CN102969426A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件，所述发光器件包括：发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，被设置在每一个发光单元上；第一导电层，被设置在发光单元下方；至少一个第二导电层，被设置在第一导电层下方；第一绝缘层，被设置在每一个第一导电层之间，并被设置在第一导电层与至少一个第二导电层之间；以及连接电极，将一个发光单元上的第一电极与另一个发光单元下方的至少一个第二导电层连接。至少一个第二导电层穿过第一绝缘层而与一个第一导电层连接。根据本实施例的发光器件，可以分散集中的电场，因此可以防止发光器件损坏。

Description

发光器件
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年9月01日在韩国提交的申请号为10-2011-0088636的韩国申请的优先权，其主要内容通过引用的方式全部并入此处，就如将其全文描述于此一样。
技术领域
本发明的实施例可以涉及一种发光器件、发光器件封装、照明器件以及显示器件。
背景技术
基于有机化学气相沉积的发展以及氮化镓(GaN)的分子束生长，能够呈现高发光性和白光的红色、绿色以及蓝色发光二极管(LED)已经取得进展。
这种发光二极管(LED)可以具有良好的环保(因为不具有诸如汞(Hg)等对环境有害的物质)、使用寿命长以及功耗低等优点。结果是，发光二极管(LED)已经取代了现有光源。这种LED的核心竞争力可以是通过高效率和高输出的芯片和封装技术使高发光性的实现成为可能。
为了实现高发光性，重要的是提高光提取效率。为了提高光提取效率，已经研究和开发有使用倒装芯片、表面毛化、图案化蓝宝石衬底(PSS)、光子晶体技术以及抗反射层结构等各种方式。
发明内容
因此，实施例可以提供一种能够防止可能由于高驱动电压引起的损坏的发光器件。
在一个实施例中，一种发光器件包括：发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；第一电极，被设置在每一个发光单元上；第二电极，被设置在每一个发光单元下方；多个第一导电层，被设置在多个发光单元下方；至少一个第二导电层，被设置在第一导电层下方；第一绝缘层，被设置在各导电层之间以及在多个第一导电层与至少一个第二导电层之间；以及连接电极，被配置成将一个发光单元上的第一电极与第二发光单元下方的至少一个第二导电层连接。通过第二导电层与连接电极之间的连接，发光单元可以彼此串联连接。
对应于除发光单元的一个之外的其它发光单元的至少一个第二导电层可以彼此间隔预定距离。
第一导电层可以包括：反射层，被设置在第二导电类型半导体层下方；以及第一阻挡层(barrier layer)，被设置在反射层下方。
发光器件还可以包括：第二阻挡层，被设置在至少一个第二导电层下方并与多个第一导电层其中之一电连接；以及第二绝缘层，位于各第二导电层之间且位于第二阻挡层与至少一个第二导电层之间。
连接电极可以将相邻的两个发光单元其中之一的第一电极与对应于相邻的两个发光单元的另一个的第二导电层连接。
发光器件还可以包括：钝化层，被设置在每一个发光单元与连接电极之间；以及保护层，被设置在边界区上。
连接电极可以穿过保护层和第一绝缘层而被设置在钝化层上。
至少每一个第二导电层的预定区域可以穿过第一绝缘层而与对应的第一导电层接触。
第二导电层的预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区的相邻区域重叠。对应于其它发光单元之一设置的第二导电层的至少预定区域沿垂直方向与相邻于所述其它发光单元之一的另一个发光单元重叠。
这些导电层的每一个可以包括：基板，形成为板状且与连接电极连接；以及穿通部，从基板突出且穿过第一绝缘层而与对应的第一导电层连接。例如，穿通部可以连接至对应的第一导电层的阻挡层。
穿通部可以由与用于基板的材料相同的材料形成，并且可以与基板整体形成。穿通部可以与基板的侧表面接触。穿通部的一侧具有的长度可以与基板的一侧具有的长度相同。可以在基板的上表面和下表面至少之一中形成粗糙部(roughness)。第二导电层可以由反光材料形成。发光器件还可以包括被设置在第二阻挡层下方的支撑层。
根据本实施例，可以分散集中的电场，因此可以防止发光器件损坏。
附图说明
可以参照下列附图来详细描述排列和实施例，所述附图中相似的附图标记表示相似的元件，其中：
图1为示出根据第一实施例的发光器件的平面图；
图2为示出图1所示的发光器件的沿AB方向的剖视图；
图3为示出图1所示的发光器件的沿AB方向和CD方向剖出的透视图；
图4示出图2所示的第二导电层的第一实施例；
图5示出图2所示的第二导电层的第二实施例；
图6示出图2所示的第二导电层的第三实施例；
图7示出图2所示的第二导电层的第四实施例；
图8示出图2所示的第二导电层的第五实施例；
图9示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装；
图10为示出包括根据实施例的发光器件封装的照明器件的分解透视图；以及
图11示出包括发光器件封装的显示器件。
具体实施方式
应当理解，当某一元件被称为在另一个元件的‘上方’或‘下方’时，其可直接位于所述元件上方/下方，并且也可以存在一个或多个介于中间的元件(intervening element)。当某一元件被称为‘在…上方’或‘在…下方’时，可基于所述元件而包括‘在所述元件上方’以及‘在所述元件下方’。
每一个元件的尺寸被夸大、省略或示意性示出。而且，每一个元件的尺寸可以不必反映其实际尺寸。所有附图将使用相同的附图标记表示相同或相似的部件。以下将参照附图来描述实施例。
图1为示出根据第一实施例的发光器件100的平面图。图2为示出图1所示的发光器件100的沿AB方向的剖视图。
参照图1和图2，发光器件100可以包括：发光结构110，其被分成多个发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)；第一电极120；电流阻挡层(current blocking layer)130；保护层135；欧姆层140；第一金属层101-1至101-n(n＞1，并且‘n’是自然数)，包括反射层150和阻挡(barrier)层162；绝缘层170，具有第一绝缘层172和第二绝缘层174；第二金属板180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)；第二阻挡层164；接合层190；第二金属层102，具有支撑层195；钝化层189；以及连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)。
发光结构110可以产生光，并且可以具有多个III-V化合物半导体层。如图2所示，发光结构110可以具有这样一种结构，其由依次叠层的第二导电类型半导体层116、有源层114以及第一导电类型半导体层112配置而成。换句话说，第二导电类型半导体层116可以位于第一导电类型半导体层112下方，有源层114可以位于第一导电类型半导体层112与第二导电类型半导体层116之间。
第二导电类型半导体层116可以是其中掺杂有第二导电类型掺杂剂的III-V化合物半导体。第二导电类型半导体层116可以由具有经验分子式：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的、其上掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等p型掺杂剂的半导体材料(例如是从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中选择的一种)形成。
有源层114可以通过使用在分别由第一导电类型半导体层112和第二导电类型半导体层116提供的电子和空穴的重新接合过程中产生的能量来产生光。有源层114可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构或量子线结构。
例如，在具有量子阱结构的情况下，有源层114可以具有包括阱层和势垒层的单量子阱结构或多量子阱结构，其中所述阱层具有经验分子式：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，所述势垒层具有经验分子式：InaAlbGa1-a-b(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)。阱层可以由能带隙小于势垒层的能带隙的材料形成。
第一导电类型半导体层112可以是掺杂有第一导电类型掺杂剂的III-V化合物半导体。第一导电类型半导体层112可以由具有经验分子式：InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的、掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se或Te等n型掺杂剂的半导体材料(例如是从GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中选择的一种)形成。
导电型覆层可以被设置在有源层114与第一导电类型半导体层112之间，或者被设置在有源层114与第二导电类型半导体层116之间。导电型覆层可以由氮化物半导体(例如AlGaN)形成。
发光结构110还可以包括被设置在第二导电类型半导体层116下方的第三导电类型半导体层(未示出)。第三导电类型半导体层可以具有与第二导电类型半导体层116的极性相反的极性。第一导电类型半导体层112可以是n型半导体层，第二导电类型半导体层116可以是p型半导体层。因此，发光器件110可以具有n-p结、p-n结、n-p-n结以及p-n-p结至少之一。
发光结构110可以具有多个发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)和一边界区(S)。边界区(S)可以是位于发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)的每两个之间的区域，或者可以是位于发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)的每一个周围的区域。单芯片发光结构110可以被边界区(S)分成多个发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)。
保护层135可以被设置在边界区(S)上，并且多个发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)可以被保护层135界定。保护层135可以保护发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)以免遭受隔离蚀刻的蚀刻，其中在将发光结构110分成多个发光单元P1至Pn(n＞1，并且‘n’是自然数)时执行所述隔离蚀刻。保护层135能够降低发光器件100的可靠性的恶化。保护层135可以由用来形成电流阻挡层130的材料形成。
例如，图1所示的发光结构110可以被分成九个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)以及位于发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每两个之间且位于发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每一个周围的边界区(S)。
发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每一个可以由沿垂直方向叠层的第二导电类型半导体层116、有源层114以及第一导电类型半导体层112配置而成。此处，所述垂直方向可以从第二导电类型半导体层116朝向第一导电类型半导体层112，或者可以垂直于支撑层195。
第一电极120可以被设置在发光单元P1至Pn(例如，n＝9)上。换句话说，第一电极120可以被设置在每一个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的第一导电类型半导体层112上，并且第一电极120可以具有预定图案，而本实施例不局限于图1所示的图案。所述预定图案可以改变。
可以在第一导电类型半导体层112的顶表面上形成粗糙部112-1，以提高光提取效率。而且，也可以在第一电极120的表面形成粗糙部(未示出)，以提高光提取效率。
例如，第一电极120可以包括沿第一导电类型半导体层112(被设置在发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每一个中)的顶表面的边缘区域设置的外电极92以及设置在外电极92之间的内电极94。
电流阻挡层130可以被设置在第二导电类型半导体层116下方，并且可以与第二导电类型半导体层116的下表面接触。
例如，电流阻挡层130可以被设置在第二导电类型半导体层116(被设置在发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每一个中)的下表面的预定区域。电流阻挡层130可以减少只在每一个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的某一区域处聚集的电流，以提高发光效率。
可以对应于第一电极120来设置电流阻挡层130，并且其可以至少具有沿垂直方向与第一电极120重叠的预定区域。电流阻挡层130的图案可以对应于第一电极120的图案。此处，所述垂直方向可以从第二导电类型半导体层116朝向第一导电类型半导体层112。
电流阻挡层130可以由具有低导电性的材料、与第二导电类型半导体层116形成肖特基接触的材料、或电绝缘材料形成。例如，电流阻挡层130可以包括ZnO、SiO2、SiON、Si3N4、Al2O3、TiO2、Al或Cr至少之一。
第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)可以被设置在对应的一个第二导电类型半导体层116(被设置在多个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)中)下方，并且第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)可以彼此间隔预定距离。它们的每一个可以包括欧姆层140、反射层150以及第一阻挡层162。
欧姆层140可以被设置在多个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)下方，并且可以与第二导电类型半导体层116欧姆接触。可以采用这样的欧姆层140，使得能够通过第二电极101将电源平稳地供应到发光结构110。例如，欧姆层140可以包括In、Zn、Ag、Sn、Ni以及Pt至少之一。欧姆层140可以覆盖电流阻挡层130的侧表面和下表面。
反射层150可以被设置在欧姆层(被设置在发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的每一个中)下方，并且可以反射从发光结构110入射至其上的光，以提高发光器件100的光提取效率。反射层150可以覆盖欧姆层140的边缘区域，并且可以与欧姆层140的最外部的侧表面接触。
反射层150可以由包含Ag、Ni、Al、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf至少之一的金属材料或它们的合金形成。而且，反射层150可以形成使用上文提到的金属材料或所述金属材料的合金以及诸如氧化铟锌(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、氧化铝锌(AZO)以及氧化锑锡(ATO)等透光导电材料的复合层结构。例如，反射层150可以由IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni形成。
根据另一个实施例，可以不单独设置欧姆层140，并且用于反射层150的材料可以从能够与第二导电类型半导体层116欧姆接触的材料中选择，使得反射层150可以与第二导电类型半导体层116欧姆接触。
第一阻挡层162可以被设置在对应于发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的反射层150下方，以防止支撑层195的金属离子传输或扩散到反射层150和欧姆层140。第一阻挡层162可以包括势垒金属材料(例如，Pt、Ti、W、V、Fe以及Mo至少之一)，并且可以是单层或多层。
第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)可以被设置在第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)下方，并且彼此间隔预定距离。第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)可以由导电材料(例如，Ti、Ni、Cu、Au、Pt以及W至少之一或它们的合金)形成。
另外，第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)可以由反光材料以及导电材料形成。例如，第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)可以由与用于反射层150的材料相同的材料形成。第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)可以反射从发光单元P1至Pn(例如，n＝9)入射至其上的光。
可以分别对应于除发光单元的一个之外的其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)来设置第二导电层180-1至180-j(j≥1，并且‘j’是自然数)。
例如，可以对应于除第一导电层的一个之外的其它第一导电层101-2至101-n(例如，n＝9)的每一个来设置第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个，并且第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个可以与对应的一个第一导电层电连接。
可以分别对应于第一导电层101-2至101-n(例如，n＝9)来设置第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)，其中第一导电层101-2至101-n(例如，n＝9)位于除第一发光单元P1之外的其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)下方。
例如，第二导电层180-1可以对应于第二发光单元P2的第一导电层101-2，并且可以与第二发光单元P2的第一导电层101-2电连接。
第一绝缘层172可以覆盖第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)的边缘区域。第一绝缘层172可以被设置在第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)的每两个之间，以及在第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)与第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)之间。
第一绝缘层172可以使第一导电层101-1至101-n(例如，n＝9)彼此电绝缘，并且可以使第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)彼此电绝缘。
第二阻挡层164可以被设置在第一绝缘层172下方，并且可以与发光单元P1至Pn(例如，n＝9)之一下方的第一导电层(例如，101-1)电连接。
例如，第二阻挡层164可以位于第二绝缘层174下方，并且与第一发光单元P1下方的第一导电层101-1电接触。
第二电源(例如，正电源(+))可以通过与支撑层195接合的第二阻挡层164而被供应到第一发光单元P1的第一导电层(例如，101-1)(将在后文详细描述)。
第二阻挡层164可以由与用于第一阻挡层162的材料相同的材料形成，并且其可以是单层或多层。
第二绝缘层174可以被设置在第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)之间，以及被设置在第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)与第二阻挡层164之间。换句话说，第二绝缘层174可以使第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)彼此电绝缘，并且可以使第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)与第二阻挡层164电绝缘。
第一绝缘层172和第二绝缘层174可以由绝缘材料形成(例如，Al2O3、SiO2、Si3N4、TiO2以及AlN至少之一)，并且它们中的每一个可以是单层或多层。
第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个可以具有穿过第二绝缘层172的预定区域，并且与分别对应于第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的第一导电层101-2至101-n(例如，n＝9)接触。
例如，第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个的一部分可以穿过第一绝缘层172。第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个可以通过所述部分与对应于第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个的第一阻挡层162接触。
可以对应于除发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的一个(例如，P1)之外的其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)的第一导电层101-2至101-n(例如，n＝9)的每一个来设置第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个。
对应于其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)的每一个设置的每一个第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区(S)重叠。例如，对应于第二发光单元P2设置的第二导电层180-1可以被扩展，以沿垂直方向与相邻于第二发光单元P2的边界区(S)重叠。
对应于其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)的一个(例如，P2)设置的第二导电层(例如，180-1)的至少预定区域可以沿垂直方向与相邻于该一个发光单元(例如，P2)的另一个发光单元(例如，P1)重叠。此处，所述垂直方向可以从第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)朝向发光单元P1至Pn(例如，n＝9)，或者可以是垂直于第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的向上方向。
支撑层195可以被设置在第二阻挡层164下方，其可以支撑发光结构110，并且与第一电极120一起为发光结构提供电源。支撑层195可以导电，并且可以是诸如Cu、Au、Ni、Mo、Cu-W等金属材料，或者是包含Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC以及SiGe至少之一的半导体材料。
接合层190可以被设置在第二阻挡层164与支撑层195之间。接合层190也可以被插入性地设置在第二阻挡层164与支撑层195之间以将它们彼此接合。接合层190可以被形成为以接合方法将支撑层195接合。如果以电镀方法或沉积方法形成支撑层195，或者如果支撑层195是半导体层，则可以省略接合层190。接合层190可以包括Au、Sn、Ni、Nb、In、Cu、Ag以及Pd至少之一。
钝化层189可以被设置在每一个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的侧表面和/或顶表面上。例如，钝化层189可以被设置在第一导电类型半导体层112的侧表面、有源层114的侧表面以及第二导电类型半导体层116的侧表面上，其中所述第二导电类型半导体层116被设置在每一个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)中。而且，钝化层189可以被设置在第一导电类型半导体层112(被设置在每一个发光单元P1至Pn(例如，n＝9)中)的顶表面上。第一电极120可以从钝化层189暴露。
连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)可以将设置在相邻的两个发光单元之一的第一导电类型半导体层112上的第一电极120与对应于相邻的两个发光单元的另一个的第一导电层设置的第二导电层电连接。
例如，第一连接电极122-1可以将第一发光单元P1的第一电极120与对应于第二发光单元P2的第一导电层102-2的第二导电层180-1电连接。
连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)可以被设置在钝化层189上。连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)可以穿过边界区(S)上的保护层135以及边界区(S)下方的第一绝缘层172而将相邻的两个发光单元之一的第一电极与所述两个发光单元的另一个的第二导电层(例如，180-1至180-j的一个，并且j＝8)电连接。
发光单元P1至Pn(例如，n＝9)可以通过连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)和第二导电层180-1至180-j而彼此串联连接。
彼此串联连接的发光单元p1至Pn(例如，n＝9)之一的第一电极120还可以包括焊盘部121a和121b。焊盘部121a和121b可以是这样的区域，在此接合导线以供应第一电源(例如，负电源(-))。
图3为示出发光器件100的沿AB方向和CD方向剖出的透视图。图4示出图2所示的第二导电层180-1至180-j(j≥1)的第一实施例181。
参照图3和图4，第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)的每一个可以包括基板401和穿通部(through portion)402。
具有预定区域(纵向长度(L1)x横向长度(L2))和厚度(t)的基板401可以呈板状。基板401可以被设置在第一导电层101下方。图4所示的基板401可以是矩形，而本实施例不限于此。基板401可以具有诸如圆形、椭圆形或多边形等各种形状。
可以将基板401设置在第一绝缘层172与第二绝缘层174之间，并对应于除第一发光单元P1之外的其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)。连接电极122-1至122-m(m＞1，并且‘m’是自然数)可以与基板401的预定区域连接。
对应于其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)的一个(例如，P2)设置的基板401的至少预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区(S)以及另一个相邻的发光单元(例如，P1)重叠。例如，至少对应于第二发光单元P2设置的基板401的预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区(S)以及第一发光单元(P1)重叠。
对应于其它发光单元P2至Pn(例如，n＝9)的一个(例如，P3)设置的基板401的至少预定区域可以沿垂直方向与相邻的边界区(S)以及另一个相邻的发光单元(例如，P2)重叠。
从基板401突出的穿通部402可以与基板401的预定区域连接。穿通部402可以穿过第一绝缘层172而与对应的第一导电层连接。例如，穿通部402可以穿过第一绝缘层172而与第一阻挡层162连接。
穿通部402可以由与用于基板401的材料相同的材料形成，并且可以与基板401整体形成。穿通部402可以突出设置，其横向长度和纵向长度小于第二导电层401的横向长度(L2)和纵向长度(L1)。
另外，穿通部402可以被设置在基板401的顶表面的预定区域。根据图4所示的实施例的穿通部402可以被设置为与基板401的侧表面接触，而本实施例不限于此。穿通部402可以与基板401的侧表面间隔预定距离。
图5示出第二导电层180-1至180-j(j≥1)的第二实施例182。图5中与图4相同的附图标记指代相同的元件，并省略重复的说明，或者对其进行简要说明。
参照图5，第二导电层180-1至180-j(j≥1)的每一个可以包括基板401和穿通部402-1。穿通部402-1可以是其预定侧的长度(例如，纵向长度(K))与基板401的预定侧的长度(例如，纵向长度(L1))相同(K＝L1)的突起(protrusion)。
图6示出图2所示的第二导电层180-1至180-j(j≥1)的第三实施例183。图6中与图4相同的附图标记指代相同的元件，并省略重复的说明，或者对其进行简要说明。
参照图6，第二导电层180-1至180-j(j≥1)的每一个可以包括基板501和穿通部402。基板501可以具有至少一个穿通凹孔(through-recess)502。穿通部402可以与至少一个穿通凹孔间隔预定距离。
至少一个穿通凹孔502可以充满第二绝缘层174，并且第二绝缘层174可以经由至少一个穿通凹孔502而与第一绝缘层172接触。至少一个穿通凹孔502可以增强第一绝缘层172与第二绝缘层174之间的粘着性。
图6所示的穿通凹孔502可以是圆形，但本实施例不限于此。穿通凹孔502可以具有诸如圆形、椭圆形或多边形等各种形状。
图7示出图2所示的第二导电层180-1至180-j(j≥1)的第四实施例184。图7中与图4相同的附图标记指代相同的元件，并省略重复的说明，或者对其进行简要说明。
参照图7，第二导电层180-1至180-j(j≥1)的每一个可以包括基板601和穿通部402。粗糙部602可以在基板601的上表面和下表面至少之一上形成。此时，粗糙部602可以是规则的不平坦形或不规则的不平坦形。粗糙部602可以增强第二导电层180-1至180-j(j≥1)与第一绝缘层172之间的粘着性和/或第二导电层180-1至180-j(j≥1)与第二绝缘层174之间的粘着性。
图8示出图2所示的第二导电层180-1至180-j(j≥1)的第五实施例185。参照图8，第二导电层180-1至180-j(j≥1)的每一个可以包括具有网格结构的基板701和穿通部702。穿通部702与基板701的预定区域连接，并且穿过第一绝缘层172而与第一导电层(例如，第一阻挡层162)接触。通过根据本实施例的具有网格结构的基板701可以增强第一绝缘层172与第二绝缘层174之间的粘着性。
在将具有高驱动电压的电源施加到包括多个彼此串联连接的发光单元的发光结构的情况下，最大电场可以集中到直接施加有电源的一些发光单元以及与它们相邻的一些发光单元上，并且其上集中有电场的发光单元会发生损坏。
根据本实施例，第二电源(例如，正电源(+))可以经由第二金属层102、第二阻挡层164以及第一导电层101-1而被供应到发光结构110。第一电源(例如，负电源(-))可以经由第九发光单元P9的第一电极120以及焊盘部121a和121b而被供应到发光结构110。发光单元P1至Pn(例如，n＝9)可以通过连接电极122-1至122-m(例如，m＝8)以及第二导电层180-1至180-j(例如，j＝8)而彼此串联连接。
在将高驱动电压施加到发光结构110的情况下，可以通过与根据本实施例的发光单元P1至Pn(例如，n＝9)连接的第二导电层180-1至180-j(j≥1)而将集中到第一发光单元P1和第二发光单元P2上的电场分散。结果是，可以防止发光器件100损坏。换句话说，第二导电层180-1至180-j(j≥1)可以延长电流的传输路径，并且可以采用它们以防止可能由于高驱动电压引起的发光单元P1至Pn(例如，n＝9)的损坏。
图9示出包括根据本实施例的发光器件的发光器件封装。
参照图9，根据本实施例的发光器件封装可以包括封装主体610、第一引线框612、第二引线框614、发光器件620、反射板625、导线630以及密封层640。
封装主体610可以具有形成在其预定区域中的空腔。此时，空腔的侧壁可以倾斜。封装主体610可以是具有良好的绝缘性或传热性的衬底(例如，硅基晶片级封装、硅衬底、碳化硅(SiC)或氮化铝(AlN)等)，或者可以具有包括多个叠层衬底的结构。本实施例可以不局限于上文提到的封装主体的材料、结构以及形状。
考虑到发光器件的热沉(heat sink)或安装，第一引线框612和第二引线框614可以彼此电分离地设置在封装主体610的表面上。发光器件620可以与第一引线框612和第二引线框614电连接。此时，发光器件620可以是根据上述实施例的发光器件100。
例如，图2所示的发光器件100的第二金属层102可以与第二引线框614电连接，并且第九发光单元P9的焊盘部121a和121b可以通过导线630被接合到第一引线框612上。
反射板625可以在所述空腔(在封装主体610中形成)的侧壁上形成，从而将从发光器件620发射的光引向预定方向。反射板625可以由光反射材料(例如，金属镀层或金属片)形成。
密封层640可以包围封装主体610的空腔中的发光器件620，以保护其不受外部环境的影响。密封层640可以由诸如环氧树脂或硅等无色透明的聚合树脂材料形成。密封层640可以包括荧光体(phosphor)以改变从发光器件620发射的光的波长。根据上述实施例的发光器件至少之一可以被安装在发光器件封装上，而本实施例可以不限于此。
根据本发明的发光器件封装可以被布置在衬底上。导光板、棱镜片以及扩散片可以作为光学元件被设置在发光器件封装的发光路径上。那些发光器件封装、衬底以及光学元件可以用作照明单元。
另一个实施例可以通过包括根据实施例的半导体发光器件或发光器件封装的显示器件、指示器件或照明系统来实现。例如，照明系统可以包括灯和路灯。
图10为示出根据实施例的照明器件的分解透视图，该照明器件包括根据所述实施例的发光器件封装。参照图10，根据本实施例的照明器件可以包括：光源750，用来发射光；壳体700，用来在其中安装光源750；热沉740，用来散发光源750的热量；以及支架760，用来将光源750和热沉部740耦接至壳体700。
壳体700可以包括耦接至电插座(未示出)的插座耦接部件710以及连接至插座耦接部件710以在其中安装光源750的壳体部730。可以形成穿过壳体部730的单个通风孔720。
在壳体700的壳体部730中可以设置多个通风孔720。可以设置单个通风孔，或者可以沿径向方向设置多个通风孔。除了径向排列，也可以采用通风孔的其它各种排列方式。
光源750可以包括多个被设置在电路板754上的发光模块752。电路板754的形状可以形成为能够被插入到壳体700的开口中，并且可以由传热性高的材料形成以将热量传输到热沉740(将在后文进行详细描述)。
支架760可以被设置在光源下方，支架760可以包括框架和其它通风孔。虽然图中未示出，然而，可以在光源750下方设置光学元件，以将从光源750的发光器件封装752发射的光扩散、散射或聚集。
图11示出根据实施例的显示器件，其包括根据所述实施例的发光器件封装。
参照图11，根据本实施例的显示器件800可以包括：底盖810；反射板820，被设置在底盖810上；光源模块830和835，被配置成发射光；导光板840，被设置在反射板820前面，以将从光源模块830和835发射的光引向显示器件前面；光学片，包括被设置在光导板840前面的棱镜片850和860；显示面板，被设置在光学片前面；图像信号输出电路872，连接至显示面板870以将图像信号供应到显示面板870；以及滤色镜880，被设置在显示面板870前面。此处，底盖810、反射板820、光源模块830和835、导光板840以及光学片可以构成背光单元。
光源模块可以包括衬底830以及安装在衬底830上的发光器件封装835。此处，PCB可以用作电路板835。
底盖810可以容纳被设置在图像显示器件800中的元件。反射板820可以被设置为如图所示的分离元件，或者可以通过利用高反射率的材料涂覆光导面板840的后表面或底盖810的前表面来设置所述反射板820。
此处，反射板820可以由可用于超薄类型的高反射率的材料(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等)形成。
导光面板840可以由高折射率和高透光率的材料(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)等)形成。
第一棱镜片850可以由具有透光性和弹性的透光聚合物形成，并且可以被设置在支撑膜的表面上。所述聚合物可以具有棱镜层，其中所述棱镜层具有多个在其上重复形成的三维结构。此处，可以形成多个具有重复的波峰和波谷的条形图案。
在第二棱镜片860的支撑膜的表面上形成的波峰和波谷的方向可以垂直于在第一棱镜片850的支撑膜的表面中形成的波峰和波谷的方向。这样可以让从光源模块和反射板820传输的光沿面板870的所有方向均匀分布。
虽然图中未示出，然而可以在光导板840与第一棱镜片850之间设置扩散片。扩散片可以由聚酯和聚碳酸酯基材料形成，并且可以通过折射和散射从背光单元入射的光来扩大光投射角。扩散片可以包括具有光扩散剂的支撑层以及在发光表面(朝向第一棱镜片)和光入射表面(朝向反射片)上形成的、不具有光扩散剂的第一层和第二层。
根据本实施例，扩散片、第一棱镜片850以及第二棱镜片860可以构成光学片。光学片也可以配置为另一种组合(例如，微透镜阵列组合，或者单个棱镜片和微透镜阵列组合)。显示面板870可以是液晶显示器。
液晶显示器可以被设置在显示面板870上。除了液晶显示面板860之外，还可以设置另一种需要光源的显示器件。
虽然已参照许多说明性实施例描述了实施例，然而应当理解，本领域技术人员能够设计出许多落入本公开文本的原理的精神和范围的其它变型和应用。更具体地，在公开内容、附图以及附加的权利要求的范围内，在零部件和/或隶属的组合排列的排列方式中可以有各种变化和变型。除了零部件和/或排列的变化和变型之外，多种用途对本领域技术人员来说也是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，被分成多个发光单元和一边界区，所述多个发光单元分别包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；
第一电极，被设置在每一个所述发光单元上；
多个第一导电层，被设置在所述多个发光单元下方；
至少一个第二导电层，被设置在所述第一导电层下方；
第一绝缘层，被设置在各所述第一导电层之间，以及被设置在所述多个第一导电层与所述至少一个第二导电层之间；以及
连接电极，将一个发光单元上的所述第一电极与另一个发光单元下方的所述至少一个第二导电层连接，
其中所述至少一个第二导电层穿过所述第一绝缘层而与所述多个第一导电层之一连接。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述至少一个第二导电层对应于除所述发光单元的一个之外的其它发光单元而设置，并且彼此间隔预定距离。
3.根据权利要求1所述的发光器件，
其中所述第一导电层包括：
反射层，被设置在所述第二导电类型半导体层下方；以及
第一阻挡层，被设置在所述反射层下方。
4.根据权利要求3所述的发光器件，还包括：
第二阻挡层，被设置在所述至少一个第二导电层下方，该第二阻挡层与所述多个第一导电层其中之一电连接；以及
第二绝缘层，被设置在各所述第二导电层之间，并被设置在所述第二阻挡层与所述至少一个第二导电层之间。
5.根据权利要求1至4中的任意一个所述的发光器件，其中所述连接电极将相邻的两个发光单元的第一电极与对应于所述相邻的两个发光单元的另一个的第二导电层连接。
6.根据权利要求5所述的发光器件，还包括：
钝化层，被设置在每一个所述发光单元与所述连接电极之间；以及
保护层，被设置在所述边界区上。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述连接电极穿过所述保护层和所述第一绝缘层而被设置在所述钝化层上。
8.根据权利要求1至4中的任意一个所述的发光器件，其中分别对应于所述发光单元来设置所述多个第一导电层，以及
所述多个第一导电层其中之一与对应的一个所述发光单元电连接。
9.根据权利要求1至4中的任意一个所述的发光器件，其中所述至少一个第二导电层的预定区域沿垂直方向与相邻的所述边界区的相邻区域重叠。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中对应于所述其它发光单元之一而设置的所述第二导电层的至少预定区域沿垂直方向与相邻于该其它发光单元之一的另一个发光单元重叠。
11.根据权利要求1至4中的任意一个所述的发光器件，其中每一个所述第二导电层包括：
基板，形成为板状，该基板与所述连接电极连接；以及
穿通部，从所述基板突出，该穿通部穿过所述第一绝缘层而与对应的第一导电层连接。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述穿通部的一侧具有的长度与所述基板的一侧具有的长度相同。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述基板包括至少一个穿通凹孔。
14.根据权利要求11所述的发光器件，其中在所述基板的上表面和下表面至少之一中形成粗糙部。
15.根据权利要求1至4中的任意一个所述的发光器件，其中所述第二导电层由反光材料形成。
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