CN104599962A - 厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 - Google Patents
厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104599962A CN104599962A CN201410849019.3A CN201410849019A CN104599962A CN 104599962 A CN104599962 A CN 104599962A CN 201410849019 A CN201410849019 A CN 201410849019A CN 104599962 A CN104599962 A CN 104599962A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polymer
- etching
- metal
- photoresist
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 23
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 229910018626 Al(OH) Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法,用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺,该方法在金属铝刻蚀后,先向去胶腔中通入CF4气体和水蒸汽的混合气体,在去除光刻胶的同时,去除金属侧壁的大部分聚合物,然后后续再进行一次湿法清洗,将金属侧壁残留的聚合物完全去除。本发明通过在金属去胶过程中增加CF4气体,后续再辅以单次湿法刻蚀和干法刻蚀,完全去除了金属侧壁的聚合物,从而增加了金属铝的腐蚀窗口,避免了金属铝与侧壁聚合物中的Cl2反应被腐蚀。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,特别是涉及厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法。
背景技术
在现有的厚铝刻蚀工艺中,由于刻蚀时间长,使用的光刻胶厚,导致金属侧壁上残留的聚合物很厚,如图1所示。目前通常是用刻蚀的方法来去除金属侧壁的聚合物。但是,即使是使用多次湿法刻蚀和干法刻蚀,都不能有效地把聚合物去除干净。
Cl2是金属铝刻蚀工艺中常用的刻蚀气体。在金属铝刻蚀后,Cl2很容易隐藏在金属侧壁的聚合物里,而Cl2会和Al反应生成AlCl3,继而与空气中的水分发生自循环反应,重新释放出Cl2,造成对铝的严重腐蚀。
铝腐蚀的化学反应原理如下:
Al+Cl2--->AlCl3
AlCl3+H2O--->Al(OH)3+Cl2
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法,它可以防止由聚合物导致的金属铝腐蚀。
为解决上述技术问题,本发明的厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法,用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺,该方法是在金属铝刻蚀后,先向去胶腔中通入CF4气体和水蒸汽的混合气体,在去除光刻胶的同时,去除金属侧壁的大部分聚合物,然后再进行一次湿法清洗,将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
去胶时,去胶腔中的温度为250℃±50℃,气压为2T±0.5T,功率设定为1400W±200W,通入去胶腔的混合气体中,H2O气的流量为500±100sccm,CF4气体的流量为60±20sccm。
本发明通过在金属去胶过程中增加CF4气体,后续再辅以单次湿法刻蚀和干法刻蚀,完全去除了金属侧壁的聚合物,从而增加了金属铝的corrosion window(腐蚀窗口),避免了金属铝与侧壁聚合物中的Cl2反应被腐蚀。
附图说明
图1是现有厚铝刻蚀工艺中,金属侧壁上残留有很厚的聚合物。其中,a图是细导线的侧壁;b图是粗导线的侧壁。
图2是在后铝刻蚀工艺中使用本发明实施例的方法去除金属侧壁聚合物后,金属侧壁上不再有聚合物残留。其中,a图是细导线的侧壁;b图是粗导线的侧壁。
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解,现结合附图,详述如下:
本实施例的厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法,主要用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺。该方法在金属去胶过程中,首先向金属去胶腔中通入含CF4气体的水蒸汽,将金属侧壁的大部分聚合物去除,然后再通过后续单次湿法清洗将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
其中,CF4气体处理的条件如下:温度250℃±50℃,气压2T±0.5T,功率1400W±200W,气体为H2O(500±100sccm)和CF4(60±20sccm)的混合气体。
用CF4气体处理后,金属侧壁的聚合物基本上都被去除干净了,如图2所示。这样就增加了金属铝的腐蚀窗口,避免了金属铝与侧壁聚合物中的Cl2反应而被腐蚀。
Claims (5)
1.厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法,用于厚度在12K以上的金属铝的刻蚀工艺,其特征在于,在金属铝刻蚀后,先向去胶腔中通入CF4气体和水蒸汽的混合气体,在去除光刻胶的同时,去除金属侧壁的大部分聚合物,然后再进行一次湿法清洗,将金属侧壁残留的聚合物完全去除。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去胶腔中的温度为250℃±50℃。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去胶腔中的气压为2T±0.5T。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,去胶腔设定的功率为1400W±200W。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述混合气体中,水蒸汽的流量为500±100sccm,CF4气体的流量为60±20sccm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410849019.3A CN104599962A (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410849019.3A CN104599962A (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104599962A true CN104599962A (zh) | 2015-05-06 |
Family
ID=53125658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410849019.3A Pending CN104599962A (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104599962A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107403787A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-28 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 金属隔离栅的形成方法 |
CN107799396A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 铝衬垫的刻蚀方法 |
CN109148288A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作导电线路的方法 |
CN109148264A (zh) * | 2018-08-08 | 2019-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1141501A (zh) * | 1995-04-21 | 1997-01-29 | 日本电气株式会社 | 高速去胶法 |
CN1289452A (zh) * | 1998-01-28 | 2001-03-28 | 安农公司 | 从基片上灰化有机物质的方法 |
US20050048786A1 (en) * | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Jo Bo Yeoun | Methods of manufacturing semiconductor devices having capacitors |
JP4371941B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
CN103904023A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 |
-
2014
- 2014-12-29 CN CN201410849019.3A patent/CN104599962A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1141501A (zh) * | 1995-04-21 | 1997-01-29 | 日本电气株式会社 | 高速去胶法 |
CN1289452A (zh) * | 1998-01-28 | 2001-03-28 | 安农公司 | 从基片上灰化有机物质的方法 |
US20050048786A1 (en) * | 2003-09-01 | 2005-03-03 | Jo Bo Yeoun | Methods of manufacturing semiconductor devices having capacitors |
JP4371941B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
CN103904023A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107403787A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-11-28 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 金属隔离栅的形成方法 |
CN107403787B (zh) * | 2017-08-02 | 2020-02-21 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 金属隔离栅的形成方法 |
CN107799396A (zh) * | 2017-09-29 | 2018-03-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 铝衬垫的刻蚀方法 |
CN109148264A (zh) * | 2018-08-08 | 2019-01-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法 |
CN109148288A (zh) * | 2018-08-16 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作导电线路的方法 |
US10818513B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-10-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive line |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104599962A (zh) | 厚铝刻蚀工艺中聚合物的去除方法 | |
WO2013052712A3 (en) | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination | |
TW200802603A (en) | Method for removing damaged dielectric material | |
CN102339749B (zh) | 一种金属铝焊垫刻蚀方法 | |
CN101214487B (zh) | 一种半导体刻蚀设备腔室的清洗方法 | |
KR20180093096A (ko) | 주입형 포토레지스트 스트리핑 공정 | |
CN102820261A (zh) | 铝刻蚀的方法 | |
CN103545163B (zh) | 具有氟残留或氯残留的半导体结构的处理方法 | |
CN104009125B (zh) | 多晶硅片的制绒工艺 | |
CN102087989A (zh) | 浅沟槽隔离结构的制造方法 | |
CN101442007B (zh) | 一种去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法 | |
CN103021817A (zh) | 湿法刻蚀后的清洗方法 | |
CN106558486A (zh) | 去除半导体基片掩膜层的方法 | |
CN105304480A (zh) | 锗的干法刻蚀方法 | |
CN105448772A (zh) | 腔室维护后的恢复方法 | |
CN104810279B (zh) | 一种铝刻蚀方法及装置 | |
CN103137463A (zh) | 深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法 | |
CN103617945A (zh) | 一种集成电路芯片电极的修复方法 | |
CN103972055B (zh) | 光刻胶去除方法 | |
CN103972051B (zh) | 一种消除晶边颗粒残留的铝刻蚀前置工艺方法 | |
CN106847669B (zh) | 铝膜工艺方法 | |
CN106128939B (zh) | 处理异常mim电容介质层的方法 | |
CN105336664A (zh) | 刻蚀方法 | |
CN103177955B (zh) | 一种实现可剥离侧壁的制程方法 | |
CN103904023A (zh) | 厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150506 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |