CN105122390A - 磁片用软磁性扁平粉末和使用了它的磁片以及软磁性扁平粉末的制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末。该软磁性扁平粉末通过对于软磁性粉末进行扁平化处理而取得，平均粒径为40～53μm，振实密度对于真密度的比为0.20～0.23，平均长宽比为10～40，平均厚度为1.6～3.1μm，氧含量为0.16～0.48质量％，氮含量为10～250ppm。根据本发明，可提供作为磁片使用时突起不良少，能够实现高导磁率的软磁性扁平粉末和使用了它的高导磁率磁片。

Description

磁片用软磁性扁平粉末和使用了它的磁片以及软磁性扁平粉末的制造方法

技术领域

本发明涉及用于各种电子器件的、薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末和含有它的磁片以及该软磁性扁平粉末的制造方法。

背景技术

历来，含有软磁性扁平粉末的磁片被作为电磁波吸收体、RFID(RadioFrequencyIdentification：射频识别)用天线使用。另外，近年来，也被用于称为数字转换器的位置检测装置。在该数字转换器中，例如有日本特开2011-22661号公报(专利文献1)这样的电磁感应型的，由内置于面板状的位置检测器的环形线圈读取内置于笔状的位置指示器的前端的线圈所发送的高频信号，从而检测指示位置。在此，出于提高检测灵敏度的目的，在环形线圈的背面配置有作为高频信号的磁路的磁路片。

作为该磁路片，可适用的有，使软磁性扁平粉末在树脂和橡胶中取向的磁片、和贴合有软磁性非晶合金箔的等。使用磁片时，因为能够使检测面板整体成为1张板，所以非晶箔这样的贴合部不会发生检测不良等而能够得到优异的均匀性。

数字转换器功能可适用到智能手机和平板终端等，但这样的移动电子设备对小型化的要求严苛，作为磁路片使用的磁片薄壁化的要求也高，要使用薄度在50μm以下程度的磁片。此外，平板(タブレツト)终端也有液晶画面达到10英寸的，对磁片还要求大面积。

以一般适用的轧制和冲压的方法制作这样的薄磁片时，现有厚度的磁片中不成为问题的薄片表面的突起变成了问题。即，使用的软磁性扁平粉末中，如果混入例如100μm的异物，则在现有这样的500μm左右厚度的磁片中，异物陷入片中，不会成为薄片表面的突起。

另一方面，在50μm薄的磁片中，异物比薄片厚度大，因此在薄片表面突起显现，在使用上造成干扰，因此该磁片为不合格品。特别是像平板终端这样需要大面积时，不合格品的频率变高。此外，磁片的厚度薄，且随着面积变大，薄片的宏观上的波纹的问题也不能无视。

一直以来，会利用磨碎机(对转圆盘式破碎机)等使Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金、Fe-Al合金、Fe-Cr合金等所构成的粉末扁平化，并将之添加到磁片中。这是由于，为了得到高导磁率的磁片，由所谓的“Ollendorff的算式”可知，重要的是使用导磁率高的软磁性粉末，为了降低去磁场而使用在磁化方向拥有高的长宽比的扁平粉末，在磁片中高填充软磁性粉末。

特别是，高的长宽比被认为是重要的因素，许多情况下，采用能够得到最大的长宽比的磨碎加工条件。但是，在用于数字转换器用磁路片的极薄的磁片等之中，关于抑制上述表面突起不良的方法并未提出，形成现有的技术没有应对的状况。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特开2011-22661号公报

专利文献2：日本特开2005-116819号公报

因此发明者们制作使磨碎加工的时间变化的扁平粉末，详细地调查了扁平粉末的振实密度等的因素与磁片的表面突起不良率的关系。其结果确认到，磨碎加工时间过短，振实密度过高时，未充分扁平化的接近球状的粗大粒子残存并成为表面突起，以及磨碎加工时间过长，例如像日本特开2005-116819号公报(专利文献2)这样，振实密度过低时，扁平粉末之间缠绕凝集，成为粗大的块而成为表面突起。

还有，发现在能够得到最大的长宽比的磨碎加工时间中，已经扁平的粉末彼此开始凝集，通过以比之稍短的时间进行磨碎加工，则能够抑制由上述两个要因构成的磁片的表面突起不良，从而达成了本发明。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种作为磁片使用时，突起不良少，能够实现高导磁率的软磁性扁平粉末和使用了它的高导磁率磁片，以及该软磁性扁平粉末的制造方法。

根据本发明的一个方式，提供一种软磁性扁平粉末，其是一种薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末，该软磁性扁平粉末通过对软磁性粉末进行扁平化处理而取得，该软磁性扁平粉末中，

平均粒径为40～53μm，

振实密度相对于真密度的比为0.20～0.23，

平均长宽比为10～40，

平均厚度为1.6～3.1μm，

氧含量为0.16～0.48质量％，

氮含量为10～250ppm。

根据本发明的优选方式，能够达成在扁平粉末的纵长方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力是48～104A/m，在扁平粉末的厚度方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力是128～200A/m，在扁平粉末的厚度方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力相对于在扁平粉末的纵长方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力的比为1.5～3.0。

根据本发明的另一个方式，提供一种薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片，其含有本发明的软磁性扁平粉末。

根据本发明的另一个方式，提供一种方法，是本发明的软磁性扁平粉末的制造方法，其包括如下工序：

通过气体雾化法或圆盘雾化法制作原料粉末的工序；

以所述原料粉末的长宽比达到最大的加工时间的60～95％的时间、且在3～20小时内结束磨碎加工的扁平加工工序；

在真空或氩气氛下，以700～900℃对所述扁平加工的粉末进行热处理的工序。

附图说明

图1是表示存在未充分扁平化的接近球状的粒子的扫描型电子显微镜的照片。

图2是扁平粉末彼此缠绕的块的扫描型电子显微镜照片。

具体实施方式

以下，详细地说明本发明的特征。本发明的第一特征是，用磨碎机进行的扁平加工时间，比得到最大的长宽比的时间短，从而防止扁平粉末之间的缠绕，抑制磁片的表面突起。发明者们在制作使磨碎加工时间变化的扁平粉末，制作使用了它的厚度50μm的磁片时确认到，磨碎加工时间过短时和过长时，薄片表面的突起不良多发。

此外，利用扫描型电子显微镜(SEM)观察该突起部时，如图1所示，磨碎加工时间过短时，可确认到未充分扁平化的接近球状的粒子。另一方面，如图2所示，磨碎加工时间过长时，可确认到扁平粉末彼此缠绕的块。另外可知，扁平粉末彼此的缠绕从长宽比达到最大的磨碎加工时间的稍早之前开始。

因此，在利用磨碎机进行的加工中，在加工最初期，虽然有随机性地与介质(硬质球)的碰撞次数少的维持着接近球状的形状的粉末残存，但随着加工进行，均匀的扁平化推进，之后，扁平粉末之间开始彼此缠绕，不久能够得到最大的长宽比。此外，在得到最大的长宽比之后，扁平粉末开始离散，开始粉碎带来的微粉化。

本发明的第二特征是，虽然如上述这样避开了磁片的导磁率能够达到最高的最大的长宽比，但是通过使扁平粉末的平均粒径、振实密度相对于真密度的比、长宽比、厚度、氧含量及氮含量处于规定的范围，可使磁片的导磁率的降低停留在最小限度。此外还确认到，通过将软磁性粉末的平均粒径的上限、振实密度相对于真密度的比的下限、长宽比的上限、厚度的下限规定在本发明范围，还能够减少磁片的宏观上的波纹这一意外的效果。

其理由推测如下。通过磨碎加工等而扁平化的粉末，在维持高的长宽比的同时，在厚度方向上出现翘曲。在磁片的制作时，通过碾压和冲压加工，扁平粉末在磁片面内以强制性层叠的方式取向，但碾压和冲压加工形成的压力被除去后，扁平粉末会沿原本翘曲的方向恢复形状。由此磁片的表面发生起伏，特别是翘曲显著时会变成宏观上的波纹。

在此认为，平均粒径过大、振实密度相对于真密度的比过小、长宽比过大、厚度过小，会成为增大扁平粉末的翘曲的因素，并且认为是造成翘曲大的因素。还有，如现有的磁片这样，在厚度厚到某种程度时，因为扁平粉末的翘曲被周围的树脂和橡胶强制性地约束，所以翘曲的复原困难，磁片的宏观上的波纹消失，但是像近年所使用的薄磁片中，特别是该宏观的波纹成为了问题。

本发明的第三特征是，关于扁平粉末的矫顽磁力，通过规定纵长方向和厚度方向的值，此外规定两者的比，使磁片的导磁率与表面突起不良的减少并立。因为磁片中扁平粉末在薄片面内层叠取向，所以以前是对于沿纵长方向磁化时的矫顽磁力进行研究。但是，沿厚度方向磁化时的矫顽磁力，不仅只包含软磁性粉末的原材的矫顽磁力，而且包含结晶的各向异性化和形状的各向异性化的信息。特别是发现，通过规定纵长方向和厚度方向的矫顽磁力的绝对值，并且规定两者的比，不仅能够提高磁片的导磁率，而且能够作为抑制薄片的表面突起和宏观的波纹的因素活用。

如以上所述，本发明的磨碎加工与现有的条件，其思想完全不同，其目标是，通过积极地回避能够得到最大的长宽比的条件，以防止薄片表面的突起不良和薄片的宏观的波纹。另外，使本发明中规定的扁平粉末的、振实密度相对于真密度的比和厚度，也积极地避开以前认为的最佳的点，由此实现防止薄片表面的突起和薄片的宏观的波纹。

此外，关于本发明的扁平粉末，通过在磨碎加工后和热处理后追加预定的粒度的分级工序，也可以除去扁平粉末中的粗大异物，更进一步减少磁薄片表面的突起不良。另外，借助历来提出的硅烷偶联剂所代表的表面处理，也可以改善耐腐蚀性或改善对橡胶的分散性。另外，磁片的制造方法也可以是以往提出的方法。例如，可以在甲苯中溶解聚氯乙烯等，向其中混合扁平粉末，将其涂布并使之干燥，以各种压力机和辊压缩而制造。

软磁性扁平粉末

本发明的软磁性扁平粉末，被用于薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片。该软磁性扁平粉末，通过对软磁性粉末进行扁平化处理而取得，平均粒径为40～53μm，振实密度相对于真密度的比为0.20～0.23，平均长宽比为10～40，平均厚度为1.6～3.1μm，氧含量为0.16～0.48质量％，氮含量为10～250ppm。以下，对于这些数值限定的技术性的意义进行说明。

本发明的软磁性扁平粉末，平均粒径为40～53μm，优选为高于43μm且低于51μm，更优选为高于45且低于49μm的范围。在本发明中扁平粉末的平均粒径是影响磁片的导磁率、表面突起和波纹的因素，低于40μm时，导磁率变低，基高于53μm，则表面突起大量发生，并且波纹变大。

本发明的软磁性扁平粉末，振实密度相对于真密度的比为0.20～0.23，优选为高于0.20且低于0.23，更优选为高于0.21且低于0.22的范围。在本发明中，扁平粉末的振实密度相对于真密度的比，是影响磁片的导磁率、表面突起及波纹的因素，低于0.20时，表面突起大量发生，并且波纹变大，若高于0.23，则导磁率变低。

本发明的软磁性扁平粉末，平均长宽比为10～40，优选为高于15且低于35，更优选为高于20且低于30的范围。在本发明中扁平粉末的平均长宽比是影响磁片的导磁率、表面突起和波纹的因素，低于10时，导磁率变低，若高于40，则表面突起大量发生，并且波纹变大。

本发明的软磁性扁平粉末，平均厚度为1.6～3.1μm，优选为高于1.8μm且低于2.8μm，更优选为高于2.0μm且低于2.5μm的范围。在本发明中扁平粉末的平均厚度是影响磁片的导磁率、表面突起和波纹的因素，低于1.6μm时，表面突起大量发生，并且波纹变大，若高于3.1μm，则导磁率变低。

本发明的软磁性扁平粉末，氧含量为0.16～0.48质量％，优选为低于0.40质量％，更优选为低于0.35质量％的范围。在本发明中扁平粉末的氧含量是影响磁片的导磁率的因素，若高于0.48质量％，则导磁率变低。还有，关于磁片的特性，氧含量的下限没有特别制限，但以通常的制法磨碎加工至充分的长宽比，抑制在低于0.16质量％有困难，在雾化、磨碎、热处理等各工序中需要特别的气氛控制，或需要各种还原等的特别的处理，成本升高。因此，优选考虑成本，通过氧含量的下限高于0.20质量％，或高于0.23质量％这一程度的管理来控制各处理。

本发明的软磁性扁平粉末，氮含量为10～250ppm，优选为低于150ppm，更优选为低于100ppm的范围。在本发明中扁平粉末的氮含量是影响磁片的导磁率的因素，若高于250ppm，则导磁率变低。还有，关于磁片的特性，氮含量的下限没有特别限制，但以通常的制法磨碎加工至充分的长宽比，抑制在低于10ppm有困难，在雾化、磨碎、热处理等各工序中需要特别的气氛控制，或需要各种还原等的特别的处理，成本升高。因此，优选考虑成本，在氮含量的下限高于20ppm，或高于30ppm这一程度的管理下控制各处理。

本发明的软磁性扁平粉末，优选在纵长方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力具有48～104A/m，更优选为高于56A/m且低于96A/m，进一步优选为高于64A/m且低于88A/m的范围。在本发明中沿扁平粉末的纵长方向外磁场而测量到的矫顽磁力是影响磁片的导磁率的因素，低于48A/m时，扁平化不充分，若高于104A/m，则扁平粉末中的晶格缺陷多，因此磁片的导磁率变低。

本发明的软磁性扁平粉末，优选在厚度方向上外加磁场而测量到的矫顽磁力具有128～200A/m，更优选为高于136A/m且低于184A/m，进一步优选为高于144A/m且低于168A/m的范围。在本发明中沿扁平粉末的厚度方向外加磁场而测量到的矫顽磁力是影响磁片的导磁率的因素，低于128A/m时，扁平化不充分，若高于200A/m，则扁平粉末中的晶格缺陷多，因此磁片的导磁率变低。

本发明的软磁性扁平粉末，优选在厚度方向外磁场而测量的矫顽磁力，对于在纵长方向外加磁场而测量的矫顽磁力的比具有1.5～3.0，更优选为高于1.7且低于2.7，进一步优选为高于1.9且低于2.4的范围。在本发明中，扁平粉末的沿厚度方向外加磁场而测量的矫顽磁力，对于扁平粉沿末的纵长方向外加磁场而测量的矫顽磁力的比，是影响磁片的导磁率、表面突起和波纹的因素，低于1.5时，导磁率变低，若高于3.0，则表面突起大量发生，并且波纹变大。

本发明的软磁性扁平粉末，以用于磁片用软磁性扁平粉末的公知的合金构成即可，没有特别限定，但作为优选的合金的例子，可列举Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金、Fe-Al合金、Fe-Cr合金和Fe-Si-Cr合金，更优选列举Fe-Si-Al合金，Fe-Si合金，Fe-Ni合金和Fe-Si-Cr合金。

制造方法

本发明的软磁性扁平粉末，能够通过包括如下工序的方法制造：以气体雾化法或圆盘雾化法制作原料粉末的工序；以原料粉末的长宽比达到最大的加工时间的60～95％的时间，且以3～20小时结束磨碎加工的扁平加工工序；在真空或氩气氛中以700～900℃，对经过扁平加工的粉末进行热处理的工序。

根据本发明的制造方法，首先，通过气体雾化法或圆盘雾化法制作原料粉末。气体雾化法，与其他的粉末制作方法比较，能够制造氧含量和氮含量低的合金粉末，容易制作本发明的氧和氮含量范围的扁平粉末。另外，由于制作的合金粉末的形状为球状，所以通过磨碎加工比粉碎更容易进行扁平化，能够制作本发明的平均粒径、振实密度相对于真密度的比、长宽比和厚度的范围的扁平粉末。

关于原料粉末，只要用于磁片用软磁性扁平粉末的公知的合金构成即可，没有特别限定，但作为优选的合金的例子，可列举Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金、Fe-Al合金、Fe-Cr合金和Fe-Si-Cr合金，更优选列举Fe-Si-Al合金、Fe-Si合金、Fe-Ni合金和Fe-Si-Cr合金。

其次，对于该原料粉末进行扁平加工工序。该扁平加工工序其进行方式为，以原料粉末的长宽比达到最大的加工时间的60～95％，优选为高于70％且低于90％，更优选为高于75％且低于85％的时间，且在3～20小时，优选为超过4小时且低于19小时，更优选为超过5小时且低于18小时的范围结束磨碎加工。如上述在长宽比达到最大的磨碎加工时，已经扁平的粉末缠绕、凝集，造成粗大的块发生，磁薄片表面的突起不良多发。因此，在长宽比达到最大的磨碎加工时间的95％以下结束磨碎加工，能够抑制该突起不良。另一方面，若低于长宽比达到最大的磨碎加工时间的60％结束磨碎加工，则没有充分扁平化的接近球状的形状的粉末残存，磁片的表面突起不良多发。因此，通过60～95％的磨碎加工时间，能够制作本发明的扁平粉末。可是，如上述，被加工粉末的形状时刻随着磨碎加工时间发生变化。低于3小时时，没有充分扁平化的接近球状的形状的粉末残存，磁片的表面突起不良多发，若超过20小时，则扁平粉末的缠绕、凝集，导致粗大的块发生，磁片的表面突起不良多发，因此用3～20小时，能够制作本发明的扁平粉末。

接着，进行在真空或氩气氛中，以700～900℃对经过扁平加工的粉末进行热处理的工序。该热处理工序是用于恢复由磨碎加工导入的扁平粉末中的晶格缺陷，改善导磁率的工序。在此，若热处理气氛是大气和氮，则氧化和氮化进行，不能制作本发明的扁平粉末。因此，需要进行真空或不活泼气氛中的热处理，若考虑制造成本，则利用真空或氩气氛，可以低成本制作本发明的扁平粉末。

该热处理工序的热处理温度为700～900℃，优选为高于730℃且低于880℃，更优选为高于750℃且低于850℃。在本发明中，热处理工序是用于恢复由磨碎加工导入的扁平粉末中的晶格缺陷，使矫顽磁力降低的工序，低于700℃时，矫顽磁力的降低不充分，若高于900℃则发生烧结，其成为粗大的块，使薄片表面的突起增加。

【实施例】

以下，通过实施例对于本发明具体地加以说明。首先，在扁平粉末的制作时，通过气体雾化法制作预定的成分的粉末并分级为150μm以下。关于气体雾化，其实施是将氧化铝制坩埚用于熔化，从坩埚下的直径5mm的浇口出液合金熔液，对其喷雾高压氩。利用磨碎机对如此得到的原料粉末进行扁平加工。磨碎机使用SUJ2制的直径4.8mm的钢球，将原料粉末与工业酒精一起投入搅拌容器，使叶片的转速为300和450rpm来实施。将扁平加工后从搅拌容器中取出的扁平粉末与工业酒精移至不锈钢盘，以80℃使之干燥24小时。在氩气中以预定的温度对于如此得到的扁平粉末进行2小时热处理，用于各种的评价。

作为扁平粉末的评价，评价得到的扁平粉末的平均粒径、真密度、振实密度、氧含量、氮含量以及矫顽磁力。平均粒径(体积平均粒径(D50))以激光衍射法评价，真密度以气体置换法评价。振实密度，是将大约80g的扁平粉末填充到容积100ml的圆筒中，以落下高度10mm的振荡次数为200时的充填密度进行评价。矫顽磁力是在直径6mm、高8mm的树脂制容器中填充扁平粉末，测量沿该容器的高度方向磁化时、和沿直径方向磁化时的值。还有，扁平粉末被充填的圆柱的高度方向为厚度方向，因此沿容器的高度方向磁化时为扁平粉末的厚度方向的矫顽磁力，沿容器的直径方向磁化时为扁平粉末的纵长方向的矫顽磁力。在外加磁场144kA/m下实施。

作为磁片的制作和评价，在甲苯中溶解聚氯乙烯，其中混合、分散所得到的扁平粉末。将该分散液以1mm左右的厚度涂布在聚酯树脂上，以常温常湿使之干燥。其后，以130℃、15MPa的压力进行冲压加工，得到磁片。磁片的尺寸为纵150mm、横150mm，厚度为50μm。还有，磁片中的扁平粉末的体积充填率均约50％。目视观察该薄片表面，评价表面突起的个数。此外，将该薄片放置在水平的板上，通过从侧面的目视，将相对于水平的板的起伏高度作为宏观的波纹的大小进行评价。接着，将该磁片切成外径7mm、内径3mm的环状，用阻抗测量器，在室温下测量1MHz的阻抗特性，据此结果计算导磁率(复导磁率的实数部分：μ’)。此外，对于所得到的磁片的截面进行树脂包埋研磨，利用其光学显微镜像随机对于“纵长方向的长度/厚度”进行50个粉末的测量，将其平均作为长宽比。

表1

如表1所示，No.5～6、13～14、20～22、26、28和30～31是本发明例，No.1～4、7～12、15～19、23～25、27、29和32是比较例。

比较例No.1～4中，能够得到最大长宽比的时间作为100％时的加工时间短，平均粒径小，振实密度相对于真密度的比大，扁平粉的长宽比小，扁平粉的厚度厚，氧含量少，纵长方向的矫顽磁力和厚度方向的矫顽磁力小，纵长方向的矫顽磁力对于厚度方向的矫顽磁力的比小，且磨碎加工时间短(除了No.3和4)，因此可见薄片表面的突起不良多，且薄片的复导磁率降低。

比较例No.7～12中，能够得到最大长宽比的时间作为100％的加工时间、平均粒径(除了No.8～9)、振实密度相对于真密度的比、扁平粉的长宽比(除了No.8～10)、扁平粉的厚度、氧含量、纵长方向的矫顽磁力的值及厚度方向的矫顽磁力均不满足本发明的条件，因此可见薄片表面的突起不良多，且在No.7～10中薄片的宏观的波纹，还有No.9～12中薄片的复导磁率降低。

比较例No.15～19中，磨碎加工时间长(No.17和18)，能够得到最大长宽比的时间作为100％时的加工时间长(No.15～18)，平均粒径小(No.15～18)，振实密度相对于真密度的比大(No.15～18)，扁平粉的长宽比大(No.15)，扁平粉的厚度薄(No.15～18)，氧含量多(No.15～18)，纵长方向的矫顽磁力和厚度方向的矫顽磁力的值均大，因此除去No.19，薄片表面的突起不良多。另外，关于薄片的宏观的波纹，No.15～18的情况下可见，且可见薄片的复导磁率的降低，No.16～19的情况也可见。

比较例No.23中，热处理温度高，振实密度相对于真密度的比大，因此薄片表面的突起不良多。比较例No.24和25中，热处理气氛是大气、氮，氧含量多(No.24)，氮含量高，纵长方向的矫顽磁力和厚度方向的矫顽磁力的值均大，因此可见薄片的复导磁率降低。另外，比较例No.27中，能够得到最大长宽比的时间作为100％时的加工时间长，振实密度相对于真密度的比小，扁平粉的厚度薄，且纵长方向的矫顽磁力对于厚度方向的矫顽磁力的比大，因此稍微可见薄片表面的突起不良，可见宏观的波纹。

比较例No.29中，磨碎加工时间长，能够得到最大长宽比的时间作为100％时的加工时间长，振实密度相对于真密度的比小，扁平粉的厚度薄，氧含量多，纵长方向的矫顽磁力和厚度方向的矫顽磁力的值均大，因此薄片表面的突起不良多，且可见薄片的宏观的波纹。另外，比较例No.32中，平均粒径、振实密度相对于真密度的比、及扁平粉的长宽比小，扁平粉的厚度薄，氧含量和氮含量高，纵长方向的矫顽磁力和厚度方向的矫顽磁力的值均大，且纵长方向的矫顽磁力对于厚度方向的矫顽磁力的比小，因此可见薄片表面的突起不良和宏观的波纹，且可见薄片的复导磁率的降低。

相对于此，作为本发明例的No.5～6、13～14、20～22、26、28和30～31任何一个的情况都满足本发明的条件，从而能够提供作为磁片使用时，突起不良少，未见宏观的波纹，且能够实现高导磁率的软磁性扁平粉末和使用了它的高导磁率磁片，以及该软磁性扁平粉末的制造方法，可知起到了以上等工业上极其优异的效果。

Claims (4)

1.一种软磁性扁平粉末，其为薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片用软磁性扁平粉末，其中，该软磁性扁平粉末是通过对软磁性粉末进行扁平化处理而取得的，该软磁性扁平粉末中，

平均粒径为40～53μm，

振实密度相对于真密度的比为0.20～0.23，

平均长宽比为10～40，

平均厚度为1.6～3.1μm，

氧含量为0.16～0.48质量％，

氮含量为10～250ppm。

2.根据权利要求1所述的软磁性扁平粉末，其中，沿扁平粉末的纵长方向外加磁场而测量的矫顽磁力为48～104A/m，

沿扁平粉末的厚度方向外加磁场而测量的矫顽磁力为128～200A/m，

沿扁平粉末的厚度方向外加磁场而测量的矫顽磁力相对于沿扁平粉末的纵长方向外加磁场而测量的矫顽磁力的比为1.5～3.0。

3.一种薄片表面的平滑性优异并具有高导磁率的磁片，其含有权利要求1或2所述的软磁性扁平粉末。

4.一种方法，其为权利要求1或2所述的软磁性扁平粉末的制造方法，其中，包括如下工序：

通过气体雾化法或圆盘雾化法制作原料粉末的工序；

以所述原料粉末的长宽比达到最大的加工时间的60～95％的时间、且以3～20小时结束磨碎加工的扁平加工工序；

对所述经扁平加工的粉末在真空或氩气氛下以700～900℃进行热处理的工序。