CN105097286B

CN105097286B - 一种超高压储能材料的腐蚀方法

Info

Publication number: CN105097286B
Application number: CN201510550854.1A
Authority: CN
Inventors: 杨小飞; 张传超; 蔡小宇; 熊传勇; 刘继林
Original assignee: Guangxi Hezhou Guidong Electronic Technology Co Ltd
Current assignee: Xinjiang Guangtou Guidong Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2015-09-01
Filing date: 2015-09-01
Publication date: 2017-10-31
Anticipated expiration: 2035-09-01
Also published as: CN105097286A

Abstract

本发明公开了一种超高压储能材料的腐蚀方法，所述超高压储能材料为Vt≥800V的铝电解电容器用阳极箔，该腐蚀方法包括以下步骤：前处理→一级直流电化学腐蚀→一次中处理→二级直流电化学腐蚀→二次中处理→三级直流电化学腐蚀→后处理。本发明通过对腐蚀工艺、腐蚀混合溶液配方、原材料铝箔的化学组成及退火工艺等的改进后，生产出的铝箔不仅能满足Vt≥800V超高压化成的需求，并且克服了现有工艺因腐蚀箔孔洞小及不均匀，化成后容易堵塞而造成比容低的缺陷，在获得更高孔径和静电比容的前提下，具有更好的机械强度和使用寿命；同时，生产出的化成箔稳定性好、漏电流低、升压时间快。

Description

一种超高压储能材料的腐蚀方法

技术领域

本发明属于铝电解电容器阳极箔制造技术领域，具体涉及一种铝电解电容器用超高压阳极箔的腐蚀方法。

背景技术

超高压铝电解电容器因其电压高、储能高、充放电快和发热低而广泛应用航空航天、车用变频器和工业变频等领域和行业中。超高压铝电解电容器的核心关键技术在于阳极箔的腐蚀化成工艺。高压腐蚀化成箔原来在国际上仅有日本JCC公司、法国STAMA公司、意大利BECROMAL公司等少数几家企业能实现规模化生产。但近几年我国在这方面的技术研究取得突破，东阳光铝、江苏中联科技集团、凯普松(宜都)和南通南辉电子等企业逐步掌握中高压腐蚀化成箔的生产技术，并实现规模化生产，初步在国内形成垄断格局。

当然，与国外相比，我国企业生产的腐蚀化成箔仍存在性能参数离散性大、一致性差、稳定性不足等一系列问题，制约着我国铝电解电容器技术水平和产品档次的提高。在我国，一般用途的低、中、高压阳极用铝箔基本能满足市场需求，但长寿命(5000h以上)用铝箔、AC铝箔、马达启动电容器用铝箔、工业变频器用铝箔、化成特高压(800V以上)铝箔等，我国尚不能生产或技术上仍不能满足要求。因此，研究开发和应用于超高压铝电解电容器阳极箔生产对我国电极箔行业发展有较大的促进作用。

早前，本发明专利申请人广西贺州市桂东电子科技有限责任公司在铝电解电容器用超高压阳极箔技术领域已有所研究，并形成了多项专利技术：

1、中国专利(CN 102983008A)公开了一种铝电解电容器用超高压阳极箔腐蚀方法，包括如下步骤：前处理→一级直流电化学腐蚀→中处理1→二级直流电化学腐蚀→中处理2→三级直流电化学腐蚀→后处理，采用该方法生产出的阳极箔不仅能满足大于800V仍至1000V化成超高压的需求，并且产出的产品具有漏电流低、升压时间快和良好的机械性能。

2、中国专利(CN 103177878A)公开了一种超高压阳极箔形成方法，将超高压腐蚀箔在130～150℃的水蒸气中静置5～20min；取出在60～80℃含0.2～1.0wt％的柠檬酸氢二铵溶液中浸泡1～5min；取出进行后续形成处理。采用该方法能够使所形成的阳极箔性能稳定，升压时间小于200s，产品漏电流小于25μA/cm²。

但在实际生产过程中，通过上述工艺制备而得的腐蚀阳极箔的孔洞均匀性较差、小，且支孔较多，而化成的前处理过程中所采用的水煮方式会使水合膜生长速度过快，很容易引起孔洞的堵塞，造成生长的氧化膜比表面积减小，从而使化成箔的比容降低。其次，在实际应用过程中，往往达不到理想的使用寿命。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种铝电解电容器用超高压(Vt≥800V)阳极箔的腐蚀新工艺，克服了现有工艺因腐蚀箔孔洞小及不均匀，化成后容易堵塞而造成比容低的缺陷，在获得更高孔径和静电比容的前提下，具有更好的机械强度和使用寿命。

本发明是这样实现的：一种超高压储能材料的腐蚀方法，其中，所述超高压储能材料为Vt≥800的铝电解电容器用阳极箔，具体的，该腐蚀方法包括以下步骤：

(1)前处理：先将原材料铝箔放在0.5-1mol/L氢氧化钠溶液中浸泡50-80s，控制处理温度为40-60℃；再将铝箔放在含1-5wt％硫酸和3-8wt％磷酸的混合溶液中浸泡60-180s，控制处理温度为50-70℃；

(2)一级直流电化学腐蚀：将经步骤(1)处理后的铝箔放在含5-8wt％盐酸、20-35wt％硫酸、0.5-2wt％磷酸及0.5-1wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀70-120s，控制处理温度为60-80℃，电流密度为0.28-0.42A/cm²；

(3)一次中处理：将经步骤(2)处理后的铝箔放在含2-8wt％氯化铵和1-3wt％硝酸铵的混合溶液中浸泡40-60s，控制处理温度为60-80℃；

(4)二级直流电化学腐蚀：将经步骤(3)处理后的铝箔放在含5-12wt％硝酸、0.5-2wt％硫酸、0.5-2wt％磷酸及0.3-0.8wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀2-8min，控制处理温度为60-80℃，电流密度为0.08-0.12A/cm²；

(5)二次中处理：将经步骤(4)处理后的铝箔放在含2-6wt％盐酸和0.05-0.22wt％壬二酸的混合溶液中进行直流电化学腐蚀1-5min，控制处理温度为60-80℃；

(6)三级直流电化学腐蚀：将经步骤(5)处理后的铝箔放在含5-12wt％硝酸、0.5-2wt％硫酸、0.5-2wt％磷酸及0.2-0.6wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀1-5min，控制处理温度为60-80℃，电流密度为0.05-0.1A/cm²；

(7)后处理：将经步骤(5)处理后的铝箔放在5-12wt％硝酸溶液中浸泡30-90s，控制处理温度为60-80℃。

铝箔在轧制以及高温退火过程中，不可避免地在表面粘上油、脂和铝屑等污染物，造成铝箔表面质量不均匀。若直接进行电化学腐蚀，侵蚀后蚀孔的大小、深度及分布不均匀，则不能获得足够大的表面积扩大率，会造成比电容不均匀。由于铝箔表面形成的氧化膜呈两性，因此采用酸碱配合对铝箔表面进行处理非常重要。前处理的主要作用是除去铝箔表面的油污、杂质及自然氧化膜，调整铝箔组织结构，改善其表面状态，使其表面均匀、活化，以利于发孔腐蚀时形成均匀分布的初始孔洞，提高铝箔的电蚀性能。

本发明的一级直流电化学腐蚀的作用是在铝箔表面引发蚀点，并使用蚀点形成大小合理、分布均匀的蚀孔。

本发明的一次中处理的作用是以弱碱性溶液清洗掉一级直流电化学腐蚀阶段铝箔孔洞中的腐蚀混合液，为后续扩孔工艺提供良好的环境。

本发明的二次中处理的作用是在蚀孔形成后进一步对蚀孔进行扩大，减少孔洞内壁氧化膜的形成，有利于后续蚀孔的扩大。

本发明的二级、三级直流电化学腐蚀，其目的是在上级工序完成后的进一步扩孔，最终目的是使用腐蚀孔的孔径满足超高压(Vt≥800V)化成赋能的要求，并保持较高的比容和机械性能。

本发明的后处理的作用是除去铝箔内部残留的氯离子、表面的金属杂质，经过后处理后铝箔表面氯离子残留量≤1mg/m²。

本发明的整个工艺步骤及参数设计科学、合理，过低的处理温度、电流密度与处理时间，铝箔表面几乎没有发生反应，起不到开孔、扩孔作用，而过高的处理温度、电流密度与处理时间，则会使铝箔表面反应过度，产生溶解，严重影响铝箔的机械性能。再配合本发明腐蚀混合溶液，能够在铝箔表面形成适合生产Vt≥800V的铝电解电容器用阳极箔的孔径、孔密度及孔长度微观参数，且在获得更高静电比容的前提下，具有更好的机械强度和使用寿命。

作为本发明的进一步说明，在步骤(4)和(6)中，添加该步骤混合溶液重量0.01-0.1％的添加剂，所述添加剂由甘油和缓蚀剂组成。

所述甘油与缓蚀剂的重量比为1:5-10。

所述缓蚀剂为包括聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、聚乙二醇中的一种或两种以上组合。

所述缓蚀剂的分子量为20000-100000。

添加剂的添加，既能有效提高铝箔的发孔密度，又能抑制铝箔表面溶解并确保扩孔腐蚀电量集中作用于蚀孔的扩大，保证了扩孔蚀孔的孔径大且为贯穿型，进一步提升腐蚀箔的比电容。

作为本发明的进一步说明，以质量分数计，所述原材料铝箔的化学组成中，Al纯度≥99.99％，Cu：0.002-0.0055％，Fe：0.001-0.0035％，Si：0.0005-0.0015％，Pb：0.0001-0.0003％，Zn：0.0001-0.0003％，Mn、Ca、Zr、B、Ni的含量均≤0.0001％，剩余部分为不可避免的杂质。

所述原材料铝箔采用真空530-580℃退火0.5-1.5h制备而得，立方织构≥95％，厚度为110-120μm。

经研究表明，铝箔的最终退火工艺以及铝箔的化学组成、组织结构、表面质量等是影响铝箔发孔性能及比电容的主要因素。例如，过高的退火温度或过长的退火时间均会使晶粒尺寸增大，降低了晶界的密度，进而增加了晶界区域的杂质偏聚程度、腐蚀电流密度，导致腐蚀时容易出现并孔和表面塌陷，使表面腐蚀不均匀。高压铝箔中主要微量元素有Fe、Si、Cu、Mn、Mg、Ni、Ti等，这些固溶的微量元素容易在铝的位错附近偏聚，对铝箔后续的轧制及退火工艺中晶格的形成、晶粒大小、立方织构的形成、漏电流和腐蚀工艺产生重要的影响，最终影响到电容器的性能，因此必须严格控制其含量。本发明结合新工艺，通过严格控制原材料铝箔的退火工艺及化学元素组成、厚度等，促使铝箔腐蚀生成的蚀孔密度高、分布均匀、发孔面积大。

作为本发明的进一步说明，在步骤(1)至(6)的每一个步骤处理完全后，采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1-3min。水洗过后，为后续工序提供良好的环境。

与现有技术相比，本发明的突出优点是：本发明通过对腐蚀工艺、腐蚀混合溶液配方、原材料铝箔的化学组成及退火工艺等的改进后，生产出的铝箔不仅能满足Vt≥800V超高压化成的需求，并且克服了现有工艺因腐蚀箔孔洞小及不均匀，化成后容易堵塞而造成比容低的缺陷，在获得更高孔径和静电比容的前提下，具有更好的机械强度和使用寿命；同时，生产出的化成箔稳定性好、漏电流低、升压时间快。

附图说明

附图1为本发明实施例1腐蚀电极箔蚀孔的电子显微镜扫描图。

附图2为本发明实施例2腐蚀电极箔蚀孔的电子显微镜扫描图。

附图3为本发明实施例3腐蚀电极箔蚀孔的电子显微镜扫描图。

附图4为本发明实施例4腐蚀电极箔蚀孔的电子显微镜扫描图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明，本实施例仅是对本发明作更清楚的说明，而不是对本发明的限制。应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均落在本发明的保护范围之内。

实施例1

一、原材料铝箔的准备：选择采用真空550℃退火1h制备而得的铝箔为原材料，立方织构≥96％，厚度为116μm；原材料铝箔的化学成分组成如下表1。

表1原材料铝箔的化学成分组成(质量分数，％)

二、采用本发明方法制备腐蚀箔，包括如下步骤：

(1)前处理：先将原材料铝箔放在0.8mol/L氢氧化钠溶液中浸泡60s，控制处理温度为50℃；再将铝箔放在含3wt％硫酸和5wt％磷酸的混合溶液中浸泡120s，控制处理温度为60℃；最后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理2min；

(2)一级直流电化学腐蚀：将经步骤(1)处理后的铝箔放在含6wt％盐酸、30wt％硫酸、1.2wt％磷酸及0.8wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀100s，控制处理温度为70℃，电流密度为0.35A/cm²；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(3)一次中处理：将经步骤(2)处理后的铝箔放在含5wt％氯化铵和5wt％硝酸铵的混合溶液中浸泡50s，控制处理温度为70℃；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(4)二级直流电化学腐蚀：将经步骤(3)处理后的铝箔放在含10wt％硝酸、1.2wt％硫酸、1.2wt％磷酸及0.5wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀5min，控制处理温度为70℃，电流密度为0.1A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.05％的添加剂(甘油+聚苯乙烯硫磺钠，重量比为1:8)，其中，聚苯乙烯硫磺钠的分子量≥20000；

(5)二次中处理：将经步骤(4)处理后的铝箔放在含4wt％盐酸和0.15wt％壬二酸的混合溶液中进行直流电化学腐蚀3min，控制处理温度为70℃；

(6)三级直流电化学腐蚀：将经步骤(5)处理后的铝箔放在含8wt％硝酸、1.5wt％硫酸、0.8wt％磷酸及0.3wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀2min，控制处理温度为70℃，电流密度为0.08A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.05％的添加剂(甘油+聚丙烯酸，重量比为1:6)，其中，聚丙烯酸的分子量≥20000；

(7)后处理：将经步骤(5)处理后的铝箔放在10wt％硝酸溶液中浸泡60s，控制处理温度为70℃。

三、进入化成工序生产化成箔，其中，化成条件为：化成液为10wt％硼酸，温度为90℃，电流密度为0.05A/cm²，Vfe为820V或900V。化成后铝箔的主要性能指标如表5所示。

实施例2

一、原材料铝箔的准备：选择采用真空530℃退火1.5h制备而得的铝箔为原材料，立方织构≥95％，厚度为110μm；原材料铝箔的化学成分组成如下表2。

表2原材料铝箔的化学成分组成(质量分数，％)

二、采用本发明方法制备腐蚀箔，包括如下步骤：

(1)前处理：先将原材料铝箔放在1mol/L氢氧化钠溶液中浸泡50s，控制处理温度为455℃；再将铝箔放在含5wt％硫酸和3wt％磷酸的混合溶液中浸泡150s，控制处理温度为50℃；最后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理3min；

(2)一级直流电化学腐蚀：将经步骤(1)处理后的铝箔放在含8wt％盐酸、25wt％硫酸、2wt％磷酸及1wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀70s，控制处理温度为80℃，电流密度为0.42A/cm²；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(3)一次中处理：将经步骤(2)处理后的铝箔放在含8wt％氯化铵和1wt％硝酸铵的混合溶液中浸泡60s，控制处理温度为65℃；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(4)二级直流电化学腐蚀：将经步骤(3)处理后的铝箔放在含12wt％硝酸、0.5wt％硫酸、0.5wt％磷酸及0.3wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀8min，控制处理温度为75℃，电流密度为0.12A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.08％的添加剂(甘油+聚乙二醇，重量比为1:10)，其中，聚乙二醇的分子量≥30000；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(5)二次中处理：将经步骤(4)处理后的铝箔放在含2wt％盐酸和0.22wt％壬二酸的混合溶液中进行直流电化学腐蚀5min，控制处理温度为60℃；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(6)三级直流电化学腐蚀：将经步骤(5)处理后的铝箔放在含5wt％硝酸、2wt％硫酸、2wt％磷酸及0.6wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀5min，控制处理温度为60℃，电流密度为0.05A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.02％的添加剂(甘油+聚丙烯酰胺，重量比为1:10)，其中，聚丙烯酰胺的分子量≥30000；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(7)后处理：将经步骤(5)处理后的铝箔放在12wt％硝酸溶液中浸泡40s，控制处理温度为80℃。

实施例3

一、原材料铝箔的准备：选择采用真空580℃退火0.5h制备而得的铝箔为原材料，立方织构≥95％，厚度为120μm；原材料铝箔的化学成分组成如下表3。

表3原材料铝箔的化学成分组成(质量分数，％)

二、采用本发明方法制备腐蚀箔，包括如下步骤：

(1)前处理：先将原材料铝箔放在0.5mol/L氢氧化钠溶液中浸泡80s，控制处理温度为60℃；再将铝箔放在含2wt％硫酸和8wt％磷酸的混合溶液中浸泡60s，控制处理温度为70℃；最后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理2min；

(2)一级直流电化学腐蚀：将经步骤(1)处理后的铝箔放在含5wt％盐酸、35wt％硫酸、0.5wt％磷酸及0.5wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀120s，控制处理温度为65℃，电流密度为0.3A/cm²；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(3)一次中处理：将经步骤(2)处理后的铝箔放在含3wt％氯化铵和3wt％硝酸铵的混合溶液中浸泡40s，控制处理温度为80℃；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(4)二级直流电化学腐蚀：将经步骤(3)处理后的铝箔放在含5wt％硝酸、2wt％硫酸、2wt％磷酸及0.8wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀3min，控制处理温度为80℃，电流密度为0.08A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.1％的添加剂(甘油+聚丙烯酰胺，重量比为1:5)，其中，聚丙烯酰胺的分子量≥20000；

(5)二次中处理：将经步骤(4)处理后的铝箔放在含2wt％盐酸和0.05wt％壬二酸的混合溶液中进行直流电化学腐蚀2min，控制处理温度为80℃；

(6)三级直流电化学腐蚀：将经步骤(5)处理后的铝箔放在含12wt％硝酸、0.5wt％硫酸、0.5wt％磷酸及0.3wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀1.5min，控制处理温度为75℃，电流密度为0.08A/cm²；同时，添加本步骤混合溶液重量0.6％的添加剂(甘油+聚丙烯酸钠，重量比为1:5)，其中，聚丙烯酸钠的分子量≥20000；

(7)后处理：将经步骤(5)处理后的铝箔放在6wt％硝酸溶液中浸泡90s，控制处理温度为65℃。

实施例4

一、原材料铝箔的准备：选择采用真空550℃退火1h制备而得的铝箔为原材料，立方织构≥96％，厚度为116μm；原材料铝箔的化学成分组成如下表4。

表4原材料铝箔的化学成分组成(质量分数，％)

二、采用本发明方法制备腐蚀箔，包括如下步骤：

(1)前处理：先将原材料铝箔放在0.7mol/L氢氧化钠溶液中浸泡70s，控制处理温度为55℃；再将铝箔放在含2.5wt％硫酸和5wt％磷酸的混合溶液中浸泡100s，控制处理温度为60℃；最后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(2)一级直流电化学腐蚀：将经步骤(1)处理后的铝箔放在含6wt％盐酸、30wt％硫酸、1wt％磷酸及0.8wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀90s，控制处理温度为75℃，电流密度为0.35A/cm²；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(3)一次中处理：将经步骤(2)处理后的铝箔放在含6wt％氯化铵和1.5wt％硝酸铵的混合溶液中浸泡55s，控制处理温度为70℃；然后采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1min；

(4)二级直流电化学腐蚀：将经步骤(3)处理后的铝箔放在含8wt％硝酸、1.2wt％硫酸、1.2wt％磷酸及0.5wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀6min，控制处理温度为65℃，电流密度为0.08A/cm²；

(5)二次中处理：将经步骤(4)处理后的铝箔放在含3wt％盐酸和0.2wt％壬二酸的混合溶液中进行直流电化学腐蚀3min，控制处理温度为70℃；

(6)三级直流电化学腐蚀：将经步骤(5)处理后的铝箔放在含10wt％硝酸、2wt％硫酸、0.5wt％磷酸及0.5wt％铝离子的混合溶液中进行直流电化学腐蚀2min，控制处理温度为70℃，电流密度为0.08A/cm²；

(7)后处理：将经步骤(5)处理后的铝箔放在8wt％硝酸溶液中浸泡60s，控制处理温度为70℃。

表5实施例1-4化成后铝箔的指标性能表

检测项	Cap(μF/cm²)	Vt(V)	抗拉(N/cm)	折弯(次)	Tr(s)
						实施例1	0.508	862	29.1	173	155
实施例2	0.493	857	28.6	168	157
						实施例3	0.512	869	29.5	168	160
实施例4	0.496	871	27.2	175	154

根据表5和附图1-4可知，使用本发明腐蚀工艺可稳定做出Vt≥850V的阳极腐蚀箔，并且克服了现有工艺因腐蚀箔孔洞小及不均匀(腐蚀箔孔径≥1.25μm，孔密度≥10个/μm²，孔长度平均达30μm以上)，化成后容易堵塞而造成比容低的缺陷，在获得更高孔径和静电比容的前提下，具有更好的机械强度和使用寿命；同时，生产出的化成箔稳定性好、漏电流低、升压时间快。

Claims

1.一种超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，所述超高压储能材料为Vt≥800V的铝电解电容器用阳极箔，该腐蚀方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，在步骤(4)和(6)中，添加该步骤混合溶液重量0.01-0.1％的添加剂，所述添加剂由甘油和缓蚀剂组成。

3.根据权利要求1或2任一所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，所述甘油与缓蚀剂的重量比为1:5-10。

4.根据权利要求3所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，所述缓蚀剂为包括聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸钠、聚乙二醇中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求4所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，所述缓蚀剂的分子量为20000-100000。

6.根据权利要求1、2、4、5任一所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，以质量分数计，所述原材料铝箔的化学组成中，Al纯度≥99.99％，Cu：0.002-0.0055％，Fe：0.001-0.0035％，Si：0.0005-0.0015％，Pb：0.0001-0.0003％，Zn：0.0001-0.0003％，Mn、Ca、Zr、B、Ni的含量均≤0.0001％，剩余部分为不可避免的杂质。

7.根据权利要求6所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，所述原材料铝箔采用真空530-580℃退火0.5-1.5h制备而得，立方织构≥95％，厚度为110-120μm。

8.根据权利要求1、2、4、5、7任一所述的超高压储能材料的腐蚀方法，其特征在于，在步骤(1)至(6)的每一个步骤处理完全后，采用去离子水对铝箔进行常温水洗处理1-3min。