CN105073307B

CN105073307B - 导电性粒子、其制造方法、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物

Info

Publication number: CN105073307B
Application number: CN201480016829.9A
Authority: CN
Inventors: 中谷敏雄; 南山伟明; 小池和德
Original assignee: Toyo Aluminum KK
Current assignee: Toyo Aluminum KK
Priority date: 2013-03-28
Filing date: 2014-03-20
Publication date: 2019-04-19
Anticipated expiration: 2034-03-20
Also published as: CN105073307A; TWI583802B; US10020090B2; KR102226109B1; EP2979781A4; EP2979781B1; TW201446970A; EP2979781A1; WO2014156978A1; KR20210027541A; JP6813519B2; US20160055931A1; KR20180132176A; KR20210104167A; KR20150136121A; JP2018076603A; JPWO2014156978A1; JP6312655B2

Abstract

本发明的导电性粒子具备含有铝的芯粒子及被覆芯粒子的金属被膜，金属被膜具有比芯粒子高的导电性，金属被膜对芯粒子的表面的被覆率为80％以上。

Description

导电性粒子、其制造方法、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物

技术领域

本发明涉及一种导电性粒子、其制造方法、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物。

背景技术

以往，导电性糊剂、导电性涂料、导电性粘接剂等导电性树脂组合物被用于电子零件、电子电路等各种用途。作为这样的导电性树脂组合物所使用的导电性填料，已知有粒状或片状的银(Ag)粒子、铜(Cu)粒子等。然而，Ag虽然具有非常优异的导电性，但存在昂贵的问题，另外，Cu由于容易被氧化，其耐腐蚀性较低，因此存在无法长期保持导电性的问题。

与此相对的是，日本专利特开2008-111175号公报(专利文献1)、日本专利特开2004-52044号公报(专利文献2)、及日本专利特开2006-161081号公报(专利文献3)中提出有Cu粒子的表面被Ag所被覆的导电性填料。该导电性填料具有导电性、耐腐蚀性、耐湿性等优异的特征。但是，Cu由于比重较大，因此在使用Cu粒子作为芯粒子时，存在导电性填料在导电性树脂组合物中容易沉降，其操作性(处理的容易性)较低的问题。

作为解决上述比重的问题的技术，正开发在比重较小的树脂的表面被覆有Ag的导电性填料。但是，由于成为芯粒子的树脂本身无导电性，因此为了在该导电性填料中获得高的导电性，必须增加Ag的使用量，结果存在制造成本变高的问题。

对于上述各种问题，作为廉价、比重较小且具有导电性的芯粒子，可举出铝(Al)粒子。例如，日本专利特开2010-53436号公报(专利文献4)中公开有在Al粒子的表面被覆有Ag的导电性填料。

现有技术文献

专利文献1：日本专利特开2008-111175号公报

专利文献2：日本专利特开2004-52044号公报

专利文献3：日本专利特开2006-161081号公报

专利文献4：日本专利特开2010-53436号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，根据专利文献4中所公开的图也明确得知，专利文献4中所公开的导电性填料大量存在露出Al的部分。这样的导电性粒子有无法发挥出所期待的充分导电性的可能。另外，若露出Al的部分大量存在，则容易从该部分开始腐蚀，结果无法充分地维持导电性填料的导电性。

本发明正是鉴于上述现状而研发的，其目的在于提供一种利用金属被膜充分地被覆含有Al的芯粒子而成的导电性粒子、其制造方法、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物。

用于解决课题的手段

本发明人等为了解决上述问题而进行了各种研究，结果得知：在水溶剂中进行Al粒子的镀敷处理的情况下，存在Al粒子与蚀刻剂剧烈反应的倾向，存在Al粒子也与作为溶剂的水剧烈反应的倾向，另外，存在镀敷反应也变得过度而导致Al粒子溶解的倾向。而且，由于发生这些不必要的反应，因此难以控制目标的反应，结果难以制造利用金属被膜充分地进行被覆的导电性粒子。另外，还得知伴随着上述不必要的反应也会产生氢气。制造过程中的氢气的产生也使得安全方面不理想。

但是，专利文献4中所公开的镀敷处理是非电解镀敷法，为湿式镀敷法的一种。作为对芯粒子被覆金属的方法，有真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)法等干式镀敷法、电镀法、非电解镀敷法等湿式镀敷法。干式镀敷法虽然具有可制作薄膜的优点，但需要大规模的装置，另外，存在对于粒子难以将金属被膜均匀地成膜的问题。另一方面，湿式镀敷法具有无需如干式镀敷法这样的大规模的装置，且可一次处理大量的粒子等被覆对象物等优点。

鉴于上述优点，本发明人等的目的在于：在不采用干式镀敷法而采用非电解镀敷法的基础上，消除上述问题点，由此获得利用金属被膜充分地进行被覆的导电性粒子。

而且，本发明人等通过对非电解镀敷法反复进行研究而获得如下见解：在使用含有Al的芯粒子的情况下，通过将有机溶剂与水溶剂一并用作镀敷处理所使用的反应液，可抑制上述不必要的反应。并且，基于该见解而反复进行进一步的研究，从而完成了本发明。

即，本发明的导电性粒子具备含有铝(Al)的芯粒子及被覆芯粒子的金属被膜，金属被膜具有比芯粒子高的导电性，金属被膜对芯粒子表面被覆率为80％以上。

关于上述导电性粒子，其芯粒子的平均粒径优选为0.1μm以上且50μm以下。

另外，在上述导电性粒子中，优选金属被膜含有选自由金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、锡(Sn)、锌(Zn)、钴(Co)、铬(Cr)及它们的合金构成的组中的至少1种以上。

另外，在上述导电性粒子中，优选金属被膜的膜厚为10nm以上。

另外，在上述导电性粒子中，优选被覆芯粒子的金属被膜的量在导电性粒子中为1质量％以上且80质量％以下。

另外，本发明还涉及含有上述导电性粒子作为导电材的导电性树脂组合物、及在基体上具有由该导电性树脂组合物所形成的涂膜的涂布物。

本发明的导电性粒子的制造方法包括如下工序：在含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中添加含有Al的芯粒子的工序；在含有芯粒子的混合溶剂中添加蚀刻剂而对芯粒子进行蚀刻的工序；及在混合溶剂中进一步添加金属盐及还原剂，从而在经蚀刻的芯粒子的表面形成具有高于芯粒子的导电性金属被膜的工序。

在上述导电性粒子的制造方法中，优选有机溶剂含有醇系溶剂、二醇醚系溶剂及酮系溶剂中的至少1种以上。

另外，关于上述导电性粒子的制造方法，在进行蚀刻的工序及形成金属被膜的工序中，优选混合溶剂中的有机溶剂的体积比例为10％以上且90％以下。

另外，关于上述导电性粒子的制造方法，优选在形成金属被膜的工序中，将混合溶剂的温度调整为0℃以上且60℃以下。

发明效果

本发明的导电性粒子、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物，通过利用金属被膜充分地被覆含有Al的芯粒子，从而显示出导电性优异的非常有益的效果。另外，本发明的导电性粒子的制造方法可制造利用金属被膜充分地被覆含有Al的芯粒子而成的导电性粒子。

附图说明

图1是包含实施例1的导电性粒子的试样的反射电子像(倍率3000倍)。

图2是包含实施例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)。

图3是包含实施例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率3000倍)。

图4是包含比较例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)。

图5是包含铝粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)。

图6是表示将图1的反射电子像中不存在粒子的区域删除的状态的图像的图。

图7是表示黑白二值化处理后的图像的图。

具体实施方式

以下，更详细地说明本发明的导电性粒子、导电性粒子的制造方法、含有其的导电性树脂组合物及导电性涂布物。

《导电性粒子》

本发明的导电性粒子具备含有Al的芯粒子及被覆该芯粒子的金属被膜，金属被膜具有比芯粒子高的导电性，金属被膜对芯粒子表面被覆率为80％以上。另外，优选上述被覆率为85％以上。本说明书中，所谓被覆率，是指芯粒子的面积中利用金属被膜所被覆的面积的比例(％)，例如可根据利用扫描型电子显微镜(SEM，Scanning Electron Microscope)所获得的图像的图像解析，基于下述式(1)而求出。

被覆率(％)＝{S1/(S1+S2)}×100...(1)

(式(1)中，S1表示利用金属被膜所被覆的芯粒子的面积，S2表示未被金属被膜被覆的芯粒子的面积)。

需要说明的是，在本说明书中，表面被覆率是对50个以上的粒子所测得的结果的平均值。

关于具有上述特征的导电性粒子，由于芯粒子含有Al，可具有小于例如Ag粒子等包含其他金属的粒子的比重，因此可防止由上述粒子的沉降所引起的操作性降低。另外，通过使芯粒子含有廉价的Al，可比上述包含其他金属的粒子更廉价地提供。进而，由于芯粒子的表面的80％以上(优选为85％以上)的较广区域被具有高于芯粒子的导电性的金属被膜所被覆，因此既具有廉价且比重较小的上述优点，又具有充分高的导电性。另外，基于该较高的被覆率，在表面的露出的Al较少，因此可抑制腐蚀的产生、进行，结果可充分地维持导电性。

需要说明的是，专利文献4中记载了获得银被覆率为50％以上的铝粉末的技术思想，但本发明人等对专利文献4所公开的技术进行了研究，结果确认导电性粒子的制造困难，实际上难以获得银被覆率为50％以上的铝粉末(参照下述比较例2及3)。可认为此情况是由使用水溶剂的Al的镀敷处理时的不稳定性所引起。

另外，本发明的导电性粒子虽然可通过使用下述的非电解镀敷法的制造方法而制造，但这样的导电性粒子在特性方面不同于通过其他镀敷法、例如电镀法或各种干式镀敷法所制造的导电性粒子。具体而言，在电镀法中，由于在金属被膜形成时使用电，故粒子彼此容易凝聚而难以在各个粒子上均质地形成金属被膜。另外，干式镀敷法中，通常仅能形成膜厚数nm左右的金属被膜，无法形成膜厚数十nm的金属被膜。与此相对的是，非电解镀敷法中，由于难以引起粒子彼此的凝聚，因此可在各粒子上均质地形成金属被膜，还能够自由地调整金属被膜的膜厚。

作为上述导电性粒子的形状，并无特别限制，可举出球形状、椭圆形状、扁平形状(片状)、葫芦形状、多面体形状等各种形状。特别是从因比表面积小而容易镀敷的观点出发，优选球形状。需要说明的是，在本说明书中，所谓球形状，并非是指数学上的球形，而是指肉眼可判断为球形的程度的形状。

上述导电性粒子的平均粒径优选为0.1μm以上且50μm以下，更优选为1μm以上且40μm以下。在上述导电性粒子的平均粒径小于0.1μm的情况下，存在上述导电性粒子的操作性下降，例如在与树脂混合而制造导电性树脂组合物的情形等时，作业性显著下降的情形。另外，在平均粒径超过50μm的情况下，也存在其操作性下降，例如在涂布于基材上而构成涂布物的情况下，有时损害涂布物的表面的平滑性。需要说明的是，本发明中所谓平均粒径，是指基于通过激光衍射法等公知的粒度分布测定法所测得的粒度分布，算出其体积平均值而求出的体积平均粒径。

另外，在上述导电性粒子中，被覆芯粒子的金属被膜的量在导电性粒子中优选为1质量％以上且80质量％以下，更优选为10质量％以上且60质量％以下。在导电性粒子中，被覆芯粒子的金属被膜的量在导电性粒子中小于1质量％时，由于金属被膜变得过薄而无法充分提高导电性粒子的导电性，故不优选，金属被膜的量在上述导电性粒子中超过80质量％时，因金属被膜所产生的金属量变得过多而使成本变高，因而不优选。需要说明的是，被覆芯粒子的表面的金属被膜在导电性粒子中的质量％(金属被膜在导电性粒子中所占的量)可基于能够测定金属质量的公知方法、例如原子吸光光度法来测定。

另外，从设计性的观点出发，上述导电性粒子优选具有至少30以上的L^*值，更优选具有40以上的L^*值，进一步优选具有60以上的L^*值。所谓L^*值，是指CIE1976L^*a^*b^*色空间(CIELAB)的CIE1976亮度，数值越大，表示色调越明亮，JISZ8729所示的L^*值与此对应。需要说明的是，测色用光源使用JISZ8720中规定的辅助光源C。

需要说明的是，本发明的导电性粒子也可含有不可避免的杂质，另外，只要可发挥出本发明的效果，则也可含有其他任意成分。

<芯粒子>

芯粒子是形成本发明的导电性粒子的芯的粒子，其含有Al。具体而言，芯粒子可仅由Al构成，也可为铝合金。作为铝合金，可举出包含作为主金属的Al及选自硅(Si)、镁(Mg)、过渡金属中的至少1种以上的合金等。特别是从工业上生产的容易性、获取的容易性的观点出发，优选芯粒子仅由Al构成。

上述芯粒子的形状并无特别限制，可举出球形状、椭圆形状、扁平形状(片状)、葫芦形状、多面体形状等各种形状。特别是从因比表面积小而容易镀敷的观点出发，优选为球形状。另外，球形状的芯粒子还具有由于通过不活泼气体喷雾法或氮气喷雾法容易制造而容易获取的优点。

另外，上述芯粒子的平均粒径优选为0.1μm以上且50μm以下。在平均粒径小于0.1μm时，其制造困难，随着粒子变得容易凝聚，其操作性下降，故不实用。另外，对于平均粒径超过50μm的情况而言，在配合至树脂中时有产生不均匀分散、掩蔽力下降等问题的可能，从这方面考虑而不优选。

作为这样的芯粒子，例如可使用通过公知的雾化法、破碎法、旋转圆盘法、旋转电极法、空蚀法、旋喷熔炼法等而获得的粉末。另外，也可使用通过物理加工使通过这些方法而获得的粉末变形为扁平状的粒子。特别是从制造成本、均匀性的观点出发，优选使用通过雾化法获得的粉末作为芯粒子。

需要说明的是，本发明的芯粒子也可含有不可避免的杂质，另外，只要可发挥出本发明的效果，则构成芯粒子的Al或Al合金的纯度(％)并无特别限制，从导电性的观点出发，优选为92.5％以上。

<金属被膜>

金属被膜被覆上述芯粒子的表面的80％以上(优选为85％以上)，具有比芯粒子高的导电性。优选该金属被膜含有选自由Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Sn、Zn、Co、Cr及它们的合金构成的组中的至少1种以上。从操作性、试样制备的容易性的观点出发，优选金属被膜包含1种金属。特别是从导电性及成本的观点出发，优选包含Ag的金属被膜。

另外，上述金属被膜的膜厚优选为10nm以上且350nm以下。另外，在芯粒子的形状为球状的情况下，上述金属被膜的膜厚优选为30nm以上且100nm以下，进一步优选为50nm以上且100nm以下，在芯粒子的形状为片状的情况下，上述金属被膜的膜厚优选为10nm以上且100nm以下。在金属被膜的膜厚小于10nm的情况下，导电性粒子无法具有充分高的导电性，若金属被膜的膜厚超过350nm，则在粒子变得容易凝聚的方面考虑而不优选。在金属被膜的膜厚为50nm以上的情况下，可进一步提高被覆率。

需要说明的是，金属被膜的膜厚例如可通过如下方式求出：利用扫描型电子显微镜观察任意的20个导电性粒子的剖面，对各粒子测定金属被膜的5个位置的厚度，求出其算术平均值，将此算术平均值作为平均厚度。

需要说明的是，本发明的金属被膜也可含有不可避免的杂质。另外，只要可发挥出本发明的效果，则构成金属被膜的金属的纯度并无特别限制，从导电性及塑性加工性的观点出发，上述纯度优选为92.5％以上。

如以上所详述的那样，本发明的导电性粒子既可发挥廉价且比重较小的芯粒子的上述优点，又具有充分高的导电性。另外，由于在表面露出的Al的部分较少，因此可抑制腐蚀的产生、发展，结果可充分地维持导电性。因此，本发明的导电性粒子显示出导电性优异的极有利的效果。

《导电性树脂组合物》

本发明还涉及含有上述导电性粒子作为导电材的导电性树脂组合物。本发明的导电性粒子能解决上述技术问题，含有该导电性粒子作为导电材的导电性树脂组合物可继承上述导电性粒子的效果。即，根据本发明的导电性组合物，可抑制导电性树脂组合物中的导电性粒子的沉降，因此结果可具有高的操作性。另外，本发明的导电性树脂组合物可具有高的导电性，另外，不仅可维持其导电性，而且可廉价地提供。

具体而言，上述导电性树脂组合物是使上述导电性粒子分散于树脂中而成的组合物，可举出导电性糊剂、导电性涂料、导电性粘接剂、导电性墨液、导电性薄膜等。这样的导电性树脂组合物例如可通过将上述导电性粒子捏合至树脂中而制造。

上述树脂可使用在该种用途所使用的以往公知的树脂，例如可举出热固化型丙烯酸类树脂/密胺树脂、热固化型丙烯酸类树脂/乙酸丁酸纤维素(CAB)/密胺树脂、热固化型聚酯(醇酸)树脂/密胺树脂、热固化型聚酯(醇酸)/CAB/密胺树脂、异氰酸酯固化型聚氨酯树脂/常温固化型丙烯酸类树脂、水稀释型丙烯酸类乳化液/密胺树脂等。

需要说明的是，导电性树脂组合物中的导电性粒子的含量因用途而异，因此并无特别限定，优选例如相对于树脂100质量份而设为10质量份以上且100质量份以下。在小于10质量份时，存在导电性树脂组合物的导电性变得不充分的情形，在超过100质量份时，有时因导电性树脂组合物中的导电性粒子的量过多，而使操作性下降。另外，上述导电性组合物也可含有树脂及导电性粒子以外的任意的成分。作为任意的成分，例如可举出：玻璃料、金属醇盐、粘度调整剂、表面调整剂。

《导电性涂布物》

本发明还涉及一种在基体上具有由上述导电性树脂组合物所形成的涂膜的涂布物。如上所述，本发明的导电性树脂组合物是能继承本发明的导电性粒子的效果的物质，因此，在基体上具有由该导电性树脂组合物所形成的涂膜的涂布物也能继承本发明的导电性粒子的效果。

关于上述导电性涂布物，具体而言，可举出导电性涂膜、电极、布线、电路、导电性接合结构、导电性粘合带等。涂膜的形状及厚度也无特别限制，可根据其用途而采用所需的厚度。

关于上述基体，可为金属、塑胶等有机物、陶瓷、玻璃等无机物、纸及木材等，其原材没有特别限定。

需要说明的是，将本发明的导电性组合物涂布在基体上的方法没有特别限定，可采用以往公知的涂布方法，可采用任何方法。

《导电性粒子的制造方法》

本发明的导电性粒子的制造方法包括如下工序：在含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中添加含有Al的芯粒子的工序；在含有芯粒子的混合溶剂中添加蚀刻剂而对芯粒子进行蚀刻的工序；及在混合溶剂中进一步添加金属盐及还原剂而在经蚀刻的芯粒子的表面，形成具有比芯粒子高的导电性的金属被膜的工序。以下，对本发明的各工序进行详述。

<添加工序>

本工序是在包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中添加含有Al的芯粒子的工序。

通过本工序，可使成为导电性粒子的芯的芯粒子，预先在成为用于进行镀敷处理的反应溶液的混合溶剂中分散。

另外，有时含有Al的芯粒子附着有油脂等污垢，在该情况下，从前必须在利用仅由水溶剂构成的反应液进行处理之前进行芯粒子的脱脂、清洗等前处理。但与此相对的是，本发明中，由于在包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中添加芯粒子，因此芯粒子所附着的油脂等污垢会通过有机溶剂而从芯粒子的表面被去除。因此，根据本发明，可省略以往必须的前处理，因此可降低制造成本。

本工序中，优选搅拌混合溶剂。由此，可使上述芯粒子更均匀地分散至混合溶剂中，因此可有效率且稳定地进行后续的各工序中的各处理。搅拌方法可使用公知的任一种方法，例如可使用喷射搅拌机、高剪切力混合机等搅拌机或超声波。另外，通过组合这些手段，可在短时间内进行更均匀的分散。

需要说明的是，关于芯粒子的优选的构成、例如组成、形状、制造方法等，与上述导电性粒子的芯粒子相同，因此不再赘述。

上述混合溶剂包含有机溶剂及水溶剂，只要不妨碍后续各工序中的蚀刻反应及镀敷反应，则也可含有其他成分、例如离子性液体等。其中，从制造成本的观点出发，优选为仅由有机溶剂及水溶剂构成。

上述有机溶剂没有特别限定，优选为与水的亲和性高的有机溶剂，特别是，更优选含有醇系溶剂、二醇醚系溶剂及酮系溶剂中的至少1种以上。以往，在水溶剂中添加包含Al的粒子作为芯粒子的情况下，由于伴有Al与水剧烈反应的不必要的反应，因此存在难以控制后续工序中的反应的问题。与此相对的是，本工序中，由于芯粒子添加至包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂，因此可抑制如以往的上述不必要的反应。另外，在使用与水的亲和性高的有机溶剂作为有机溶剂的情况下，这些有机溶剂由于具有极性，因此对水溶剂具有高于其他有机溶剂的混合性(亲和性)，因此含有这些有机溶剂和水溶剂的混合溶剂难以分离，易于保持混合状态。因此，可稳定地进行后续各工序中的各种处理。

作为优选的醇系溶剂，可举出甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、叔丁醇、正丁醇、异丁醇。作为优选的二醇醚系溶剂，可举出乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚。作为优选的酮系溶剂，可举出丙酮、甲基乙基酮。需要说明的是，水溶剂没有特别限制，可使用工业用水、纯化水、离子交换水、超纯水等中的任一种水，从能抑制金属离子与水溶剂中的离子形成沉降物的观点出发，优选离子交换水。

需要说明的是，本工序中，混合溶剂中的有机溶剂的体积比例没有特别限制，优选以在后述的蚀刻工序及形成金属被膜工序中，其体积比例可容易地调整至后述范围内的方式，在本工序中调整其体积比例。

<蚀刻工序>

本工序是对含有芯粒子的混合溶剂中添加蚀刻剂而对芯粒子进行蚀刻的工序。

芯粒子如上所述含有Al，因此其表面存在氧化膜。在不去除该氧化膜的情况下形成金属被膜时，氧化膜显示出绝缘性，因而无法获得具有高导电性的导电性粒子。与此相对的是，本发明中，在形成金属被膜之前，首先在本工序中对芯粒子进行蚀刻。由此，可去除存在于芯粒子的表面的氧化膜。

另外，如上所述，以往的在水溶剂中进行镀敷处理的方法存在如下问题：由于Al与蚀刻剂过度剧烈地反应，另外，伴有Al与水剧烈地反应的不必要的反应，因此难以控制所需的反应。与此相对的是，本发明中，Al的蚀刻在包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中进行。由此，可控制如上所述的不必要的反应，因此可充分地去除存在于芯粒子的表面的氧化膜，并且可抑制芯粒子被过度地蚀刻。

只要上述蚀刻剂可溶解或分散至混合溶剂中，则可使用以往的Al的蚀刻所使用的酸、碱等。作为酸，可使用有机酸、无机酸及它们的盐中的任一物质。作为优选的有机酸，可举出柠檬酸、琥珀酸、苹果酸、草酸、抗坏血酸等；作为优选的无机酸，可举出盐酸、硫酸、硼酸、磷酸等；作为这些有机酸及无机酸的各自的盐，可举出钠盐、钾盐等。另外，作为优选的碱，可举出氢氧化钠、氢氧化钾、氨水。特别是，在后述的形成金属被膜的工序中，在将混合溶剂的pH值调整为碱性的情况下，从使该调整变得容易的观点出发，优选使用碱。

另外，也可在混合溶剂中进一步添加络合剂。络合剂是为了抑制被蚀刻的Al的再析出而与Al形成络合物的物质。具体而言，可使用琥珀酸等羧酸、柠檬酸及酒石酸等羟基羧酸、甘氨酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、氨基酸等，及它们的盐、例如碱金属盐、铵盐等。本工序中，通过使用这样的络合剂，可抑制Al的再析出，因此可进行稳定的蚀刻。

本工序中的混合溶剂、即添加蚀刻剂等添加物后的混合溶剂中有机溶剂的体积比例优选为10％以上且90％以下，更优选为30％以上且70％以下。通过将上述体积比例设为10％以上，可充分地抑制Al与蚀刻剂的过度反应所伴随的不必要的蚀刻。另外，通过将上述体积比例设为90％以下，可充分地避免蚀刻反应的过度抑制所导致的蚀刻不足。另外，通过将上述体积比例设为30％以上且70％以下，可进一步有效地发挥上述效果，进而，将后述的形成金属被膜工序中的上述体积比例调整为特定的体积比例变得容易。

另外，本工序的处理时间优选为10秒以上且120秒以下。小于10秒时，因蚀刻变得不充分，导致芯粒子表面的氧化膜的去除变得不充分，结果存在变得难以获得具有高导电性的导电性粒子的倾向。在超过120秒的情况下，因过度蚀刻，蚀刻剂与芯粒子发生反应，变得容易生成氢氧化物等反应生成物。而且，该反应生成物成为阻碍形成后述的金属被膜的工序的要因，因此结果变得难以获得具有高导电性的导电性粒子。

另外，本工序中，优选对添加有芯粒子及蚀刻剂的混合溶剂进行搅拌。由此，使芯粒子及蚀刻剂均匀地分散至混合溶剂中，因此可有效地对芯粒子进行蚀刻。

<形成金属被膜的工序>

本工序是在混合溶剂中进一步添加金属盐及还原剂，从而在经蚀刻的芯粒子的表面形成具有比芯粒子高的导电性的金属被膜的工序。即为进行镀敷处理的工序。

针对本工序的效果，一边与公知技术进行比较一边说明。首先，如上所述，以往在水溶剂中进行镀敷处理的方法存在如下问题：由于Al与蚀刻剂过度剧烈地反应，另外，伴有Al与水剧烈地反应的不必要的反应，因此难以控制所需的反应，结果无法充分地对芯粒子进行被覆。与此相对的是，根据本工序，金属被膜的形成是在包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中进行的。由此，可抑制上述不必要的反应，因此可制造充分地利用金属被膜进行被覆了的具有高导电性的导电性粒子。

另外，以往，在使通过蚀刻而去除氧化膜的芯粒子移动至下述镀敷处理液中时，因芯粒子从蚀刻溶液取出而暴露于大气中，从而存在芯粒子的表面再次形成氧化膜的情况。与此相对的是，根据本工序，由于对含蚀刻剂的混合溶剂进一步添加镀敷处理所需的金属盐及还原剂，芯粒子不会暴露于大气中。因此，可防止对蚀刻后的芯粒子再形成氧化膜，并且可形成金属被膜。由此，可抑制因存在氧化膜而引起的导电性的下降，因此能够成品率良好地制造利用金属被膜充分地进行了被覆的具有高导电性的导电性粒子。

另外，以往，若将芯粒子的蚀刻与金属被膜的形成同时在一个处理液中进行，则存在如下情况：在芯粒子的表面，经蚀刻的一部分区域开始析出构成金属被膜的金属。这种情况下，在金属析出的区域会形成局部电池，随着该局部电极的形成，促进局部的Al的溶解反应，因而溶解反应的控制变得复杂化、困难化，结果存在无法形成均质的金属膜被膜的情况。与此相对的是，根据本发明，在蚀刻的工序之后进行形成金属被膜的工序。由此，可消除上述问题点，因此能够成品率良好地制造利用金属被膜充分地被覆的具有高导电性的导电性粒子。

本工序所使用的上述金属盐优选可在包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中稳定地溶解的盐，可使用硝酸盐、硫酸盐、亚硝酸盐、草酸盐、碳酸盐、氯化物、乙酸盐、乳酸盐、氨基磺酸盐、氟化物、碘化物、氰化物等。

金属盐中所含的金属通过本工序而转化为构成金属被膜的金属。该金属具有比芯粒子高的导电性，特别优选从由Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Sn、Zn、Co、Cr及它们的合金构成的组中选择。这些金属及合金具有比芯粒子充分高的导电性，因此可制造以具有高导电性为目标的导电性粒子。

其中，在使用Au、Ag、Pt的情况下，本发明的效果变得更显著。其原因如下。即，在使用以往的水溶剂的非电解镀敷法中，由于构成芯粒子的Al的标准电极电位与Au、Ag、Pt的各标准电极电位的差特别大，因此存在特别难以均匀地构成包含这些中任一金属的金属被膜的倾向。与此相对的是，本工序中，在混合溶剂中进行非电解镀敷法的情况下，即便使用这些金属，也可制造利用金属被膜充分地被覆的导电性粒子。其中，从导电性及成本的观点出发，优选使用Ag。

还原剂是在混合溶剂中使由金属盐生成的金属在芯粒子的表面还原析出的物质。具体而言，可使用葡萄糖、蔗糖等糖类，纤维素、淀粉、糖原等多糖类；乙二醇、丙二醇、甘油等多元醇类；次磷酸、甲醛、氢化硼、二甲胺硼烷、三甲胺硼烷、肼酒石酸等。需要说明的是，肼酒石酸盐优选碱金属盐。

另外，也可在混合溶剂中进一步添加络合剂。络合剂是用于抑制所生成的Al的再析出而与Al形成络合物的物质。具体而言，可使用琥珀酸等羧酸、柠檬酸及酒石酸等羟基羧酸、甘氨酸、乙二胺四乙酸(EDTA)、氨基酸等，及它们的盐、例如碱金属盐、铵盐等。本工序中，通过使用这样的络合剂，可抑制Al的再析出，因此可稳定地使金属被膜成长。

本工序中的混合溶剂、即添加金属盐及还原剂等添加物后的混合溶剂中的有机溶剂的体积比例优选为10％以上且90％以下，更优选为30％以上且70％以下。在上述体积比例小于10％的情况下，无法充分地抑制过度的镀敷反应，有Al不必要地溶解的可能。另外，上述体积比例超过90％的情况下，有抑制所需的镀敷反应的可能。另外，通过将上述体积比例设为30％以上且70％以下，可更适宜地调整镀敷反应的程度。

另外，本工序中，在形成包含Ag的金属被膜的情况下，特别优选将添加有添加物的混合溶剂的pH值调整为碱性，更优选为8以上且12以下。其原因在于：与酸性条件相比，碱性条件下更容易控制Ag的镀敷反应。需要说明的是，混合溶剂的pH值可通过上述的还原剂、络合剂等的添加量进行调整，也可通过向混合溶剂中添加氢氧化钠、氢氧化钾或氨水等而容易地进行调整。

另外，本工序中，优选为将混合溶剂的温度调整为0℃以上且60℃以下，更优选为5℃以上且50℃以下，进一步优选为10℃以上且35℃以下。在混合溶剂的温度小于0℃的情况下，金属被膜的形成速度变得过慢而无效率。另外，混合溶剂的温度超过60℃的情况下，形成速度变得过快，因而变得难以形成均匀的金属被膜。

另外，本工序的处理时间优选为15分钟以上且120分钟以下，更优选为30分钟以上且90分钟以下。在处理时间小于15分钟的情况下，存在镀敷反应不充分，有时芯粒子的被覆量小于80％。另外，若处理时间超过120分钟，则混合溶剂中不必要的反应进行，而有时混合溶剂发生凝胶化。

另外，本工序中，优选对混合溶剂进行搅拌。由此，可使芯粒子及其他成分均匀地分散至混合溶剂中，因此可抑制芯粒子彼此的凝聚，并且可使目标的反应在混合溶剂中均匀地发生，因此可在芯粒子的表面有效地形成金属被膜。

<其他工序>

本发明的导电性粒子的制造方法只要进行上述各工序，则也可含有其他工序。作为其他工序，例如可举出：在对混合溶剂添加芯粒子之前，将芯粒子清洗的工序；将所制造的导电性粒子从混合溶剂中取出的工序等。

如以上所详述，根据本发明的制造方法，可一边抑制不必要的反应，一边通过蚀刻去除含有铝的芯粒子的表面的氧化膜，进而可一边继续抑制不必要的反应，一边在上述芯粒子的表面稳定地形成金属被膜。因此，其结果是金属被膜的形成中的反应的控制变得容易，由此可制造利用金属被膜充分地被覆芯粒子的导电性粒子。

具体而言，根据本发明的制造方法，可制造金属被膜对芯粒子表面被覆率为80％以上的导电性粒子。由此，显示出高的被覆率的导电性粒子可具有因构成金属被膜的金属带来的高导电性。另外，通过使用例如比重小的含有铝的芯粒子，制备含有所制造的导电性粒子作为导电材的导电性树脂组合物时，与仅由银构成的导电性粒子等其他导电性粒子相比，可抑制其沉降，因此结果其操作性变得优异。进而，通过使用含有可廉价地获取的铝的芯粒子，可降低导电性粒子的制造成本。

另外，本发明的制造方法使用非电解镀敷法，所制造的导电性粒子在以下方面不同于通过电解镀敷法、干式镀敷法等其他制造方法所制造的导电性粒子。即，在电镀法中，由于形成金属被膜时使用电，因此粒子彼此容易凝聚，从而难以在各个粒子上均质地形成金属被膜。另外，在干式镀敷法中，通常仅可形成膜厚数nm左右的金属被膜，无法形成膜厚数十nm的金属被膜。与此相对的是，非电解镀敷法中，由于难以引起粒子彼此的凝聚，因此可在各个粒子上均质地形成金属被膜，另外，可自由地调整金属被膜的膜厚。

如以上所详述，本发明的导电性粒子的制造方法可制造包含上述导电性粒子即含有Al的芯粒子、及被覆该芯粒子的金属被膜，且金属被膜具有比芯粒子高的导电性，金属被膜对芯粒子表面被覆率为80％以上的导电性粒子。

另外，本发明所使用的镀敷法是作为湿式镀敷法之一的非电解镀敷法。因此，与干式镀敷法相比，无需大规模的装置，且可一次性制造大量的导电性粒子。

实施例

以下，列举实施例更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。

《研究1》

<实施例1>

1.材料的制备

制备以下的材料。

作为芯粒子使用从球形状至粒状形状的Al粉末(平均粒径5μm，东洋铝株式会社制造)。作为混合溶剂使用将异丙醇(IPA)50升与离子交换水200升混合而成的溶剂。作为蚀刻剂使用将氢氧化钠566g混合至IPA并调整为10升的蚀刻溶液。需要说明的是，该蚀刻溶液也作为pH值调整剂发挥功能。作为金属盐及络合剂，使用向氨水6.4升中添加硝酸银1415g，并利用离子交换水调整为10升的硝酸银水溶液。即，硝酸银水溶液中所含的硝酸银作为金属盐发挥功能，氨作为络合剂发挥功能。另外，作为还原剂使用将葡萄糖4.3kg混合至IPA中并调整为10升的还原剂溶液。

2.导电性粒子的制造

首先，在混合溶剂中添加2kg Al粉末，使用夹钳式喷射搅拌机对混合溶剂进行搅拌。由此，使芯粒子分散至混合溶剂中(“添加工序”)。接着，在该混合溶剂中添加蚀刻溶液1.75升，连续搅拌90秒，由此进行芯粒子的蚀刻(“蚀刻工序”)。接下来，在该混合溶剂中添加剩余的蚀刻溶液8.25升、硝酸银水溶液10升、及还原剂溶液10升。然后，将该混合溶剂的液温调整为27℃并搅拌30分钟，从而进行镀敷处理(“形成金属被膜的工序”)。

上述处理后，对混合溶剂中所产生的浆料进行过滤分离，利用离子交换水及甲醇将所过滤分离的浆料清洗。然后，使清洗的浆料在130℃的真空环境下干燥。由此，获得作为芯粒子的Al粒子被包含Ag的被膜所被覆的被覆银的铝粒子，作为导电性粒子。

<实施例2>

1.材料的制备

作为芯粒子使用从球形状至粒状形状的Al粉末(平均粒径6μm，东洋铝株式会社制造)。作为混合溶剂使用将IPA 1升、正丁醇1升及离子交换水3.4升混合而成的溶剂。作为蚀刻剂使用将氢氧化钠189g混合至IPA并调整为1.4升的蚀刻溶液。需要说明的是，该蚀刻溶液也作为pH值调整剂发挥功能。作为金属盐及络合剂使用向氨水2.1升中添加硝酸银472.4g并调整为2.5升的硝酸银水溶液。即，硝酸银水溶液中所含的硝酸银作为金属盐发挥功能，氨作为络合剂发挥功能。另外，作为还原剂使用将葡萄糖710g混合至正丁醇中并调整为1.4升的还原剂溶液。

2.导电性粒子的制造

首先，向混合溶剂中添加Al粉末700g，使用夹钳式喷射搅拌机对混合溶剂进行搅拌，同时进行利用超声波的分散。需要说明的是，利用超声波的分散使用超声波清洗机来实施。由此，使芯粒子分散至混合溶剂中(“添加工序”)。接着，在该混合溶剂中添加上述蚀刻溶液15ml并连续搅拌30秒，由此进行芯粒子的蚀刻(“蚀刻工序”)。接着，在该混合溶剂中添加硝酸银水溶液2.5升及还原剂溶液1.4升。然后，将该混合溶剂的液温调整为30℃并搅拌60分钟而进行镀敷处理(“形成金属被膜的工序”)。

上述处理后，对混合溶剂中所产生的浆料进行过滤分离，利用离子交换水及甲醇清洗所过滤分离的浆料。然后，使清洗的浆料在130℃的真空环境下干燥。由此，获得作为芯粒子的Al粒子被包含Ag的被膜所被覆的被覆银的铝粒子，作为导电性粒子。

<实施例3>

1.材料的制备

制备以下的材料。

作为芯粒子使用从球形状至粒状的粒子形状的Al粉末(平均粒径33μm，东洋铝株式会社制造)。作为混合溶剂使用将IPA80升与离子交换水170升混合而成的溶剂。作为蚀刻剂使用将氢氧化钠553g混合至丙二醇单丙醚中并调整为10升的蚀刻溶液。需要说明的是，该蚀刻溶液也作为pH值调整剂发挥功能。金属盐及络合剂使用向氨水6.2升中添加硝酸银1381g并利用离子交换水调整为10升的硝酸银水溶液。即，硝酸银水溶液中所含的硝酸银作为金属盐发挥功能，氨作为络合剂发挥功能。另外，作为还原剂使用将葡萄糖8.3kg混合至丙二醇单丙醚中并调整为10升的还原剂溶液。

2.导电性粒子的制造

首先，在混合溶剂中添加Al粉末3.3kg，使用高剪力混合机对混合溶剂进行搅拌。由此，使芯粒子分散至混合溶剂中(“添加工序”)。接着，在该混合溶剂中添加蚀刻溶液1升并连续搅拌120秒，由此进行芯粒子的蚀刻(“蚀刻工序”)。接着，对该混合溶剂添加剩余的蚀刻溶液9升、硝酸银水溶液10升、及还原剂溶液10升。然后，将该混合溶剂的液温调整为43℃并搅拌45分钟而进行镀敷处理(“形成金属被膜的工序”)。

上述处理后，对混合溶剂中所产生的浆料进行过滤分离，利用离子交换水及甲醇将所过滤分离的浆料清洗。然后，使清洗的浆料于130℃的真空环境下干燥。由此，获得作为芯粒子的Al粒子被包含Ag的被膜所被覆的被覆银的铝粒子，作为导电性粒子。

<实施例4>

1.材料的制备

制备以下的材料。

作为芯粒子使用从球形状至粒状形状的Al粉末(平均粒径2.3μm，东洋铝株式会社制造)。作为混合溶剂使用将乙醇7升与离子交换水2.5升混合而成的溶剂。作为蚀刻剂使用将氢氧化钠320g混合至IPA中并调整为2.3升的蚀刻溶液。需要说明的是，该蚀刻溶液也作为pH值调整剂发挥功能。金属盐及络合剂使用向氨水2.0升添加硝酸银800g并利用离子交换水调整为2.3升的硝酸银水溶液。即，硝酸银水溶液中所含的硝酸银作为金属盐发挥功能，氨作为络合剂发挥功能。另外，作为还原剂使用将葡萄糖1.2kg混合至乙醇中并调整为2.3升的还原剂溶液。

2.导电性粒子的制造

首先，在混合溶剂中添加Al粉末500g，使用夹钳式喷射搅拌机对混合溶剂进行搅拌。由此，使芯粒子分散至混合溶剂中(“添加工序”)。接着，在该混合溶剂中添加蚀刻溶液180ml并连续搅拌90秒，由此进行芯粒子的蚀刻(“蚀刻工序”)。接着，在该混合溶剂中添加剩余的蚀刻溶液2.1升、硝酸银水溶液2.3升、及还原剂溶液2.3升。然后，将该混合溶剂的液温调整为3℃并搅拌30分钟而进行镀敷处理(“形成金属被膜的工序”)。

<比较例1>

关于材料，使用250升的IPA代替混合溶剂，除此以外，设为与实施例1相同。另外，关于导电性粒子的制造，通过与实施例1相同的方法而制造被覆银的铝粒子。

<比较例2>

关于材料，使用5.4升的离子交换水代替混合溶剂，除此以外，设为与实施例2相同。另外，关于导电性粒子的制造，进行与实施例2相同的方法。

<比较例3>

关于材料，使用250升的离子交换水代替混合溶剂，除此以外，设为与实施例3相同。另外，关于导电性粒子的制造，进行与实施例3相同的方法。

<金属被膜的被覆量>

求出各实施例及各比较例的导电性粒子上的金属被膜的被覆量(质量％)。

具体而言，首先，准备使各导电性粒子溶解至酸溶液中而成的各试样。然后，针对该各试样，使用原子吸收分光光度计(制品名：“A-2000”，株式会社日立高技术制造)测定导电性粒子中所含的金属成分。而且，根据该测定结果算出Al/Ag的质量比，基于该质量比，由下述式(2)算出各导电性粒子的平均被覆量(质量％)。将该结果示于表1。需要说明的是，上述各试样使用如下的试样：适量采取导电性粒子后，使用包含硝酸及氢氟酸的混酸在室温下以30分钟左右的时间使该导电性粒子溶解，并稀释至适于测定的浓度而成的试样。另外，测定波长为328.1nm，气体条件设为空气-乙炔。

被覆量(质量％)＝{W1/(W1+W2)}×100...(2)

(式(2)中，W1表示构成金属被膜的金属(Ag)的质量，W2表示构成芯粒子的金属(Al)的质量)。

[表1]

<金属被膜的被覆率>

求出各实施例及各比较例中的导电性粒子中金属被膜的被覆率(％)。

具体而言，首先，准备使各导电性粒子分散至碳带上的各试样。接着，使用扫描型电子显微镜(制品名：“JSM-5510”，日本电子株式会社制造)在加速电压5kV、测定倍率3000倍的条件下拍摄各试样的反射电子像。将包含实施例1的导电性粒子的试样的反射电子像(倍率3000倍)示于图1。图1中，可见粒子状的区域对应于导电性粒子，在该导电性粒子的间隙可见黑色的区域对应于碳带。

另外，作为参考，将包含实施例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)示于图2，将包含实施例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率3000倍)示于图3，将包含比较例1的导电性粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)示于图4，将包含铝粒子的试样的二次电子像(倍率2000倍)示于图5。由图2及图3可观察到：实施例1的导电性粒子的表面相对平滑，该表面被金属被膜均质地被覆。另一方面，由图4可观察到：比较例1的导电性粒子的表面不均匀地分散存在金属被膜。图4中，附着于导电性粒子上而使其表面凹凸的物质对应于金属被膜。

回到图1，使用图像处理软件(制品名：“Photoshop(注册商标)”，AdobeSystems公司)对所拍摄的反射电子像进行以下(1)～(3)的处理，由此算出金属被膜对导电性粒子的被覆率(％)。需要说明的是，表2中的“被覆率(％)”表示50个以上的导电性粒子的平均被覆率。

(1)将反射电子像(图1)中不存在粒子的部分(出现碳带的区域)删除。图6表示将图1的反射电子像中不存在粒子的区域删除的状态的图像，图6中，导电性粒子间可见的黑白交替格状的区域相当于被删除的区域。

(2)对图6的剩余区域(黑白交替格状以外的区域)进行黑白二值化处理。图7为黑白二值化处理后的图像，黑白交替格状的区域相当于上述(1)中被删除的区域及黑白二值化处理中被判定为具有白(level＝1)的属性的区域，黑白交替格状以外的区域相当于黑白二值化处理中被判定为具有黑(level＝0)的属性的区域。图6的黑白二值化处理中，被判定为具有黑的属性的区域相当于导电性粒子中Al露出的区域，被判定为具有白的属性的区域相当于导电性粒子中被Ag被覆的区域。

(3)通过将图7中的具有黑(level＝0)的属性的图像像素数(A)即图7的黑白交替格状以外的区域的图像像素数、及图6中的整体图像的图像像素数(B)即图6的黑白交替格状以外的区域的图像像素数代入{(B-A)/B}×100的式，算出被覆率(％)。

需要说明的是，关于上述反射电子像，使用包含50个以上的粒子的图像。观察时一个图像不包含50个以上粒子的情况下，改变观察时的视野，准备多个图像，合并它们再使用。

<金属被膜的膜厚>

关于金属被膜的膜厚，利用扫描型电子显微镜(制品名：“JSM-5510”，日本电子株式会社制造)观察任意的20个导电性粒子的剖面，对各粒子测定金属被膜的5个位置的厚度，由此求出其算术平均值，将该算术平均值作为平均厚度。

<导电性粒子的粒径>

求出各实施例及各比较例的导电性粒子的平均粒径。

具体而言，首先，在加入了甲醇50ml的试样浴中添加包含各导电性粒子的粉末(粒子的集合体)0.4g而制作试样，对该试样进行1分钟超声波分散(15W)。然后，使用激光衍射/散射式粒径分布测定装置(制品名：“LA-300”，堀场制作所制造)对刚分散后的试样浴进行粒径分布的测定，测定堆积平均的粒度分布的D50的粒径，由此算出平均粒径。

<评价>

关于金属被覆率，由表2可明确得知：使用包含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂而制造的各实施例的导电性粒子为80％以上的金属被覆率。与此相对的是，使用有机溶剂制造的比较例1的导电性粒子为50％以下的较低的金属被覆率。

另外，着眼于实施例2及实施例3，虽然其金属被膜的被覆量(质量％)小于比较例1的值，但其被覆率(％)显示80％以上。由此推测：通过使用混合溶剂，在各工序中反应适当被控制，由此可在芯粒子的整个表面形成更均匀的厚度的金属被膜。

另外，关于平均粒径，由表1可明确得知，比较例1的导电性粒子的平均粒径显示出实施例1的导电性粒子的平均粒径值的倍数以上的值，此值相当于所使用的Al粉末的粒径的倍数以上的值。另一方面，关于金属被膜的被覆量(质量％)，实施例1显示出较大的值。通常难以认为以表1所示的程度的被覆量(质量％)，导电性粒子的平均粒径会达到作为原料的Al粉末的粒径的倍数以上。因此推测比较例1的导电性粒子是粒子彼此凝聚而成的粒子。

需要说明的是，关于比较例2及比较例3，在它们的制造工序中，水溶剂与Al粉末剧烈反应，由此Al粉末溶解而凝胶化，因而不能制造导电性粒子。由此可推测：使用水溶剂难以在Al粉末的表面形成金属被膜，假使能够制造上述导电性粒子，其制造条件也受极大限制，所制造的导电性粒子无法保持恒定的品质。

《研究2》

<涂膜的形成>

使用实施例1～4及比较例1中所制造的导电性粒子而形成涂膜。各涂膜以导电性粒子的体积比率成为60％的方式来制作。

具体而言，关于实施例1、2及比较例1，将被覆银的铝粉末3g及树脂溶液(商品名：“nippe acrylic auto clear super”，Nippon Paint社制造)3g混合，使用涂敷器将所获得的混合物以干燥后的涂膜厚度成为30μm的方式涂布于PET薄膜上，在100℃下干燥30分钟，由此形成涂膜。

另外，关于实施例3，在被覆银的铝粉末2.73g中混合树脂溶液(与上述相同)3g，使用涂敷器将所获得混合物以干燥后的涂膜厚度成为100μm的方式涂布于PET薄膜上，在100℃下干燥30分钟，由此形成涂膜。

另外，关于实施例4，在被覆银的铝粉末3.7g中混合树脂溶液(与上述相同)3g，使用涂敷器将所获得的混合物以干燥后的涂膜厚度成为30μm的方式涂布于PET薄膜上，在100℃下干燥30分钟，由此形成涂膜。

需要说明的是，涂膜中的导电性粒子的体积比率可根据下述计算式而求出。

体积比率(％)＝{[(导电性粒子的质量(g)/导电性粒子的比重(g/cm³)]/[(树脂溶液的质量(g)×树脂溶液的溶剂率(％)/树脂溶液的比重(g/cm³))+(导电性粒子的质量(g)×导电性粒子的比重(g/cm³)]}×100(其中，树脂溶液的溶剂率(％)为32％)。

另外，涂膜的厚度通过利用数显标准外径测微计(商品名：“IP65 COOLANT PROOFMicrometer”，Mitutoyo株式会社制造)进行测定而确以。

<电阻率>

针对各涂膜，使用四探针式表面电阻测定器(商品名：“Loresta GP”，MitsubishiAnalytech株式会社制造)测定任意的5点，将其平均值作为电阻率值(Ω·cm)。具体而言，将导电性涂膜的尺寸、平均涂膜厚度、测定点的坐标以数据输入至四探针式表面电阻测定器中，自动进行计算，将由此获得的值作为导电性涂膜的电阻率值。将结果示于表2。需要说明的是，电阻率值越小，表示导电性越优异。

[表2]

<L^*值>

针对各涂膜，由依据JIS-Z8722的条件a所记载的方法测得的Y值，获得JIS-Z8729所规定的作为亮度的L^*值。具体而言，使用多角分光测色计(商品名：“X-RiteMA-68II”，X-Rite公司制造)，通过45度的测定角度进行测定。将其结果示于表2。需要说明的是，L值的数值越高，表示白色度越高。

<评价>

关于电阻率，比较例1由于利用金属被膜所形成的被覆不充分，因此测定时无法流过固定的电流，而无法测定。与此相对的是，实施例1～4显示出充分低的电阻率。由该情况确认：含有实施例1～4的导电性粒子的涂膜具有高导电性。

另外，关于L^*值可确认：实施例1～4的涂膜中，被覆金属的铝粉末具有优于比较例1的色调。这认为是以下原因：被覆金属在Al粉末上均匀地析出。另外，由该结果得知，关于本发明的导电性粒子，在其金属被膜包含Ag的情况下，L^*值成为30以上，进而成为40以上。可认为该值是判断是否为本发明的导电性粒子的一个要因。

如上所述对本发明的实施方式及实施例进行了说明，但最初已计划可将上述各实施方式及实施例的构成适当组合。

应认为本发明所公开的实施方式及实施例在所有方面均为例示而非限制性描述。本发明的范围并非上述说明的部分而是由具体技术方案所表示的，也包括与本法技术方案等同的含义及范围内的所有变更。

Claims

1.一种导电性粒子，其具备：含有铝的芯粒子、及被覆所述芯粒子的金属被膜，并且所述金属被膜具有高于所述芯粒子的导电性，所述金属被膜对所述芯粒子表面被覆率为80％以上，

所述导电性粒子的L*值为40以上，

所述金属被膜的膜厚为10nm以上。

2.如权利要求1所述的导电性粒子，其中，所述芯粒子的平均粒径为0.1μm以上且50μm以下。

3.如权利要求1所述的导电性粒子，其中，所述金属被膜含有选自由金、银、铜、镍、铂、钯、锡、锌、钴、铬及它们的合金构成的组中的至少1种以上。

4.如权利要求1所述的导电性粒子，其中，被覆所述芯粒子的金属被膜的量在所述导电性粒子中为1质量％以上且80质量％以下。

5.一种导电性树脂组合物，其含有权利要求1～4中任一项所述的导电性粒子作为导电材。

6.一种涂布物，其在基体上具有由权利要求5所述的导电性树脂组合物所形成的涂膜。

7.一种导电性粒子的制造方法，其包括如下工序：

在含有机溶剂及水溶剂的混合溶剂中添加含有铝的芯粒子的工序；

在含有所述芯粒子的混合溶剂中添加蚀刻剂而对所述芯粒子进行蚀刻的工序；及

在混合溶剂中进一步添加金属盐及还原剂，从而在经蚀刻的所述芯粒子的表面形成具有高于所述芯粒子的导电性的金属被膜的工序，

所述有机溶剂含有醇系溶剂、二醇醚系溶剂及酮系溶剂中的至少1种以上。

8.如权利要求7所述的导电性粒子的制造方法，其中，在所述进行蚀刻的工序及所述形成金属被膜的工序中，混合溶剂中的所述有机溶剂的体积比例为10％以上且90％以下。

9.如权利要求7所述的导电性粒子的制造方法，其中，在形成所述金属被膜的工序中，将混合溶剂的温度调整为0℃以上且60℃以下。