CN104916750A - 半导体发光元件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供可靠性较高的半导体发光元件。根据实施方式而提供一种半导体发光元件，其包括第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、发光层、第1电极层、第2电极层、绝缘层、基板、及第1金属层。发光层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极层设置在发光层所设置的侧的相反侧的第2半导体层的一部分上。第2电极层设置在与发光层所设置的侧相同的侧的第1半导体层的一部分上。绝缘层覆盖第1电极层并且设置在第1电极层与第2电极层之间。第1金属层形成在基板与绝缘层及第2电极层之间。第2电极层在通过绝缘层包围周围的区域内，具有与第1半导体层相接的第1部分、及与第1半导体层隔开间隔而形成的第2部分。
Description
[相关申请案]
本申请案享有以日本专利申请案2014-48049号(申请日：2014年3月11日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件。
背景技术
例如，存在将包含发光层的半导体层与基板加以接合的薄膜型的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)等半导体发光元件。人们期望半导体发光元件的可靠性高。
发明内容
本发明的实施方式提供一种可靠性较高的半导体发光元件。
根据本发明的实施方式而提供一种半导体发光元件，其包括第1半导体层、第2半导体层、发光层、第1电极层、第2电极层、绝缘层、基板、及第1金属层。所述第1半导体层为第1导电型。所述第2半导体层为第2导电型。所述发光层设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间。所述第1电极层设置在所述发光层所设置的侧的相反侧的所述第2半导体层的一部分上。所述第2电极层设置在与所述发光层所设置的侧相同的侧的所述第1半导体层的一部分上。所述绝缘层覆盖所述第1电极层，并且设置在所述第1电极层与所述第2电极层之间。所述第1金属层形成在所述基板与所述绝缘层及所述第2电极层之间。所述第2电极层在通过所述绝缘层包围周围的区域内，具有与所述第1半导体层相接的第1部分、及与所述第1半导体层隔开间隔而形成的第2部分。
附图说明
图1(a)是表示第1实施方式的半导体发光元件的示意性的剖面图，图1(b)是表示第1实施方式的半导体发光元件的一部分的示意性的剖面图。
图2(a)～图2(f)是表示第1实施方式的半导体发光元件的制造步骤的示意性的剖面图。
图3是表示第1实施方式的半导体发光元件的制造步骤的示意性的剖面图。
图4(a)～图4(e)是表示第1实施方式的半导体发光元件的间隔件的形状的一例的示意性的俯视图。
图5是表示第2实施方式的半导体发光元件的一部分的示意性的剖面图。
具体实施方式
以下，参照图式对各实施方式进行说明。
再者，图式是示意性的图或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小比率等未必与实际情况相同。又，即便在表示相同部分的情形时，根据图式的不同，亦有相互的尺寸或比率表现为不同的情形。
再者，在本说明书及各图中，关于已说明的图，对与前述者相同的要素附上相同符号并适当省略详细说明。
(第1实施方式)
图1(a)及图1(b)是例示第1实施方式的半导体发光元件的示意性的剖面图。
如图1(a)所示般，实施方式的半导体发光元件100包括：n型半导体层20(第1导电型的第1半导体层)；光出射面20a，其设置在n型半导体层20；p型半导体层30(第2导电型的第2半导体层)；发光层25，其设置在n型半导体层20与p型半导体层30之间；p侧电极层40(第1电极层)，其设置在p型半导体层30的发光层25形成面的相反侧的面上；保护电极41，其以覆盖p侧电极层的方式设置；绝缘层60，其以覆盖自p型半导体层30的p侧电极层40形成面朝向n型半导体层20设置的槽80的侧面，且覆盖保护电极41的方式设置；n侧电极层50(第2电极层)，其以覆盖露出在槽80的底面的n型半导体层20的至少一部分的方式设置；及第1金属层10，其设置在n侧电极层50及绝缘层60与支持基板70(基板)之间，且将该等相互连接。
进而本实施方式中，在露出在槽80的底面的n型半导体层20与n侧电极层50之间，设置有至少1个以上的间隔件61。
第1金属层10包含第1金属。第1金属包含锡(Sn)、铟(In)及铋(Bi)中的至少任一者。 第1金属层10包含例如第1金属与第2金属的合金、及第1金属与第2金属的金属间化合物的至少任一者。第2金属包含镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)及金(Au)中的至少任一者。
将自第1金属层10朝向光出射面20a的方向设为Z轴方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与X轴方向垂直且与Z轴方向垂直的1个方向设为Y轴方向。
半导体发光元件100为例如以GaN系氮化物半导体为材料的发光二极管(Light Emitting Diode：LED)。半导体发光元件100具有例如Thin-Film(薄膜)构造。如所述般，例如设置有n型半导体层20(例如n型GaN层)、发光层25(半导体发光层)、及p型半导体层30(例如p型GaN层)。发光层25使用氮化物半导体等半导体层。发光层25具有例如多重量子井构造。
p侧电极层40设置在第1金属层10与p型半导体层30之间。p侧电极层40与p型半导体层30电性连接。p侧电极层40具有至少1个以上的开口部，在该开口部内形成有周围被绝缘层60包围的n侧电极层50。p侧电极层40设置在p型半导体层30上，自p侧电极的上表面至开口部侧面为止被绝缘层60覆盖，因此与n侧电极层50绝缘。p侧电极层40使用例如银(Ag)。Ag是例如光的反射率较高。p侧电极层40将例如自发光层25放出的光朝向光出射面20a的方向反射。
n侧电极层50使用例如铝(Al)。n侧电极层50与n型半导体层20电性连接。例如，n侧电极层50的厚度(例如沿Z轴方向的长度)为200nm以上且为400nm以下。再者，本实施方式中，n侧电极层50自槽80的底面遍及至侧面而设置，并且在Z轴方向上以夹在绝缘层60与第1金属层10之间的方式延伸设置。
绝缘层60(层间绝缘膜)设置在第1金属层10与p侧电极层40之间，并且设置在n侧电极层50与p侧电极层40之间而将其等绝缘。绝缘层60使用例如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)。绝缘层60的厚度(沿Z轴方向的长度)例如为500奈米(nm)以上且为1500nm以下。由此，例如可确保绝缘性。
在半导体发光元件100中，设置在槽80侧面的绝缘层60具有通孔20v，且在通孔20v设置有n侧电极层50(n接点金属)。即通孔20v底面的n型半导体层20的露出面成为与n侧电极层50的接触部20c。
实施方式的半导体发光元件100中，在晶片表面，例如在光出射面20a上未形成n侧电极层50，而是使用通孔20v在晶片内部形成有n侧电极层50。由此，可提高LED的光向外界的取出效率。再者，图1(a)所示的剖面图中，通孔20v为1个，设置在通孔20v的n侧电极层50为1层，但并不限定在此，通孔20v亦可为复数个，n侧电极层50 亦可对应于通孔20v的数量而为复数层。又，亦可为n侧电极层50为1层且覆盖复数个通孔20v的底面。
该例中，进而在p侧电极层40与绝缘层60之间设置有保护电极41。保护电极41使用例如Pt/Ti/Au等积层构造。保护电极41的厚度(沿Z轴方向的长度)例如为400nm以上且为700nm以下。垫电极72经由保护电极41而与p侧电极层40电性连接。在背面电极71与第1金属层10之间设置有支持基板70。支持基板70使用例如硅(Si)。
第2金属层51设置在绝缘层60与第1金属层10之间、及n侧电极层50与第1金属层10之间。第2金属层51使用例如Ti/Pt等积层构造。第2金属层51为例如阻隔金属。第2金属层51的厚度(例如沿Z轴方向的长度)为200nm以上且为400nm以下。
图1(b)是将图1(a)中所示的半导体发光元件100的一部分放大而例示的示意性的剖面图。又，图1(b)中，间隔件61设置有复数个。n型半导体层20在接触部20c上与第1金属层10接触。又，在接触部20c，在第1金属层10与n型半导体层20之间具有复数个间隔件61。本实施方式中，间隔件61包含绝缘层。
间隔件61可使用例如氧化硅或氮化硅。间隔件61如下述般可与绝缘层60同时地形成。因此其Z轴方向上的厚度与绝缘层60大致相同。或者间隔件61亦可为导电性。例如，间隔件61亦可使用与p侧电极层40相同的材料。
如此，实施方式的半导体发光元件100，在n侧电极层50与n型半导体层20之间，即在接触部20c设置有1个以上的间隔件61。间隔件61设置在n型半导体层20的光出射面20a的相反侧的面，且向第1金属层10突出。而且，n侧电极层50以覆盖间隔件61的方式形成。因此，n侧电极层50包括：第1部分，其与n型半导体层20相接；及第2部分，其覆盖间隔件61，并且与n型半导体层20隔开间隔件61的厚度量的距离而设置。通过设置该第2部分，可使设置在通孔20v底面的n型电极层50的第2部分的位置向支持基板70侧靠近间隔件的厚度的程度。由此，可将设置在接触部20c的n侧电极层50的第2部分与支持基板70的距离相对于设置在p侧电极层40上的绝缘层60与基板70的最短距离的二者的差减小间隔件61的厚度的程度。由此，在下述的接合步骤中，可抑制接合不良的产生。由此，半导体发光元件的生产性或可靠性等提高。
图2(a)～图2(f)是例示第1实施方式的半导体发光元件的制造步骤的示意性的剖面图。
如图2(a)所示般，在成长基板76形成有半导体层。例如，在成长基板76上依序积层基础层73(缓冲层)、GaN层74、n型半导体层20(n型GaN层)、发光层25、及p型半导体层30(p型GaN层)。
例如，使用真空蒸镀法或溅镀法形成成为p侧电极层40的金属膜。其后，使用抗蚀遮罩等将成为p侧电极层40的金属膜图案化为特定的形状。其后，使用剥离法而在p侧电极层40上形成保护电极41。
如图2(b)所示般，在半导体层(p型半导体层30、发光层25及n型半导体层20)设置开口部。例如，将抗蚀剂涂布在p型半导体层30及保护电极41上，且使用光微影等进行图案化。其后，通过反应性离子蚀刻(Reactive Ion Etching；RIE)对p型半导体层30、发光层25及n型半导体层20的一部分进行蚀刻。由此，n型半导体层20的一部分露出。
其后，使用电浆CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法或溅镀法而形成成为绝缘层60的绝缘膜60a。绝缘膜60a设置在p型半导体层30、保护电极41及露出的n型半导体层20上。绝缘膜60a的成膜较理想为例如在300度以下的温度进行。由此，例如可抑制p侧电极层40的反射率的劣化或接触电阻的劣化。
例如，通过电浆CVD法而使氮化硅成膜为绝缘膜60a。该情形时，在电浆CVD法中，使用SiH4与NH3或N2混合而成的气体。
例如，通过电浆CVD法而使氧化硅成膜为绝缘膜60a。该情形时，在电浆CVD法中，使用SiH4与N2O的混合气体、或SiH4与O2的混合气体等。
在通过溅镀法形成绝缘膜60a的情形时，例如以SiN或SiO为靶材，并使用氬电浆进行溅镀。
如图2(c)所示般，使绝缘膜60a图案化。例如，使用抗蚀遮罩且通过RIE法进行图案化。由此，形成设置有通孔20v的绝缘层60。n型半导体层20的一部分在通孔20v的底面露出。通孔20v的直径(例如露出的n型半导体层20的沿X轴方向的长度)例如为30μm以上且为100μm以下。由此，例如可避免电流向n触点(n型电极层50)集中。
该步骤中，亦可形成间隔件61(绝缘膜突起物)。即，绝缘膜60a的一部分成为绝缘层60，且绝缘膜60a的另一部分成为间隔件61。在通过RIE法进行图案化而形成绝缘层60时，亦同时进行图案化而形成间隔件61。由此，可抑制用以形成间隔件61的制造步骤的增加。
实施方式中，将绝缘膜60a的一部分设为间隔件61，但可在通过图案化而形成绝缘层60之后，在露出的n型半导体层20成膜例如金属层并使该金属层图案化。如此，亦可形成间隔件61。该情形时，间隔件61亦作为n侧电极层50的一部分发挥功能，故而会带来接触面积的增加，从而可降低接触电阻。
其次，例如使用剥雕法以覆盖露出的n型半导体层20及间隔件61的方式形成n侧电极层50。其后，在n侧电极层50上及绝缘层60上，依序积层第2金属层51(第1阻 隔金属51a)、第3金属层11a(液相扩散接合的第1母材金属)、第4金属层12a(第1嵌入金属)。
第3金属层11a使用例如Ni、钴(Co)、铜(Cu)及金(Au)中的至少任一者。例如，第3金属层11a的厚度(例如沿Z轴方向的长度)为300nm以上且为700nm以下。
第4金属层12a使用例如Sn、铟(In)及铋(Bi)中的至少任一者。例如，第4金属层12a的厚度(例如沿Z轴方向的长度)为500nm以上且为1500nm以下。
另一方面，在支持基板70上依序成膜金属层51b(第2阻隔金属)、金属层11b(第2母材金属)及金属层12b(第2嵌入金属)。金属层11b可使用与第3金属层11a相同的材料。金属层12b可使用与第4金属层12a相同的材料。该等金属层的形成可使用例如溅镀法或真空蒸镀法。
其后，一面使第1嵌入金属(第4金属层12a)与第2嵌入金属(金属层12b)相接并施加压力，一面使温度上升。在加压及升温的状态下保持固定时间而接合。在该接合步骤中，第1～第2嵌入金属及第1～第2母材金属接合而形成第1金属层10。
例如，该接合步骤中，若设置在接触部20c的n侧电极层50与设置在p侧电极层40上的绝缘层60之间的阶差较大，则有产生接合不良的情形。实施方式中，通过例如在接触部20c设置间隔件而使阶差变小。由此，在该接合步骤中，可抑制接合不良的产生。
如图2(d)所示般，除去成长基板76。例如磨削成长基板且进行旋转蚀刻。由此，可在支持基板70侧残留发光层等积层体而将成长基板76除去。其后，通过将积层体的一部分蚀刻除去，而将所残留的积层体形成为所需的形状。而且，在n型半导体层20的表面设置凹凸来设置光出射面20a。
如图2(e)所示般，其后，在半导体层(n型半导体层20、p型半导体层30及发光层25)的侧面(与Z轴方向交叉的面)形成钝化膜75。
如图2(f)所示般，其后形成垫电极72及背面电极71。如此，完成半导体发光元件100。再者，图2中，通孔20v仅示有1个，由此，接触部20c为1，但通孔20v亦可为复数个，即接触部20c亦可为复数个。又，设置在接触部20c的间隔件61仅为1个，但亦可设置复数个。
图3是例示第1实施方式的半导体发光元件的制造步骤的示意性的剖面图，且是将图2(c)中所示的图的一部分放大而例示。
如图3所示般，第4金属层12a具有与第3金属层11a对向的面12p、及面12p的相反侧的面12q。面12q为与形成在支持基板70的第2嵌入金属(金属层12b)接合的接 合面。该面12q在Z轴方向产生阶差。若该阶差较大，则存在如下情况，即在接合时产生较大的间隙，即便在接合时第4金属层12a及金属层12b熔融亦无法填埋间隙，从而产生接合不良。在产生接合不良的情形时，例如在将成长基板76除去的步骤中，存在无法完全承受GaN层的应力而导致通孔20v的半导体层20剥落的情形。
实施方式中，在n型半导体层20上设置有间隔件61。其后，在露出在间隔件61间的n型半导体层20上、及间隔件61上，成膜n侧电极层50、第2金属层51及第3金属层11a。间隔件61间对应于n侧电极层50的厚度、第2金属层51的厚度及第3金属层11a的厚度而被填埋。因此，第3金属层11a的与第4金属层12a相接的面，实质上位在与n型半导体层20隔开间隔件61的厚度量的距离的位置，因此，形成在第3金属层11a上的第4金属层12a的面12q使阶差实质上缩小间隔件61的厚度的程度。由此，可抑制接合不良。
该例中，间隔件61是与绝缘层60同时地形成。该情形时，间隔件61包含氧化硅或氮化硅中的至少任一者。间隔件61的厚度(沿Z轴方向的长度)为绝缘层60的厚度(沿Z轴方向的长度)的0.9倍以上且为该绝缘层60的厚度的1.1倍以下。例如，间隔件61的厚度与绝缘层60的厚度实质上相同。
图4(a)～图4(e)是表示第1实施方式的半导体发光元件的间隔件的形状的一例的示意性的俯视图。
图4(a)～图4(e)是自Z轴方向观察间隔件61的图，即例示平面形状。
如图4(a)～图4(c)所示般，该例中，间隔件61在与Z轴方向交叉的平面内设置有复数个，且相互分开而周期性地配置。
若各间隔件61的宽度(沿与Z轴方向交叉的平面内的方向的长度)过短，则难以形成间隔件61。若各间隔件61的宽度过大，则n触点总面积(例如n侧电极层50与n型半导体层20接触的面积)减少，从而电极的电阻升高。例如，各间隔件61的宽度较佳为1μm以上且为3μm以下。
如所述般，在相邻的复数个间隔件61彼此之间埋有n侧电极层50、第2金属层51a及第3金属层11a。n侧电极层50、第2金属层51a及第3金属层11a的成膜中的阶梯覆盖例如为0.7～1.0。考虑到该等情况，相邻的复数个间隔件61彼此之间的距离，较理想为例如n侧电极层50的厚度、第2金属层51a的厚度及第3金属层11a的厚度的合计的1.4倍以上且为该合计厚度的2.0倍以下。若考虑第3金属层11a的厚度，则相邻的复数个间隔件61彼此之间的距离，较理想为例如n侧电极层50的厚度与第2金属层51a的厚度的合计的1.5倍以上且为该合计厚度的3.5倍以下。
例如，n侧电极层50的厚度是沿相对于间隔件61与n侧电极层50相接的面而垂直的方向的n侧电极层50的长度。例如，第2金属层51a的厚度是沿相对于n侧电极层50与第2金属层51a相接的面而垂直的方向的第2金属层51a的长度。例如，第3金属层11a的厚度是沿相对于第2金属层51a与第3金属层11a相接的面而垂直的方向的第3金属层11a的长度。
例如，复数个间隔件61较理想为实质上等间隔地配置。例如，在图4(a)～图4(c)所示的例中，某间隔件61间的距离为其他间隔件61间的距离的0.9倍以上且为1.1倍以下。
如图4(a)所示般，例如亦可将复数个间隔件61的各者在X-Y平面内以位在等边三角形的顶点位置的方式配置。
如图4(b)所示般，例如亦可将复数个间隔件61各者的平面形状设为直线状而周期性地配置。
如图4(c)所示般，例如间隔件61各者的平面形状亦可呈同心圆状形成有复数个。即，相对于1个环状的间隔件61而呈同心圆状地设置较其大的其他环状的间隔件61。间隔件61间的距离配置为固定。
如图4(d)及图4(e)所示般，间隔件61具有复数个开口部。开口部的形状亦可为圆形、四边形状等各种形状，但较佳为在1个间隔件61中为相同的开口形状，且较佳为开口部等间隔或者周期性地或者规则性地配置。
在图4(d)所示的例中，间隔件61的平面形状是相对于图4(a)所示的间隔件61的平面形状而调换设置间隔件61的部分与未设置间隔件61的部分的形状。即，间隔件61的复数个开口部在X-Y平面内，以位在等边三角形的顶点位置的方式配置。在图4(e)所示的例中，例如在X-Y平面内，间隔件61设为网状。
如此，在与Z轴方向交叉的平面内，亦可连续设置间隔件61。
如此，间隔件61可进行各种变化。可通过设置间隔件61而抑制接合不良的产生。
(第2实施方式)
图5是例示第2实施方式的半导体发光元件的一部分的示意性的剖面图。
如图5所示般，在半导体发光元件101中，复数个间隔件62的各者包含材料不同的双层积层构造，即包含第1层63a与第2层63b。第2层63b设置在第1层63a与n侧电极层50之间。
例如，第1层63a可在对图2(b)所示的p型半导体层30进行蚀刻的步骤中形成。通过对应于间隔件61的布局对p型半导体层30进行蚀刻而形成第1层63a。例如，p型 半导体层30的一部分成为第1层63a。第1层63a包含p型半导体层30中所含的材料。例如，第1层63a包含p型GaN。第1层63a亦可包含发光层25的一部分，又亦可包含n型半导体层20的一部分。
例如，第2层63b可与绝缘层60同时地形成。例如，与第1实施方式的说明同样地，形成绝缘膜60a并将绝缘膜60a图案化而形成绝缘层60。在该图案化时，对准设置有第1层63a的位置而将绝缘膜60a图案化。由此，在第1层63a上形成第2层63b。例如，第2层63b包含绝缘层60中所含的材料。例如，第2层63b包含氧化硅及氮化硅中的至少任一者。
如此，可通过设置间隔件62而使第4金属层12a的阶差变得更小。由此，可进一步抑制接合不良，从而可提供可靠性较高的半导体发光元件。
再者，本说明书中，“垂直”不仅指严格的垂直，亦为包含例如制造步骤中的偏差等者，只要实质上垂直即可。
以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明的实施方式并不限定在该等具体例。例如，关于第1金属层、n型半导体层、p型半导体层、发光层、p侧电极层、绝缘层等各要素的具体构成，只要业者通过自周知的范围适当选择而能同样地实施本发明，并能获得同样的效果，则亦包含在本发明的范围内。
又，将各具体例的任意2个以上的要素在技术上可行的范围加以组合而得者，只要包含本发明的要旨则亦包含在本发明的范围内。
此外，业者以所述的作为本发明的实施方式的半导体发光元件为基础而可适当变更设计来实施的所有半导体发光元件，只要包含本发明的要旨则亦属在本发明的范围内。
此外，在本发明的思想范畴中，只要为业者就会想到各种变更例及修正例，且知道该等变更例及修正例亦属在本发明的范围内。
对本发明的几个实施方式进行了说明，但该等实施方式是作为例示而提出者，并未意图限定发明的范围。该等新颖的实施方式能以其他各种形态实施，可在不脱离发明的要旨的范围进行各种省略、置换、变更。该等实施方式或其变化包含在发明的范围或要旨，并且包含在申请专利范围所记载的发明及其均等的范围。
[符号的说明]
10 第1金属层
11a 第3金属层(第1母材金属)
11b 金属层(第2母材金属)
12a 第4金属层(第1嵌入金属)
12b 金属层(第2嵌入金属)
12p、12q 面
20 n型半导体层(第1半导体层)
20a 光出射面
20c 接触部
20v 通孔
25 发光层
30 p型半导体层(第2半导体层)
40 p侧电极层(第1电极层)
41 保护电极
50 n侧电极层(第2电极层)
51 第2金属层
51a 第1阻隔金属(第2金属层)
51b 金属层(第2阻隔金属)
60 绝缘层
60a 绝缘膜
61 间隔件
62 间隔件
63a 第1层
63b 第2层
70 支持基板
71 背面电极
72 垫电极
73 基础层
74 GaN层
75 钝化膜
76 成长基板
80 槽
100、101 半导体发光元件。
Claims (15)
1.一种半导体发光元件，其特征在于包括：
第1导电型的第1半导体层；
第2导电型的第2半导体层；
发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；
第1电极层，其设置在所述发光层所设置的侧的相反侧的所述第2半导体层的一部分上；
第2电极层，其设置在与所述发光层所设置的侧相同的侧的所述第1半导体层的一部分上；
绝缘层，其覆盖所述第1电极层，并且设置在所述第1电极层与所述第2电极层之间；
基板；以及
第1金属层，其形成在所述基板与所述绝缘层以及所述第2电极层之间；且
所述第2电极层在通过所述绝缘层包围周围的区域内，包括与所述第1半导体层相接的第1部分、以及与所述第1半导体层隔开间隔而形成的第2部分。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于所述第1金属层包含锡、铟及铋中的至少任一者。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于所述第2电极层具有通过所述绝缘层而包围周围的复数个区域。
4.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于在所述第1半导体层与所述第2电极层的所述第2部分之间具备间隔件。
5.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于所述间隔件包含氧化硅及氮化硅中的至少任一者。
6.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于在所述第1半导体层与所述第2半导体层的积层方向上，所述间隔件的厚度为所述绝缘层的厚度的0.9倍以上且为该绝缘层的厚度的1.1倍以下。
7.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于所述间隔件包括：
第1层，其包含所述第1半导体层中所含的材料；及
第2层，其设置在所述第1层与所述第2电极层之间，且包含所述绝缘层中所含的材料。
8.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于所述间隔件是周期性地设置有复数个。
9.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于所述复数个间隔件的各者为环状。
10.根据权利要求8的半导体发光元件，其特征在于所述复数个间隔件的各者配置在等边三角形的顶点。
11.根据权利要求8所述的半导体发光元件，其特征在于还包括第2金属层，其设置在所述绝缘层与所述第1金属层之间、以及所述第2电极层与所述第1金属层之间。
12.根据权利要求11所述的半导体发光元件，其特征在于相邻的所述复数个间隔件彼此之间的距离，为所述第2电极层的厚度与所述第2金属层的厚度的合计的1.5倍以上且为该合计厚度的3.5倍以下。
13.根据权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于所述间隔件具有复数个开口部。
14.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于所述第1金属层包含含有第1金属与第2金属的合金、及含有第1金属与第2金属的金属间化合物中的至少任一者，且
所述第1金属包含锡、铟及铋中的至少任一者，
所述第2金属包含镍、钴、铜及金中的至少任一者。
15.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于所述第1电极层被保护电极层覆盖。
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