CN102903662A - 隔离层刻蚀方法 - Google Patents

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袁红军
吴长明
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种隔离层刻蚀方法，本发明通过在隔离层的等离子刻蚀之后，增加一步对硅基板进行圆弧化的化学刻蚀。圆弧化的化学刻蚀能够消除隔离层的等离子刻蚀过程中对硅基板的损伤缺陷，从而提高产品良率。

Description

隔离层刻蚀方法
技术领域
本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种隔离层刻蚀方法。
背景技术
如图1至图6所示，是现有隔离层刻蚀方法各步骤中的硅基片的剖面图。现有隔离层刻蚀方法包括如下步骤：
步骤一、如图1至图3所示，在所述硅基板1上形成衬垫氧化层2；在所述衬垫氧化层2上形成氮化硅层3。由所述衬垫氧化层2和所述氮化硅3层组成隔离层。
步骤二、如图4所示，在所述隔离层上即所述氮化硅层3上形成光刻胶4，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口5。
步骤三、如图5所示，对所述光刻胶窗口5下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板1的表面，所述隔离层的等离子体刻蚀是先刻蚀所述氮化硅3、再刻蚀所述衬垫氧化层2。
步骤四、如图6所示，去除所述光刻胶5。
如图5和图6可知，由于现有技术的步骤三中的所述隔离层高的刻蚀是采用等离子体刻蚀，等离子体的离子在刻蚀过程中会硅基板的表面进行冲击产生物理刻蚀的效果，会造成硅基板上的损伤缺陷，导致产品低良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种隔离层刻蚀方法，能消除硅基板的损伤缺陷，提供产品良率。
为解决上述技术问题，本发明提供的隔离层刻蚀方法包括步骤：
步骤一、在硅基板上形成隔离层。
步骤二、在所述隔离层上形成光刻胶，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口。
步骤三、对所述光刻胶窗口下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板的表面。
步骤四、进行化学刻蚀对所述光刻胶窗口下方露出来的所述硅基板的表面圆弧化。
步骤五、去除所述光刻胶。
进一步的改进是，步骤四中所述化学刻蚀的工艺条件为：采用2.45GHz的微波，采用CF4气体、CF4的流量为10sccm～50sccm，采用O2气体、O2的流量为30sccm～100sccm，刻蚀时间为5秒～10秒。
进一步的改进是，步骤一中形成所述隔离层包括如下分步骤：在所述硅基板上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氮化硅层；所述隔离层由所述衬垫氧化层和所述氮化硅层组成。
本发明通过在隔离层的等离子刻蚀之后，增加一步对硅基板的圆弧化的化学刻蚀，圆弧化的化学刻蚀能够消除隔离层的等离子刻蚀过程中对硅基板的损伤缺陷，从而提高产品良率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1-图6是现有隔离层刻蚀方法各步骤中的硅基片的剖面图；
图7是本发明实施例隔离层刻蚀方法的流程图；
图8-图9是本发明实施例隔离层刻蚀方法各步骤中的硅基片的剖面图。
具体实施方式
如图7所示，是本发明实施例隔离层刻蚀方法的流程图；图8-图9是本发明实施例隔离层刻蚀方法各步骤中的硅基片的剖面图。
本发明实施例隔离层刻蚀方法包括步骤：
步骤一、如图1至图3所示，在所述硅基板1上形成衬垫氧化层2；在所述衬垫氧化层2上形成氮化硅层3。由所述衬垫氧化层2和所述氮化硅3层组成隔离层。
步骤二、如图4所示，在所述隔离层上即所述氮化硅层3上形成光刻胶4，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口5。
步骤三、如图5所示，对所述光刻胶窗口5下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板1的表面，所述隔离层的等离子体刻蚀是先刻蚀所述氮化硅3、再刻蚀所述衬垫氧化层2。
步骤四、如图8所示，进行化学刻蚀对所述光刻胶窗口5下方露出来的所述硅基板1的表面圆弧化。所述化学刻蚀的工艺条件为：采用2.45GHz的微波，采用CF4气体、CF4的流量为10sccm～50sccm，采用O2气体、O2的流量为30sccm～100sccm，刻蚀时间为5秒～10秒。所述化学刻蚀是一种对硅基板的纯化学反应刻蚀，能够消除隔离层的等离子刻蚀过程中对硅基板的损伤缺陷，从而提高产品良率。
步骤五、如图9所示，去除所述光刻胶4。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种隔离层刻蚀方法，包括步骤：
步骤一、在硅基板上形成隔离层；
步骤二、在所述隔离层上形成光刻胶，采用光刻刻蚀工艺在所述隔离层需要刻蚀的区域形成光刻胶窗口；
步骤三、对所述光刻胶窗口下方的所述隔离层进行等离子体刻蚀、并一直刻蚀到所述硅基板的表面；
其特征在于，还包括如下步骤：
步骤四、进行化学刻蚀对所述光刻胶窗口下方露出来的所述硅基板的表面圆弧化；
步骤五、去除所述光刻胶。
2.如权利要求1所述隔离层刻蚀方法，其特征在于：步骤四中所述化学刻蚀的工艺条件为：采用2.45GHz的微波，采用CF4气体、CF4的流量为10sccm～50sccm，采用O2气体、O2的流量为30sccm～100sccm，刻蚀时间为5秒～10秒。
3.如权利要求1所述隔离层刻蚀方法，其特征在于：步骤一中形成所述隔离层包括如下分步骤：在所述硅基板上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氮化硅层；所述隔离层由所述衬垫氧化层和所述氮化硅层组成。
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Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge

Applicant before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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