CN105161434A - Pad刻蚀工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种PAD刻蚀工艺方法，该方法在刻蚀时仍采用光刻胶做掩膜，但在刻蚀气体中加入O2，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。本发明通过在以CF4为主的刻蚀气体中增加适量的O2，去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物，增加了腐蚀窗口，有效避免了PAD表面发生铝腐蚀。

Description

PAD刻蚀工艺方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及PAD(钝化层)刻蚀工艺。
背景技术
在集成电路制造工艺中，最后一步工序都是形成钝化层，以增强器件对离子粘污的阻挡能力，保护电路和内部互连线免受机械和化学损伤。为了达到上述要求，一般都需要形成很厚的(一般大于20K)的一层钝化层(passivationlayer，简称PAD)，现有PAD刻蚀工艺中，由于刻蚀时间长(一般大于4min)，使用的光刻胶厚(一般大于4μm)，PAD表面容易发生聚合物残留，后续的湿法和干法去胶不能有效地把聚合物去除干净(干法去胶使用微波，湿法去胶使用纯化学腐蚀，都是各向同性的反应，对于Al晶格间的聚合物去除能力不如等离子刻蚀方法(各向异性反应)强)，在PAD表面聚合物中的氟会作为Al腐蚀的催化剂，加快Al的腐蚀，如图1中所示，Al腐蚀的反应原理如下：
Al+F---->AlF3
AlF3+H2O---->Al(OH)3+F
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种PAD刻蚀工艺方法，它可以避免PAD表面发生铝腐蚀。
为解决上述技术问题，本发明的PAD刻蚀工艺方法，在刻蚀时仍采用光刻胶做掩膜，但在刻蚀气体中加入O2，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。
所述刻蚀气体的组成包括：CF4、O2、N2、Ar，所述刻蚀气体中各组成成分的流量分别为：CF420sccm，O210sccm、N220sccm、Ar200sccm。
较佳的，刻蚀条件为：温度20℃±5℃，气压8Pa±2Pa，功率800W±100W。
本发明通过在以CF4为主的刻蚀气体中增加适量的O2，去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物，增加了腐蚀窗口，有效避免了PAD表面发生铝腐蚀。
附图说明
图1是现有PAD刻蚀工艺中，PAD表面发生铝腐蚀。
图2是采用本发明的PAD刻蚀工艺后，PAD表面没有发生铝腐蚀。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：
本实施例的PAD刻蚀工艺方法，是在以CF4为主的刻蚀气体中，增加适量的新鲜O2，去除聚合物。
具体的刻蚀工艺条件如下：
温度为20℃±5℃，气压为8Pa±2Pa，功率为800W±100W，刻蚀气体包括：20sccmCF4、10sccmO2、20sccmN2、200sccmAr。

Claims (4)

1.PAD刻蚀工艺方法，刻蚀时采用光刻胶做掩膜，其特征在于：在刻蚀气体中加入O2，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体的组成包括：CF4、O2、N2、Ar。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体中各组成成分的流量分别为：CF420sccm，O210sccm、N220sccm、Ar200sccm。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀条件为：温度20℃±5℃，气压8Pa±2Pa，功率800W±100W。
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