CN109148264A - 一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法 - Google Patents

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沈显青
陈敏杰
吴智勇
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Abstract

本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。

Description

一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法。
背景技术
由于厚铝(36k)刻蚀工艺中，刻蚀工艺时间很长，同时光刻胶厚，聚合物源相对多，导致刻蚀完后铝线侧壁聚合物很厚，而且黏附性强，从而导致后续的多次清洗都无法将残留聚合物去除干净，在残留的聚合物中带有CL2分子，而CL2是造成铝腐蚀的主要原因之一，吸附在残留聚合物中的Cl2会慢慢挥发出来引起铝腐蚀。
发明内容
本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。
为了达到上述目的，本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：
在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；
将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；
在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；
在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。
进一步的，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0W的射频功率。
进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。
进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。
进一步的，所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。
进一步的，所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450W的射频功率。
进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。
进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。
进一步的，所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。
进一步的，所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。
本发明提出的基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，在去胶腔室中分别通入氧气和水蒸气进行处理，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。
附图说明
图1所示为本发明较佳实施例的防止铝腐蚀的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图给出本发明的具体实施方式，但本发明不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1，图1所示为本发明较佳实施例的防止铝腐蚀的方法流程图。本发明提出一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，包括下列步骤：
步骤S100：在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；
步骤S200：将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；
步骤S300：在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；
步骤S400：在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。
根据本发明较佳实施例，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0W的射频功率。
所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。进一步的，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。
所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。
所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450W的射频功率。
所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。进一步的，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。
所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。
所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。
综上所述，本发明提出的基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，在去胶腔室中分别通入氧气和水蒸气进行处理，通过用去胶腔室去除残留聚合物，经过一次清洗将残余聚合物去除，可提升产品的工艺窗口。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种基于刻蚀机台减少残留聚合物防止铝腐蚀的方法，其特征在于，包括下列步骤：
在刻蚀机台进行厚铝刻蚀工艺处理；
将上述处理后的结构传输至去胶腔室中；
在去胶腔室中通入氧气与上述结构的残留聚合物进行反应；
在去胶腔室中通入水蒸气进行处理。
2.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中提供2.5torr的腔室气压以及0W的射频功率。
3.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3000～4000sccm。
4.根据权利要求3所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中氧气的流量为3800sccm。
5.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入氧气步骤中通入氧气的时间为17～23s。
6.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中提供2.0torr的腔室气压以及1450W的射频功率。
7.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为500～700sccm。
8.根据权利要求7所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中水蒸气的流量为600sccm。
9.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述通入水蒸气步骤中通入水蒸气的时间为55～65s。
10.根据权利要求1所述的防止铝腐蚀的方法，其特征在于，所述去胶腔室中的温度设置为280℃～320℃。
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