CN101383228B - 低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法 - Google Patents

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本发明公开了一种低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法,将腐蚀箔置于温度为60~90℃的己二酸铵和硼酸水溶液中,进行一级化成和二级化成;将二级化成后的铝箔置于磷酸二氢铵溶液中浸渍处理后,再进行去极化和后化成处理,形成铝箔表面的阳极氧化膜。根据本发明的化成方法,可以进一步降低低压铝电解电容器用电极箔的漏电流,电极箔漏电流可降低20~35%。而且本发明方法简单实用,在现有工艺及设备的基础上进行改进后易于实施,可生产出低漏电流的低压铝电解电容器用电极箔,提高产品的质量。

Description

低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种电容器用电极箔的制造方法,尤其是特别涉及一种低压铝电解电 容器用电极箔的制造方法。
背景技术
[0002] 低压铝电解电容器用电极箔的制造,需在铝箔表面形成一层致密的氧化膜,作 为电容器的工作介质。其方法常采用化成处理方法,所谓化成处理是用化学或电化学 (electrochemical)方法处理金属表面,得到金属化合物的覆层(coating),其目的有改进 耐蚀性,涂装附着性,金属着色及化学研磨等作用。
[0003] 现有技术中铝电解电容器用电极箔的化成方法,是将电解腐蚀处理后的铝箔,在 纯水中进行水合处理后,在含有硼酸、有机酸或盐的溶液(任意一种或多种混合的溶液) 中,施加定电压进行化成,在铝箔的表面形成阳极氧化膜。之后,为修复氧化膜中的缺陷,通 常采用热处理等方法进行去极化处理,再在含有硼酸、有机酸或盐的溶液(任意一种或多 种混合的溶液)中,施加定电压进行再化成,使铝箔表面形成所需要的阳极氧化膜。名称为 “降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成方法”(中国专利申请200610039700. 0)涉及一 种降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成方法,将电解腐蚀处理后的铝箔在95 %及以上 的纯水中进行水合处理,特征是在水合后,在浓度0. 05%〜0. 5%的五硼酸铵和1〜10%的 硼酸的60〜90°C水溶液中进行二次化成,然后进行采用热处理方法进行去极化处理,去极 化处理后铝箔再在0. 05%〜0. 2%的五硼酸铵和1〜10%的硼酸水溶液中进行化成液浸 渍。此发明工艺可使所生产的电极箔漏电流可降低20〜30%。
[0004] 但是现有的电极箔的化成方法仍然存在的电极箔漏电流较高等缺点。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于提供一种低压铝电解电容器用电极箔的化成方法,能克服现有 的电极箔化成方法存在的电极箔漏电流较高的缺点,本发明的电极箔化成方法可以进一步 降低电极箔漏电流,生产出低漏电流的低压铝电解电容器用电极箔。
[0006] 本发明的技术解决方案为:
[0007] —种低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法,包括以下步骤:
[0008] 1)将腐蚀箔置于温度为60〜90°C,质量浓度为己二酸铵0. 3%〜6%和硼酸1〜 3%的水溶液中,进行一级化成;
[0009] 2)在温度为60〜90°C,质量浓度为己二酸铵0. 〜3%和硼酸1〜3%的水溶 液中,进行二级化成;
[0010] 3)将二级化成后的铝箔置于温度为50〜80°C,质量浓度为0. 2%〜2%的磷酸二 氢铵水溶液中浸渍60〜120秒;
[0011] 4)浸渍后的铝箔在热处理炉中进行去极化处理;
[0012] 5)在温度为60〜90°C,质量浓度为己二酸铵0. 〜3%和硼酸1〜3%的水溶液中,进行后化成。
[0013] 本发明的工艺过程可以简单描述为以下过程:一级化成一二级化成一磷酸盐浸渍 —高温处理一后化成。经过上述步骤,可以在铝箔的表面形成所需的阳极氧化膜,有效降低 电容器用电极箔的漏电流。
[0014] 所述的腐蚀箔是指铝电解电容器用的高纯度铝箔,经电解腐蚀处理后的铝箔。其 纯度通常为99.99% (wt% )0
[0015] 所述的一级化成,在30〜50mA/cm2电流密度,施加电压10〜65V下进行。所述 的二级化成,在30〜50mA/cm2电流密度,施加电压15〜IlOV下进行。所述的后化成,可 以在30〜50mA/cm2电流密度,施加电压21〜143V下进行处理。
[0016] 去极化处理的目的在于修复阳极氧化膜中的缺陷,本发明采用热处理方法,处理 的温度可以为450〜550°C。如在具体实施例中,是在530°C的热处理炉中进行3分钟去极 化处理。
[0017] 本发明通过对两次化成工艺参数的优化,以及将二次化成的铝箔在磷酸二氢铵溶 液中浸渍后,再进行去极化和后化成处理,可更好的修复阳极氧化膜中的缺陷,形成铝箔表 面的阳极氧化膜。
[0018] 根据本发明的低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法,可以进一步降低 低压铝电解电容器用电极箔漏电流,生产出低漏电流的低压铝电解电容器用电极箔。相比 于现有技术,通过本发明生产的低压铝电解电容器用电极箔漏电流可降低20〜35%。而且 本发明方法简单实用,在现有工艺及设备的基础上进行改进后易于实施,生产出低漏电流 的低压铝电解电容器用电极箔,提高产品的质量。
[0019] 下面结合具体实施方式对本发明进行详细描述。本发明的范围并不以具体实施方 式为限,而是由权利要求的范围加以限定。
具体实施方式
[0020] 实施例1
[0021] 实施例1根据本发明的方法进行低压铝电解电容器用电极箔的化成,包括以下步 骤:
[0022] (1)首先将纯度为99. 99% (wt % )的腐蚀箔置于温度为80 °C、浓度为2. 5 % (wt% )的己二酸铵和(wt% )的硼酸的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加电压50V 进行一级化成;和
[0023] (2)在温度为80°C,浓度为1. 5% (wt% )的己二酸铵和1. 2% (wt% )的硼酸水 溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加65V电压进行二级化成;
[0024] (3)此后,将铝箔置于液温55°C的0. 9% (wt% )的磷酸二氢铵溶液中浸渍70秒;
[0025] (4)为修复阳极氧化膜中的缺陷,将浸渍后的铝箔先在530°C的热处理炉中进行3 分钟去极化处理;
[0026] (5)此后,将去极化处理后的铝箔置于温度为80°C,浓度为1. 5% )的己二 酸铵和1. 2% (wt% )的硼酸的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加65V电压进行后化成 处理,在铝箔的表面形成所需的阳极氧化膜。
[0027] 实施例2[0028] 一种低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法,包括以下步骤:
[0029] (1)首先将纯度为99. 99%的腐蚀箔置于温度为80°C、浓度为5%的己二酸铵和 1. 5%的硼酸的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加电压50V进行一级化成,和
[0030] (2)在温度为80°C,浓度为2.0%的己二酸铵和1.5%的硼酸的水溶液中,50mA/ cm2电流密度下,施加65V电压进行二级化成,
[0031] (3)此后,将铝箔置于液温65°C的1. 5%的磷酸二氢铵溶液中浸渍60秒;
[0032] (4)将浸渍后的铝箔在530°C的热处理炉中进行3分钟去极化处理;
[0033] (5)此后,将去极化处理后的铝箔置于温度为80°C,浓度为2. 0%的己二酸铵和 1. 5%的硼酸的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加65V电压进行后化成处理,在铝箔的表 面形成所需的阳极氧化膜。
[0034] 对比例
[0035] 首先将纯度为99. 99%的腐蚀箔置于浓度为3%的己二酸铵和2%的硼酸80°C的 水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加电压50V进行一级化成,和在2. 0%的己二酸铵和2% 的硼酸80°C的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施加65V电压进行二级化成,此后,为修复 阳极氧化膜中的缺陷,先在530°C的热处理炉中进行3分钟去极化处理。此后,将去极化处 理后的铝箔置于2. 0%的己二酸铵和2%的硼酸80°C的水溶液中,50mA/cm2电流密度下,施 加65V电压进行后化成处理,在铝箔的表面形成所需的阳极氧化膜。
[0036] 根据上述的实施例1和2以及对比例的方法进行铝电解电容器用电极箔的化成, 制得的电极箔的漏电流如下表所示,可见本发明的方法能够有效地降低电极箔漏电流,生 产出低漏电流的低压铝电解电容器用电极箔:
[0037]

Claims (5)

  1. 一种低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法,包括以下步骤:1)将腐蚀后的铝箔置于温度为60~90℃,质量浓度为己二酸铵0.3%~6%和硼酸1~3%的水溶液中,进行一级化成;2)在温度为60~90℃,质量浓度为己二酸铵0.1%~3%和硼酸1~3%的水溶液中,进行二级化成;3)将二级化成后的铝箔置于温度为50~80℃,质量浓度为0.2%~2%的磷酸二氢铵水溶液中浸渍60~120秒;4)浸渍后的铝箔在热处理炉中进行去极化处理;5)在温度为60~90℃,质量浓度为己二酸铵0.1%~3%和硼酸1~3%的水溶液中,进行后化成。
  2. 2.根据权利要求1所述的电极箔的化成方法,其特征在于:所述的一级化成,在30〜 50mA/cm2电流密度,施加电压10〜65V下进行。
  3. 3.根据权利要求1所述的电极箔的化成方法,其特征在于:所述的二级化成,在30〜 50mA/cm2电流密度,施加电压15〜IlOV下进行。
  4. 4.根据权利要求1所述的电极箔的化成方法,其特征在于:所述的后化成,在30〜 50mA/cm2电流密度,施加电压21〜143V下进行处理。
  5. 5.根据权利要求1所述的电极箔的化成方法,其特征在于:所述的去极化处理的温度 为 450 〜550"C。
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