変形の発生が抑制された導電性支持体が得られる導電性支持体の製造方法が提供される。

上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
＜１＞
導電性を有し、軸方向の一方の端面は開口した開口部であり、他方の端面は閉口した閉口部である円筒管材を準備する円筒管材準備工程と、
円柱状でありかつ前記円筒管材の内径よりも外径が小さい円柱雄型を、前記円筒管材の前記開口部側から挿入して前記閉口部の内面に接触させ、前記円筒管材及び前記円柱雄型を同軸状に配置する雄型配置工程と、
径が前記円筒管材の外径よりも小さくかつ前記円柱雄型の外径よりも大きい円形孔を有する有孔雌型の前記円形孔に、前記円柱雄型が配置された前記円筒管材を前記閉口部側から挿入し貫通させて絞り加工を施し、前記円筒管材の内周面全面が前記円柱雄型の外周面に接触するよう前記円筒管材の径を縮小する絞り工程と、
引っ掛り部を引っ掛けて一方向に負荷を付与し得る引っ掛け部材を、前記絞り工程後の前記円筒管材の前記閉口部側の端部に引っ掛け、前記円筒管材に対し軸方向の閉口部側方向に負荷を付与した状態で、前記円柱雄型を前記開口部側から引き抜く引き抜き工程と、
を経て導電性かつ円筒状の支持体を製造する導電性支持体の製造方法。

＜２＞
前記絞り工程は、前記絞り加工前に前記円筒管材の外周面と前記閉口部との境界であった角部を、前記絞り加工によって前記外周面側に絞り込むことで、前記絞り加工後の前記円筒管材の外周面に溝を形成する工程であり、
前記引き抜き工程における前記円筒管材に対する前記軸方向の閉口部側方向への負荷の付与は、前記溝に前記引っ掛け部材を引っ掛けて前記軸方向の閉口部側方向に負荷を掛けることで行われる、＜１＞に記載の導電性支持体の製造方法。

＜３＞
前記溝の平均深さが０．１ｍｍ以上である＜２＞に記載の導電性支持体の製造方法。

＜４＞
前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記外周面の平均厚みが０．２ｍｍ以上０．９ｍｍ以下である＜２＞又は＜３＞に記載の導電性支持体の製造方法。

＜５＞
前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記閉口部の平均厚みが０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である＜２＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。

＜６＞
前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記閉口部の平均厚みが前記外周面の平均厚み以上である＜２＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。

＜７＞
前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材の外径をＤ１とし、前記絞り加工後の前記円筒管材の外径をＤ２としたとき、前記絞り加工による縮径率（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以上０．９以下である＜２＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。

＜８＞
前記雄型配置工程に供される前記円柱雄型は、前記円筒管材の前記閉口部の内面に接触する側の端面に空洞を有し、
前記引き抜き工程に供される前記円筒管材は、前記円柱雄型が前記端面に有する前記空洞に対応する位置に前記空洞よりも開口面積の小さい貫通穴を有し、
かつ前記引き抜き工程における前記円筒管材に対する前記軸方向の閉口部側方向への負荷の付与は、前記貫通穴から前記空洞内の空間に挿入した前記引っ掛け部材を前記円筒管材の前記閉口部の内面に引っ掛けて、前記軸方向の閉口部側方向に引っ張ることで行われる、＜１＞に記載の導電性支持体の製造方法。

＜１＞、又は＜８＞に係る発明によれば、円柱雄型を内部に配置した状態で円筒管材に絞り加工を施した後、円筒管材の内周面全面と接触する円柱雄型を円筒管材から引き抜く際、円筒管材に対して円柱雄型を引き抜く方向とは逆側の方向に負荷を掛ける方法として、円筒管材の開口部側の端部に押し当て部材を押し当てる方法のみを採用する場合に比べ、変形の発生が抑制された導電性支持体が得られる導電性支持体の製造方法が提供される。

＜２＞に係る発明によれば、円柱雄型を内部に配置した状態で円筒管材に絞り加工を施した後、円筒管材の内周面全面と接触する円柱雄型を円筒管材から引き抜く際、円筒管材に対して円柱雄型を引き抜く方向とは逆側の方向に負荷を掛ける方法として、円筒管材が閉口部側に貫通穴を有しかつ円柱雄型が円筒管材の閉口部の内面に接触する側の端面に空洞を有し、この貫通穴から前記空洞内の空間に引っ掛け部材を挿入し円筒管材の閉口部の内面に引っ掛けて、軸方向の閉口部側方向に引っ張ることで負荷を掛ける方法のみを採用する場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

＜３＞に係る発明によれば、前記溝の平均深さが０．１ｍｍ未満である場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

＜４＞に係る発明によれば、絞り加工前の前記円筒管材における外周面の平均厚みが０．９ｍｍ超えである場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

＜５＞に係る発明によれば、絞り加工前の前記円筒管材における閉口部の平均厚みが０．５ｍｍ未満である場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

＜６＞に係る発明によれば、絞り加工前の前記円筒管材における閉口部の平均厚みが外周面の平均厚み未満である場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

＜７＞に係る発明によれば、前記縮径率（Ｄ２／Ｄ１）が０．９超えである場合に比べ、導電性支持体における変形の発生を容易に抑制した導電性支持体の製造方法が提供される。

第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略斜視図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の変形例の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の変形例の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の変形例の一部を示す概略断面図である。 第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の変形例の一部を示す概略断面図である。 （Ａ）は第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法において絞り工程に用いられる円筒管材を示し、（Ｂ）は第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法において絞り工程に用いられる円柱雄型を示す概略斜視図である。 第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略断面図である。 第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態に係る導電性支持体を製造する工程の一部（インパクトプレス加工）を示す概略図である。 本実施形態により製造される導電性支持体を有する電子写真感光体を備えた画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態により製造される導電性支持体を有する電子写真感光体を備えた画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。 従来の導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 従来の導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 従来の導電性支持体の製造方法における絞り工程の一部を示す概略断面図である。 従来の導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略斜視図である。 従来の導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略断面図である。 従来の導電性支持体の製造方法における引き抜き工程の一部を示す概略断面図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。なお、図面中、同様の機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

［導電性支持体の製造方法］
本実施形態に係る導電性支持体の製造方法では、少なくとも円筒管材準備工程、雄型配置工程、絞り工程、及び引き抜き工程を経て円筒状の導電性支持体を製造する。

なお、本明細書において、「円筒」及び「円筒状」とは中空であり端面が円形の筒型形状を指し、「円柱」及び「円柱状」とは中空でも中実でもよい端面が円形の柱型形状を指す。

以下、上記の各工程について説明する。

まず円筒管材準備工程では、絞り加工に供するための円筒管材を準備する。
図１Ａに示すように、軸方向の一方の端面が開口した開口部４Ｂｃであり、他方の端面が閉口した閉口部４Ｂｂである円筒管材４Ｂを準備する。なお、円筒管材４Ｂは導電性の材料で構成されている。この円筒管材４Ｂの製造方法については、後に詳述する。

次いで雄型配置工程では、円筒管材４Ｂの内部、つまり中空の空間内に円柱雄型３１Ａ（以下単に「パンチ」とも称す）を配置する。
図１Ａに示すように、円柱状でありかつ円筒管材４Ｂの内径ｌよりも小さい外径ｋを有する円柱雄型（パンチ）３１Ａを準備する。このパンチ３１Ａを、円筒管材４Ｂに対して開口部４Ｂｃ側から閉口部４Ｂｂの内面に接触するよう挿入し、さらに円筒管材４Ｂとパンチ３１Ａとが同軸状になるよう（両者の円筒形状における軸が重なるよう）配置する。

次いで絞り工程では、有孔雌型３３（以下単に「ダイス」とも称す）を用いて円筒管材４Ｂに対し絞り加工を施す。
まず円形孔を有する有孔雌型（ダイス）３３を準備する。なお、このダイス３３における円形孔は、図１Ａに示すように、円筒管材４Ｂの外径ｍよりも小さくかつパンチ３１Ａの外径ｋよりも大きい径ｎを有する。このダイス３３を用い、図１Ａ乃至図１Ｃに示すように、雄型配置工程でパンチ３１Ａが配置された円筒管材４Ｂを円形孔に対して閉口部４Ｂｂ側から挿入して貫通させ、絞り加工を施す。
こうして絞り加工を施すことで、図１Ｃに示すように、円筒管材４Ｂの外径をダイス３３の円形孔の径ｎの大きさにまで縮小させ、かつ円筒管材４Ｂの内周面全面をパンチ３１Ａの外周面に接触させる。

次いで引き抜き工程では、パンチ３１Ａを円筒管材４Ｂから引き抜き、つまり脱型を行う。
なお、円筒管材４Ｂの内周面がパンチ３１Ａの外周面に接触して密着している。そのため、パンチ３１Ａを引き抜くには、円筒管材４Ｂをパンチ３１Ａとは独立して固定し、円筒管材４Ｂに対してパンチ３１Ａを引き抜く方向（つまり円筒管材４Ｂの軸方向の開口部側方向）とは逆側の方向（つまり円筒管材４Ｂの軸方向の閉口部側方向）に負荷を与えることが求められる。

本実施形態ではこの負荷の付与を、図２及び図３に示すように、引っ掛け部材３５を、絞り工程後の円筒管材４Ｂの閉口部側における引っ掛けが可能な箇所に引っ掛けて、円筒管材４Ｂに対し軸方向の閉口部側方向に負荷を掛けることで行う。そして、円筒管材４Ｂに対して軸方向の閉口部側方向に負荷を付与した状態で、パンチ３１Ａを逆方向、つまり円筒管材４Ｂの軸方向の開口部側方向に引っ張ることで、パンチ３１Ａを引き抜いて脱型する。

なお、本実施形態では、円筒管材４Ｂに対する引っ掛け部材の引っ掛けは、閉口部側の端部に存在する引っ掛け可能な箇所にて行う。
具体的には、前記引っ掛け部材を引っ掛ける箇所の位置は、円筒管材４Ｂの軸方向において閉口部側から１０％以内の端部領域であることが好ましい。
また、通常は、引き抜き工程によってパンチ３１Ａを脱型した後に、円筒管材４Ｂの閉口部側の端部を切断し除去することで導電性支持体が製造される。そのため、引っ掛け部材を引っ掛ける箇所の位置は、引き抜き工程後に切断し除去される領域であることが好ましい。

本実施形態では、引っ掛け部材３５を円筒管材４Ｂの閉口部側の端部に引っ掛けて、円筒管材４Ｂに対し軸方向の閉口部側方向に負荷を付与した状態でパンチ３１Ａを引き抜く引き抜き工程を備えることで、変形の発生が抑制された導電性支持体が得られる。

この効果が奏される作用について説明する。

従来、円筒管材に対して絞り加工を施す場合、例えば下記能様で行われていた。
具体的には、図１２Ａに示すように、まず円筒管材１０４Ｂに対し、円柱状でありかつ円筒管材１０４Ｂの内径よりも小さい外径を有する円柱雄型（パンチ）１３１を準備し、このパンチ１３１を、円筒管材１０４Ｂの内部に挿入し、同軸状になるよう配置する（雄型配置工程）。
次いで、円筒管材１０４Ｂの外径よりも小さくかつパンチ１３１の外径よりも大きい径を有する円形孔を備えた有孔雌型（ダイス）１３３の該円形孔に、図１２Ａ乃至図１２Ｃに示すように、パンチ１３１が配置された円筒管材１０４Ｂを閉口部側から挿入して貫通させ、絞り加工を施す（絞り工程）。こうして、図１２Ｃに示すように、円筒管材１０４Ｂの外径をダイス１３３の円形孔の径の大きさにまで縮小させる。なお、円筒管材１０４Ｂの内周面はその全面がパンチ１３１の外周面に接触し、密着した状態となる。

その後、円筒管材１０４Ｂからパンチ１３１を引き抜く引き抜き工程（脱型工程）が行われる。ただし、円筒管材１０４Ｂの外周面の中央部を固定すると、外周面にキズや変形が発生するため、通常固定する領域は円筒管材１０４Ｂの軸方向端部が選択される。

ここで、従来においては、円筒管材１０４Ｂとパンチ１３１との密着力に対抗し得る負荷を与える観点で、図１３及び図１４Ａに示すように、円筒管材１０４Ｂの開口部側の端部に押し当て部材（ストリッパー）１３４を押し当てる方法が取られていた。
具体的には、パンチ１３１が通過し得る穴を有しかつ円筒管材１０４Ｂの開口部側の端部に対して押当てが可能な環状の押し当て部材（ストリッパー）１３４を準備する。このストリッパー１３４を、図１３に示すように、円筒管材１０４Ｂの開口部側から近付け、図１４Ａに示すように、ストリッパー１３４の穴にパンチ１３１の端部が挿入されるよう配置し、かつ円筒管材１０４Ｂの開口部側端部にストリッパー１３４を押し当てる。その後、ストリッパー１３４から円筒管材１０４Ｂの開口部側端部に対し、円筒管材１０４Ｂの軸方向の閉口部側方向への負荷を掛けつつ、パンチ１３１を前記負荷とは逆側の方向（つまり円筒管材１０４Ｂの軸方向の開口部側方向）に引っ張ることで、パンチ３１Ａを引き抜いて脱型する。

しかし、円筒管材１０４Ｂの開口部側端部には、ストリッパー１３４からの負荷によって、図１４Ｂに示すように応力Ｘが集中し、開口部側端部に変形が生じることがあった。
また、絞り加工は円筒管材１０４Ｂを塑性変形させる加工方法であるため絞り工程後の開口部側端部は、通常は平滑な面でないことが多い。その場合、引き抜き工程においてストリッパー１３４が押し当てられる円筒管材１０４Ｂの開口部側端部は、ストリッパー１３４と部分的にしか接触しておらず、ストリッパー１３４からの負荷による応力Ｘが、さらに部分的に集中し、開口部側端部における変形がより大きくなることがあった。

これに対し、本実施形態では、引き抜き工程において円筒管材４Ｂに付与する軸方向の閉口部側方向への負荷を、円筒管材４Ｂの閉口部側の端部に引っ掛け部材３５を引っ掛け、この引っ掛け部材３５から円筒管材４Ｂに負荷を掛けることで行う。つまり、引き抜き工程において円筒管材４Ｂに付与する負荷を、変形の生じ易い開口部側端部への負荷に代えて、又は開口部側端部への負荷に加えて、閉口部側端部に付与する。これにより、円筒管材４Ｂの開口部側端部への負荷が除去又は低減され、開口部側端部での応力集中による変形が抑制される。

次いで、本実施形態に係る導電性支持体の製造方法の具体的な態様について、より詳細に説明する。

−第１の実施形態−
第１の実施形態に係る導電性支持体の製造方法は、少なくとも円筒管材準備工程、雄型配置工程、絞り工程、及び引き抜き工程を経て円筒状の導電性支持体を製造する。
そして、前記絞り工程は、絞り加工前に円筒管材の外周面と閉口部との境界であった角部を、絞り加工によって外周面側に絞り込むことで、絞り加工後の円筒管材の外周面に溝を形成する工程である。また、引き抜き工程における円筒管材に対する軸方向の閉口部側方向への負荷の付与は、溝に引っ掛け部材を引っ掛けて軸方向の閉口部側方向に負荷を掛けることで行われる。
以下、上記の各工程について説明する。

・円筒管材準備工程
まず円筒管材準備工程では、絞り加工に供するための円筒管材を準備する。
図１Ａに示すように、軸方向の一方の端面が開口した開口部４Ｂｃであり、他方の端面が閉口した閉口部４Ｂｂである円筒管材４Ｂを準備する。

ここで、円筒管材準備工程における円筒管材の製造方法について詳述する。
円筒管材には、導電性を有する材料が用いられ、例えばアルミニウムを含む金属材料が挙げられる。円筒管材は、アルミニウム単体で構成されていてもよいし、アルミニウム合金で構成されていてもよい。
ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることを意味する。

円筒管材を構成するアルミニウム合金としては、アルミニウムのほかに、例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｔｉを含むアルミニウム合金が挙げられる。
円筒管材を構成するアルミニウム合金は、いわゆる１０００系合金が好ましい。

なお、円筒管材のアルミニウム含有率（アルミニウム純度：質量比）は、加工性の観点から、９０．０％以上であることが好ましく、９３．０％以上であることがより好まく、９５．０％以上がより更に好ましい。

円筒管材準備工程において、円筒管材を製造する方法は、特に限定されるものではなく公知の方法が用いられる。例えば、インパクトプレス加工などの形状整形による方法が挙げられる。

図９（Ａ）乃至（Ｃ）は、導電性を有する材料で構成される被加工材料（以下「スラグ」という場合がある）をインパクトプレス加工によって円筒形状に成形する工程の一例を示す。

−インパクトプレス加工−
まず、潤滑材を塗布した導電性を有する材料（例えばアルミニウム又はアルミニウム合金）のスラグ３０を用意し、図９（Ａ）に示すようにダイ（雌型）２０に設けられている円形孔２４にセットする。次いで、図９（Ｂ）に示すように、ダイ２０にセットしたスラグ３０を円柱状のパンチ（雄型）２１によりプレスする。これによりスラグ３０がダイ２０の円形孔からパンチ２１の周囲を覆うように円筒状に伸びて成形される。成形後、図９（Ｃ）に示すように、パンチ２１を引き上げてストリッパー２２の中央孔２３を通すことによりパンチ２１が引き抜かれて円筒管材４Ａが得られる。

このようなインパクトプレス加工によれば、加工硬化によって硬度が上がり、厚みが薄く、かつ、硬度が高い導電性材料（例えばアルミニウム又はアルミニウム合金）の円筒管材４Ａが製造される。
円筒管材４Ａの厚みは特に限定されないが、例えば電子写真感光体における導電性基体として用いる場合であれば、硬度を保ちつつ後の絞り加工によって例えば０．２ｍｍ以上０．９ｍｍ以下の厚みに加工する観点から、インパクトプレス加工により成形する円筒管材４Ａの厚みは、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることがより好ましい。

・雄型配置工程
次いで雄型配置工程では、円筒管材準備工程で準備した円筒管材４Ｂの内部、つまり中空の空間内に円柱雄型（パンチ）３１Ａを配置する。
図１Ａに示すように、円柱状でありかつ円筒管材４Ｂの内径ｌよりも小さい外径ｋを有するパンチ３１Ａを準備し、円筒管材４Ｂに対して開口部４Ｂｃ側から閉口部４Ｂｂの内面に接触するよう挿入する。そして、円筒管材４Ｂとパンチ３１Ａとが同軸状になるよう（両者の円筒形状における軸が重なるよう）配置する。

なお、パンチ３１Ａの円筒管材４Ｂへの挿入は、円筒管材４Ｂとパンチ３１Ａとが相対的に移動すればよく、つまり固定された円筒管材４Ｂに対しパンチ３１Ａを開口部４Ｂｃ側から近付けて挿入させてもよいし、固定されたパンチ３１Ａに対し円筒管材４Ｂを開口部４Ｂｃ側から近付けて挿入させてもよい。また、両者をそれぞれ同時に反対の方向に移動させながら挿入を行ってもよい。

・絞り工程
次いで絞り工程では、有孔雌型（ダイス）３３を用いて円筒管材４Ｂに対し絞り加工を施す。
なお、第１の実施形態では、この絞り工程において絞り加工前に円筒管材の外周面と閉口部との境界であった角部を、絞り加工によって外周面側に絞り込むことで、絞り加工後の円筒管材の外周面における閉口部側の端部に、溝を形成する。

まず円形孔を有するダイス３３を準備する。なお、このダイス３３における円形孔は、図１Ａに示すように、円筒管材４Ｂの外径ｍよりも小さくかつパンチ３１Ａの外径ｋよりも大きい径ｎを有する。このダイス３３を用い、図１Ａ乃至図１Ｃに示すように、雄型配置工程でパンチ３１Ａが配置された円筒管材４Ｂを円形孔に対して閉口部４Ｂｂ側から挿入して貫通させることで、絞り加工を施す。
そして、この絞り加工によって、図１Ｃに示すように、円筒管材４Ｂの外径をダイス３３の円形孔の径ｎの大きさにまで縮小させ、かつ円筒管材４Ｂの内周面全面をパンチ３１Ａの外周面に接触させる。

なお、円筒管材４Ｂのダイス３３に対する挿入及び貫通は、円筒管材４Ｂとダイス３３とが相対的に移動すればよく、つまり固定された円筒管材４Ｂに対しダイス３３を閉口部４Ｂｂ側から近付けて円形孔に円筒管材４Ｂを挿入させダイス３３を移動させて貫通させてもよいし、固定されたダイス３３に対し円筒管材４Ｂの閉口部４Ｂｂ側を円形孔に向けながら近付けて円形孔に円筒管材４Ｂを挿入させ円筒管材４Ｂを移動させて貫通させてもよい。また、両者をそれぞれ同時に反対の方向に移動させながら挿入及び貫通を行ってもよい。

ここで、上記絞り工程において、絞り加工前において円筒管材４Ｂにおける閉口部４Ｂｂであった領域（図１Ａにおいてドットで示される領域）の端部は、絞り加工が施されることで、図１Ｂに示されるように外周面側に絞り込まれる。この際、閉口部４Ｂｂであった領域（ドットで示される領域）と外周面４Ｂａであった領域との境界部分（つまり角部）に相当する箇所を、外周面４Ｂａよりも径の内側に凹んだ形状となるよう制御することで、図１Ｂ及び図１Ｃに示すように、絞り加工後の円筒管材４Ｂの外周面における閉口部側の端部に溝４２を形成することができる。

−溝−
(1)深さ
ここで、円筒管材４Ｂの外周面に形成される溝４２について説明する。
引き抜き工程において引っ掛け部材３５の引っ掛かり性を向上させパンチ３１Ａの引抜き（脱型）を容易に行う観点から、溝４２の平均深さは０．１ｍｍ以上であることが好ましく、０．２ｍｍ以上がより好ましく、０．３ｍｍ以上がさらに好ましい。
一方、溝４２の深さの上限値は、絞り加工後における円筒管材４Ｂの外周面の厚み未満である。ただし、溝４２を有する箇所における強度の確保の観点から、溝４２の底（最深部）における円筒管材４Ｂの厚み（溝部壁面厚み）が０．３ｍｍ以上であることが好ましく、さらに０．５ｍｍ以上であることがより好ましい。

ここで、溝４２の深さとは、溝４２の縁（つまり溝４２と円筒管材４Ｂの外周面との境界）と溝４２の底（最深部）との、円筒管材４Ｂにおける径方向長さを指す。平均深さの測定は、ノギスを用いて、溝４２の縁における外径及び溝４２の底における外径を測定し、その差分から算出する。この測定を、溝４２の周方向において等間隔に４点実施し、その平均値を平均深さとする。

絞り加工による溝４２の形成の制御や、形成される溝４２の深さの制御は、例えば絞り加工後の円筒管材４Ｂにおける、外周面４Ｂａの厚み、閉口部４Ｂｂの厚み、外周面４Ｂａと閉口部４Ｂｂとの厚みの比率、絞り加工による縮径率（Ｄ２／Ｄ１）（Ｄ１は絞り加工前の円筒管材４Ｂの外径、Ｄ２は絞り加工後の円筒管材４Ｂの外径をさす）等により調整される。

(2)外周面の厚み
深さが前記範囲である溝４２を形成する観点で、絞り加工後の円筒管材４Ｂにおける外周面４Ｂａの平均厚みは０．２ｍｍ以上０．９ｍｍ以下であることが好ましく、０．４ｍｍ以上０．７ｍｍ以下がより好ましく、０．５ｍｍ以上０．６ｍｍ以下がさらに好ましい。
絞り加工後の外周面４Ｂａの平均厚みが０．９ｍｍ以下であることで深さが前記範囲の溝４２を良好に形成し得る。また、外周面４Ｂａの平均厚みが０．２ｍｍ以上であることで円筒管材４Ｂ及び得られる導電性支持体の強度が向上する。

(3)閉口部の厚み
深さが前記範囲である溝４２を形成する観点で、絞り加工後の円筒管材４Ｂにおける閉口部４Ｂｂの平均厚みは０．５ｍｍ以上３．０以下であることが好ましく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下がより好ましく、２ｍｍ以上３ｍｍ以下がさらに好ましい。
絞り加工後の閉口部４Ｂｂの平均厚みが０．５ｍｍ以上であることで深さが前記範囲の溝４２を良好に形成し得る。また、閉口部４Ｂｂの平均厚みが３．０ｍｍ以下であることで絞り加工における加工容易性が向上する。

(4)外周面と閉口部との厚みの比率
深さが前記範囲である溝４２を形成する観点で、絞り加工後の円筒管材４Ｂにおける閉口部４Ｂｂの平均厚みの外周面４Ｂａの平均厚みに対する比率は、１以上（つまり閉口部４Ｂｂの平均厚みが外周面４Ｂａの平均厚み以上）であることが好ましく、１．５以上５以下がより好ましく、３以上５以下がさらに好ましい。
閉口部４Ｂｂの平均厚みが外周面４Ｂａの平均厚み以上であることで深さが前記範囲の溝４２を良好に形成し得る。

(5)縮径率
深さが前記範囲である溝４２を形成する観点で、絞り加工による縮径率（Ｄ２／Ｄ１）（Ｄ１は絞り加工前の円筒管材４Ｂの外径、Ｄ２は絞り加工後の円筒管材４Ｂの外径をさす）は、０．７以上０．９以下であることが好ましく、０．７以上０．８以下がより好ましく、０．７以上０．７５以下がさらに好ましい。
縮径率（Ｄ２／Ｄ１）が０．９以下であることで深さが前記範囲の溝４２を良好に形成し得る。また、縮径率（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以上であることで絞り加工における加工容易性が向上する。

なお、下記の変形例に示すように絞り加工を複数回に分けて行う場合、縮径率（Ｄ２／Ｄ１）は最初の絞り加工前の外径と最後の絞り加工後の外径との比率を指す。

−変形例−
ここで、絞り工程における絞り加工は、複数回に分けて行ってもよい。つまり、図４Ａ乃至図４Ｃに示すように、まずパンチ３１Ａが内部に配置された円筒管材４Ｃをダイス３２（第１絞り加工用ダイス）の円形孔に挿入し貫通させて、円筒管材４Ｃの内周面がパンチ３１Ａの外周面に接触しない程度にまで縮径させて第１絞り加工を施し、その後図５に示すように、円筒管材４Ｃをダイス（第２絞り加工用ダイス／図示せず）の円形孔に挿入し貫通させて、円筒管材４Ｃの内周面全面がパンチ３１Ａの外周面に接触するまで縮径させて第２絞り加工を施してもよい。また、絞り加工を３回以上に分けて行ってもよい。

なお、絞り加工を複数回に分けて行う場合、円筒管材４Ｃの外周面への溝の形成は複数回の絞り加工のうち一部の絞り加工においてのみ実施してもよいが、複数回の全ての絞り加工で実施してもよい。
例えば、絞り加工を第１絞り加工及び第２絞り加工の２回に分けて行う場合であれば、図４Ａ乃至図４Ｃに示すように、パンチ３１Ａが内部に配置された円筒管材４Ｃをダイス３２（第１絞り加工用ダイス）の円形孔に挿入し貫通させて、円筒管材４Ｃの内周面がパンチ３１Ａの外周面に接触しない程度にまで縮径させて第１絞り加工を施す。この際、第１絞り加工前において円筒管材４Ｃにおける閉口部４Ｃｂであった領域（図４Ａにおいてドットで示される領域）と外周面４Ｃａであった領域との境界部分（つまり角部）に相当する箇所を、外周面４Ｃａよりも径の内側に凹んだ形状となるよう制御して、図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、円筒管材４Ｃの外周面に溝４３を形成する。
その後、図５に示すように、円筒管材４Ｃを第２絞り加工用ダイス（図示せず）の円形孔に挿入し貫通させて、円筒管材４Ｃの内周面全面がパンチ３１Ａの外周面に接触するまで縮径させて第２絞り加工を施す。この際、第１絞り加工後であってかつ第２絞り加工前に円筒管材４Ｃにおける閉口部の角部であった箇所が外周面側に絞り込まれるが、この箇所についても外周面よりも径の内側に凹んだ形状となるよう制御することで、第１絞り加工で形成された溝とその一部が重なるように溝が形成され、つまり溝が重なり合った大きな１つの溝４３が形成される。こうして、第１絞り加工及び第２絞り加工により形成された溝４３を有する円筒管材４Ｃを得てもよい。
また、絞り加工を複数回に分けて行う場合に、それぞれの溝を異なる位置に形成し、つまり軸方向において別々に複数の溝が形成されてもよい。
さらに、絞り加工を複数回に分けて行う場合において、溝形成の容易性の観点から、円筒管材の外周面への溝の形成を１回目の絞り加工においてのみ実施してもよい。

・引き抜き工程
次いで引き抜き工程では、パンチ３１Ａを円筒管材４Ｂから引き抜き、つまり脱型を行う。
第１の実施形態では、図２及び図３に示すように、絞り工程で円筒管材４Ｂの外周面における閉口部側の端部に形成された溝４２に引っ掛け部材３５を引っ掛け、この引っ掛け部材３５から円筒管材４Ｂに対して、軸方向の閉口部側方向に負荷を掛ける。そして、負荷が付与された状態でパンチ３１Ａを逆方向（円筒管材４Ｂの軸方向の開口部側方向）に引っ張ることで、パンチ３１Ａを引き抜いて脱型する。

溝４２に対して引っ掛け部材３５を引っ掛ける箇所は、特に限定されるものではないが、２箇所以上１０箇所以下が好ましく、４箇所以上８箇所以下がより好ましい。それぞれの引っ掛け部材３５は、円筒管材４Ｂにおける周方向に等間隔で配置されることが好ましい。

なお、第１の実施形態において、円筒管材４Ｂに対し軸方向の閉口部側方向に負荷を掛ける手段としては、上記の溝４２に引っ掛けた引っ掛け部材３５のみであることが好ましい。ただし、他の手段と併用してもよく、例えば図１３及び図１４Ａに示される、円筒管材の開口部側の端部に押し当てられる押し当て部材（ストリッパー）１３４による手段を併用してもよい。また、後述の第２の実施形態に示す、貫通穴４Ｄａから引っ掛け部材３６を挿入して閉口部の内面に引っ掛ける手段と併用してもよい。

・後処理工程
引き抜き工程後の円筒管材４Ｂに対し、焼き鈍しなどの熱処理を施してもよい。例えば、１５０℃を超える温度で焼き鈍しを行うことで、加工時の残留歪みを除去し、導電性支持体の変形が抑制され、円筒度の向上が実現される。

また、引き抜き工程後の円筒管材４Ｂに対し、円筒管材４Ｂの閉口部側の端部を切断等の方法で除去してもよい。この際、溝４２を有する領域を含めて除去することが好ましい。また、円筒管材４Ｂの開口部側の端部を切断等の方法で除去してもよい。

以上の工程を経て得られる導電性支持体の厚み（外周面の肉厚）は、特に限定されるものではないが、例えば電子写真感光体における導電性基体として用いる場合であれば、０．２ｍｍ以上０．９ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であることがより好ましい。

こうして、第１の実施形態に係る製造方法により、導電性支持体が製造される。

第１の実施形態によれば、引き抜き工程において円筒管材４Ｂに付与する軸方向の閉口部側方向への負荷を、円筒管材４Ｂが外周面の閉口部側端部に有する溝４２に引っ掛け部材３５を引っ掛け、この引っ掛け部材３５から円筒管材４Ｂに負荷を掛けることで行う。つまり、引き抜き工程において円筒管材４Ｂに付与する負荷を、変形の生じ易い開口部側端部への負荷に代えて、又は開口部側端部への負荷に加えて、閉口部側端部に付与する。これにより、円筒管材４Ｂの開口部側端部への負荷が除去又は低減され、開口部側端部での応力集中による変形が抑制される。
また、円筒性に優れた導電性支持体が求められる用途（例えば電子写真感光体における導電性基体）においては、開口部側端部に変形が生じた場合、引き抜き工程後にこの開口部側端部が除去される。しかし、第１の実施形態によれば前記の通り開口部側端部の変形が抑制されることにより、開口部側端部の除去する領域が低減され、その結果歩留りを高められる。

−第２の実施形態−
第２の実施形態に係る導電性支持体の製造方法は、少なくとも円筒管材準備工程、雄型配置工程、絞り工程、及び引き抜き工程を経て円筒状の導電性支持体を製造する。
そして、前記雄型配置工程に供される円柱雄型（パンチ）は、円筒管材の閉口部の内面に接触する側の端面に空洞を有し、かつ前記引き抜き工程に供される円筒管材は、円柱雄型が端面に有する前記空洞に対応する位置に空洞よりも開口面積の小さい貫通穴を有する。そして、前記引き抜き工程における円筒管材に対する軸方向の閉口部側方向への負荷の付与は、前記貫通穴から前記空洞内の空間に挿入した引っ掛け部材を円筒管材の閉口部の内面に引っ掛けて、軸方向の閉口部側方向に負荷を掛けることで行われる。
以下、上記の各工程について説明する。

・円筒管材準備工程
円筒管材準備工程では、絞り加工に供するための円筒管材を準備する。なお、円筒管材準備工程は、第１の実施形態に記載の方法により実施し得る。

・雄型配置工程
第２実施形態に用いられる円柱雄型（パンチ）３１Ｂは、図６（Ｂ）に示されるように、円筒管材４Ｄの閉口部の内面に接触する側の端面に空洞３１Ｂａを有する。
この空洞３１Ｂａは、図８Ａに示されるように、後の引抜き工程において引っ掛け部材３６が挿入される空間を確保するための空洞である。よって、空洞３１Ｂａの大きさ（体積）は引っ掛け部材３６を挿入し得る大きさであればよい。
また、空洞３１Ｂａの空間に挿入された引っ掛け部材３６は、図８Ａに示されるように、円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛けることが求められる。よって、空洞３１Ｂａの開口部の広さ（開口面積）は、円筒管材４Ｄが閉口部に有する貫通穴４Ｄａよりも広く形成され、さらには引っ掛け部材３６を円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛けるのに要求される面積が確保されていることが好ましい。
空洞３１Ｂａの深さは、引っ掛け部材３６を挿入し得る深さであればよい。なお、空洞３１Ｂａは、パンチ３１Ｂ内を反対側の端面まで貫通した形状であってもよい。
空洞３１Ｂａの形状及び設けられる位置は、特に限定されるものではないが、後の引抜き工程において引っ掛け部材３６から円筒管材４Ｄに掛けられる負荷の偏りを抑制する観点で、パンチ３１Ｂの軸を中心にした円形状であることが好ましい。

また、第２実施形態に用いられる円筒管材４Ｄは、少なくとも引き抜き工程前の段階で図６（Ａ）に示されるように、パンチ３１Ｂが端面に有する空洞３１Ｂａに対応する位置に空洞３１Ｂａよりも開口面積の小さい貫通穴４Ｄａを有する。
円筒管材４Ｄの貫通穴４Ｄａは、引き抜き工程前までに形成されていればよく、例えば円筒管材準備工程後であって雄型配置工程の前に、円筒管材４Ｄの閉口部の一部を穿つことで設けてもよい。また、雄型配置工程後であって引き抜き工程の前に、パンチ３１Ｂが閉口部の内側に接触するよう配置された状態で、貫通穴４Ｄａを形成してもよい。ただし、予め雄型配置工程の前に貫通穴４Ｄａを形成しておくことが好ましい。

貫通穴４Ｄａは、図８Ａに示されるように、後の引抜き工程において引っ掛け部材３６を挿入するための挿入口である。よって、貫通穴４Ｄａの広さ（面積）は引っ掛け部材３６を挿入し得る広さであればよい。
また、空洞３１Ｂａの空間に挿入された引っ掛け部材３６は、図８Ａに示されるように、円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛けることが求められる。よって、貫通穴４Ｄａの広さ（面積）は、パンチ３１Ｂが端面に有する空洞３１Ｂａよりも狭く形成され、さらには引っ掛け部材３６を円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛けるのに要求される面積が確保される広さであることが好ましい。
貫通穴４Ｄａの形状及び設けられる位置は、特に限定されるものではないが、後の引抜き工程において引っ掛け部材３６から円筒管材４Ｄに掛けられる負荷の偏りを抑制する観点で、円筒管材４Ｄの軸を中心にした円形状であることが好ましい。

第２実施形態の雄型配置工程では、円筒管材４Ｄの内部にパンチ３１Ｂを配置する。
図７Ａに示すように、円柱状でありかつ円筒管材４Ｄの内径よりも小さい外径を有するパンチ３１Ｂを、円筒管材４Ｄに対して開口部側から閉口部の内面に接触するよう挿入する。この際、空洞３１Ｂａが設けられた側の端面が円筒管材４Ｄの閉口部に接触するよう配置する。そして、円筒管材４Ｄとパンチ３１Ｂとが同軸状になるよう（両者の円筒形状における軸が重なるよう）配置する。

・絞り工程
次いで絞り工程では、有孔雌型（ダイス）３３を用いて円筒管材４Ｄに対し絞り加工を施す。
まず円形孔を有するダイス３３を準備する。なお、このダイス３３における円形孔は、図７Ａに示すように、円筒管材４Ｄの外径よりも小さくかつパンチ３１Ｂの外径よりも大きい径を有する。このダイス３３を用い、図７Ａ乃至図７Ｂに示すように、雄型配置工程でパンチ３１Ｂが配置された円筒管材４Ｄを円形孔に対して閉口部側から挿入して貫通させることで、絞り加工を施す。
そして、この絞り加工によって、図７Ｂに示すように、円筒管材４Ｄの外径をダイス３３の円形孔の径の大きさにまで縮小させ、かつ円筒管材４Ｄの内周面全面をパンチ３１Ｂの外周面に接触させる。

また、絞り工程における絞り加工は複数回に分けて行ってもよい。したがって、円筒管材４Ｄの内周面がパンチ３１Ｂの外周面に接触しない程度にまで縮径させる第１絞り加工と、円筒管材４Ｄの内周面全面がパンチ３１Ｂの外周面に接触するまで縮径させる第２絞り加工とに分ける等、絞り加工を２回以上に分けて行ってもよい。

・引き抜き工程
次いで引き抜き工程では、パンチ３１Ｂを円筒管材４Ｄから引き抜き、つまり脱型を行う。
第２の実施形態では、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、円筒管材４Ｄの閉口部に設けられた貫通穴４Ｄａから、パンチ３１Ｂの端面に設けられた空洞３１Ｂａ内の空間に引っ掛け部材３６を挿入し、この引っ掛け部材３６を円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛ける。そして、引っ掛け部材３６を軸方向の閉口部側方向に引っ張ることで円筒管材４Ｄに対し負荷を付与し、負荷が付与された状態でパンチ３１Ｂを逆方向（円筒管材４Ｄの軸方向の開口部側方向）に引っ張ることで、パンチ３１Ｂを引き抜いて脱型する。

引っ掛け部材３６の形状は、貫通穴４Ｄａから挿入できかつ円筒管材４Ｄの閉口部の内面に引っ掛け得る形状であれば、特に限定されない。具体的には、図８Ａに示されるＬ型状の引っ掛け部材や、その他Ｊ型状の引っ掛け部材等が挙げられる。

引っ掛け部材３６の挿入本数は、特に限定されるものではないが、２本以上１０本以下が好ましく、４本以上８本以下がより好ましい。それぞれの引っ掛け部材３６は、円筒管材４Ｄにおける周方向に等間隔で配置されることが好ましい。

なお、第２の実施形態において、円筒管材４Ｄに対し軸方向の閉口部側方向に負荷を掛ける手段としては、上記の貫通穴４Ｄａから挿入して閉口部の内面に引っ掛けた引っ掛け部材３６のみであることが好ましい。ただし、他の手段と併用してもよく、例えば図１３及び図１４Ａに示される、円筒管材の開口部側の端部に押し当てられる押し当て部材（ストリッパー）１３４による手段を併用してもよい。また、前述の第１の実施形態に示す、溝４２に引っ掛け部材３５を引っ掛ける手段と併用してもよい。

・後処理工程
第１の実施形態と同様に、引き抜き工程後の円筒管材４Ｄに対し、焼き鈍しなどの熱処理を施してもよい。

また、引き抜き工程後の円筒管材４Ｄに対し、円筒管材４Ｄの閉口部側の端部を切断等の方法で除去してもよく、円筒管材４Ｄの開口部側の端部を切断等の方法で除去してもよい。

以上の工程を経て得られる導電性支持体の好ましい厚み（外周面の肉厚）は、第１の実施形態と同様である。

こうして、第２の実施形態に係る製造方法により、導電性支持体が製造される。

第２の実施形態によれば、引き抜き工程において円筒管材４Ｄに付与する軸方向の閉口部側方向への負荷を、円筒管材４Ｄが有する貫通穴４Ｄａから引っ掛け部材３６を挿入して閉口部の内面に引っ掛け、この引っ掛け部材３６を引っ張って円筒管材４Ｄに負荷を掛けることで行う。つまり、引き抜き工程において円筒管材４Ｄに付与する負荷を、変形の生じ易い開口部側端部への負荷に代えて、又は開口部側端部への負荷に加えて、閉口部側端部に付与する。これにより、円筒管材４Ｄの開口部側端部への負荷が除去又は低減され、開口部側端部での応力集中による変形が抑制される。
また、円筒性に優れた導電性支持体が求められる用途（例えば電子写真感光体における導電性基体）においては、開口部側端部に変形が生じた場合、引き抜き工程後にこの開口部側端部が除去される。しかし、第２の実施形態によれば前記の通り開口部側端部の変形が抑制されることにより、開口部側端部の除去する領域が低減され、その結果歩留りを高められる。

本実施形態に係る製造方法により製造される導電性支持体は、例えば電子写真方式の画像形成に用いられる電子写真感光体の基体（導電性基体）等として用いられる。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る製造方法により製造される導電性支持体（以下単に「本実施形態に係る導電性支持体」と称す）を導電性基体として備える電子写真感光体（以下単に「感光体」とも称す）は、前述の導電性支持体と、導電性支持体上に配置された感光層と、を有して構成される。
感光体の構成としては、特に限定されるものではないが、例えば導電性基体（導電性支持体）上に、下引層と、中間層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、保護層と、を有する感光体や、前記荷発生層及び電荷輸送層に代えて単層型感光層を有する感光体等の態様が挙げられる。

ここで、本実施形態に係る導電性支持体を電子写真感光体の導電性基体として用いる場合、導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ−１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ−２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。

（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。

１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）

反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ_２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲ^Ｑ１ _３−Ｑｎ（ＯＲ^Ｑ２）_Ｑｎ［但し、Ｒ^Ｑ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、Ｒ^Ｑ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。

連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（ビニルフェニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。

反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。

保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。

保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。

保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。

（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
次いで、本実施形態に係る導電性支持体を備える電子写真感光体を用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジについて説明する。
本実施形態における画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る導電性支持体を備える電子写真感光体が適用される。

本実施形態における画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態における画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態における画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態における電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態における画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図１０は、本実施形態における画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態における画像形成装置１００は、図１０に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図１０におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３５を有しており、クリーニングブレード１３５は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３５の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３５と併用してもよい。

なお、図１０には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３６（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態における画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３５を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図１１は、本実施形態における画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図１１に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
−円筒管材準備工程−
潤滑剤を塗布したアルミニウム（Ａｌ）純度９９．５％以上のＪＩＳ呼称１０５０合金のスラグを用意した。このスラグを用いて、インパクトプレス用ダイ（雌型）とインパクトプレス用パンチ（雄型）によりインパクトプレス加工にて底面（閉口部）を有する直径３４ｍｍの円筒管材１を作製した。

−雄型配置工程−
円柱状かつ前記円筒管材１の内径よりも小さい外径を有する円柱雄型（パンチ）を準備し、円筒管材１に対して開口部側から閉口部の内面に接触するよう挿入し、さらに円筒管材１とパンチとが同軸状になるよう配置した。

−絞り工程−
前記円筒管材１に対し、２回の絞り加工を施した。
まず、円形孔を有する第１絞り加工用の有孔雌型（第１ダイス）及び第２絞り加工用の有孔雌型（第２ダイス）を準備した。なお、この第１ダイスにおける円形孔は、前記円筒管材１の外径よりも小さくかつ円柱雄型（パンチ）の外径よりも大きい径を有する。また、第２ダイスにおける円形孔は、前記第１ダイスにおける円形孔よりも小さくかつ円筒管材１の内周面全面を円柱雄型（パンチ）の外周面に接触させ得る径を有する。

この第１ダイス及び第２ダイスを用い、円柱雄型（パンチ）が配置された円筒管材１に対し２回の絞り加工を施し、円筒管材１の内周面全面が円柱雄型（パンチ）の外周面に接触するよう縮径させた。なお、縮径率（Ｄ２／Ｄ１、第１絞り加工前の外径と第２絞り加工後の外径との比率）、第１及び第２絞り加工前の外周面厚み、第１及び第２絞り加工前の閉口部厚みが下記表１に記載の条件となるよう調整した。

この第１及び第２絞り加工により、第１絞り加工前において円筒管材１における閉口部と外周面との境界部分（角部）であった箇所（外周面における閉口部側の端部）に、下記表１に記載の溝深さを有する溝が形成された。

−引き抜き工程−
次いで、絞り工程で円筒管材１の外周面における閉口部側の端部に形成された溝に対し、図２及び図３に示す形状の引っ掛け部材を、周方向に等間隔で４箇所引っ掛けて把持した。この引っ掛け部材から円筒管材１に対して軸方向の閉口部側方向に負荷を掛け、さらに円柱雄型（パンチ）を逆方向に引っ張って、円柱雄型（パンチ）を引き抜いて脱型した。

こうして、直径３０ｍｍ、長さ２５１ｍｍの円筒状の導電性支持体を得た。

＜実施例２〜６、９、１０＞
表１に従って、第１及び第２絞り加工前の外周面厚み、閉口部厚みを変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜６、９、１０の導電性支持体を作製した。

＜実施例７、８、１１＞
表１に従って、第１及び第２絞り加工前の外周面厚み、閉口部厚み、及び縮径率（Ｄ２／Ｄ１）を変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例７、８、１１の導電性支持体を作製した。
ただし、引抜き工程において円筒管材に負荷を掛ける手段として、実施例１で行った溝部の引っ掛け部材による把持（溝部把持）に加え、図１３及び図１４Ａに示される円筒管材の開口部側の端部への押し当て部材（ストリッパー）の押し当て（開口側押し当て）を併用した。

＜実施例１２＞
−円筒管材準備工程−
実施例１と同様にして円筒管材２を作製した。その後、円筒管材２の閉口部に、図６（Ａ）に示す形状の貫通穴４Ｄａを形成した。

−雄型配置工程−
円柱状かつ前記円筒管材１の内径よりも小さい外径を有し、かつ図６（Ｂ）に示す形状の空洞３１Ｂａを有する円柱雄型（パンチ）を準備した。その後、実施例１と同様にして円柱雄型（パンチ）を配置した。

−絞り工程−
実施例１と同様にして第１及び第２絞り加工を行った。ただし、縮径率（Ｄ２／Ｄ１）、第１及び第２絞り加工前の外周面厚み、第１及び第２絞り加工前の閉口部厚みが下記表１に記載の条件となるよう調整した。

−引き抜き工程−
図８Ａ及び図８Ｂに示すように、円筒管材２の閉口部に設けられた貫通穴から、円柱雄型（パンチ）の端面に設けられた空洞内の空間に、Ｌ型の引っ掛け部材を４本挿入して周方向に等間隔で配置し、円筒管材２の閉口部の内面に引っ掛けた。
この引っ掛け部材（Ｌ型部材）を軸方向の閉口部側方向に引っ張り、さらに円柱雄型（パンチ）を逆方向に引っ張って、円柱雄型（パンチ）を引き抜いて脱型した。

＜比較例１＞
表１に従って、第１及び第２絞り加工前の外周面厚み、閉口部厚みを変更し、かつ引抜き工程において円筒管材に負荷を掛ける手段を、溝部の引っ掛け部材による把持（溝部把持）から、図１３及び図１４Ａに示される円筒管材の開口部側の端部への押し当て部材（ストリッパー）の押し当て（開口側押し当て）に変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の導電性支持体を作製した。

（溝深さの測定）
なお、各例で得られた導電性支持体に関し、溝の縁部における外径及び溝の底部の外径をノギスで測定し、差分から溝深さを算出した。

〔評価〕
−把持適性−
Ａ：溝深さ０．２ｍｍ以上かつ溝の底における厚み（溝部壁面厚み）が０．５ｍｍ以上
Ｂ：溝深さ０．１ｍｍ以上かつ溝部壁面厚みが０．５ｍｍ以上
Ｃ：溝深さが０．１ｍｍ未満

−変形量評価−
各例で得られた導電性支持体の、外周面における開口部側から２０ｍｍ位置、及び閉口部側から２０ｍｍ位置での真円度を、Ｒｏｎｄｃｏｍ（東京精密社製、型番：６０Ａ、測定条件：測定倍率×５００、フィルタ：ガウシアン、測定速度６／ｍｉｎ）を用いて測定し、絞り加工前後での真円度の差を算出し、以下の評価基準で評価した。
Ａ：加工前後の真円度の差（Δ）が１０μｍ未満
Ｂ：加工前後の真円度の差（Δ）が１０μｍ以上２０μ未満
Ｃ：加工前後の真円度の差（Δ）が２０μｍ以上

上記結果から、本実施例では比較例に比べ、外周面の開口部側端部及び閉口部側端部での変形が抑制されていることが分かる。これにより、本実施例の導電性支持体は、円筒度が高く、開口部のカット幅を削減できることがわかる。

４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ、１０４Ｂ 円筒管材、４Ｂａ、４Ｃａ 外周面、４Ｂｂ、４Ｃｂ 閉口部、４Ｂｃ 開口部、４Ｄａ 貫通穴、７ 電子写真感光体、８ 帯電装置、９ 露光装置、１１ 現像装置、１３ クリーニング装置、２０ ダイ、２１ パンチ、２２ ストリッパー、２３ 中央孔、２４ 円形孔、３０ スラグ、３１Ａ、３１Ｂ、１３１ 円柱雄型（パンチ）、３１Ｂａ 空洞、３２、３３、１３３ 有孔雌型（ダイス）、３５ 引っ掛け部材、３６ 引っ掛け部材、４０ 転写装置、４２、４３ 溝、５０ 中間転写体、１００ 画像形成装置、１２０ 画像形成装置、１３２ 繊維状部材（ロール状）、１３４ ストリッパー、１３５ クリーニングブレード、１３６ 繊維状部材（平ブラシ状）、３００ プロセスカートリッジ

Claims (7)

1. 導電性を有し、軸方向の一方の端面は開口した開口部であり、他方の端面は閉口した閉口部である円筒管材を準備する円筒管材準備工程と、
   円柱状でありかつ前記円筒管材の内径よりも外径が小さい円柱雄型を、前記円筒管材の前記開口部側から挿入して前記閉口部の内面に接触させ、前記円筒管材及び前記円柱雄型を同軸状に配置する雄型配置工程と、
   径が前記円筒管材の外径よりも小さくかつ前記円柱雄型の外径よりも大きい円形孔を有する有孔雌型の前記円形孔に、前記円柱雄型が配置された前記円筒管材を前記閉口部側から挿入し貫通させて絞り加工を施し、前記円筒管材の内周面全面が前記円柱雄型の外周面に接触するよう前記円筒管材の径を縮小し、前記絞り加工前に前記円筒管材の外周面と前記閉口部との境界であった角部を、前記絞り加工によって前記外周面側に絞り込むことで、前記絞り加工後の前記円筒管材の外周面に溝を形成する工程を含む絞り工程と、
   引っ掛り部を引っ掛けて一方向に負荷を付与し得る引っ掛け部材を、前記絞り工程後の前記円筒管材の前記閉口部側の端部に引っ掛け、前記円筒管材に対し軸方向の閉口部側方向に負荷を付与した状態で、前記円柱雄型を前記開口部側から引き抜き、前記円筒管材に対する前記軸方向の閉口部側方向への負荷の付与は、前記溝に前記引っ掛け部材を引っ掛けて前記軸方向の閉口部側方向に負荷を掛けることで行われる引き抜き工程と、
   を経て導電性かつ円筒状の支持体を製造する導電性支持体の製造方法。
2. 前記溝の平均深さが０．１ｍｍ以上である請求項１に記載の導電性支持体の製造方法。
3. 前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記外周面の平均厚みが０．２ｍｍ以上０．９ｍｍ以下である請求項１又は請求項２に記載の導電性支持体の製造方法。
4. 前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記閉口部の平均厚みが０．５ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。
5. 前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材における前記閉口部の平均厚みが前記外周面の平均厚み以上である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。
6. 前記絞り工程において、前記絞り加工前の前記円筒管材の外径をＤ１とし、前記絞り加工後の前記円筒管材の外径をＤ２としたとき、前記絞り加工による縮径率（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以上０．９以下である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の導電性支持体の製造方法。
7. 導電性を有し、軸方向の一方の端面は開口した開口部であり、他方の端面は閉口した閉口部である円筒管材を準備する円筒管材準備工程と、
   円柱状でありかつ前記円筒管材の内径よりも外径が小さく、前記円筒管材の前記閉口部の内面に接触する側の端面に空洞を有する円柱雄型を、前記円筒管材の前記開口部側から挿入して前記閉口部の内面に接触させ、前記円筒管材及び前記円柱雄型を同軸状に配置する雄型配置工程と、
   径が前記円筒管材の外径よりも小さくかつ前記円柱雄型の外径よりも大きい円形孔を有する有孔雌型の前記円形孔に、前記円柱雄型が配置された前記円筒管材を前記閉口部側から挿入し貫通させて絞り加工を施し、前記円筒管材の内周面全面が前記円柱雄型の外周面に接触するよう前記円筒管材の径を縮小する絞り工程と、
   引っ掛り部を引っ掛けて一方向に負荷を付与し得る引っ掛け部材を、前記絞り工程後の、前記円柱雄型が前記端面に有する前記空洞に対応する位置に前記空洞よりも開口面積の小さい貫通穴を有する前記円筒管材の、前記閉口部側の端部の引っ掛り部である前記貫通穴に引っ掛け、前記貫通穴から前記空洞内の空間に挿入した前記引っ掛け部材を前記円筒管材の前記閉口部の内面に引っ掛けて、前記軸方向の閉口部側方向に引っ張ることで行われる、前記円筒管材に対し軸方向の閉口部側方向への負荷、を付与した状態で、前記円柱雄型を前記開口部側から引き抜く引き抜き工程と、
   を経て導電性かつ円筒状の支持体を製造する導電性支持体の製造方法。