CN105097478A - 在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法 - Google Patents

在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，采用的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单，可以使用薄膜晶体管制作产线中已有的PECVD设备，无需增加成本；包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，避免了与水和氧的接触，解决了传统的TFT制程中含有金属铜的栅极或源漏极易被氧化的问题，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。

Description

在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种在栅极表面生长石墨烯的方法及一种在源漏极表面生长石墨烯的方法。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
显示面板是LCD、OLED的重要组成部分。不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT阵列基板、一彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer，LC)所构成，其工作原理是通过在TFT阵列基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
随着半导体显示技术的不断发展，显示面板对薄膜晶体管阵列基板上的电极线以及薄膜晶体管的电极的导电性能的要求越来越高。特别是在高分辨率产品中，为了增加开口率，需要在保证导电性能的基础上减小电极线的线宽；在大尺寸产品中，为了保证画面的刷新频率，需要降低电极线的电阻。由于铜(Cu)材料导电率较佳，目前大尺寸TFT-LCD的制作逐渐导入Cu制程，即栅极，源/漏极均采用Cu材料制作。而现有的铜制程中，铜作为栅极和源漏极，经常会裸露着进行后续制程，在后续高温高湿的制程中易产生被氧化的风险，在铜表面容易形成一层不导电的隔离层，从而影响整个TFT器件的电性表现。所以在铜的表面覆盖上一层高导电性的隔离层，以避免以上问题的产生显得尤其重要。
石墨烯是具有高导电性的单层碳原子，其具有优异的机械性能。已有研究表明通过气相沉积法可以在铜表面生成均匀致密的石墨烯层，由于单层石墨烯具有优异气水隔绝能力，因此可以用于阻止水、氧气与铜的接触，避免铜被氧化的问题。在气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)中，等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种化学气相沉积法称为等离子体增强化学气相沉积。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法，采用气态碳源通过低温的等离子体增强气相沉积(PECVD)制程在栅极表面生成膜厚可控的石墨烯薄膜以降低栅极被氧化的风险，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，形成石墨烯薄膜的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单。
本发明的目的还在于提供另一种在栅极表面生长石墨烯的方法，采用固态碳源通过通过低温的PECVD制程在栅极表面生长膜厚可控的石墨烯薄膜以降低栅极被氧化的风险，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，形成石墨烯薄膜的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单。
本发明的目的还在于提供一种在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用气态碳源通过低温的PECVD制程在源漏极表面生长膜厚可控的石墨烯薄膜以降低源漏极被氧化的风险，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，形成石墨烯薄膜的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单。
为实现上述目的，本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极的基板，所述栅极中含有金属铜；
步骤2、将所述具有栅极的基板放入PECVD反应腔内，通入H2气体进行清洗，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-700℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频功率为100-800W；
步骤3、在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在栅极表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极表面的石墨烯薄膜。
所述步骤2中，所述H2气体的气体流量为80SCCM；将PECVD反应腔内的整体压强保持在3Pa；所述PECVD反应腔内的射频功率为500W；将所述PECVD反应腔内的温度升高至500℃。
所述步骤3中，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔；所述步骤3制得的石墨烯薄膜的图案与栅极的图案完全重叠。
本还提供另一种在栅极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极的基板，所述栅极中含有金属铜；
步骤2、提供固体碳源和溶剂，将所述固体碳源溶解于溶剂中，形成混合溶液，将所述混合溶液均匀涂布在所述具有栅极的基板上，形成覆盖所述栅极和基板的有机薄膜，在50℃-100℃下真空烘烤1-4h，以去除有机薄膜内的溶剂；
步骤3、将所述覆盖有机薄膜的基板置于PECVD反应腔中，通入H2气体，H2气体的气体流量为10-200SCCM，将PECVD反应腔内的温度升高至400℃-700℃，保持PECVD反应腔内的整体压强为23Torr，所述有机薄膜中的固体碳源在PECVD反应腔内转化为石墨烯，反应时间为5-60min，停止通入H2气体并关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极表面的基板的石墨烯薄膜。
所述步骤2中，所述固体碳源为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、或聚二甲基硅氧烷；所述溶剂为甲苯；所述步骤2中的涂布方式为旋转涂布、狭缝涂布、或喷涂。
所述步骤3中，将PECVD反应腔内的温度升高至600℃；所述H2气体的气体流量为100SCCM；所述有机薄膜在PECVD反应腔内的反应时间为20min；所述步骤3制得的石墨烯薄膜的图案与栅极的图案完全重叠。
本发明还提供一种在源漏极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有源漏极的基板，所述源漏极中含有金属铜；
步骤2、将所述具有源漏极的基板放入PECVD反应腔内，通入H2气体进行清洗，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-400℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频功率为100-800W；
步骤3、在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在源漏极表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于源漏极表面的石墨烯薄膜。
所述步骤1中，所述具有源漏极的基板包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述栅极上且覆盖栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层上的源漏极。
所述具有源漏极的基板还包括设于所述栅极上且覆盖所述栅极的石墨烯薄膜。
所述步骤3中，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔；所述步骤3制得的石墨烯薄膜的图案与源漏极的图案完全重叠。
本发明的有益效果：本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，采用的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单，可以使用薄膜晶体管制作产线中已有的PECVD设备，无需增加成本；包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，避免了与水和氧的接触，解决了传统的TFT制程中含有金属铜的栅极或源漏极易被氧化的问题，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明的一种在栅极表面生长石墨烯的方法的示意流程图；
图2为图1的在栅极表面生长石墨烯的方法的步骤1的示意图；
图3为图1的在栅极表面生长石墨烯的方法的步骤4的示意图；
图4为本发明的另一种在栅极表面生长石墨烯的方法的示意流程图；
图5为本发明的一种在源漏极表面生长石墨烯的方法的示意流程图；
图6-7为图5的在源漏极表面生长石墨烯的方法的步骤1的示意图；
图8-9为图5的在源漏极表面生长石墨烯的方法的步骤2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明考虑到TFT-LCD制备工艺对温度的要求，采用了低温的等离子体增强气相沉积(PECVD)方法在含有金属铜的栅极或源漏极表面生成膜厚可控的石墨烯薄膜，而且石墨烯能够按着栅极或源漏极的图案生长，具体而言，整个反应过程中，栅极或源漏极中的铜扮演的是催化剂的角色，含碳前驱体在铜表面分解，成核结晶，而在其他无铜区域，则不会有此反应，这也可以避免石墨烯对其他部分的污染，包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，可避免了栅极或源漏极与水和氧的接触，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。
根据以上原理，请参阅图1，本发明首先提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极12的基板，所述栅极12中含有金属铜。
具体的，如图2所示，所述具有栅极12的基板包括一基板11、及设于所述基板11上的栅极12。
具体的，所述栅极12可以为单层结构或双层结构；所述单层结构为单一的铜层或铜合金层；所述双层结构为铝层与铜层构成的双层复合结构、钼层与铜层构成的双层复合结构、或钛层与铜层构成的双层复合结构。
步骤2、将所述具有栅极12的基板放入PECVD(等离子体增强化学气相沉积)反应腔内，通入H2(氢气)气体进行清洗，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-700℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频(RF)功率为100-800W。
具体的，所述H2气体在PECVD反应腔内被电离成H等离子体，从而实现对基板进行清洗的效果；
优选的，所述H2气体的气体流量为80SCCM。
优选的，将PECVD反应腔内的整体压强保持在3Pa。
优选的，所述PECVD反应腔内的射频功率为500W。
优选的，将所述PECVD反应腔内的温度升高至500℃。
具体的，本发明采用的PECVD设备可以为普通PECVD设备，也可以为改良的PECVD设备，如微波加强PECVD设备，表面波增强PECVD设备等。
步骤3、如图2所示，在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在栅极12表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极12表面的石墨烯薄膜121。
具体的，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔等。
优选的，所述碳氢气体和H2气体的流速比为3：1。
优选的，控制石墨烯的生长时间为3min。
具体的，在所述步骤3的反应过程中，所述栅极12中的金属铜起到催化剂的作用，碳氢气体在铜表面分解，成核结晶，形成石墨烯薄膜，而在栅极12以外的区域，由于不存在金属铜，则不会有此反应，这也可以避免石墨烯对其他部分的污染，从而使得石墨烯能够按照栅极12的图案生长，最终制得的石墨烯薄膜121的图案与栅极12的图案完全重叠。
请参阅图4，本发明提供另一种在栅极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极的基板，所述栅极中含有金属铜。
具体的，所述具有栅极的基板包括一基板、及设于所述基板上的栅极。
具体的，所述栅极可以为单层结构或双层结构；所述单层结构为单一的铜层或铜合金层；所述双层结构为铝层与铜层构成的双层复合结构、钼层与铜层构成的双层复合结构、或钛层与铜层构成的双层复合结构。
步骤2、提供固体碳源和溶剂，将所述固体碳源溶解于溶剂中，形成混合溶液，将所述混合溶液均匀涂布在所述具有栅极的基板上，形成覆盖所述栅极和基板的有机薄膜，在50℃-100℃下真空烘烤1-4h，以去除有机薄膜内的溶剂。
具体的，所述固体碳源为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚丙烯腈(PAN)、或聚二甲基硅氧烷(PDMS)等含碳有机物；所述溶剂为甲苯等有机溶剂。
具体的，所述步骤2中的涂布方式为旋转涂布、狭缝涂布、或喷涂等湿法涂布方式。
步骤3、将所述覆盖有机薄膜的基板置于PECVD反应腔中，通入H2气体，H2气体的气体流量为10-200SCCM，将PECVD反应腔内的温度升高至400℃-700℃，保持PECVD反应腔内的整体压强为23Torr，所述有机薄膜中的固体碳源在PECVD反应腔内转化为石墨烯，反应时间为5-60min，停止通入H2气体并关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极表面的基板的石墨烯薄膜。
优选的，所述步骤3中，将PECVD反应腔内的温度升高至600℃。
优选的，所述H2气体的气体流量为100SCCM。
优选的，所述有机薄膜在PECVD反应腔内的反应时间为20min。
具体的，本发明采用的PECVD设备可以为普通PECVD设备，也可以为改良的PECVD设备，如微波加强PECVD设备，表面波增强PECVD设备等。
具体的，在所述步骤3的反应过程中，所述栅极中的金属铜起到催化剂的作用，所述有机薄膜中的固体碳源在铜表面分解，成核结晶，形成石墨烯薄膜，而在栅极以外的区域，由于不存在金属铜，则不会有此反应，这也可以避免石墨烯对其他部分的污染，从而使得石墨烯能够按照栅极的图案生长，最终制得的石墨烯薄膜的图案与栅极的图案完全重叠。
请参阅图5，本发明还提供一种在源、漏极表面生长石墨烯的方法，包括如下步骤：
步骤1、如图6-7所示，提供一具有源漏极15的基板，所述源漏极15中含有金属铜。
具体的，如图6所示，所述具有源漏极15的基板包括基板11、设于所述基板11上的栅极12、设于所述栅极12上且覆盖栅极12的栅极绝缘层13、设于所述栅极绝缘层13上的半导体层14、及设于所述半导体层14上的源漏极15。
进一步的，如图7所示，所述具有源漏极15的基板还可以包括设于所述栅极12上且覆盖所述栅极12的石墨烯薄膜121。具体的，所述石墨烯薄膜121采用如前所述的两种在栅极上生长石墨烯的方法中的任意一种制得。
具体的，所述源漏极15可以为单层结构或双层结构；所述单层结构为单一的铜层或铜合金层；所述双层结构为铝层与铜层构成的双层复合结构、钼层与铜层构成的双层复合结构、或钛层与铜层构成的双层复合结构。
步骤2、将所述具有源漏极15的基板放入PECVD反应腔内，通入H2气体进行清洗，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-400℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频(RF)功率为100-800W。
由于在源漏极15上生成石墨烯前，已经形成TFT结构，因此在采用PECVD制程制备石墨烯薄膜时，采用较低的温度，300℃-400℃，以尽量避免对已形成的TFT结构的破坏。
优选的，所述H2气体的气体流量为80SCCM。
优选的，将PECVD反应腔内的整体压强保持在3Pa。
优选的，所述PECVD反应腔内的射频功率为500W。
具体的，本发明采用的PECVD设备可以为普通PECVD设备，也可以为改良的PECVD设备，如微波加强PECVD设备，表面波增强PECVD设备等。
步骤3、在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在源漏极15表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，如图8和图9所示，得到覆盖于源漏极15表面的石墨烯薄膜151。
具体的，所述H2气体在PECVD反应腔内被电离成H等离子体，从而实现对基板进行清洗的效果；
具体的，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔等。
优选的，所述碳氢气体和H2气体的流速比为3：1。
优选的，控制石墨烯的生长时间为3min。
具体的，在所述步骤3的反应过程中，所述源漏极15中的金属铜起到催化剂的作用，碳氢气体在铜表面分解，成核结晶，形成石墨烯薄膜，而在源漏极15以外的区域，由于不存在金属铜，则不会有此反应，这也可以避免石墨烯对其他部分的污染，从而使得石墨烯能够按照源漏极15的图案生长，最终制得的石墨烯薄膜151的图案与源漏极15的图案完全重叠。
综上所述，本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，采用的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单，可以使用薄膜晶体管制作产线中已有的PECVD设备，无需增加成本；包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，避免了与水和氧的接触，解决了传统的TFT制程中含有金属铜的栅极或源漏极易被氧化的问题，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极(12)的基板，所述栅极(12)中含有金属铜；
步骤2、将所述具有栅极(12)的基板放入PECVD反应腔内，通入H2气体进行清洗，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-700℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频功率为100-800W；
步骤3、在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在栅极(12)表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极(12)表面的石墨烯薄膜(121)。
2.如权利要求1所述的在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述H2气体的气体流量为80SCCM；将PECVD反应腔内的整体压强保持在3Pa；所述PECVD反应腔内的射频功率为500W；将所述PECVD反应腔内的温度升高至500℃。
3.如权利要求1所述的在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔；所述步骤3制得的石墨烯薄膜(121)的图案与栅极(12)的图案完全重叠。
4.一种在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有栅极的基板，所述栅极中含有金属铜；
步骤2、提供固体碳源和溶剂，将所述固体碳源溶解于溶剂中，形成混合溶液，将所述混合溶液均匀涂布在所述具有栅极的基板上，形成覆盖所述栅极和基板的有机薄膜，在50℃-100℃下真空烘烤1-4h，以去除有机薄膜内的溶剂；
步骤3、将所述覆盖有机薄膜的基板置于PECVD反应腔中，通入H2气体，H2气体的气体流量为10-200SCCM，将PECVD反应腔内的温度升高至400℃-700℃，保持PECVD反应腔内的整体压强为23Torr，所述有机薄膜中的固体碳源在PECVD反应腔内转化为石墨烯，反应时间为5-60min，停止通入H2气体并关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于栅极表面的基板的石墨烯薄膜。
5.如权利要求4所述的在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤2中，所述固体碳源为聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、或聚二甲基硅氧烷；所述溶剂为甲苯；所述步骤2中的涂布方式为旋转涂布、狭缝涂布、或喷涂。
6.如权利要求4所述的在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤3中，将PECVD反应腔内的温度升高至600℃；所述H2气体的气体流量为100SCCM；所述有机薄膜在PECVD反应腔内的反应时间为20min；所述步骤3制得的石墨烯薄膜的图案与栅极的图案完全重叠。
7.一种在源漏极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一具有源漏极(15)的基板，所述源漏极(15)中含有金属铜；
步骤2、将所述具有源漏极(15)的基板放入PECVD反应腔内，通入H2气体，将PECVD反应腔内的温度升高至300℃-400℃，所述H2气体的气体流量为10SCCM至200SCCM，保持PECVD反应腔内的整体压强在1至10Pa，射频功率为100-800W；
步骤3、在所述PECVD反应腔内继续注入H2气体，同时注入碳氢气体，在源漏极(15)表面生长石墨烯，所述碳氢气体和H2气体的流速比为10：1至1:50，控制石墨烯的生长时间为1-10min，关闭PECVD设备，待设备缓慢回温至室温后，得到覆盖于源漏极(15)表面的石墨烯薄膜(151)。
8.如权利要求7所述的在源漏极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤1中，所述具有源漏极(15)的基板包括基板(11)、设于所述基板(11)上的栅极(12)、设于所述栅极(12)上且覆盖栅极(12)的栅极绝缘层(13)、设于所述栅极绝缘层(13)上的半导体层(14)、及设于所述半导体层(14)上的源漏极(15)。
9.如权利要求8所述的在源漏极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述具有源漏极(15)的基板还包括设于所述栅极(12)上且覆盖所述栅极(12)的石墨烯薄膜(121)。
10.如权利要求7所述的在源漏极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，所述步骤3中，所述碳氢气体为甲烷、乙烯、或乙炔；所述步骤3制得的石墨烯薄膜(151)的图案与源漏极(15)的图案完全重叠。
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