CN104919899A - 透明电极、电子器件、及有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及透明电极、电子器件、及有机电致发光元件。所述透明电极具备：使用含有氮原子(N)的化合物而构成了的含氮层、与含氮层邻接而设置了的以银(Ag)作为主要成分的电极层和具有比含氮层高的折射率、且夹持电极层和所述含氮层而配置了的2个高折射率层。

Description

透明电极、电子器件、及有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及透明电极、电子器件、及有机电致发光元件，特别是涉及兼备导电性和透光性的透明电极、以及使用了该透明电极的电子器件及有机电致发光元件。
背景技术
利用了有机材料的电致发光(electroluminescence：以下记为EL)的有机电致发光元件(所谓有机EL元件)，为在数V～数十V左右的低电压下可发光的薄膜型的完全固体元件，具有高亮度、高发光效率、薄型、轻量这样的许多优异的特征。因此，作为各种显示器的背光、标牌或应急灯等的显示板、照明光源等的面发光体近年来备受瞩目。
这样的有机电致发光元件为在2片电极间夹持使用有机材料而构成了的发光层的构成，发光层中产生的发光光透过电极而取出到外部。因此，2片电极中的至少一者以透明电极的形式构成。
作为透明电极，一般使用氧化铟锡(SnO2-In2O3：Indium Tin Oxide：ITO)等的氧化物半导体系的材料，但也进行了层叠ITO和银来谋求低电阻化的研究(例如参照下述专利文献1、2)。然而，ITO由于使用稀有金属的铟，因此，材料成本高，另外为了降低电阻，需要在成膜后在300℃左右进行退火处理。因此，提案有将电导率高的银等的金属材料薄膜化了的构成、在银中混合铝而通过以与银单独相比薄的膜厚来确保导电性的构成(例如参照下述专利文献3)、以及通过采用在由银以外的金属构成的基底层上设有银薄膜层的层叠结构来确保透光性的构成(例如参照下述专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-15623号公报
专利文献2：日本特开2006-164961号公报
专利文献3：日本特开2009-151963号公报
专利文献4：日本特开2008-171637号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，即使为使用电导率高的银、铝而构成了的透明电极，也难以谋求充分的导电性和透光性的两立。
因此，本发明的目的在于，提供兼备充分的导电性和透光性的透明电极、及通过使用该透明电极而谋求了性能的提高的电子器件及有机电致发光元件。
用于解决课题的技术方案
用于达到这样的目的的本发明的透明电极具备：使用含有氮原子(N)的化合物而构成了的含氮层、与上述含氮层邻接而设置了的以银(Ag)作为主要成分的电极层和具有比上述含氮层高的折射率、且夹持上述电极层和上述含氮层而配置了的2个高折射率层。
另外，本发明的电子器件的特征在于：具有上述构成的透明电极。电子器件例如为有机电致发光元件。
如上构成了的透明电极为相对于使用含有氮原子的化合物而构成了的含氮层、邻接地设有以银作为主要成分的电极层的构成。由此，以银作为主要成分的电极层通过与构成含氮层的氮原子的相互作用，在邻接界面的银原子的扩散距离减少，凝聚受到抑制。因此，一般而言，将容易通过核生长型(Volumer-Weber：VW型)的膜生长而孤立为岛状的银薄膜通过单层生长型(Frank-van der Merwe：FM型)的膜生长而成膜。因此，可得到虽然为薄的膜厚但均匀的膜厚的电极层。
另外，利用折射率比含氮层高的高折射率层来夹持含氮层及电极层，由此可防止透明电极中的光反射。
因此，在该透明电极中，能够可靠地得到通过为薄的膜厚而确保透光性、同时通过为均匀的膜厚而确保了导电性的电极层，进而也可期待通过防止光反射而带来的透光性的提高。由此，可谋求使用了银的透明电极中的导电性的提高和透光性的提高的两立。
发明的效果
如以上说明的那样根据本发明，可谋求透明电极中的导电性的提高和透光性的提高的两立，另外，可谋求使用了该透明电极的电子器件及有机电致发光元件的性能的提高。
附图说明
图1为表示本发明的透明电极的构成的剖面示意图。
图2为表示用于说明氮原子的键合样式的TBAC和Ir(ppy)3的结构式的图。
图3为表示吡啶环的结构式和分子轨道的图。
图4为表示吡咯环的结构式和分子轨道的图。
图5为表示咪唑环的结构式和分子轨道的图。
图6为表示δ-咔啉环的结构式和分子轨道的图。
图7为表示使用了本发明的透明电极的有机电致发光元件的一个例子的剖面构成图。
图8为表示含氮层的有效非共有电子对含有率[n/M]和层叠于含氮层的电极层的薄层电阻的关系的图表。
图9为对实施例2中制作的底部发光型的有机电致发光元件进行说明的剖面构成图。
具体实施方式
以下，基于附图按照以下所示的顺序对本发明的实施方式进行说明。
1.透明电极
2.透明电极的用途
3.有机电致发光元件
4.照明装置
《1.透明电极》
图1为表示本发明的实施方式的透明电极的构成的剖面示意图。如该图所示，透明电极1为层叠了含氮层1a、与其邻接而设置的电极层1b和夹持它们的2层的高折射率层H1、H2的4层结构，例如在基材11的上部依次设有高折射率层H1、含氮层1a、电极层1b、高折射率层H2。其中，构成透明电极1中的电极部分的电极层1b为以银(Ag)作为主要成分而构成的层。另外，相对于电极层1b的含氮层1a的特征在于，使用含有氮原子(N)的化合物而构成，特别是将与构成电极层1b的主材料即银稳定地键合的氮原子的非共有电子对设为[有效非共有电子对]，使用该[有效非共有电子对]的含有率为规定范围的化合物。另外，高折射率层H1、H2为折射率比含氮层1a高的层。
以下，对设有这样的层叠结构的透明电极1的基材11、构成透明电极1的含氮层1a、电极层1b、及高折射率层H1、H2依次说明详细的构成。予以说明，本发明的透明电极1的所谓透明是指在波长550nm下的透光率为50％以上。
＜基材11＞
形成有本发明的透明电极1的基材11，可以举出例如玻璃、塑料等，但并不限定于这些。另外，基材11可以为透明也可以为不透明。本发明的透明电极1在从基材11侧取出光的电子器件中使用的情况下，基材11优选为透明。作为可优选使用的透明的基材11，可以举出玻璃、石英、透明树脂膜。
作为玻璃，例如可以举出石英玻璃、钠钙石英玻璃、铅玻璃、硼硅酸盐玻璃、无碱玻璃等。从与含氮层1a的密合性、耐久性、平滑性的观点考虑，可以根据需要对这些玻璃材料的表面实施研磨等的物理处理或形成由无机物或有机物构成的被膜、组合了这些被膜的混合被膜。特别优选的基材11为可对透明电极1及使用其而构成的有机电致发光元件等的电子器件赋予挠性的树脂膜。
作为树脂膜，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等的聚酯、聚乙烯、聚丙烯、赛璐玢、纤维素二乙酸酯、纤维素三乙酸酯(TAC)、纤维素乙酸酯丁酸酯、纤维素乙酸酯丙酸酯(CAP)、纤维素乙酸酯邻苯二甲酸酯、纤维素硝酸酯等的纤维素酯类或它们的衍生物、聚偏氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇、间规立构聚苯乙烯、聚碳酸酯、降冰片烯树脂、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、聚苯硫醚、聚砜类、聚醚酰亚胺、聚醚酮酰亚胺、聚酰胺、氟树脂、尼龙、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸类或者聚芳酯类、アートン(商品名JSR公司制)或者アペル(商品名三井化学公司制)这样的环烯烃系树脂等。
也可以在树脂膜的表面形成由无机物或有机物构成的被膜、组合了这些被膜的混合被膜。这样的被膜及混合被膜优选为通过依据JIS-K-7129-1992的方法测得的水蒸气透过度(25±0.5℃、相对湿度90±2％RH)为0.01g/(m2·24小时)以下的阻隔性膜(也称为阻隔膜等)。另外，进一步优选通过依据JIS-K-7126-1987的方法测得的氧透过度为10-3ml/(m2·24小时·atm)以下、水蒸气透过度为10-5g/(m2·24小时)以下的高阻隔性膜。
作为形成如上所述的阻隔性膜的材料，只要为具有抑制水分、氧等的造成元件的劣化的物质的浸入的功能的材料即可，例如可使用氧化硅、二氧化硅、氮化硅等。进而，为了改善该阻隔性膜的脆弱性，更优选具有这些无机层和由有机材料构成的层(有机层)的层叠结构。无机层和有机层的层叠顺序没有特别限制，但优选将两者交替层叠多次。
对于阻隔性膜的形成方法没有特别限定，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、反应性溅射法、分子束外延法、团簇离子束法、离子镀法、等离子体聚合法、大气压等离子体聚合法、等离子体CVD法、激光CVD法、热CVD法、涂布法等，但特别优选利用日本特开2004-68143号公报中记载的大气压等离子体聚合法。
另一方面，在基材11为不透明的情况下，例如可以使用铝、不锈钢等的金属基板、不透明树脂基板、陶瓷制基板等。这些基板也可以为挠性地进行弯曲的膜状。
<含氮层1a>
含氮层1a为与电极层1b邻接而设置的层，使用含有氮原子(N)的化合物而构成。含氮层1a的膜厚为1μm以下,优选为100nm以下。而且，特别是该化合物的特征在于，将作为一个例子的该化合物中所含有的氮原子中、特别是与构成电极层1b的主材料即银稳定键合的氮原子的非共有电子对设为[有效非共有电子对]，该[有效非共有电子对]的含有率为规定范围。
在此，[有效非共有电子对]为化合物中所含有的氮原子所具有的非共有电子对中、与芳香族性无关且未与金属配位的非共有电子对。在此的芳香族性是指具有π电子的原子以环状排列的不饱和环状结构，为依据所谓“休克尔规则”的芳香族性，以环上的π电子体系中所含的电子数为“4n+2”(n＝0、或自然数)个为条件。
就如上所述的[有效非共有电子对]而言，不管具备该非共有电子对的氮原子自身是否为构成芳香环的杂原子，均可通过氮原子所具有的非共有电子对是否与芳香族性相关来选择。例如即使某氮原子为构成芳香环的杂原子，只要该氮原子的非共有电子对为未作为必须要素直接与芳香族性相关的非共有电子对、即未作为用于表现出芳香族性所必须的要素与共轭不饱和环结构(芳香环)上的非定域化的π电子系相关的非共有电子对，则该非共有电子对被计为一个[有效非共有电子对]。与此相对，即使在某氮原子不是构成芳香环的杂原子的情况下，只要该氮原子的非共有电子对与芳香族性有关，则该氮原子的非共有电子对不被计为[有效非共有电子对]。予以说明，在各化合物中，上述的[有效非共有电子对]数n与具有[有效非共有电子对]的氮原子数一致。
接着，举出具体例对上述的[有效非共有电子对]详细地进行说明。
氮原子为15族元素，在最外层具有5个电子。其中，3个的未成对电子用于与其它原子的共价键合，剩余的2个为一对非共有电子对。因此，通常氮原子的键合个数为3个。
例如，作为具有氮原子的基团，可以举出氨基(-NR1R2)、酰胺基(-C(＝O)NR1R2)、硝基(-NO2)、氰基(-CN)、重氮(-N2)、叠氮基(-N3)、脲键(-NR1C＝ONR2-)、异硫氰酸酯基(-N＝C＝S)、硫代酰胺基(-C(＝S)NR1R2)等。予以说明，R1、R2分别为氢原子(H)或取代基。构成这些基团的氮原子的非共有电子对由于与芳香族性无关且未与金属配位，因此，符合[有效非共有电子对]。其中，硝基(-NO2)的氮原子所具有的非共有电子对虽然被利用于与氧原子的共振结构，但如以后的实施例所示那样可得到良好的效果，因此，认为作为与芳香族性无关且未与金属配位的[有效非共有电子对]存在于氮上。
另外，氮原子也可通过利用非共有电子对而形成第4个键。使用图2说明此时的一个例子。图2为四丁基氯化铵(TBAC)的结构式和三(2-苯基吡啶)铱(III)[Ir(ppy)3]的结构式。
其中，TBAC为四个丁基中的1个与氮原子离子键合、具有氯化物离子作为抗衡离子的季铵盐。此时，构成氮原子的非共有电子对的电子中的1个被供于与丁基的离子键合。因此，TBAC的氮原子等同于原本不存在非共有电子对。因此，构成TBAC的氮原子的非共有电子对不符合与芳香族性无关且未与金属配位的[有效非共有电子对]。
另外，Ir(ppy)3为铱原子和氮原子配位键合的中性的金属络合物。构成该Ir(ppy)3的氮原子的非共有电子对与铱原子配位而被利用于配位键合。因此，构成Ir(ppy)3的氮原子的非共有电子也不符合与芳香族性无关且未与金属配位的[有效非共有电子对]。
另外，氮原子一般作为可构成芳香环的杂原子，可有助于芳香族性的表现。作为该“含氮芳香环”，例如可以举出吡啶环、吡嗪环、嘧啶环、三嗪环、吡咯环、咪唑环、吡唑环、三唑环、四唑环等。
图3为表示作为以上例示的基团中的一个的吡啶环的结构式和分子轨道的图。如图3中所示，吡啶环在六元环状地排列的共轭(共振)不饱和环结构中，非定域化了的π电子数为6个，因此，满足4n+2(n＝0或自然数)的休克尔规则。六元环内的氮原子取代-CH＝，因此，仅使1个非成对电子移动至6π电子系，非共有电子对未作为用于表现出芳香族性所必须的要素而相关。
因此，构成吡啶环的氮原子的非共有电子对不符合与芳香族性无关且未与金属配位的[有效非共有电子对]。
图4为表示吡咯环的结构式和分子轨道的图。如图4中所示，吡咯环为构成五元环的碳原子中的一个被氮原子取代的结构，π电子数仍为6个，为满足休克尔规则的含氮芳香环。吡咯环的氮原子由于均与氢原子键合，因此，使非共有电子对移动至6π电子系。
因此，吡咯环的氮原子虽然具有非共有电子对，但该非共有电子对作为为了芳香族性表现所必需的要素而被利用，因此不符合与芳香族性无关且未与金属配位的[有效非共有电子对]。
图5为表示咪唑环的结构式和分子轨道的图。如图5中所示，咪唑环具有二个氮原子N1、N2在五元环内的1、3位取代的结构，为π电子数仍为6个的含氮芳香环。其中一个氮原子N1仅使1个非成对电子移动至6π电子系，为未将非共有电子对用于表现出芳香族性的吡啶环型的氮原子，该氮原子N1的非共有电子对符合[有效非共有电子对]。与此相对，另一个氮原子N2由于为使非共有电子对移动至6π电子系的吡咯环型的氮原子，因此，该氮原子N2的非共有电子对不符合[有效非共有电子对]。
因此，在咪唑环中，仅构成其的二个氮原子N1、N2中的一个氮原子N1的非共有电子对符合[有效非共有电子对]。
如上所述的“含氮芳香环”的氮原子中的非共有电子对的分选在具有含氮芳香环骨架的稠环化合物的情况也可同样地应用。
图6为表示δ-咔啉环的结构式和分子轨道的图。如图6所示，δ-咔啉环为具有含氮芳香环骨架的稠环化合物，为苯环骨架、吡咯环骨架、及吡啶环骨架依次稠合而成的氮杂咔唑化合物。其中，吡啶环的氮原子N3仅使1个非成对电子移动至π电子系，吡咯环的氮原子N4使非共有电子对移动至π电子系，成为与来自形成环的碳原子的11个π电子一起，整体的π电子数为14个的芳香环。
因此，δ-咔啉环的二个氮原子N3,N4中构成吡啶环的氮原子N3的非共有电子对符合[有效非共有电子对]，但构成吡咯环的氮原子N4的非共有电子对不符合[有效非共有电子对]。
这样，构成稠环化合物的氮原子的非共有电子对与构成稠环化合物的吡啶环、吡咯环等的单环化合物中的键同样地与稠环化合物中的键有关。
而且，就以上说明的[有效非共有电子对]而言，为了表现与作为电极层1b的主要成分的银的强的相互作用，是重要的。具有这样的[有效非共有电子对]的氮原子，从稳定性、耐久性的观点考虑，优选为含氮芳香环中的氮原子。因此，含氮层1a中所含有的化合物优选具有以具有[有效非共有电子对]的氮原子为杂原子的芳香族杂环。
特别是在本实施方式中，将这样的化合物的相对于分子量M的[有效非共有电子对]的数n定义为例如有效非共有电子对含有率[n/M]。而且，含氮层1a的特征在于，使用该[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]的方式选择的化合物构成。另外，含氮层1a若如上定义的有效非共有电子对含有率[n/M]为3.9×10-3≤[n/M]的范围，则优选，若为6.5×10-3≤[n/M]的范围，则进一步优选。
另外，含氮层1a只要使用有效非共有电子对含有率[n/M]在上述的规定范围的化合物构成即可，可仅由这样的化合物构成，另外，也可以混合使用这样的化合物和其它化合物而构成。其它化合物可以不含氮原子，进而有效非共有电子对含有率[n/M]也可以不在上述的规定范围。
在含氮层1a使用多种化合物而构成的情况下，例如基于化合物的混合比求出混合了这些化合物的混合化合物的分子量M，将相对于该分子量M的[有效非共有电子对]的合计数n作为有效非共有电子对含有率[n/M]的平均值而求出，该值优选为上述的规定范围。即，优选含氮层1a自身的有效非共有电子对含有率[n/M]为规定范围。
予以说明，在含氮层1a使用多种化合物而构成的情况下，若为化合物的混合比(含有比)在膜厚方向不同的构成，则只要与电极层1b相接的侧的含氮层1a的界面中的有效非共有电子对含有率[n/M]为规定范围即可。
[化合物I]
以下，作为构成含氮层1a的化合物，示出上述的有效非共有电子对含有率[n/M]满足2.0×10-3≤[n/M]的化合物的具体例(No.1～No.48)。各化合物No.1～No.48中，对具有[有效非共有电子对]的氮原子标记○。另外，在下述表1中，示出这些化合物No.1～No.48的分子量M、[有效非共有电子对]的数n、及有效非共有电子对含有率[n/M]。在下述化合物33的酞菁铜中，氮原子所具有的非共有电子对中未与铜配位的非共有电子对被计数为[有效非共有电子对]。
[化学式14]
[化学式15]
[化学式16]
[化学式17]
[化学式18]
[化学式19]
[表1]
予以说明，上述表1中示出了这些例示化合物也属于表示以后说明的其它的化合物的通式(1)～(8a)的情况下的相应通式。
[化合物II]
另外，作为构成含氮层1a的化合物，除如上所述的有效非共有电子对含有率[n/M]为上述的规定范围的化合物以外，还可使用其它化合物。含氮层1a中所使用的其它化合物不管有效非共有电子对含有率[n/M]是否在上述的规定范围，均可优选使用含有氮原子的化合物。其中，可特别优选使用包含具有[有效非共有电子对]的氮原子的化合物。另外，含氮层1a中所使用的其它化合物可使用具有应用具备该含氮层1a的透明电极1的电子器件所需的性质的化合物。例如，在该透明电极1作为有机电致发光元件的电极来使用的情况下，从其成膜性、电子传输性的观点考虑，作为构成含氮层1a的化合物，可优选使用具有以后说明的通式(1)～(8a)所示结构的化合物。
这些具有由通式(1)～(8a)表示的结构的化合物中，也包含适于上述的有效非共有电子对含有率[n/M]的范围的化合物，若为这样的化合物，则可单独作为构成含氮层1a的化合物来使用(参照上述表1)。另一方面，若具有由下述通式(1)～(8a)表示的结构的化合物为不适于上述的有效非共有电子对含有率[n/M]的范围的化合物，则通过与有效非共有电子对含有率[n/M]为上述的范围的化合物混合，可作为构成含氮层1a的化合物来使用。
[化学式20]
上述通式(1)中的X11表示-N(R11)-或-O-。另外，通式(1)中的E101～E108各自表示-C(R12)＝或-N＝。E101～E108中的至少1个为-N＝。上述R11及R12分别表示氢原子(H)或取代基。
作为该取代基的例子，可以举出烷基(例如甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、辛基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基等)、环烷基(例如环戊基、环己基等)、烯基(例如乙烯基、烯丙基等)、炔基(例如乙炔基、炔丙基等)、芳香族烃基(也称为芳香族碳环基、芳基等，例如苯基、对氯苯基、均三甲苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、薁基、苊基、芴基、菲基、茚基、芘基、联苯基)、芳香族杂环基(例如呋喃基、噻吩基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、喹唑基、咔唑基、咔啉基、二氮杂咔唑基(表示上述咔啉基的构成咔啉环的任意一个碳原子被氮原子替换了的基团)、酞嗪基等)、杂环基(例如吡咯烷基、咪唑烷基、吗啉基、噁唑啉基等)、烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、十二烷氧基等)、环烷氧基(例如环戊氧基、环己氧基等)、芳氧基(例如苯氧基、萘氧基等)、烷硫基(例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基等)、环烷硫基(例如环戊硫基、环己硫基等)、芳硫基(例如苯硫基、萘硫基等)、烷氧基羰基(例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基、辛氧基羰基、十二烷氧基羰基等)、芳氧基羰基(例如苯氧基羰基、萘氧基羰基等)、氨磺酰基(例如氨基磺酰基、甲基氨基磺酰基、二甲基氨基磺酰基、丁基氨基磺酰基、己基氨基磺酰基、环己基氨基磺酰基、辛基氨基磺酰基、十二烷基氨基磺酰基、苯基氨基磺酰基、萘基氨基磺酰基、2-吡啶基氨基磺酰基等)、酰基(例如乙酰基、乙基羰基、丙基羰基、戊基羰基、环己基羰基、辛基羰基、2-乙基己基羰基、十二烷基羰基、苯基羰基、萘基羰基、吡啶基羰基等)、酰氧基(例如乙酰氧基、乙基羰氧基、丁基羰氧基、辛基羰氧基、十二烷基羰氧基、苯基羰氧基等)、酰胺基(例如甲基羰基氨基、乙基羰基氨基、二甲基羰基氨基、丙基羰基氨基、戊基羰基氨基、环己基羰基氨基、2-乙基己基羰基氨基、辛基羰基氨基、十二烷基羰基氨基、苯基羰基氨基、萘基羰基氨基等)、氨基甲酰基(例如氨基羰基、甲基氨基羰基、二甲基氨基羰基、丙基氨基羰基、戊基氨基羰基、环己基氨基羰基、辛基氨基羰基、2-乙基己基氨基羰基、十二烷基氨基羰基、苯基氨基羰基、萘基氨基羰基、2-吡啶基氨基羰基等)、脲基(例如甲基脲基、乙基脲基、戊基脲基、环己基脲基、辛基脲基、十二烷基脲基、苯基脲基、萘基脲基、2-吡啶基氨基脲基等)、亚磺酰基(例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、丁基亚磺酰基、环己基亚磺酰基、2-乙基己基亚磺酰基、十二烷基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、萘基亚磺酰基、2-吡啶基亚磺酰基等)、烷基磺酰基(例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、丁基磺酰基、环己基磺酰基、2-乙基己基磺酰基、十二烷基磺酰基等)、芳基磺酰基或杂芳基磺酰基(例如苯基磺酰基、萘基磺酰基、2-吡啶基磺酰基等)、氨基(例如氨基、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、哌啶基(也称为piperidinyl)、2,2,6,6-四甲基哌啶基等)、卤素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子等)、氟代烃基(例如氟代甲基、三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等)、氰基、硝基、羟基、巯基、甲硅烷基(例如三甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基二乙基甲硅烷基等)、磷酸酯基(例如二己基磷酰基等)、亚磷酸酯基(例如二苯基氧膦基等)、膦酰基等。
这些取代基的一部分也可以被上述的取代基进一步取代。另外，这些取代基也可以多个互相键合而形成环。这些取代基可优选使用不会阻碍化合物和银(Ag)的相互作用的取代基，进而可特别优选应用包含具有上述的有效非共有电子对的氮原子的取代基。予以说明，关于以上的取代基的记述，可同样地应用于以后说明的通式(2)～(8a)的说明中所示的取代基中。
如上所述的具有通式(1)表示的结构的化合物由于在化合物中的氮原子和构成电极层1b的银之间表现出强力的相互作用，故优选。
[化学式21]
具有由上述通式(1a)表示的结构的化合物为具有由上述通式(1)表示的结构的化合物的一方式，为将通式(1)中的X11设为-N(R11)-的化合物。若为这样的化合物，则可更强力地表现出上述相互作用，故优选。
[化学式22]
具有由上述通式(1a-1)表示的结构的化合物为具有由上述通式(1a)表示的结构的化合物的一方式，为将通式(1a)中的E104设为-N＝的化合物。若为这样的化合物，则可更有效地表现出上述相互作用，故优选。
[化学式23]
具有由上述通式(1a-2)表示的结构的化合物为具有由上述通式(1a)表示的结构的化合物的另一方式，为将通式(1a)中的E103及E106设为-N＝的化合物。这样的化合物由于氮原子数多，因此可更强力地表现出上述相互作用，故优选。
[化学式24]
具有由上述通式(1b)表示的结构的化合物为具有由上述通式(1)表示的结构的化合物的另一方式，为将通式(1)中的X11设为-O-、E104设为-N＝的化合物。若为这样的化合物，则可更有效地表现出上述相互作用，故优选。
进而，若为具有由以下的通式(2)～(8a)表示的结构的化合物，则可更有效地表现出上述相互作用，故优选。
[化学式25]
上述通式(2)也为通式(1)的一方式。上述通式(2)的式中，Y21表示亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团。E201～E216、E221～E238各自表示-C(R21)＝或-N＝。R21表示氢原子(H)或取代基。其中，E221～E229的至少1个及E230～E238的至少1个表示-N＝。k21及k22表示0～4的整数，但k21+k22为2以上的整数。
在通式(2)中，作为由Y21表示的亚芳基，例如可例示邻亚苯基、对亚苯基、萘二基、蒽二基、丁省二基、芘二基、萘基萘二基、联苯二基(例如[1,1’-联苯]-4,4’-二基、3,3’-联苯二基、3,6-联苯二基等)、三联苯二基、四联苯二基、五联苯二基、六联苯二基、七联苯二基、八联苯二基、九联苯二基、十联苯二基等。
另外，在通式(2)中，作为由Y21表示的亚杂芳基，例如可例示由咔唑环、咔啉环、二氮杂咔唑环(也称为一氮杂咔啉环，表示构成咔啉环的碳原子之一被氮原子取代了的构成的环构成)、三唑环、吡咯环、吡啶环、吡嗪环、喹喔啉环、噻吩环、噁二唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚环构成的组衍生的2价基团等。
作为由Y21表示的亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团的优选的方式，优选包含亚杂芳基中由3环以上的环稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，另外，作为由该3环以上的环稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，优选由二苯并呋喃环衍生的基团或由二苯并噻吩环衍生的基团。
在通式(2)中，优选E201～E208中的6个以上及E209～E216中的6个以上各自由-C(R21)＝表示。
在通式(2)中，优选E225～E229的至少1个及E234～E238的至少1个表示-N＝。
进而，在通式(2)中，优选E225～E229的任1个及E234～E238的任1个表示-N＝。
另外，在通式(2)中，E221～E224及E230～E233各自由-C(R21)＝表示，可作为优选的方式举出。
进而，在具有由通式(2)表示的结构的化合物中，优选E203由-C(R21)＝表示、且R21表示连接部位，进而，优选E211也同时由-C(R21)＝表示、且R21表示连接部位。
进而，优选E225及E234由-N＝表示，优选E221～E224及E230～E233分别由-C(R21)＝表示。
[化学式26]
上述通式(3)也为通式(1a-2)的一方式。上述通式(3)的式中，E301～E312各自表示-C(R31)＝，R31表示氢原子(H)或取代基。另外，Y31表示亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团。
另外，在通式(3)中，作为由Y31表示的亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团的优选的方式，可以举出与通式(2)的Y21同样的基团。
[化学式27]
上述通式(4)也为通式(1a-1)的一方式。上述通式(4)的式中，E401～E414各自表示-C(R41)＝，R41表示氢原子(H)或取代基。另外Ar41表示取代或者非取代的、芳香族烃环或者芳香族杂环。进而k41表示3以上的整数。
另外，在通式(4)中，在Ar41表示芳香族烃环的情况下，作为该芳香族烃环，可以举出苯环、联苯环、萘环、薁环、蒽环、菲环、芘环、1,2-苯并菲环、丁省环、苯并[9,10]菲环、邻三联苯环、间三联苯环、对三联苯环、苊环、晕苯环、芴环、荧蒽环、丁省环、并五苯环、苝环、戊芬环、苉环、芘环、皮蒽环、蒽嵌蒽(アンスラアントレン)环等。这些环也可以进一步具有作为通式(1)的R11、R12例示的取代基。
另外在通式(4)中，在Ar41表示芳香族杂环的情况下，作为该芳香族杂环，可以举出呋喃环、噻吩环、噁唑环、吡咯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、苯并咪唑环、噁二唑环、三唑环、咪唑环、吡唑环、噻唑环、吲哚环、苯并咪唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、喹喔啉环、喹唑啉环、酞嗪环、咔唑环、氮杂咔唑环等。予以说明，所谓氮杂咔唑环，表示构成咔唑环的苯环的碳原子被1个以上氮原子替换了的咔唑环。这些环也可以进一步具有通式(1)中作为R11、R12而例示的取代基。
[化学式28]
上述通式(5)的式中，R51表示取代基。E501、E502、E511～E515、E521～E525各自表示-C(R52)＝或-N＝。E503～E505各自表示-C(R52)＝。R52表示氢原子(H)或取代基。E501及E502中的至少1个为-N＝，E511～E515中的至少1个为-N＝，E521～E525中的至少1个为-N＝。
[化学式29]
上述通式(6)的式中，E601～E612各自表示-C(R61)＝或-N＝，R61表示氢原子(H)或取代基。另外，Ar61表示取代或者非取代的、芳香族烃环或者芳香族杂环。
另外，在通式(6)中，Ar61所表示的、取代或者非取代的、芳香族烃环或者芳香族杂环，可以举出与通式(4)的Ar41同样的芳香族烃环或者芳香族杂环。
[化学式30]
上述通式(7)的式中，R71～R73各自表示氢原子(H)或取代基，Ar71表示芳香族烃环基或者芳香族杂环基。
另外，在通式(7)中，Ar71所表示的芳香族烃环或者芳香族杂环，可以举出与通式(4)的Ar41同样的芳香族烃环或者芳香族杂环。
[化学式31]
上述通式(8)也为通式(7)的一方式。上述通式(8)的式中，R81～R86各自表示氢原子(H)或取代基。E801～E803各自表示-C(R87)＝或-N＝，R87表示氢原子(H)或取代基。Ar81表示芳香族烃环基或芳香族杂环基。
另外，在通式(8)中，Ar81所表示的芳香族烃环或者芳香族杂环，可以举出与通式(4)的Ar41同样的芳香族烃环或者芳香族杂环。
[化学式32]
具有由上述通式(8a)表示的结构的化合物，为具有由上述通式(8)表示的结构的化合物的一方式，通式(8)中的Ar81为咔唑衍生物。上述通式(8a)的式中，E804～E811各自表示-C(R88)＝或-N＝，R88表示氢原子(H)或取代基。E808～E811中的至少一个为-N＝，E804～E807、E808～E811也可以各自互相键合而形成新的环。
[化合物III]
另外，作为构成含氮层1a的进一步其它的化合物，除如上所述的具有由通式(1)～(8a)表示的结构的化合物以外，可例示在下述示出具体例的化合物1～166。这些化合物为含有与构成电极层1b的银相互作用的氮原子的化合物。另外，这些化合物为具备电子传输性或电子注入性的材料。因此，使用这些化合物而构成了含氮层1a的透明电极1，优选作为有机电致发光元件中的透明电极，可以使用含氮层1a作为有机电致发光元件中的电子传输层或电子注入层。予以说明，这些化合物1～166中，也包含适于上述的有效非共有电子对含有率[n/M]的范围的化合物，若为这样的化合物，则可单独作为构成含氮层1a的化合物来使用。进而，这些化合物1～166中，也存在适于上述通式(1)～(8a)的化合物。
[化学式33]
[化学式34]
[化学式35]
[化学式36]
[化学式37]
[化学式38]
[化学式39]
[化学式40]
[化学式41]
[化学式42]
[化学式43]
[化学式44]
[化学式45]
[化学式46]
[化学式47]
[化学式48]
[化学式49]
[化学式50]
[化学式51]
[化学式52]
[化学式53]
[化学式54]
[化学式55]
[化学式56]
[化学式57]
[化学式58]
[化学式59]
[化学式60]
[化学式61]
[化学式62]
[化学式63]
[化学式64]
[化学式65]
[化学式66]
[化学式67]
[化合物的合成例]
以下，作为代表的化合物的合成例，示出化合物5的具体的合成例，但并不限定于此。
[化学式68]
化合物5的合成
工序1：(中间体1的合成)
在氮气氛下，将2,8-二溴二苯并呋喃(1.0摩尔)、咔唑(2.0摩尔)、铜粉末(3.0摩尔)、碳酸钾(1.5摩尔)在DMAc(二甲基乙酰胺)300ml中混合，在130℃下搅拌24小时。将由此得到的反应液冷却至室温后，加入甲苯1L，用蒸馏水清洗3次，在减压气氛下从清洗物中蒸馏除去溶剂，将其残渣通过硅胶快速柱层析(正庚烷：甲苯＝4：1～3：1)精制，以收率85％得到中间体1。
工序2：(中间体2的合成)
在室温、大气下将中间体1(0.5摩尔)溶解于DMF(二甲基甲酰胺)100ml，加入NBS(N-溴代琥珀酰亚胺)(2.0摩尔)，在室温下搅拌一夜。过滤得到的沉淀，用甲醇清洗，以收率92％得到中间体2。
工序3：(化合物5的合成)
在氮气氛下，将中间体2(0.25摩尔)、2-苯基吡啶(1.0摩尔)、钌络合物[(η6-C6H6)RuCl2]2(0.05摩尔)、三苯基膦(0.2摩尔)、碳酸钾(12摩尔)在NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)3L中混合，在140℃下搅拌一夜。
将反应液冷却至室温后，加入二氯甲烷5L，过滤反应液。接着在减压气氛下(800Pa、80℃)从滤液中蒸馏除去溶剂，将其残渣通过硅胶快速柱层析(CH2Cl2：Et3N＝20：1～10：1)精制。
在减压气氛下从精制物中蒸馏除去溶剂后，将其残渣再次溶解于二氯甲烷，用水清洗3次。将通过清洗而得到的物质用无水硫酸镁干燥，在减压气氛下从干燥后的物质中蒸馏除去溶剂，由此，以收率68％得到化合物5。
[含氮层1a的成膜方法]
在基材11上将如上所述的含氮层1a成膜了的情况下，作为其成膜方法，可以举出使用涂布法、喷墨法、涂覆法、浸渍法等的湿法的方法、使用蒸镀法(电阻加热、EB法等)、溅射法、CVD法等的干法的方法等。其中优选应用蒸镀法。
特别是使用多种化合物来成膜含氮层1a的情况下，可应用从多个蒸镀源同时供给多种化合物的共蒸镀。另外在使用高分子材料作为化合物的情况下，可优选应用涂布法。此时，使用使化合物溶解于溶剂的涂布液。使化合物溶解的溶剂没有限定。进而，若在使用多种化合物将含氮层1a进行成膜的情况下，则可以使用可溶解多种化合物的溶剂来制作涂布液。
<电极层1b>
电极层1b为以银作为主要成分而构成了的层，为使用银或以银作为主要成分的合金构成、与含氮层1a邻接而成膜了的层。
构成电极层1b的以银(Ag)作为主要成分的合金，作为一个例子可以举出银镁(AgMg)、银铜(AgCu)、银钯(AgPd)、银钯铜(AgPdCu)、银铟(AgIn)、银铝(AgAl)等。
如上所述的电极层1b也可以为银或以银作为主要成分的合金的层根据需要分成多个层而层叠了的构成。
进而，该电极层1b优选膜厚在4～12nm的范围。通过膜厚为12nm以下，可抑制层的吸收成分或反射成分使其低，可维持透明电极的透光率，故优选。另外，通过膜厚为4nm以上，也可确保层的导电性。
[电极层1b的成膜方法]
作为如上所述的电极层1b的成膜方法，可以举出使用涂布法、喷墨法、涂覆法、浸渍法等的湿法的方法、使用蒸镀法(电阻加热、EB法等)、溅射法、CVD法等的干法的方法等。
例如若为应用了溅射法的电极层1b的成膜，则准备以银作为主要成分的合金的溅射靶，进行使用了该溅射靶的溅射成膜。在上述所有合金的情况下，进行应用了溅射法的电极层1b的成膜，特别是在对银铜(AgCu)、银钯(AgPd)或银钯铜(AgPdCu)进行成膜的情况下，进行应用了溅射法的电极层1b的成膜。
另外，特别是若在对银铝(AgAl)、银镁(AgMg)、银铟(AgIn)进行成膜的情况下，则进行应用了蒸镀法的电极层1b的成膜。在蒸镀法的情况下，将合金成分和银(Ag)进行共蒸镀。此时，通过分别调整合金成分的蒸镀速度和银(Ag)的蒸镀速度来进行调整了合金成分相对于作为主材料的银(Ag)的添加浓度的蒸镀成膜。
另外，电极层1b的特征在于，通过在含氮层1a上进行成膜，即使没有成膜后的高温退火处理等也充分地具有导电性，但也可以根据需要在成膜后进行高温退火处理等。
<高折射率层H1、H2>
高折射率层H1、H2为具有比含氮层1a高的折射率的层。高折射率层H1、H2的折射率优选波长550nm下的折射率(n)比含氮层1a的折射率(n＝1.6～1.8)高0.1以上，进一步优选高0.3以上。典型而言，优选为波长550nm下的折射率(n)为2.0以上的层。
这样的高折射率层H1、H2可以举出高折射率材料、光学膜中通常所使用的材料，例如由以氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO2)或氧化铌(Nb2O5)作为主要成分的氧化物构成。作为这样的氧化物的一个例子，可例示：氧化钛(TiO2：n＝2.3～2.4)、氧化铟锡(ITO：n＝2.1～2.2)、氧化铟锌(In2O3+ZnO：n＝2.0～2.4、例如IZO)、氧化锌(ZnO：n＝1.9～2.0)、氧化铌(Nb2O5：n＝2.2～2.4)等。这样的高折射率材料可抑制透明电极的反射，故优选。
除以上以外，氧化铪(HfO2：n＝1.9～2.1)、五氧化钽(Ta2O5：n＝2.16)、氧化铈(CeO2：n＝2.2)、氧化镉(CdO：n＝2.49)、氧化锆(ZrO：n＝2.4)等也可用作高折射率层H1、H2。
另外，即使在各高折射率层H1、H2由具有导电性的材料构成的情况下，也不会用作主要的电极。因此，各高折射率层H1、H2不需要具备作为电极所需的膜厚，只要根据使用有具备这些高折射率层H1、H2的透明电极1的电子器件中的透明电极1的配置状态具有适当设定的膜厚即可。
如上所述的2个高折射率层H1、H2可以由相同的材料构成，也可以由不同的材料构成。另外，可以为相同的膜厚，也可以为不同的膜厚。
[高折射率层H1、H2的成膜方法]
在基材11上成膜如上所述的高折射率层H1、H2的情况下，作为其成膜方法，可以举出蒸镀法(电阻加热、EB法等)或溅射法。特别是若为EB蒸镀，则优选使用了离子辅助的方法。这样的高折射率层H1、H2的成膜方法可根据构成其的材料来选择适当的方法。例如，若为使用了氧化锌(ZnO)或氧化钛(TiO2)的高折射率层H1、H2的成膜，则应用蒸镀法。另外，若为使用了氧化铟(In2O3)、氧化铟锡(ITO)或氧化铌(Nb2O5)的高折射率层H1、H2的成膜，则应用溅射法。
另外，在此的图示省略，但透明电极1为了提高透光性，也可以进一步与高折射率层H1、H2的外侧相接而具有低折射率层。这样的低折射率层为具有比高折射率层H1、H2低的折射率的层。特别是波长550nm下的折射率优选比高折射率层H1、H2低0.1以上，进一步优选比高折射率层H1、H2低0.3以上。这样的低折射率层由具有低折射率和透光性的材料构成。例如可以举出氟化镁(MgF2)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF2)、氟化铝(AlF3)等的低折射率材料、光学膜中一般所使用的材料。
另外，如上所述的透明电极1可以以在与基材11之间夹持透明电极1的状态用保护膜覆盖，或层叠其它导电性层。此时，为了不损害透明电极1的透光性，保护膜及导电性层优选具有透光性。另外，也可以形成在透明电极1和基材11之间也设有根据需要的层的构成。
<透明电极1的效果>
如上构成的透明电极1为与使用含有氮原子的化合物构成的含氮层1a邻接而设有以银作为主要成分的电极层1b的构成。由此，在与含氮层1a邻接而成膜电极层1b时，构成电极层1b的银原子与构成含氮层1a的含有氮原子的化合物相互作用，银原子在含氮层1a表面中的扩散距离减少，银的凝聚受到抑制。因此，一般而言，将容易通过核生长型(Volumer-Weber：VW型)的膜生长而孤立为岛状的银薄膜通过单层生长型(Frank-van der Merwe：FM型)的膜生长而成膜。因此，可得到虽然为薄的膜厚但均匀的膜厚的电极层1b。
另外，特别是作为构成电极层1b的银相对于含氮层1a的键合稳定性的指标，应用上述的有效非共有电子对含有率[n/M]，使用该值为2.0×10-3≤[n/M]的化合物来构成含氮层1a，由此可设置能够可靠地得到如上所述的“抑制银的凝聚”效果的含氮层1a。这如后面的实施例中详细地说明那样，也可由在这样的含氮层1a上形成有6nm这样的虽然为极薄膜但可测定薄层电阻的电极层1b而确认。
另外，通过形成利用折射率比含氮层1a高的高折射率层H1、H2而夹持了含氮层1a及电极层1b的4层结构，可防止透明电极1中的光反射，也可期待由此带来的透光性的提高。另外，构成高折射率层H1、H2的材料一般具有致密的膜质，因此，通过与电极层1b邻接而配置致密的膜质的高折射率层H2，也可防止构成电极层1b的银(Ag)的迁移。
因此，在该透明电极1中，能够可靠地得到通过为薄的膜厚而确保透光性、且通过为均匀的膜厚而确保了导电性的电极层1b，进而也可期待通过防止光反射而带来的透光性的提高。由此，可谋求使用了银的透明电极1中的导电性的提高和透光性的提高的两立，并且可谋求通过维持电极层1b的膜质带来的可靠性的提高。
另外这样的透明电极1由于未使用稀有金属的铟(In)，因此为低成本，另外，由于未使用ZnO这样的化学上不稳定的材料，因此，长期可靠性也优异。
《2.透明电极的用途》
上述的构成的透明电极1可以用于各种电子器件。作为电子器件的例子，可以举出有机电致发光元件、LED(light Emitting Diode)、液晶元件、太阳能电池、触摸面板等，作为在这些电子器件中需要透光性的电极部件，可以使用上述的透明电极1。
在以下，作为用途的一个例子，对将透明电极用作阳极及阴极的有机电致发光元件的实施方式进行说明。
《3.有机电致发光元件》
<使用了透明电极的有机电致发光元件的构成>
图7为表示作为本发明的电子器件的一个例子的使用上述透明电极1的有机电致发光元件的一构成例的剖面构成图。以下，基于该图对有机电致发光元件的构成进行说明。
图7表示的有机电致发光元件EL设置在透明基板13上，从透明基板13侧依次层叠有透明电极1、发光功能层3(空穴注入层3a/空穴传输层3b/发光层3c/电子传输层3d/电子注入层3e)及对置电极5。其中，作为透明电极1，特征在于，使用之前说明的本发明的透明电极1。因此，本实施方式的有机电致发光元件EL作为至少从透明基板13侧取出发光光h的底部发光型而构成。
予以说明，在图7中所示的例子中，透明电极1为配置在阳极(即anode)侧的构成，但也可以通过用作阴极(即cathode)而形成逆叠积型。
另外，有机电致发光元件EL的整体的层结构没有限定，可以为一般的层结构。例如，在有机电致发光元件EL中，可以将透明电极1作为发光功能层3上的上部电极配置，此时，成为配置对置电极5作为发光功能层3的下部电极的构成。另外，也可以配置透明电极1作为相对于发光功能层3的上部电极及下部电极。
<有机电致发光元件的构成层>
以下，作为本发明的有机电致发光元件EL中的代表性的构成，可以举出以下的构成，但并不限定于这些。
(1)阳极/发光层/阴极
(2)阳极/发光层/电子传输层/阴极
(3)阳极/空穴传输层/发光层/阴极
(4)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(5)阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极
(6)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极
(7)阳极/空穴注入层/空穴传输层/(电子阻挡层)/发光层/(空穴阻挡层)/电子传输层/电子传输层/阴极
上述中，可优选使用(7)的构成，但并不限定于此。在上述代表性的元件构成中，除阳极和阴极以外的层为具有发光性的发光功能层3。另外，阳极或阴极由本申请的透明电极1或对置电极5的任一者构成。
<发光功能层3>
发光功能层3为夹持在透明电极1和对置电极5之间的层，与透明电极1及对置电极5一起构成有机电致发光元件EL。该发光功能层3可以为一般的有机电致发光元件中的发光功能层的层结构，需要具有由有机材料构成的发光层3c。
在上述构成中，发光层3c由单层或多层构成。在发光层3c为多个的情况下，可以在各发光层之间设置非发光性的中间层。另外，可以根据需要在发光层3c和阴极之间设置空穴阻挡层(也称为空穴障碍层)、电子注入层3e(也称为阴极缓冲层)，另外，也可以在发光层和阳极之间设置电子阻挡层(也称为电子障碍层)、空穴注入层3a(也称为阳极缓冲层)。
电子传输层3d为具有传输电子的功能的层，广义上电子注入层、空穴阻挡层也包含在电子传输层3d中。另外，空穴传输层3b为具有传输空穴的功能的层，广义上空穴注入层、电子阻挡层也包含在空穴传输层3b中。
另外，电子传输层3d及空穴传输层3b也可以由多层构成。
(串列结构)
另外，有机电致发光元件也可以为将含有至少1层发光层的发光单元层叠了多个的、所谓串列结构的元件。
发光单元例如为从上述的代表性的元件构成中举出的(1)～(7)的构成中除去了阳极及阴极的构成。而且，在上述有机电致发光元件EL的构成中，符合具有发光性的发光功能层3。
作为串列结构的代表性的元件构成，可以举出例如以下的构成。
(1.1)阳极/第1发光单元/中间层/第2发光单元/阴极
(2.2)阳极/第1发光单元/中间层/第2发光单元/中间层/第3发光单元/阴极
在此，上述第1发光单元、第2发光单元、及第3发光单元可全部相同，也可以不同。另外，2个发光单元相同，剩余1个可以不同。
另外，多个发光单元可以直接层叠，也可以经由中间层层叠，中间层通常也被称为中间电极、中间导电层、电荷产生层、电子提取层、连接层、中间绝缘层，只要为具有向阳极侧的邻接层供给电子、向阴极侧的邻接层供给空穴的功能的层就可以使用公知的材料构成。
作为中间层中所使用的材料，例如可以举出ITO(铟·锡氧化物)、IZO(铟·锌氧化物)、ZnO2、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO2、CuGaO2、SrCu2O2、LaB6、RuO2、Al等导电性无机化合物层、Au/Bi2O3等2层膜、SnO2/Ag/SnO2、ZnO/Ag/ZnO、Bi2O3/Au/Bi2O3、TiO2/TiN/TiO2、TiO2/ZrN/TiO2等多层膜、以及C60等富勒烯类、低聚噻吩等导电性有机物层、金属酞菁类、无金属酞菁类、金属卟啉类、无金属卟啉类等导电性有机化合物层等，但本发明并不限定于这些。
作为发光单元内的优选的构成，可以举出例如上述的代表性的元件构成中举出的(1)～(7)的构成，但本发明并不限定于这些。
作为串联型有机电致发光元件的具体例，例如可以举出美国专利第6,337,492号、美国专利第7,420,203号、美国专利第7,473,923号、美国专利第6,872,472号、美国专利第6,107,734号、美国专利第6,337,492号、国际公开第2005/009087号、日本特开2006-228712号、日本特开2006-24791号、日本特开2006-49393号、日本特开2006-49394号、日本特开2006-49396号、日本特开2011-96679号、日本特开2005-340187号、日本专利第4711424号、日本专利第3496681号、日本专利第3884564号、日本专利第4213169号、日本特开2010-192719号、日本特开2009-076929号、日本特开2008-078414号、日本特开2007-059848号、日本特开2003-272860号、日本特开2003-045676号、国际公开第2005/094130号中记载的元件构成、构成材料等，但本发明并不限定于这些。
以下，对构成本发明的有机电致发光元件EL的各层进行说明。
[发光层3c]
发光层3c为提供从电极或邻接层注入的电子和空穴复合并经由激子发光的场所的层，进行发光的部分可以为发光层3c的层内，也可以为发光层3c和邻接层的界面。本发明的发光层3c只要满足本发明中规定的主要条件，则其构成就没有特别限制。
发光层3c的膜厚的总和没有特别限制，从形成的膜的均质性、防止发光时施加不必要的高电压、且相对于驱动电流的发光色的稳定性提高的观点考虑，优选调整为2nm～5μm的范围，更优选调整为2nm～500nm的范围，进一步优选调整为5nm～200nm的范围。
另外，作为各个发光层3c的膜厚，优选调整为2nm～1μm的范围，更优选调整为2nm～200nm的范围，进一步优选调整为3nm～150nm的范围。
发光层3c中优选含有发光掺杂剂(也称为发光性掺杂剂化合物、掺杂剂化合物、简称为掺杂剂)和主体化合物(也称为基体材料、发光主体化合物、简称为主体)。
(1.发光掺杂剂)
对发光层3c中所使用的发光掺杂剂进行说明。
作为发光掺杂剂，可优选使用荧光发光性掺杂剂(也称为荧光掺杂剂、荧光性化合物)和磷光发光性掺杂剂(也称为磷光掺杂剂、磷光性化合物)。在本发明中，优选至少1层发光层3c含有磷光发光掺杂剂。
对于发光层3c中的发光掺杂剂的浓度，可基于所使用的特定的掺杂剂及器件的必要条件而任意地确定，可以相对于发光层3c的膜厚方向以均匀的浓度含有，另外，也可以具有任意的浓度分布。
另外，发光掺杂剂可以并用使用多种，也可以使用结构不同的掺杂剂彼此的组合或组合使用荧光发光性掺杂剂和磷光发光性掺杂剂。由此，可得到任意的发光色。
有机电致发光元件EL发光的颜色在《新编色彩科学手册》(日本色彩学会编，东京大学出版会，1985)的108页的图4.16中，把采用分光放射亮度计CS-2000(コニカミノルタセンシング(株)制)测定的结果，按照与CIE色度座标对应的颜色来确定。
有机电致发光元件EL还优选1层或多层的发光层3c含有发光色不同的多个发光掺杂剂，显示白色发光。
对于显示白色的发光掺杂剂的组合没有特别限定，可以举出例如蓝色和橙色、蓝色和绿色和红色的组合等。
本发明的有机电致发光元件EL中的白色优选在利用上述方法测定2度视场角正面亮度时，1000cd/m2下的CIE1931表色系中的色度在x＝0.39±0.09、y＝0.38±0.08的区域内。
(1-1.磷光发光性掺杂剂)
对磷光发光性掺杂剂(以下称为磷光掺杂剂)进行说明。
本发明涉及的磷光掺杂剂，为观察到来自激发三重态的发光的化合物，具体而言为在室温(25℃)下进行磷光发光的化合物，定义为磷光量子收率在25℃下为0.01以上的化合物，优选的磷光量子收率为0.1以上。
上述磷光量子收率可通过第4版实验化学讲座7的分光II的398页(1992年版、丸善)中记载的方法来测定。溶液中的磷光量子收率可使用各种溶剂进行测定，在本发明的磷光掺杂剂只要在任意的溶剂的任一种中实现上述磷光量子收率(0.01以上)即可。
作为磷光掺杂剂的发光的原理，可以举出2种，一种为在传输载流子的主体化合物上引起载流子的复合而产生主体化合物的激发状态、使该能量移动到磷光掺杂剂而由此得到来自磷光掺杂剂的发光的能量移动型。另一种为磷光掺杂剂成为载流子捕获器、在磷光掺杂剂上引起载流子的复合、得到来自磷光掺杂剂的发光的载流子捕获型。在任意的情况下，磷光掺杂剂的激发状态的能量比主体化合物的激发状态的能量低为条件。
磷光掺杂剂可以从有机电致发光元件的发光层中所使用的公知的掺杂剂中适宜选择来使用。
作为本发明中可使用的公知的磷光掺杂剂的具体例，可以举出以下的文献中所记载的化合物等。
Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chern.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国际公开第2009100991号、国际公开第2008101842号、国际公开第2003040257号、美国专利公开第2006835469号、美国专利公开第20060202194号、美国专利公开第20070087321号、美国专利公开第20050244673号。
Inorg.Chern.40,1704(2001)、Chern.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chern.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chern.Lett.34,592(2005)、Chern.Commun.2906(2005)、Inorg.Chern.42,1248(2003)、国际公开第2009050290号、国际公开第2002015645号、国际公开第2009000673号、美国专利公开第20020034656号、美国专利第7332232号、美国专利公开第20090108737号、美国专利公开第20090039776号、美国专利第6921915号、美国专利第6687266号、美国专利公开第20070190359号、美国专利公开第20060008670号、美国专利公开第20090165846号、美国专利公开第20080015355号、美国专利第7250226号、美国专利第7396598号、美国专利公开第20060263635号、美国专利公开第20030138657号、美国专利公开第20030152802号、美国专利第7090928号。
Angew.Chern.lnt.Ed.47,1(2008)、Chern.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chern.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国际公开第2002002714号、国际公开第2006009024号、国际公开第2006056418号、国际公开第2005019373号、国际公开第2005123873号、国际公开第2005123873号、国际公开第2007004380号、国际公开第2006082742号、美国专利公开第20060251923号、美国专利公开第20050260441号、美国专利第7393599号、美国专利第7534505号、美国专利第7445855号、美国专利公开第20070190359号、美国专利公开第20080297033号、美国专利第7338722号、美国专利公开第20020134984号、美国专利第7279704号、美国专利公开第2006098120号、美国专利公开第2006103874号。
国际公开第2005076380号、国际公开第2010032663号、国际公开第第2008140115号、国际公开第2007052431号、国际公开第2011134013号、国际公开第2011157339号、国际公开第2010086089号、国际公开第2009113646号、国际公开第2012020327号、国际公开第2011051404号、国际公开第2011004639号、国际公开第2011073149号、美国专利公开第2012228583号、美国专利公开第2012212126号、日本特开2012-069737号、日本特开2012-195554号、日本特开2009-114086号、日本特开2003-81988号、日本特开2002-302671号、日本特开2002-363552号。
其中，作为优选的磷光掺杂剂，可以举出在中心金属具有Ir的有机金属络合物。进一步优选含有金属-碳键、金属-氮键、金属-氧键、金属-硫键中的至少1个的配位方式的络合物。
以下，举出可应用于发光层3c的公知的磷光掺杂剂的具体例D1～D81，但本发明并不限定于这些。
[化学式69]
[化学式70]
[化学式71]
[化学式72]
[化学式73]
(1-2.荧光发光性掺杂剂)
对荧光发光性掺杂剂(以下称为“荧光掺杂剂”)进行说明。
荧光掺杂剂为可进行来自激发单重态的发光的化合物，只要可观测到来自激发单重态的发光就没有特别限定。
作为荧光掺杂剂，例如可以举出蒽衍生物、芘衍生物、1,2-苯并菲衍生物、荧蒽衍生物、苝衍生物、芴衍生物、芳基乙炔衍生物、苯乙烯基亚芳基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳基胺衍生物、硼络合物、香豆素衍生物、吡喃衍生物、花青衍生物、克酮酸衍生物、方酸衍生物、氧代苯并蒽衍生物、荧光素衍生物、若丹明衍生物、吡喃鎓衍生物、苝衍生物、聚噻吩衍生物、或稀土类络合物系化合物等。
另外，近年来还开发有利用了延迟荧光的发光掺杂剂，也可以使用这些。
另外，对作为荧光掺杂剂的利用了延迟荧光的荧光掺杂剂的具体例而言，例如可以举出国际公开第2011/156793号、日本特开2011-213643号、日本特开2010-93181号等中所记载的化合物，但本发明并不限定于这些。
(2.主体化合物)
主体化合物为在发光层3c中主要担负电荷的注入及传输的化合物，在有机电致发光元件EL中实质上观测不到其自身的发光。
优选室温(25℃)下磷光发光的磷光量子收率低于0.1的化合物，进一步优选磷光量子收率低于0.01的化合物。另外，发光层3c中所含有的化合物中，优选在该层中的质量比为20％以上。
另外，主体化合物的激发态能量优选比同一层内所含有的发光掺杂剂的激发态能量高。
主体化合物可单独使用，另外也可以并用使用多种。通过使用多种主体化合物，可调整电荷的移动，可使有机电致发光元件EL高效率化。
作为发光层3c中使用的主体化合物没有特别限制，可以使用以往有机电致发光元件中所使用的化合物。例如可以为低分子化合物、具有重复单元的高分子化合物，或者，也可以为具有如乙烯基、环氧基这样的反应性基团的化合物。
作为公知的主体化合物，从具有空穴传输能力或电子传输能力、且防止发光的长波长化、进而有机电致发光元件EL相对于高温驱动时、元件驱动中的发热的稳定性的观点考虑，优选具有高玻璃化转变温度(Tg)。作为主体化合物，Tg优选为90℃以上，更优选为120℃以上。
在此，所谓玻璃化转变点(Tg)，为使用DSC(DifferentialScanning Colorimetry：差示扫描量热法)利用依据JIS-K-7121的方法而求得的值。
作为有机电致发光元件EL中所使用的公知的主体化合物的具体例，可以举出以下的文献中记载的化合物等，但并不限定于这些。
日本特开2001-257076号公报、日本特开2002-308855号公报、日本特开2001-313179号公报、日本特开2002-319491号公报、日本特开2001-357977号公报、日本特开2002-334786号公报、日本特开2002-8860号公报、日本特开2002-334787号公报、日本特开2002-15871号公报、日本特开2002-334788号公报、日本特开2002-43056号公报、日本特开2002-334789号公报、日本特开2002-75645号公报、日本特开2002-338579号公报、日本特开2002-105445号公报、日本特开2002-343568号公报、日本特开2002-141173号公报、日本特开2002-352957号公报、日本特开2002-203683号公报、日本特开2002-363227号公报、日本特开2002-231453号公报、日本特开2003-3165号公报、日本特开2002-234888号公报、日本特开2003-27048号公报、日本特开2002-255934号公报、日本特开2002-260861号公报、日本特开2002-280183号公报、日本特开2002-299060号公报、日本特开2002-302516号公报、日本特开2002-305083号公报、日本特开2002-305084号公报、日本特开2002-308837号公报、美国专利公开第20030175553号、美国专利公开第20060280965号、美国专利公开第20050112407号、美国专利公开第20090017330号、美国专利公开第20090030202号、美国专利公开第20050238919号、国际公开第2001039234号、国际公开第2009021126号、国际公开第2008056746号、国际公开第2004093207号、国际公开第2005089025号、国际公开第2007063796号、国际公开第2007063754号、国际公开第2004107822号、国际公开第2005030900号、国际公开第2006114966号、国际公开第2009086028号、国际公开第2009003898号、国际公开第2012023947号、日本特开2008-074939号、日本特开2007-254297号、EP2034538等。
[电子传输层3d]
所谓有机电致发光元件EL中使用的电子传输层，由具有传输电子的功能的材料构成，具有将从阴极注入的电子传递至发光层3c的功能。
电子传输材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。关于电子传输层3d的总厚度没有特别限制，通常为2nm～5μm的范围，更优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。
另外，已知在有机电致发光元件EL中从电极中取出发光层3c中产生的光时，从发光层3c中直接取出的光和由位于与取出光的电极为对电极的电极反射后取出的光产生干涉。在光被阴极反射的情况下，通过将电子传输层3d的总膜厚在数nm～数μm之间适宜调整，可有效地利用该干涉效果。
另一方面，若增厚电子传输层3d的膜厚，则电压容易上升，因此，特别是在膜厚较厚的情况下，电子传输层3d的电子迁移率优选为10-5cm2/Vs以上。
作为电子传输层3d中所使用的材料(以下，称为电子传输材料)，只要具有电子的注入性或传输性、空穴的障碍性中的任一者即可，可以从现有公知的化合物中选择使用任意的化合物。
例如可以举出含氮芳香族杂环衍生物、芳香族烃环衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、噻咯衍生物等。
作为上述含氮芳香族杂环衍生物，可以举出咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物(构成咔唑环的碳原子的1个以上被氮原子取代)、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、哒嗪衍生物、三嗪衍生物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、氮杂苯并[9,10]菲衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物等。
作为芳香族烃环衍生物，可以举出萘衍生物、蒽衍生物、苯并[9,10]菲等。
另外，配位基中具有羟基喹啉骨架、苯并羟基喹啉骨架的金属络合物、例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、三(5,7-二氯-8-羟基喹啉)铝、三(5,7-二溴-8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、双(8-羟基喹啉)锌(Znq)等、及这些金属络合物的中心金属替换为In、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga或Pb的金属络合物也可作为电子传输材料来使用。
此外，无金属或者金属酞菁、或它们的末端被烷基、磺酸基等取代的化合物也可优选作为电子传输材料来使用。另外，作为发光层3c的材料而例示的二苯乙烯基吡嗪衍生物也可作为电子传输材料来使用，与空穴注入层3a、空穴传输层3b同样，n型Si、n型SiC等无机半导体也可用作电子传输材料。
另外，也可以使用将这些材料导入高分子链或以这些材料作为高分子的主链的高分子材料。
在有机电致发光元件EL中，可以在电子传输层3d中掺杂掺杂材料作为客体材料，形成n性高(富电子)的电子传输层3d。作为掺杂材料，可以举出金属络合物、卤化金属等金属化合物等n型掺杂剂。作为这样的构成的电子传输层3d的具体例，例如可以举出日本特开平4-297076号公报、日本特开平10-270172号公报、日本特开2000-196140号公报、日本特开2001-102175号公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等的文献中记载的电子传输层。
作为有机电致发光元件EL中所使用的、公知的优选的电子传输材料的具体例，可以举出以下的文献中记载的化合物等，但本发明并不限定于这些。
美国专利第6528187号、美国专利第7230107号、美国专利公开第20050025993号、美国专利公开第20040036077号、美国专利公开第20090115316号、美国专利公开第20090101870号、美国专利公开第20090179554号、国际公开第2003060956号、国际公开第2008132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、美国专利第7964293号、美国专利公开第2009030202号、国际公开第2004080975号、国际公开第2004063159号、国际公开第2005085387号、国际公开第2006067931号、国际公开第2007086552号、国际公开第2008114690号、国际公开第2009069442号、国际公开第2009066779号、国际公开第2009054253号、国际公开第2011086935号、国际公开第2010150593号、国际公开第2010047707号、EP2311826号、日本特开2010-251675号、日本特开2009-209133号、日本特开2009-124114号、日本特开2008-277810号、日本特开2006-156445号、日本特开2005-340122号、日本特开2003-45662号、日本特开2003-31367号、日本特开2003-282270号、国际公开第2012115034号等。
另外，作为更优选的电子传输材料，可以举出吡啶衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、三嗪衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、咔唑衍生物、氮杂咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物。
另外，电子传输材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。
[空穴阻挡层]
空穴阻挡层广义上为具有电子传输层3d的功能的层。优选由具有传输电子的功能、且传输空穴的能力小的材料构成。通过传输电子且阻挡空穴，可提高电子和空穴的复合概率。
另外，可以将上述的电子传输层3d的构成根据需要作为空穴阻挡层来使用。
有机电致发光元件EL中设置的空穴阻挡层，优选与发光层3c的阴极侧邻接而设置。
在有机电致发光元件EL中，空穴阻止层的厚度优选为3～100nm的范围，进一步优选为5～30nm的范围。
作为空穴阻挡层中所使用的材料，可优选使用上述的电子传输层3d中所使用的材料，另外，作为上述的主体化合物使用的材料也可优选用于空穴阻挡层。
[电子注入层3e]
电子注入层3e(也称为“阴极缓冲层”)为用于驱动电压降低、发光亮度提高而设置于阴极和发光层3c之间的层。电子注入层3e的一个例子记载于“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS公司发行)”的第2编第2章“电极材料”(123～166页)中。
在有机电致发光元件EL中，电子注入层3e根据需要设置，如上所述设置在阴极和发光层3c之间或阴极和电子传输层3d之间。
电子注入层3e优选为极薄的膜，虽然也取决于原材料，但其膜厚优选0.1nm～5nm的范围。另外，也可以为构成材料断续存在的不均匀的膜。
电子注入层3e在日本特开平6-325871号公报、日本特开平9-17574号公报、日本特开平10-74586号公报等中也有其详细记载。作为电子注入层3e中优选使用的材料的具体例，可以举出锶、铝等所代表的金属、氟化锂、氟化钠、氟化钾等所代表的碱金属化合物、氟化镁、氟化钙等所代表的碱土金属化合物、氧化铝所代表的金属氧化物、8-羟基喹啉锂(Liq)等所代表的金属络合物等。另外，也可以使用上述的电子传输材料。
另外，上述的电子注入层3e中所使用的材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。
[空穴传输层3b]
空穴传输层3b由具有传输空穴的功能的材料构成。空穴传输层3b为具有将由阳极注入的空穴传递至发光层3c的功能的层。
在有机电致发光元件EL中，空穴传输层3b的总膜厚没有特别限制，通常为5nm～5μm的范围，更优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～200nm。
作为空穴传输层3b中所使用的材料(以下，称为空穴传输材料)只要具有空穴的注入性或传输性、电子的障碍性中的任一者即可。空穴传输材料可以从以往公知的化合物中选择使用任意的化合物。空穴传输材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。
空穴传输材料例如可以举出卟啉衍生物、酞菁衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、腙衍生物、茋衍生物、聚芳基烷烃衍生物、三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、异吲哚衍生物、蒽、萘等并苯系衍生物、芴衍生物、芴酮衍生物、聚乙烯基咔唑、将芳香族胺导入主链或者侧链的高分子材料或低聚物、聚硅烷、导电性聚合物或低聚物(例如PEDOT：PSS、苯胺系共聚物、聚苯胺、聚噻吩等)等。
作为三芳基胺衍生物，可以举出α-NPD所代表的联苯胺型、MTDATA所代表的星爆型、在三芳基胺连接芯部具有芴、蒽的化合物等。
另外，日本特表2003-519432号公报、日本特开2006-135145号公报等中所记载的六氮杂苯并[9,10]菲衍生物也可作为空穴传输材料来使用。
进而，也可以使用掺杂了杂质的p性高的空穴传输层3b。例如也可以将日本特开平4-297076号公报、日本特开2000-196140号公报、日本特开2001-102175号公报的各公报、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等中所记载的构成应用于空穴传输层3b。
另外，也可以使用日本特开平11-251067号公报、J.Huang等著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)中所记载那样的所谓p型空穴传输材料或p型-Si、p型-SiC等无机化合物。进而，也可优选使用Ir(ppy)3所代表那样的中心金属具有Ir或Pt的邻位金属化有机金属络合物。
作为空穴传输材料，可使用上述的材料，可优选使用三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、氮杂苯并[9,10]菲衍生物、有机金属络合物、将芳香族胺导入了主链或者侧链的高分子材料或低聚物等。
作为有机电致发光元件EL中所使用的空穴传输材料的具体例，除上述举出的文献以外，还可以举出以下的文献中记载的化合物等，但并不限定于这些。
Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72-74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209(1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chern.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chern.Mater.15,3148(2003)、美国专利公开第20030162053号、美国专利公开第20020158242号、美国专利公开第20060240279号、美国专利公开第20080220265号、美国专利第5061569号、国际公开第2007002683号、国际公开第2009018009号、EP650955、美国专利公开第20080124572号、美国专利公开第20070278938号、美国专利公开第20080106190号、美国专利公开第20080018221号、国际公开第2012115034号、特表2003-519432号公报、日本特开2006-135145号、美国专利申请号13/585981号。
空穴传输材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。
[电子阻挡层]
电子阻挡层广义上为具有空穴传输层3b的功能的层。优选由具有传输空穴的功能且传输电子的能力小的材料构成。电子阻挡层通过传输空穴且阻挡电子，可提高电子和空穴的复合概率。
另外，可以将上述的空穴传输层3b的构成根据需要作为有机电致发光元件EL的电子阻挡层来使用。有机电致发光元件EL中设置的电子阻挡层优选与发光层3c的阳极侧邻接而设置。
作为电子阻挡层的厚度，优选为3～100nm的范围，进一步优选为5～30nm的范围。
作为空穴阻挡层中所使用的材料，可优选使用上述的电子传输层3b中所使用的材料。另外，用作上述的主体化合物的材料也可优选作为电子阻挡层来使用。
[空穴注入层3a]
空穴注入层3a(也称为“阳极缓冲层”)，为用于驱动电压降低、发光亮度提高而设置于阳极和发光层3c之间的层。空穴注入层3a的一个例子记载于“有机EL元件和其工业化最前线(1998年11月30日NTS公司发行)”的第2编第2章“电极材料”(123～166页)中。
空穴注入层3a根据需要设置，可如上所述设置在阳极和发光层3c之间或阳极和空穴传输层3b之间。
空穴注入层3a在日本特开平9-45479号公报、日本特开平9-260062号公报、日本特开平8-288069号公报等中也有其详细记载。
空穴注入层3a中所使用的材料可以举出例如上述的空穴传输层3b中所使用的材料等。其中，优选酞菁铜所代表的酞菁衍生物、日本特表2003-519432号、日本特开2006-135145号等中所记载那样的六氮杂苯并[9,10]菲衍生物、氧化钒所代表的金属氧化物、无定形碳、聚苯胺(翠绿亚胺)、聚噻吩等导电性高分子、三(2-苯基吡啶)铱络合物等所代表的邻位金属化络合物、三芳基胺衍生物等。
上述的空穴注入层3a中所使用的材料可单独使用，另外也可以并用使用多种。
[含有物]
构成有机电致发光元件EL的发光功能层3可以进一步含有其它含有物。
作为含有物，可以举出例如溴、碘及氯等卤素元素、卤素化合物、Pd、Ca、Na等碱金属、碱土金属、过渡金属的化合物、络合物、盐等。
含有物的含量可任意地确定，优选相对于所含有的层的总质量％为1000ppm以下，更优选为500ppm以下，进一步优选为50ppm以下。
但是，根据提高电子、空穴的传输性的目的、用于有利地进行激子的能量移动的目的等，并不在该范围内。
[发光功能层3的形成方法]
对构成有机电致发光元件EL的发光功能层(空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等)的形成方法进行说明。另外，发光功能层3的形成方法没有特别限制，可通过现有公知的例如真空蒸镀法、湿式法(湿法)等形成。
作为湿式法，有旋涂法、流延法、喷墨法、印刷法、模涂法、刮涂法、辊涂法、喷涂法、幕涂法、LB法(朗缪尔-布洛杰特法)等。从容易得到均质的薄膜且高生产率的方面考虑，优选模涂法、辊涂法、喷墨法、喷涂法等的卷对卷方式适应性高的方法。
在湿式法中，作为溶解或分散发光功能层的材料的液体介质，例如可以使用甲基乙基酮、环己酮等酮类、乙酸乙酯等脂肪酸酯类、二氯苯等卤代烃类、甲苯、二甲苯、均三甲苯、环己基苯等芳香族烃类、环己烷、十氢化萘、十二烷等脂肪族烃类、DMF、DMSO等有机溶剂。
另外，可通过超声波、高剪切力分散、介质分散等分散方法进行分散。
在构成发光功能层3的各层的形成中采用蒸镀法的情况下，其蒸镀条件根据使用的化合物的种类等而不同，通常优选在舟皿加热温度50℃～450℃、真空度10-6Pa～10-2Pa、蒸镀速度0.01nm/秒～50nm/秒、基板温度-50℃～300℃、膜厚0.1nm～5μm、优选5nm～200nm的范围适宜选择。
有机电致发光元件EL的形成优选通过一次抽真空而连贯地从发光功能层3制作至对置电极5，但也可以在中途取出而实施不同的成膜法。此时，优选在干燥不活泼气体气氛下进行作业。
另外，每层可以应用不同的形成方法。
<透明电极1>
透明电极1为之前说明的图1的透明电极1，构成有机电致发光元件EL的阳极或阴极。
在本实施方式的有机电致发光元件EL中，形成在发光功能层3和作为实质的阳极而使用的电极层1b之间配置有高折射率层H2的构成，但在本构成的透明电极1中，以银(Ag)作为主要成分的电极层1b的导电性极高，因此，对高折射率层H2不要求导电性。因此，高折射率层H1、H2可以使用之前的透明电极1中例示了的高折射率材料中具有适当的折射率的材料。另外，这些高折射率层H1、H2不需要具备作为电极所需的膜厚，可具有根据使用具备了这些高折射率层H1、H2的透明电极1的电子器件中的透明电极1的配置状态而适当设定了的膜厚。
予以说明，透明电极1被构图成使其端子部分从密封材料17露出的形状，但若高折射率层H1、H2及含氮层1a的绝缘性分别良好，则也可以不构图，只要仅对电极层1b构图即可。
<对置电极5>
对置电极5为构成有机电致发光元件EL的阳极或阴极的电极，即经由发光功能层3设置在透明电极1的一主面上的电极。该对置电极5相对于有机电致发光元件EL的发光功能层3，若透明电极1为阳极，则用作阴极，若透明电极1为阴极，则用作阳极。因此，至少与发光功能层3相接侧的界面层由适合作为阴极或阳极的材料构成。
这样的对置电极5作为使例如发光功能层3的发光层3c中产生的发光光h反射至透明基板13的光取出面13a侧的反射电极而构成。另外，对置电极5可相对于可见光具有透过性，该情况下，也可从对置电极5侧取出发光光h。
在此，构成上述的对置电极5的阳极及阴极如下。
[阳极]
作为有机电致发光元件EL中的阳极，可使用由功函数大的(4eV以上、优选4.5V以上)金属、合金、导电性化合物及它们的混合物构成的电极物质。作为这样的电极物质的具体例，可以举出Au等金属、CuI、铟锡氧化物(ITO)、SnO2、ZnO等导电性透明材料。另外，也可以使用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶质材料可制作透明导电膜的材料。
阳极可以通过蒸镀、溅射等的方法使这些电极物质形成薄膜，利用光刻法形成期望形状的图案。或者在不太需要图案精度的情况下(100μm以上左右)，也可以在利用蒸镀法或溅射法形成上述电极物质时经由期望形状的掩模形成图案。
或者，在使用如有机导电性化合物那样可涂布的物质的情况下，也可以使用印刷方式、涂覆方式等的湿式成膜法。另外，作为阳极的薄层电阻优选数百Ω/sq.以下。
阳极的厚度也取决于材料，通常在10nm～1μm、优选在10nm～200nm的范围考虑透过性或反射性来选择。
[阴极]
作为阴极，可使用由功函数小的(4eV以下)金属(称为电子注入性金属)、合金、导电性化合物及它们的混合物构成的电极物质。作为这样的电极物质的具体例，可以举出钠、钠-钾合金、镁、锂、镁/铜混合物、镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、铟、锂/铝混合物、铝、稀土类金属等。
其中，从电子注入性及相对于氧化等的耐久性的观点考虑，优选电子注入性金属和功函数值比该电子注入性金属大且稳定的第二金属的混合物，例如镁/银混合物、镁/铝混合物、镁/铟混合物、铝/氧化铝(Al2O3)混合物、锂/铝混合物、铝等。
阴极可将上述电极物质使用蒸镀、溅射等方法来制作。另外，阴极的薄层电阻优选数百Ω/sq.以下。
阴极的厚度也取决于材料，通常在10nm～5μm、优选在50nm～200nm的范围考虑透过性或反射性来选择。
下述依次对可应用于有机电致发光元件EL的密封方法、保护膜、保护板、光取出技术、聚光片进行说明。
(外部取出效率)
室温下的有机电致发光元件EL的发光的外部取出效率优选为1％以上，更优选为5％以上。
在此，外部取出量子效率(％)＝发光至有机电致发光元件外部的光子数/流至有机电致发光元件的电子数×100。
另外，可以并用滤色器等色相改良滤光片等，也可以并用利用荧光体将来自有机电致发光元件EL的发光色转换为多色的颜色转换滤光片。
[密封]
有机电致发光元件EL虽然以较少的电力良好地发光，但不耐水分，因水分吸水而形成非发光部，因此，优选利用密封材料17进行密封。
作为可应用于有机电致发光元件EL的密封的密封方法，例如可以举出利用粘接剂19粘接密封材料17和对置电极5及透明基板13的方法。作为密封材料17，只要以覆盖有机电致发光元件EL的显示区域的方式配置即可，可以为凹板状，也可以为平板状。另外，密封材料17的透明性、电绝缘性没有特别限定，如上所述，在例如有机电致发光元件EL的透明电极1用作发光功能层3上的上部电极的构成的情况下，由透明材料构成。
具体而言，可以举出玻璃板、聚合物板·膜、金属板·膜等。作为玻璃板，特别是可以举出钠钙玻璃、含有钡·锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钡硼硅酸玻璃、石英等。另外，作为聚合物板，可以举出聚碳酸酯、丙烯酸系聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚硫醚、聚砜等。作为金属板，可以举出选自由不锈钢、铁、铜、铝、镁、镍、锌、铬、钛、钼、硅、锗及钽构成的组中的一种以上的金属或合金构成的金属板。
将密封材料17加工成凹状，可使用喷砂加工、化学蚀刻加工等。
为了有机电致发光元件EL的薄膜化，优选使用聚合物膜、金属膜。进而，聚合物膜优选利用依据JIS K 7126-1987的方法测得的氧透过度为1×10-3ml/(m2/24h)以下，利用依据JIS K 7129-1992的方法测得的水蒸气透过度(25±0.5℃、相对湿度(90±2)％)为1×10-3g/(m2/24h)以下。
作为粘接剂19，例如可以举出丙烯酸系低聚物、甲基丙烯酸系低聚物的具有反应性乙烯基的光固化型及热固化型粘接剂、2-氰基丙烯酸酯等湿气固化型等的粘接剂。另外，可以举出环氧系等热及化学固化型(二液混合)。另外，可以举出热熔型的聚酰胺、聚酯、聚烯烃。另外，可以举出阳离子固化型的紫外线固化型环氧树脂粘接剂。
予以说明，有机电致发光元件EL有时因热处理而劣化，因此，优选可在室温到80℃以下粘接固化。另外，也可以预先在粘接剂19中分散干燥剂。粘接剂19向密封部分的涂布可以使用市售的分配器，也可以如丝网印刷那样进行印刷。
另外，密封材料17夹持发光功能层3，在与透明基板13对置侧的对置电极5上被覆该对置电极5和发光功能层3，以与透明基板13相接的形式形成无机物、有机物的层，由此，也可以形成密封膜。此时，作为形成密封膜的材料，只要为具有抑制水分、氧等的浸入的功能的材料即可，例如可使用氧化硅、二氧化硅、氮化硅等。
进而，为了改良密封膜的脆弱性，优选与上述的阻隔膜同样地具有由无机层和有机材料构成的层的层叠结构。对于这些膜的形成方法没有特别限定，例如可以使用真空蒸镀法、溅射法、反应性溅射法、分子束外延法、团簇离子束法、离子镀法、等离子体聚合法、大气压等离子体聚合法、等离子体CVD法、激光CVD法、热CVD法、涂布法等。
另外，优选向密封材料17和有机电致发光元件EL的显示区域的间隙注入氮、氩等不活泼气体形成的气相或氟化烃、硅油这样的惰性液体形成的液相。另外，也可以将密封材料17和有机电致发光元件EL的显示区域的间隙形成真空。
进而，也可以在密封材料17和有机电致发光元件EL的显示区域的间隙的内部封入吸湿性化合物。
作为吸湿性化合物，例如可以举出氧化钠、氧化钾、氧化钙、氧化钡、氧化镁、氧化铝等金属氧化物、硫酸钠、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钴等硫酸盐、氯化钙、氯化镁、氟化铯、氟化钽、溴化铈、溴化镁、碘化钡、碘化镁等金属卤化物、高氯酸钡及高氯酸镁等高氯酸类等。作为硫酸盐、金属卤化物及高氯酸类，可优选使用无水盐。
[保护膜、保护板]
为了提高元件的机械强度，也可以在密封有机电致发光元件EL的密封膜或密封用膜的外侧设置保护膜或保护板。特别是在利用密封膜进行有机电致发光元件EL的密封的情况下，由于机械强度未必高，因此，优选设置保护膜或保护板。可用作保护膜或保护板的材料例如可与上述的密封材料17同样地使用玻璃板、聚合物板·膜、金属板·膜等。作为保护膜或保护板，优选使用可轻量化及薄膜化的聚合物膜。
[光取出提高技术]
通常已知有机电致发光元件EL在折射率比空气高的层(折射率1.6～2.1左右的范围内)的内部发光，仅能够取出发光层3c中产生的光中的15％～20％左右的光。作为该理由，是因为以临界角以上的角度θ入射于界面(例如透明基板13和空气的界面)的光产生全反射而难以取出到元件外部或在透明基板13和透明电极1、或透明电极1和发光层3c之间光产生全反射，光在透明电极1～发光层3c波导，作为结果，光外溢至元件侧面方向。
作为提高有机电致发光元件的光的取出效率的方法，例如可以举出在透明基板表面形成凹凸，防止透明基板和空气界面的全反射的方法(例如美国专利第4774435号说明书)，通过使基板具有聚光性来提高效率的方法(例如日本特开昭63-314795号公报)；在元件的侧面等形成反射面的方法(例如日本特开平1-220394号公报)；在基板和发光体之间导入具有中间的折射率的平坦层来形成防反射膜的方法(例如日本特开昭62-172691号公报)；在基板和发光体之间导入具有比基板低折射率的平坦层的方法(例如日本特开2001-202827号公报)；在基板、透明电极层、发光层的任一层间(包括基板和外界间)形成衍射光栅的方法(日本特开平11-283751号公报)等。
在本实施方式的有机电致发光元件EL中，可组合使用上述的方法。可特别优选使用在透明基板13和发光层3a之间导入具有比透明基板低折射率的平坦层的方法或者在层间形成衍射光栅的方法。
在有机电致发光元件EL中，通过组合这些方法，可进一步提高光的取出效率。
例如在有机电致发光元件EL中，若在透明电极1和透明基板13之间以比透过的光的波长长的厚度形成低折射率的介质，则对从透明电极1出来的光而言，介质的折射率越低，向元件外部的取出效率越变高。
作为用低折射率介质形成的低折射率层，例如可以举出气溶胶、多孔质二氧化硅、氟化镁、氟系聚合物等。透明基板的折射率通常在1.5～1.7左右的范围内，因此，低折射率层优选折射率约为1.5以下。另外，进一步优选为1.35以下。
另外，低折射率层的厚度优选为在介质中透过的光的波长的2倍以上。这是因为在将低折射率层的厚度设为光的波长左右的情况下，成为渐逝渗出的电磁波进入到与低折射率层的光取出面侧邻接的层内的膜厚，因此，低折射率层的效果减小。
在产生全反射的界面或任一介质中导入衍射光栅的方法具有光取出效率的提高效果高这样的特征。该方法利用如下性质，即，衍射光栅通过1次的衍射、2次的衍射这样的所谓的布拉格衍射，可将光的方向变为与折射不同的特定的方向。通过将衍射光栅导入层间、介质中，使层间的全反射等产生的光衍射，可将由发光层3c产生的光取出至外部。
作为导入的衍射光栅，仅在某方向具有周期性的折射率分布的一般的一维衍射光栅、及具有二维周期折射率的衍射光栅均可应用。
特别是发光层3c中发出的光在所有方向随机地产生，因此，通过导入具有二维的周期折射率的衍射光栅，可使在所有方向随机产生的光衍射。因此，通过将具有二维的周期折射率的衍射光栅导入有机电致发光元件，可使折射率分布为二维的分布，使在所有方向前进的光衍射，光的取出效率提高。
导入衍射光栅的位置可以为任一层间、或透明基板13、透明电极1等的介质中，优选光产生的场所即发光功能层3的附近。此时，衍射光栅的周期优选介质中的光的波长的约1/2～3倍左右的范围内。衍射光栅的排列优选重复正方形的格子状、三角形的格子状、蜂窝格子状等二维排列。
[聚光片]
有机电致发光元件EL通过在光取出面侧设置例如微透镜阵列、所谓聚光片，可相对于特定方向、例如元件发光面在正面方向聚光，提高特定方向上的亮度。
另外，为了控制自有机电致发光元件EL的光放射角，也可以将光扩散板·膜与聚光片并用。例如可使用(株)Kimoto制扩散膜(照明)等。
作为微透镜阵列的例子，在基板的光取出面侧二维配置一边30μm、顶角为90度这样的四棱锥。一边优选在10～100μm的范围内。若比其小，则产生衍射的效果而着色，若过大，则厚度变厚，故不优选。
作为聚光片，例如可使用液晶显示装置的LED背光中实用化的片材。作为这样的片材，例如可以使用住友3M公司制亮度上升膜(BEF)等。作为棱镜片，可以使用例如在基材上形成有顶角90度、间距50μm的剖面三角形状的条纹的形状、顶角带有圆弧的形状、随机改变间距的形状、及其它形状。
[用途]
有机电致发光元件EL可应用于显示器件、显示器、各种发光光源等电子设备。
作为发光光源，例如可以举出家庭用照明或车内照明等照明装置、钟表或液晶用背光、广告牌广告、信号机、光存储介质等的光源、电子照相复印机的光源、光通信处理机的光源、光传感器的光源等，但并不限定于此。特别是可有效用于作为液晶显示装置的背光、照明用光源的用途。
在有机电致发光元件EL中，也可以根据需要在成膜时利用金属掩模、喷墨印刷法等实施构图。在进行构图的情况下，可以仅对透明电极1及对置电极5进行构图，也可以对这些电极和发光层3c进行构图，或对元件整体进行构图。在元件的制作中，可以使用现有公知的方法。
《4.照明装置》
用于照明装置的有机电致发光元件也可以形成使上述构成的有机电致发光元件EL具有共振器结构的设计。作为以共振器结构的形式构成的有机电致发光元件的使用目的，可以举出光存储介质的光源、电子照相复印机的光源、光通信处理机的光源、光传感器的光源等，但并不限定于这些。另外，也可通过进行激光震荡来用于上述用途。
另外，有机电致发光元件中所使用的材料实质上可应用于产生白色发光的有机电致发光元件(也称为白色有机电致发光元件)。例如也可以通过多个发光材料同时发出多个发光色来通过混色得到白色发光。作为多个发光色的组合，可以为含有红色、绿色、蓝色这样的3原色的3个发光最大波长的组合，也可以为含有蓝色和黄色、蓝绿和橙色等利用补色关系的2个发光最大波长的组合。
另外，用于得到多个发光色的发光材料的组合可以为将以多个磷光或荧光发光的材料组合多个而成的组合、将以荧光或磷光发光的发光材料和将来自发光材料的光作为激发光来发光的色素材料的组合的任一种，但在白色有机电致发光元件中，也可以组合混合多个发光掺杂剂。
这样的白色有机EL元件与阵列状地分别并联设置各色发光的有机EL元件而得到白色发光的构成不同，有机EL元件自身发出白色光。因此，构成元件的大部分层的成膜不需要掩模，可在一面通过蒸镀法、流延法、旋涂法、喷墨法、印刷法等形成例如电极膜，生产率也提高。
另外，作为这样的白色有机电致发光元件的发光层中使用的发光材料，没有特别限制，若为例如液晶显示元件中的背光，则只要以适于与CF(滤色器)特性对应的波长范围的方式从本发明的金属络合物、另外公知的发光材料中选择组合任意的材料进行白色化即可。
若使用以上说明的白色有机电致发光元件，则可制作实质上产生白色的发光的照明装置。
另外，多个照明装置，例如通过使用多个有机电致发光元件，也可以用作使发光面大面积化的照明装置。此时，通过在支承基板上排列多个(即平铺)设有有机电致发光元件的多个发光面板，使发光面大面积化。支承基板可兼作密封材料，在该支承基板和发光面板的透明基板之间夹持有机电致发光元件的状态下平铺各发光面板。也可以在支承基板和透明基板之间填充粘接剂，由此密封有机电致发光元件。另外，也可以预先使透明电极及对置电极的端子在发光面板的周围露出。
在这样的构成的照明装置中，各发光面板的中央成为发光区域，在发光面板间产生非发光区域。因此，也可以将用于增加来自非发光区域的光取出量的光取出部件设置于光取出面的非发光区域。作为光取出部件，可使用聚光片及光扩散片。
<效果>
以上说明了的有机电致发光元件EL为将本发明的兼备导电性和透光性且谋求了可靠性的提高的透明电极1作为阳极来使用、在该透明电极1中的高折射率层H2侧依次设有发光功能层3和作为阴极的对置电极5的构成。因此，可通过在透明电极1和对置电极5之间施加充分的电压来实现有机电致发光元件EL中的高亮度发光、且可谋求由来自透明电极1侧的发光光h的取出效率提高所引起的高亮度化。而且，可长期维持这样的性能，可谋求长期可靠性的提高。进而，即使由于用于得到规定亮度的驱动电压的降低也可谋求发光寿命的提高。
实施例1
《透明电极的制作》
如以后的表2中示出的构成所示，以导电性区域的面积为5cm×5cm的方式制作试样101～137的各透明电极。
<试样101、102的制作步骤>
如下在玻璃制的基材上以下述表2中所示的各个膜厚形成由银(Ag)构成的电极层。
首先，将透明的无碱玻璃制的基材固定于市售的真空蒸镀装置的基材支架，安装于真空蒸镀装置的真空槽内。另外，在钨制的电阻加热舟皿中放入银(Ag)，安装于该真空槽内。接着，将真空槽减压至4×10-4Pa后，将电阻加热舟皿通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒且以各个膜厚形成由银构成的电极层。在试样101中，以膜厚6nm形成电极层，在试样102中，以膜厚15nm形成电极层。
<试样103、104的制作步骤>
如下制作利用由下述表2所示的各个材料构成的高折射率层夹持电极层的构成的透明电极。
首先，在透明的无碱玻璃制的基材上形成高折射率层。
在试样103中，使用电子束蒸镀装置形成由氧化钛(TiO2)构成的高折射率层。此时，将容纳有氧化钛(TiO2)的铜(Cu)制的炉缸衬垫设置于电子束蒸镀装置的真空槽内，在真空槽内加入氧气(O2)减压至2×10-2Pa，使用离子辅助蒸镀(IAD)以成膜速度0.2nm/秒形成膜厚40nm的高折射率层。
另一方面，在试样104中，使用溅射成膜装置形成由氧化铌(Nb2O5)构成的高折射率层。此时，在溅射成膜装置中，采用RF(高频)偏压300W，以成膜速度0.2nm/秒形成膜厚40nm的高折射率层。
接着，将成膜至高折射率层的基材在保持各成膜装置内的真空状态的状态下移至真空蒸镀装置的真空槽，将真空槽减压至4×10-4Pa后，对放入有银的加热舟皿进行通电加热。由此，以蒸镀速度0.1nm/秒形成膜厚9nm的由银构成的电极层。
然后，在各试样103、104中，通过与之前同样的步骤在电极层的上部形成高折射率层。即，在试样103中，使用电子束蒸镀装置通过离子辅助蒸镀(IAD)以膜厚40nm形成由氧化钛(TiO2)构成的高折射率层。另外，在试样104中，使用溅射成膜装置以膜厚40nm形成由氧化铌(Nb2O5)构成的高折射率层。此时，将成膜至电极层的基材在保持真空蒸着装置的真空槽内的真空状态的状态下移动至各成膜装置，形成高折射率层。
通过以上操作制作依次层叠了高折射率层、使用银的电极层和高折射率层的试样103、104的透明电极。
<试样105的制作步骤>
如下在玻璃制的基材上形成在银(Ag)中添加了铝(Al)的电极层。
首先，将透明的无碱玻璃制的基材固定于市售的真空蒸镀装置的基材支架。另外，在钨制的电阻加热舟皿中分别放入银(Ag)和铝(Al)，将这些基板支架和电阻加热舟皿安装于真空蒸镀装置的真空槽。接着，将真空槽减压至4×10-4Pa后，利用通过调整向各电阻加热舟皿的电流而调整了蒸镀速度的共蒸镀，在银(Ag)中以20.0原子％的浓度添加铝(Al)并以膜厚9nm形成合金化的电极层。
<试样106～109的制作步骤>
如下在玻璃制的基材上形成使用有下述表2中所示的各个材料的含有氮的含氮层和由银构成的电极层的2层结构的透明电极。另外，在试样106中，替换含氮层而形成不含氮的基底层。
首先，将透明的无碱玻璃制的基材固定于市售的真空蒸镀装置的基材支架。另外，在各透明电极的制作中，将下述表2中所示的各化合物放入钽制的电阻加热舟皿。将这些基板支架和电阻加热舟皿安装于真空蒸镀装置的第1真空槽内。另外，在钨制的电阻加热舟皿中放入银(Ag)，安装于真空蒸镀装置的第2真空槽内。
在此使用的化合物中，化合物(1)为不含氮原子的蒽，化合物(2)为如下化合物，即，虽然含有氮，但有效非共有电子对含有率[n/M]的值为[n/M]<2.0×10-3。
[化学式74]
另外，化合物No.1、No.39为从上述表1中所示的化合物中适宜选择的有效非共有电子对含有率[n/M]的值为2.0×10-3≤[n/M]的化合物。下述表2中还示出在此使用的化合物的有效非共有电子对数[n]、分子量[M]及有效非共有电子对含有率[n/M]。
接着，将第1真空槽减压至4×10-4Pa后，对放入了各化合物的加热舟皿通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒在基材上设置膜厚3nm的由各化合物构成的含氮层。
接着，将成膜至含氮层的基材在真空状态下移至第2真空槽，将第2真空槽减压至4×10-4Pa后，对放入有银的加热舟皿进行通电加热。由此，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒形成膜厚9nm的由银构成的电极层，得到由含氮层和其上部的电极层的层叠结构构成的试样106～109的各透明电极。
<试样110～135的透明电极的制作步骤>
参照下述表2，制作在玻璃制的基材上依次层叠了高折射率层、含氮层、以银(Ag)作为主要成分的电极层及高折射率层的透明电极。
首先，在透明的无碱玻璃制的基材上形成膜厚40nm的高折射率层。此时，通过构成高折射率层的材料使用不同的成膜装置进行成膜。即，由氧化铌(Nb2O5)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)构成的高折射率层的形成使用溅射成膜装置进行成膜。另一方面，由氧化钛(TiO2)构成的高折射率层的形成使用电子束蒸镀装置通过离子辅助蒸镀(IAD)进行成膜。使用这些各装置的高折射率层的形成与试样103、104中说明的步骤同样地进行。
另外，将表2所示的各化合物放入钽制的电阻加热舟皿，安装于真空蒸镀装置的第1真空槽内。另外，在钨制的电阻加热舟皿中放入银(Ag)，安装于真空蒸镀装置的第2真空槽内。另外，在试样116中，在钨制的各电阻加热舟皿中分别放入银(Ag)和铝(Al)。
接着，将成膜至高折射率层的基材在保持各成膜装置内的真空状态的状态下移至真空蒸镀装置的第1真空槽，将第1真空槽减压至4×10-4Pa后，对放入了各化合物的加热舟皿进行通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒在基材上形成膜厚3nm的由各化合物构成的含氮层。
接着，将成膜至含氮层的基材在真空状态下移至第2真空槽，将第2真空槽减压至4×10-4Pa后，利用通过调整向电阻加热舟皿的电流而调整了蒸镀速度的蒸镀，以膜厚9nm形成由银(Ag)构成的电极层。其中，在试样116中，通过调整了蒸镀速度的共蒸镀，以膜厚9nm形成以20.0原子％的浓度添加银(Ag)和铝(Al)而合金化的电极层。
然后，在各试样中，通过与之前同样的步骤在电极层的上部形成膜厚40nm的高折射率层。即，由氧化铌(Nb2O5)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡(ITO)构成的高折射率层的形成使用溅射成膜装置进行成膜。另一方面，由氧化钛(TiO2)构成的高折射率层的形成使用电子束蒸镀装置通过离子辅助蒸镀(IAD)进行成膜。使用这些各装置的高折射率层的形成与试样103、104中说明的步骤同样地进行。另外，此时，将成膜至电极层的基材在保持真空蒸着装置的真空槽内的真空状态的状态下移动至各成膜装置，形成高折射率层。通过以上操作制作依次层叠了高折射率层、含氮层、电极层和高折射率层的试样110～135的各透明电极。
<试样136、137的透明电极的制作步骤>
在试样122、129的制作中说明的步骤中，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制的基材形成基材，除此以外，通过与上述试样122、129同样的步骤形成试样136、137的各透明电极。
<实施例1的各试样的评价>
对上述制作的试样101～137的各透明电极测定(1)相对于波长550nm的光的透光率、(2)薄层电阻、及(3)高温·高湿保存性。
(1)透光率的测定使用分光光度计(日立制作所制U-3300)，以与试样相同的基材作为基线进行。(2)薄层电阻的测定使用电阻测定器(NAPSON株式会社制EC-80)进行非接触的电阻测定。(3)在高温·高湿保存性的测定中，测定在高温高湿环境(温度60℃、湿度90％)下将试样101～136的各透明电极保存300小时后的薄层电阻。然后，算出保存后的薄层电阻相对于保存前的薄层电阻的上升率作为高温·高湿保存性。得到的值越小，表示越为优选的结果。将该结果示于下述表2。
[表2]
<实施例1的评价结果>
由表2明确确认了试样110～137的各透明电极、即依次层叠有高折射率层、含氮层、以银(Ag)作为主要成分的电极层及高折射率层的透明电极为尽管透光率为80％以上，但薄层电阻值也低于10Ω/sq.，高温·高湿保存性也为140％以下，兼备导电性的提高和透光性的提高，并且实现了可靠性提高的透明电极。
另外，试样110～137中，比较仅高折射率层的材料不同的试样110～113、115、117时，确认了高折射率层的折射率越高(使用氧化铌(Nb2O5)、氧化钛(TiO2)等的试样110、113、115、117)，透光率的值变得越高的倾向。另外，根据试样115、117的结果，即使在由2个高折射率层不同种类的化合物构成的情况下也相同。
另外，确认了试样110～115、117～137中，备有使用有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]的化合物构成的含氮层的透明电极110～113、115、117～137与未具备其的透明电极(试样114)相比，薄层电阻低，通过单层生长型(Frank-van der Merwe：FM型)的膜生长以大致均匀的膜厚形成。
另外，比较试样105和试样116的透明电极，即具备以银(Ag)和铝(Al)合金化的电极层的透明电极彼此时，确认了备有使用有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]的化合物构成的含氮层的透明电极116与未具备其的透明电极105相比，薄层电阻低，通过单层生长型(Frank-van der Merwe：FM型)的膜生长以大致均匀的膜厚形成。
另外，确认了这些试样110～113、115～137的透明电极的高温·高湿保存性为100％，高温·高湿耐性优异。
进而，试样110～137中，比较仅有效非共有电子对含有率[n/M]的值不同的试样117～135时，确认了有效非共有电子对含有率[n/M]越高，薄层电阻越低的倾向，有效非共有电子对含有率[n/M]对FM型的膜生长造成影响。
以上的结果即使基材为玻璃或塑料材料(PET)也相同。
另一方面，未设置含氮层等基底层的试样101无法测定薄层电阻，试样102的电极层的膜厚为15nm这样的厚膜，因此，虽然薄层电阻低，但透光率低，无法用作透明电极。另外，仅将由银(Ag)构成的电极层利用高折射率层夹持的试样103、104、以银(Ag)作为主要成分且仅添加了铝的试样105、在基底层、含氮层上层叠了由银(Ag)构成的电极层的试样106～109中，无法得到兼备导电性的提高和透光性的提高，并且实现了可靠性提高的透明电极。
另外，试样134的透明电极使用No.47的具有硝基的化合物形成含氮层，确认了可得到透光率、薄层电阻、及高温·高湿保存性良好的结果。另外，即使与使用和试样134大致同等的有效非共有电子对含有率[n/M]的No.46构成的试样133比较也可同样地得到良好的结果。因此，确认了硝基(-NO2)的氮原子所具有的非共有电子对虽然被利用于与氧原子的共振结构，但作为未与芳香族性有关且未配位于金属的非共有电子对即[有效非共有电子对]，对于与银(Ag)的键合发挥效果。
另外，图8中示出对于在使用有有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]≤1.9×10-2的化合物No.1～No.20的含氮层的上部设有膜厚6nm的由银(Ag)构成的电极层的透明电极，将构成含氮层的化合物的有效非共有电子对含有率[n/M]和对各透明电极测得的薄层电阻的值进行绘图而得到的图表。
由图8的图表发现如下倾向：在有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]≤1.9×10-2的范围下，有效非共有电子对含有率[n/M]的值越大，透明电极的薄层电阻变得越低。而且，确认了若以有效非共有电子对含有率[n/M]＝3.9×10-3为边界在3.9×10-3≤[n/M]的范围，则可得到使薄层电阻大幅降低的效果。进而，确认了若在6.5×10-3≤[n/M]的范围，则可得到使薄层电阻可靠地降低的效果。
另外，以上的结果即使在通过涂布成膜而形成了含氮层的试样中也相同。另外，即使在将含有氮的化合物与其它化合物混合而构成含氮层的试样中也可得到同样的结果。
由以上确认为通过以有效非共有电子对含有率[n/M]作为指标且选择使用构成与电极层邻接而设置的含氮层的化合物，可得到为了得到透光性虽然为薄膜，但低电阻的电极膜(即透明电极)。
实施例2
《底部发光型的有机电致发光元件的制作》
如以后的表3中示出的构成所示，制作将各构成的透明电极作为阳极设在发光功能层的下部的试样201～229的底部发光型的各有机电致发光元件。参照图9说明制作步骤。另外，下述表3中示出试样201～229的有机电致发光元件中使用的透明电极的构成。
<试样201～229的有机电致发光元件的制作步骤>
(透明电极1’的形成)
首先，在试样201～229中，在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制的透明基板13的上部形成下述表3所示的各构成的透明电极1’。各结构的透明电极的形成步骤与实施例1中对应的结构的透明电极的制作同样地进行。各构成的透明电极1’中，试样208～229成为本发明构成的透明电极1。
(空穴传输·注入层31的形成)
对放入有作为空穴传输注入材料的下述结构式所示的α-NPD的加热舟皿通电而加热，在透明电极1’上形成由α-NPD构成的兼作空穴注入层和空穴传输层的空穴传输·注入层31。此时，蒸镀速度为0.1nm/秒～0.2nm/秒，膜厚设为20nm。
[化学式75]
(发光层32的形成)
接着，将放入有下述结构式所示的主体材料H-1的加热舟皿和放入有下述结构式所示的磷光发光性化合物Ir1的加热舟皿分别独立地通电，在空穴传输·注入层31上形成由主体材料H-1和磷光发光性化合物Ir1构成的发光层32。此时，以蒸镀速度为主体材料H-1：磷光发光性化合物Ir1＝100：6的方式调节加热舟皿的通电。另外，膜厚设为30nm。
[化学式76]
(空穴阻挡层33的形成)
接着，对放入有作为空穴阻挡材料的下述结构式所示的BAlq的加热舟皿通电而加热，在发光层32上形成由BAlq构成的空穴阻挡层33。此时，蒸镀速度为0.1nm/秒～0.2nm/秒，膜厚设为10nm。
[化学式77]
(电子传输·注入层34的形成)
然后，将放入有作为电子传输材料的之前作为构成含氮层的化合物示出了结构的化合物10的加热舟皿和放入有氟化钾的加热舟皿分别独立地通电，在空穴阻挡层33上形成由化合物10和氟化钾构成的兼作电子注入层和电子传输层的电子传输·注入层34。此时，以蒸镀速度为化合物10：氟化钾＝75：25的方式调节加热舟皿的通电。另外，膜厚设为30nm。
(对置电极5：阴极的形成)
以上之后，将形成有发光功能层3的透明基板13移至真空蒸镀装置的第2真空槽内，将第2真空槽内减压至4×10-4Pa后，对安装于第2真空槽内的放入有铝的加热舟皿进行通电而加热。由此，以蒸镀速度0.3nm/秒形成膜厚100nm的由铝构成的对置电极5。该对置电极5用作阴极。通过以上操作，在透明基板13上形成底部发光型的有机电致发光元件EL。
(元件的密封)
然后，用厚度300μm的由玻璃基板构成的密封材料17覆盖有机电致发光元件EL，在包围有机电致发光元件EL的状态下在密封材料17和透明基板13之间填充粘接剂19(密封材料)。作为粘接剂19，使用环氧系光固化型粘接剂(东亚合成公司制ラックストラックLC0629B)。对于填充在密封材料17和透明基板13之间的粘接剂19，从由玻璃基板构成的密封材料17侧照射UV光，使粘接剂19固化来密封有机电致发光元件EL。
予以说明，在有机电致发光元件EL的形成中，各层的形成中使用蒸镀掩模，将5cm×5cm的透明基板13中的中央的4.5cm×4.5cm设为发光区域A，在发光区域A的整个周设置宽度0.25cm的非发光区域B。另外，所谓作为阳极的透明电极1’的电极层1b和作为阴极的对置电极5，在由空穴传输·注入层31～电子传输·注入层34而绝缘的状态下以在透明基板13的周缘引出了端子部分的形状来形成。
如上得到在透明基板13上设置有机电致发光元件EL、且将其用密封材料17和粘接剂19密封了的试样201～229的有机电致发光元件的各发光面板。在这些各发光面板中，将在发光层32中产生的各色的发光光h从透明基板13侧取出。
<实施例2的各试样的评价>
对试样201～229中制作的有机电致发光元件EL(发光面板)进行(1)外量子效率(External Quantum Efficiency：EQE)、(2)高温·高湿保存性的各评价。将该结果一并示于下述表3。
(1)外量子效率(EQE)使用分光放射亮度计CS-1000(KonicaMinoltaSensing公司制)测定使各有机电致发光元件发光时的亮度及发光光谱，基于这些测定值通过亮度换算法算出。在此，进一步作为将试样201的有机电致发光元件的值设为1.0的相对值示出。
(2)对高温·高湿保存性而言，分别准备各10个如试样201～229那样密封的有机电致发光元件EL，通过将这些在高温高湿环境下保存后的a)发光个数(n/10个)、b)保存前后的驱动电压的变化量(ΔV)、c)整流比[log]进行评价。高温高湿环境设为温度60℃、湿度90％，保存时间设为300小时。在保存中，使各有机电致发光元件EL以亮度成为1000cd的驱动电压进行驱动。
a)发光个数(n/10个)为各10个试样201～229中在300小时的保存后也确认到发光的个数，越接近10越优选。
b)驱动电压的变化量ΔV作为在各试样201～229中于保存后确认到发光的有机电致发光元件EL的平均值算出，数值越小越优选。
c)对整流比[log]而言，对保存后的各发光面板测定沿顺方向施加+2.5V的驱动电压时的电流值和沿反方向施加-2.5V驱动电压时的电流值，算出这些电流值之比[电流值(+2.5V)/电流值(-2.5V)]的对数值，作为整流比[log]。整流比[log]越高，表示泄漏特性越优异。将该结果示于下述表3。
[表3]
<实施例2的评价结果>
由表3明确确认了试样208～229的各有机电致发光元件EL、即使用依次层叠有高折射率层、含氮层、以银(Ag)作为主要成分且含有添加元素的电极层及高折射率层的透明电极的有机电致发光元件EL与试样201～207相比，外量子效率(EQE)高、发光特性优异，高温高湿环境下的保存后的驱动电压差低，各10个的试样中在保存后均确认到发光，且保存后的整流比[log]也充分，可抑制泄漏，高温·高湿耐性也优异。
其中，使用有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]的化合物作为构成含氮层的化合物的试样209～229的各有机电致发光元件EL的外量子效率(EQE)也高达1.19以上，高温·高湿保存后的驱动电压差也抑制为1.2以下，且整流比也为4.0以上，高温高湿耐性也良好。
由以上确认了使用本发明构成的透明电极1’的有机电致发光元件EL能够以低驱动电压进行高亮度发光，且长期可靠性优异。进而，也确认了用于得到规定亮度的驱动电压的降低和由其所引起的发光寿命的提高。
实施例3
使用实施例1中制作的本发明构成的试样208～229的透明电极作为阳极，制作将各阳极设在发光功能层的下部的白色发光的底部发光型的各有机电致发光元件。对制作的各有机电致发光元件进行与实施例2同样的评价，结果确认了与实施例2同样，外量子效率(EQE)高且发光特性优异，高温·高湿保存性优异。由此确认了，本发明作为白色发光的有机电致发光元件的构成也有效。
另外，实施例3中制作的白色发光的各有机电致发光元件的制作步骤如下。
首先，在30mm×30mm、厚度0.7mm的玻璃制的透明基板上形成实施例1中制作的本发明构成的试样208～229的透明电极作为阳极。接着，将各形成有阳极的透明基板固定于市售的真空蒸镀装置的基板支架。
另一方面，在真空蒸镀装置内的蒸镀用坩埚中分别将接着形成的各层的构成材料仅填充各自最适于元件制作的量并固定于真空蒸镀装置。蒸镀用坩埚使用由钼制或钨制的电阻加热用材料制作的坩埚。
然后，将真空蒸镀装置内减压至真空度1×10-4Pa后，对上述放入有α-NPD的蒸镀用坩埚通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒在透明电极上蒸镀，形成膜厚40nm的空穴注入传输层。
接着，将作为蓝色的发光掺杂剂的下述化合物BD-1、及作为主体化合物的下述化合物H-2以化合物BD-1为5％的浓度方式且以蒸镀速度0.1nm/秒进行共蒸镀，形成膜厚15nm的呈现蓝色发光的荧光发光层。
[化学式78]
接着，将作为绿色的发光掺杂剂的下述化合物GD-1、作为红色的发光掺杂剂的下述化合物RD-1及作为主体化合物的下述化合物H-3以化合物GD-1为17％、化合物RD-1为0.8％的浓度的方式且以蒸镀速度0.1nm/秒进行共蒸镀，形成膜厚15nm的呈现黄色发光的磷光发光层。另外，化合物GD-1为之前作为发光掺杂剂而示出的化合物D-15，化合物RD-1为之前作为发光掺杂剂而示出的化合物D-1。
[化学式79]
然后，将下述化合物E-1以蒸镀速度0.1nm/秒进行蒸镀，形成膜厚30nm的电子传输层。另外，化合物E-1为之前作为构成含氮层的材料而示出的化合物10。
[化学式80]
进而，以膜厚1.5nm形成LiF后，蒸镀铝110nm而形成对置电极(阴极)。
接着，将上述元件的非发光面用玻璃壳覆盖，制作各有机电致发光元件。
实施例4
使用实施例1中制作的本发明构成的试样208～229的透明电极作为阳极，制作将各阳极设在发光功能层的下部的白色发光的串联型的各有机电致发光元件。对制作的各有机电致发光元件进行与实施例2同样的评价，结果确认了与实施例2同样，外量子效率(EQE)高且发光特性优异，高温·高湿保存性优异。由此确认：本发明作为串联型的有机电致发光元件的构成也是有效的。
另外，实施例4中制作的串联型的各有机电致发光元件的制作步骤如下。
首先，在30mm×30mm、厚度0.7mm的玻璃制的透明基板上形成实施例1中制作的本发明构成的试样208～229的透明电极作为阳极。接着，将各形成有阳极的透明基板固定于市售的真空蒸镀装置的基板支架。
另一方面，在真空蒸镀装置内的蒸镀用坩埚中分别将接着形成的各层的构成材料仅填充各自最适于元件制作的量并固定于真空蒸镀装置。蒸镀用坩埚使用由钼制或钨制的电阻加热用材料制作的坩埚。
然后，将真空蒸镀装置内减压至真空度1×10-4Pa后，对上述放入有α-NPD的蒸镀用坩埚通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒在透明电极上蒸镀，形成膜厚40nm的空穴注入传输层。
接着，将作为蓝色的发光掺杂剂的上述化合物BD-1、及作为主体化合物的上述化合物H-2以化合物BD-1为5％的浓度方式且以蒸镀速度0.1nm/秒进行共蒸镀，形成膜厚30nm的呈现蓝色发光的荧光发光层。
接着，将上述化合物E-1以蒸镀速度0.1nm/秒进行蒸镀，形成膜厚30nm的电子传输层。
接下来，将锂蒸镀为1nm的膜厚，形成中间金属层。
接着，将上述α-NPD以蒸镀速度0.1nm/秒进行蒸镀，形成膜厚50nm的空穴注入传输层。
接着，将作为绿色的发光掺杂剂的上述化合物GD-1、作为红色的发光掺杂剂的上述化合物RD-1及作为主体化合物的上述化合物H-3以化合物GD-1为17％、化合物RD-1为0.8％的浓度的方式且以蒸镀速度0.1nm/秒进行共蒸镀，形成膜厚30nm的呈现黄色发光的磷光发光层。
然后，将上述化合物E-1以蒸镀速度0.1nm/秒进行蒸镀，形成膜厚30nm的电子传输层。
进而，以膜厚1.5nm形成LiF后，蒸镀铝110nm而形成对置电极(阴极)。
接着，将上述元件的非发光面用玻璃壳覆盖，制作各有机电致发光元件。
符号的说明
1,1’…透明电极、1a…含氮层、1b…电极层、3…发光功能层、5…对置电极、H1、H2…高折射率层、EL…有机电致发光元件(电子器件)。

Claims (23)

1.一种透明电极，其具备：
使用含有氮原子(N)的化合物而构成了的含氮层；
与所述含氮层邻接而设置的以银(Ag)作为主要成分的电极层；和
具有比所述含氮层高的折射率、且夹持所述电极层和所述含氮层而配置了的2个高折射率层。
2.根据权利要求1所述的透明电极，其中，就所述化合物而言，将该化合物中所含的氮原子(N)所具有的非共有电子对中与芳香族性无关且未与金属配位的非共有电子对的数设为n、将分子量设为M的情况下的有效非共有电子对含有率[n/M]为2.0×10-3≤[n/M]。
3.根据权利要求2所述的透明电极，其中，所述化合物中的所述有效非共有电子对含有率[n/M]为3.9×10-3≤[n/M]。
4.根据权利要求2所述的透明电极，其中，所述化合物中的所述有效非共有电子对含有率[n/M]为6.5×10-3≤[n/M]。
5.根据权利要求2～4的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层的所述电极层侧的界面中的所述有效非共有电子对含有率[n/M]的值为2.0×10-3≤[n/M]。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的透明电极，其中，所述高折射率层由以氧化铟、氧化锌、氧化钛或氧化铌作为主要成分的氧化物构成。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(1)表示的结构的化合物，
其中通式(1)中，
X11表示-N(R11)-或-O-，
E101～E108各自表示-C(R12)＝或-N＝，E101～E108中的至少一个为-N＝，
所述R11及所述R12分别表示氢原子(H)或取代基。
8.根据权利要求7所述的透明电极，其中，所述含氮层含有：具有由将所述通式(1)中的X11设为-N(R11)-的下述通式(1a)表示的结构的化合物，
9.根据权利要求8所述的透明电极，其中，所述含氮层含有：具有由将所述通式(1a)中的E104设为-N＝的下述通式(1a-1)表示的结构的化合物，
10.根据权利要求8所述的透明电极，其中，所述含氮层含有：具有由将所述通式(1a)中的E103及E106设为-N＝的下述通式(1a-2)表示的结构的化合物，
11.根据权利要求7所述的透明电极，其中，所述含氮层含有：具有由将所述通式(1)中的X11设为-O-、E104设为-N＝的下述通式(1b)表示的结构的化合物，
12.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(2)表示的结构的化合物，
其中通式(2)中，
Y21表示亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团，
E201～E216、E221～E238各自表示-C(R21)＝或-N＝，
所述R21表示氢原子(H)或取代基，
E221～E229的至少1个及E230～E238的至少1个为-N＝，
k21及k22表示0～4的整数，但k21+k22为2以上的整数。
13.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(3)表示的结构的化合物，
其中通式(3)中，
E301～E312各自表示-C(R31)＝，
所述R31表示氢原子(H)或取代基，
Y31表示亚芳基、亚杂芳基或由它们的组合构成的2价的连接基团。
14.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(4)表示的结构的化合物，
其中通式(4)中，
E401～E414各自表示-C(R41)＝，
所述R41表示氢原子(H)或取代基，
Ar41表示取代或者非取代的、芳香族烃环或者芳香族杂环，
k41表示3以上的整数。
15.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(5)表示的结构的化合物，
其中通式(5)中，
R51表示取代基，
E501、E502、E511～E515、E521～E525各自表示-C(R52)＝或-N＝，
E503～E505各自表示-C(R52)＝，
所述R52表示氢原子(H)或取代基，
E501及E502中的至少1个为-N＝，
E511～E515中的至少1个为-N＝，
E521～E525中的至少1个为-N＝。
16.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(6)表示的结构的化合物，
其中通式(6)中，
E601～E612各自表示-C(R61)＝或-N＝，
所述R61表示氢原子(H)或取代基，
Ar61表示取代或者非取代的、芳香族烃环或者芳香族杂环。
17.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(7)表示的结构的化合物，
其中通式(7)中，
R71～R73各自表示氢原子(H)或取代基，
Ar71表示芳香族烃环基或者芳香族杂环基。
18.根据权利要求1～6的任一项所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(8)表示的结构的化合物，
其中，通式(8)中，
R81～R86各自表示氢原子(H)或取代基，
E801～E803各自表示-C(R87)＝或-N＝，
所述R87表示氢原子(H)或取代基，
Ar81表示芳香族烃环基或芳香族杂环基。
19.根据权利要求18所述的透明电极，其中，所述含氮层含有具有由下述通式(8a)表示的结构的化合物，
其中通式(8a)中，
E804～E811各自表示-C(R88)＝或-N＝，
所述R88分别表示氢原子(H)或取代基，
E808～E811中的至少1个为-N＝，
E804～E807、E808～E811也可各自互相键合而形成新的环。
20.一种电子器件，其具有权利要求1～19的任一项所述的透明电极。
21.根据权利要求20所述的电子器件，其中，所述电子器件为有机电致发光元件。
22.一种有机电致发光元件，其具有：
权利要求1～19的任一项所述的透明电极；
层叠地设于所述透明电极的发光功能层；和
以在与所述透明电极之间夹持所述发光功能层的状态设置了的对置电极。
23.根据权利要求22所述的有机电致发光元件，其中，所述发光功能层设于以下位置：在与所述含氮层之间夹持所述电极层的位置。
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