CN111033919A - 发光模块、光源单元和光学成形设备 - Google Patents

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Abstract

根据本技术的一个方面的发光模块设置有多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，在一个方向上以预定间隔设置，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，分别向多个发光元件供电，该多个多光发射器在一个方向上并排设置。多个发光元件包括位于一个方向的末端的第一发光元件以及位于从一个方向的末端开始第二定位的第二发光元件。多个单独电极包括用于向第一发光元件供电的第一单独电极和用于向第二发光元件供电的第二单独电极。第一单独电极和第二单独电极设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。

Description

发光模块、光源单元和光学成形设备
技术领域
本技术涉及一种技术，例如，发光模块，该发光模块被配置为使得多个发光元件设置在一个方向上。
背景技术
近年来，被配置为使多个发光元件设置在一个方向上的发光模块已广泛地被用于各种设备，例如，立体光刻设备、激光打印机、激光显示设备和测量设备(例如，参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开号2003-158332
发明内容
技术问题
在这种发光模块中，存在难以减小发光元件之间的间距的问题。
鉴于上述情况，本技术的目的是提供一种技术，例如，发光模块，利用该技术可以容易地减小发光元件之间的间距。
问题的解决方案
根据本技术实施方式的发光模块包括：多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在该一个方向上。多个发光元件包括：第一发光元件，位于一个方向上的最外端；以及第二发光元件，位于一个方向上的第二外端。多个单独电极包括：第一单独电极，其向第一发光元件供电；以及第二单独电极，其向第二发光元件供电。第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
利用这种配置，在整个发光模块中的相应发光元件之间的距离被设置为是相等的，同时可以容易地缩短发光元件之间的距离。
在发光模块中，在彼此相邻的两个多光发射器中的一个多光发射器中的第一发光元件和在另一多光发射器中的第一发光元件之间的距离可以等于预定的距离。
在发光模块中，预定的距离可以是100μm或更小。
在发光模块中，在除了第一发光元件和第二发光元件之外的发光元件中，向彼此相邻的两个发光元件中的每一个供电的两个单独电极可以设置在彼此相邻的两个发光元件之间的区域中。
发光模块还可以包括多个子安装构件，多光发射器分别被安装在多个子安装构件上，多个子安装构件设置在一个方向上。
发光模块还可以包括多个安装构件，多个子安装构件分别安装在多个安装构件上，多个安装构件设置在一个方向上。
在发光模块中，安装在彼此相邻的安装构件的一个安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件和安装在另一安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件之间的距离可以等于预定的距离。
在发光模块中，会聚从多个发光元件发射的相应光束中的每一个的会聚透镜可以设置在发光侧。
在发光模块中，多个子安装构件可以都包括开关电路，用于单独地切换安装在其上的多光发射器的多个发光元件，并使多个发光元件发光。
在发光模块中，多个安装构件可以包括驱动电路，驱动电路用于驱动安装在其上的多个子安装构件上的多光发射器的多个发光元件。
在发光模块中，假设成像中心中的光密度为P1，该成像中心分别对应于从多个发光元件发射的相应光束。并且彼此相邻的两个成像中心之间的中间位置处的光密度为P2，则预定的距离可以被设置为满足P2≥0.5×P1的关系。
在发光模块中，多个安装构件可以安装在传热板上。
在发光模块中，壳体内可以容纳发光模块，并且壳体可以设置有冷却机构，冷却机构减少由于发光模块而产生的热量。
在发光模块中，多个发光元件可以发射光，以用于在立体光刻中固化光固化树脂。
根据本技术的另一方面的发光模块包括：多个发光元件，其被设置为在一个方向上彼此间隔开100μm或更小的距离，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，其向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在一个方向上。
根据本技术实施方式的光源单元包括发光模块。发光模块包括：多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，其被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与该一个方向正交的方向上发光；以及多个单独电极，其向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在一个方向上。多个发光元件包括：第一发光元件，其位于该一个方向上的最外端；以及第二发光元件，其位于该一个方向上的第二外端。多个单独电极包括：第一单独电极，其向第一发光元件供电；以及第二单独电极，其向第二发光元件供电。第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
根据本技术实施方式的立体光刻设备包括光源单元，该光源单元包括发光模块。发光模块包括：多个多光发射器，每个多光发射器包括：多个发光元件，其被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与该一个方向正交的方向上发光，以用于在立体光刻中固化光固化树脂；以及多个单独电极，其向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在该一个方向上。多个发光元件包括：第一发光元件，其位于该一个方向上的最外端；以及第二发光元件，其位于该一个方向上的第二外端。多个单独电极包括：第一单独电极，其向第一发光元件供电；以及第二单独电极，其向第二发光元件供电。第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
发明的有益效果
如上所述，根据本技术，可以提供一种技术，例如，发光模块，利用该技术可以容易地减小发光元件之间的间距。
附图说明
[图1]是示出了根据本技术第一实施方式的立体光刻设备的侧视图。
[图2]是示出了立体光刻设备的电气框图。
[图3]是示出了光检测器的透视图。
[图4]是示出了光源单元的分解透视图。
[图5]是示出了光源单元中的发光模块的透视图。
[图6]是示出了发光模块的一部分的放大透视图。
[图7]是示出了发光模块中的多激光芯片的仰视图和从发光侧观察的发光模块的侧视图。
[图8]是示出了从下方观察的多激光芯片中的激光元件的放大透视图。
[图9]是示出了根据比较示例的单独电极的示图。
[图10]是示出了关于单独电极的阵列的另一示例的示图。
[图11]是用于描述如何设置激光元件之间的距离的示图。
[图12]是示出了控制单元的处理的流程图。
[图13]是示出了当校正每个激光元件的光量时的处理的流程图。
[图14]是示出了当校正每个激光元件的光量时的处理的流程图。
[图15]是示出了在光源单元的中心位于距第一光检测器的中心距离d1的位置的状态下当使第n激光元件51发光时的状态的示图。
[图16]是示出了在光源单元的中心位于距第一光检测器的中心距离d1的位置的状态下当使第n激光元件51发光时的状态的示图。
[图17]是示出了第一光量分布曲线的示图。
[图18]是示出了第一光量分布曲线的示图。
[图19]是示出了第一多行光量分布曲线的示图。
[图20]是示出了第一多行光量分布曲线的示图。
[图21]是示出了校正建模数据时的处理的流程图。
[图22]是示出了用于描述校正建模数据时的处理的示图。
[图23]是示出了用于描述使用两个光量分布曲线的原因的示图。
[图24]是示出了根据第二实施方式的发光模块的透视图。
[图25]是示出了发光模块的一部分的放大透视图。
[图26]是发光模块中的多激光芯片的仰视图和从发光侧观察的发光模块的侧视图。
[图27]是示出了光检测器的另一示例的示图。
[图28]是示出了光检测器的又一示例的示图。
[图29]是示出了当相机的图像拾取元件的图像平面在X轴方向上倾斜时的状态的示图。
[图30]是示出了光检测器的又一示例的示图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述根据本技术的实施方式。
<<第一实施方式>>
<立体光刻设备100的总体配置和相应单元的配置>
图1是示出根据本技术的第一实施方式的立体光刻设备100的侧视图。图2是示出立体光刻设备100的电气框图。应当注意，在本说明书中描述的每一个附图中，为了容易理解附图，立体光刻设备100和立体光刻设备100的相应构件被示出为具有与实际尺寸不同的尺寸。
如图所示，立体光刻设备100包括：树脂罐5，其存储液体光固化树脂1；载物台6，其浸没在光固化树脂1中并支撑待建模物体2；以及载物台升降机构12(图2)，其升降载物台6。
此外，立体光刻设备100包括向光固化树脂1发光的光源单元20、使光固化树脂1的表面平坦化的刀片7、以及在水平方向(XY方向)上移动光源单元20和刀片7的光源移动机构14(图2)。此外，立体光刻设备100包括安装在光源单元20上的冷却机构80和使冷却机构80内部的水循环的循环泵15(图2)。
此外，立体光刻设备100包括检测从光源单元20发射的光的光检测器60、全面控制立体光刻设备100的相应单元的控制单元11(图2)、以及用于存储控制单元11的处理所需的各种程序和各种类型的数据的存储单元17(图2)。
树脂罐5是其上部敞开的容器，并且能够在其中存储液体光固化树脂1。例如，作为环氧基树脂和聚氨酯基树脂的紫外光固化树脂用作光固化树脂1。可替代地，光固化树脂1可以是将要由另一波长区域的光(例如，可见光)固化的树脂。光固化树脂1的材料没有特别限制。载物台6是平板状构件。载物台6从下方支撑待建模物体2，该待建模物体2通过由光源单元20发射的光固化而形成。
载物台升降机构12被配置为能够在上下方向(Z轴方向)上移动载物台6。当形成待建模物体2时，每次形成一层待建模物体2时，载物台升降机构12将载物台6向下移动预定的距离。
载物台6向下移动的距离等于一层待建模物体2的厚度T。此外，载物台6向下移动的距离等于光源单元20相对于光固化树脂1的曝光深度D。在该实施方式中，一层的厚度T和曝光深度D被设置为20μm。应当注意，例如，一层的厚度T和曝光深度D可以在几十μm到几百μm的范围内适当地修改。
光源单元20在被光源移动机构14沿扫描方向(Y轴方向)移动的同时，向光固化树脂1的表面(被刀片7平坦化的表面)发光。以这种方式，光源单元20将光固化树脂1的层逐个曝光(固化)。光源单元20包括沿X轴方向设置的多个激光元件51(见图7)。光源单元20利用从那些激光元件51发射的相应光束将光固化树脂1暴露(固化)于点状光。
在该实施方式中，光源单元20的下端面(稍后描述的会聚棒透镜22的下端面)和光固化树脂1的表面(在平坦化之后)之间的距离L被设置为2mm。应当注意，距离L可以被适当地修改。光源单元20的高度已被调节，使得从光源单元20发射的光的焦点位置变成光固化树脂1的表面(在平坦化之后)的位置或者距表面几μm到几十μm的位置。应当注意，稍后将详细描述光源单元20的具体配置。
刀片7设置在光源单元20的行进方向上的前侧(图1中的左手侧)，并且通过光源移动机构14使得刀片7可与光源单元20整体移动。例如，刀片7和光源单元20之间的距离被设置为30mm。这个距离可以适当修改。刀片7是平板状构件。通过光源移动机构14移动刀片7，该刀片7的下表面保持与光固化树脂1的表面接触。以这种方式，刀片平坦化光固化树脂1的表面。
光源移动机构14被配置为能够在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向这三个轴方向上移动光源单元20和刀片7。当形成待建模物体2时，在光源单元20和刀片7位于树脂罐5在Y轴方向上的一端侧(曝光开始位置：图1中的右手侧)之后，光源移动机构14在扫描方向(Y轴方向)上移动光源单元20和刀片7。此外，光源移动机构14使已经在扫描方向(Y轴方向)上移动到树脂罐5的另一端侧(左手侧)的光源单元20和刀片7在Z轴方向(向上)上移动，以不与热固性树脂1的表面接触。此后，光源移动机构14再次将光源单元20和刀片7移动到树脂罐5的一端侧(右手侧)，并使光源单元20和刀片7返回到原始位置。
应当注意，在待建模物体2的宽度(在X轴方向上)大并且超过光源单元20能够固化光固化树脂1的宽度的情况下，光源移动机构14在X轴方向上移动光源单元20和刀片7。
应当注意，在该实施方式中，光源移动机构14被配置为能够在水平方向上沿X轴和Y轴方向这两个轴方向移动光源单元20和刀片7。另一方面，光源移动机构14可以被配置为仅能够在水平方向上的Y轴方向这一个轴方向上移动光源单元20和刀片7。
冷却机构80安装在光源单元20的侧表面上。冷却机构80通过接收光源单元20处产生的热量来冷却光源单元20。冷却机构80包括能够在内部容纳水的壳体81和连接到壳体81的两个管82。两个管82中的一个管82是用于供水的管。另一管82是用于排水的管。循环泵15设置在冷却机构80中的水循环路径内，并循环冷却机构80中的水。
图3是示出光检测器60的透视图。参考图1和图3，光检测器60设置在光源单元20的发光方向上的前侧(图1中的下侧)，并且检测从光源单元20发射的光。
在该实施方式中，光检测器60设置在安装于树脂罐5的外圆周表面上的支撑台64上。应当注意，设置光检测器60的位置通常可以是在光源单元20的移动范围内(在XY方向)的任何位置。
光检测器60被配置为能够在光源单元20和光检测器60之间的距离l不同的状态下检测光。具体地，光检测器60包括第一光检测器61和第二光检测器62，第二光检测器62被设置为使得距离l不同于第一光检测器61的距离l。应当注意，在该实施方式中，将描述光检测器60的数量为两个的情况，尽管光检测器60的数量可以是一个或者可以是三个或更多。
第一光检测器61和第二光检测器62各自包括在X轴方向(激光元件51设置的方向)上较长的多个线传感器63。线传感器63包括沿X轴方向设置的多个光接收元件(像素)。在该实施方式中，一个线传感器63的光接收元件的数量(像素数)被设置为5400(5400个像素)。此外，在该实施方式中，彼此相邻的光接收元件之间的距离(像素间距)被设置为4μm，并且分辨率被设置为4μm。
在此，为了在光检测器60中精确地检测处于窄间距的激光元件51的光量分布，线传感器63的分辨率被设置为高分辨率值4μm。应当注意，光接收元件的数量和光接收元件之间的距离不限于上述值，并且可以适当地修改。
多个线传感器63以之字图案设置并且线性地设置。在此，将描述多个线传感器63以之字图案设置的原因。
在可以从一个晶片取出的线传感器63的长度小于期望长度的情况下，需要线性地设置多个线传感器63。另一方面，在该实施方式中，如上所述，相邻光接收元件之间的距离被设置为小距离值4μm。此外，关于彼此相邻的线传感器63，位于一个线传感器63的最外端的光接收元件与位于另一线传感器63的最外端的光接收元件之间的距离需要被设置为4μm。
然而，在多个线传感器63被简单地线性设置的情况下，位于一个线传感器63最外端的光接收元件与位于另一线传感器63最外端的光接收元件之间的距离不能设置为4μm，因此，在该实施方式中，通过以之字图案设置多个线传感器63，使得位于一个线传感器63最外端的光接收元件与位于另一线传感器63最外端的光接收元件之间的距离被设置为4μm。
参考图1，第一光检测器61的高度被设置为使得图像平面的高度等于光固化树脂1的表面(在平坦化之后)的高度。即，在该实施方式中，从光源单元20的下端面到第一光检测器61的图像平面的距离l1等于从光源单元20的下端面到光固化树脂1的表面(在平坦化之后)的距离L(l1＝L)。
另一方面，第二探测器的高度被设置为使得图像平面在高度方向上的位置比光固化树脂1的表面(在平坦化之后)低了对应于曝光深度D的量。即，在该实施方式中，从光源单元20的下端面到第二光检测器62的图像平面的距离l2等于通过将曝光深度D加上从光源单元20的下端面到光固化树脂1的表面(在平坦化之后)的距离L而获得的值(l2＝L+D)。
应当注意，第一光检测器61和第二光检测器62的图像平面的位置可以适当地修改，只要这些位置落在光固化树脂1的表面(在平坦化之后)与比该表面(在平坦化之后)低对应于曝光深度D的量的位置之间的范围内即可。即，通过使用距离L、距离l(l1，l2)、以及曝光深度D，第一探测器和第二光检测器62的图像平面的位置被设置为满足条件L≤l≤L+D。
例如，控制单元11(见图2)是中央处理单元(CPU)，并且全面控制立体光刻设备100的相应单元。例如，控制单元11基于建模数据(三维计算机辅助设计(CAD)数据)执行形成待建模物体2的处理。应当注意，稍后将描述控制单元11的处理。
存储单元17包括存储控制单元11的处理所需的各种程序和各种类型的数据的非易失性存储器以及用作控制单元11的工作区的易失性存储器。这些程序可以从诸如光盘和半导体存储器的便携式存储器中读取，或者可以通过网络从服务器设备下载。
<光源单元20的配置>
接下来，将具体描述光源单元20的配置。图4是示出光源单元20的分解透视图。
在该实施方式中，关于整个光源单元20的尺寸，宽度(在X轴方向上)被设置为420mm，深度(在Y轴方向上)被设置为30mm，并且高度(在Z轴方向上)被设置为50mm。应当注意，在本说明书中，将要描述的相应单元的宽度、深度和高度的尺寸仅仅是示例性的，并且可以适当地修改。
如图4所示，光源单元20包括在其中容纳光源单元20的相应部分的壳体21、发光模块30和位于发光模块30的发光侧的会聚棒透镜22。此外，光源单元20包括连接器23、附接到连接器23的玻璃环氧板24、以及其上安装有发光模块30和玻璃环氧板24的传热板25。
壳体21具有在X轴方向(激光元件51的设置方向)上较长的长方体形状。壳体21包括第一基板26和第二基板27。壳体21由各种金属材料(例如，不锈钢)形成。应当注意，任何材料都可以用作壳体21的材料，只要它是强度和热导率等于或高于某一水平的材料。第一基板26和第二基板27通过螺钉等固定，并且一体地构成壳体21。
第一基板26包括用于将会聚棒透镜22装配在其中的凹槽部26a、用于将连接器23装配在其中的凹槽部(未示出)等。此外，第二基板27包括用于将会聚棒透镜22装配在其中的凹槽部27a、形成在发光模块30和会聚棒透镜22之间的凹槽部27b等。冷却机构80通过螺钉等经由O形环83固定在外周表面中的一位置，该位置与传热板25设置于第二基板上的位置相对应。
会聚棒透镜22聚集从发光模块30的相应激光元件51发射的每一束光束，并在光固化树脂1的表面上(在平坦化之后)形成图像。会聚棒透镜22通过装配在由第一基板26的凹槽部26a和第二基板27的凹槽部27a形成的壳体21的开口中来固定。
会聚棒透镜22被配置为使得在Z轴方向上具有长柱状形状的多个棒透镜22a设置在X轴和Y轴方向这两个轴方向上。在该实施方式中，由Nippon Sheet Glass有限公司制造的SELFOC(注册商标)透镜阵列用作会聚棒透镜22，并且距会聚棒透镜22的下端表面的焦距被设置为大约2mm。
传热板25由各种金属材料(例如，铜)形成。应当注意，任何材料都可以用作用于传热板25的材料，只要它是强度和热导率等于或高于某一水平的材料即可。发光模块30和玻璃环氧板24安装在传热板25上。其上安装有这些组件的传热板25经由具有高导热性的粘合剂9(例如，紫外光固化银膏)固定在第二基板27上。
通过从第二基板27侧拧入螺钉来执行传热板25和第二基板27之间的固定。此外，在玻璃环氧板24侧上，而不是在发光模块30侧上，执行传热板25和第二基板27之间的拧紧。应当注意，为了防止发光模块30中的激光元件51之间的距离精度受到影响，以这种方式，在玻璃环氧板24侧上，而不是在发光模块30侧上，执行传热板25和第二基板27之间的拧紧。
连接器23电连接到玻璃环氧板24。用于驱动光源单元20的电力和各种信号输入到该连接器23中。玻璃环氧板24和发光模块30(稍后将描述的驱动器IC 31)通过引线接合连接。
应当注意，第一基板26和第二基板27之间的间隙、壳体21和会聚杆透镜22之间的间隙以及壳体21和连接器23之间的间隙用粘合剂密封，以防止光固化树脂1的挥发性物质进入。
接下来，将简要描述组装光源单元20的过程。首先，将发光模块30和设置有连接器23的玻璃环氧板24安装在传热板25上。接下来，发光模块30(驱动器IC 31)和玻璃环氧板24通过引线接合连接。
接下来，其上安装有发光模块30和玻璃环氧板24的传热板25经由具有高导热性的粘合剂9固定在第二基板27上。通过拧紧来实现这种固定。然而，这种拧紧在玻璃环氧板24侧而不是在发光模块30侧执行。
接下来，通过拧紧固定第一基板26和第二基板27。然后，会聚棒透镜22被固定到壳体21的由第一基板26的凹槽部26a和第二基板27的凹槽部27a形成的开口。在这种固定中，在会聚棒透镜22相对于发光模块30的位置被调节以提高成像位置的精度之后，会聚棒透镜22利用紫外光固化粘合剂暂时固定到壳体21。
接下来，用粘合剂密封第一基板26和第二基板27之间的间隙、壳体21和会聚棒透镜22之间的间隙、以及壳体21和连接器23之间的间隙。最后，冷却机构80通过拧紧固定到壳体21(第二基板27)。
[发光模块30]
接下来，将具体描述发光模块30的配置。图5是示出光源单元20中的发光模块30的透视图。图6是示出发光模块30的一部分的放大透视图。
图7是发光模块30中的多激光芯片50的仰视图，并且是从发光侧观察的发光模块30的侧视图。图8是从下侧观察的多激光芯片50中的激光元件51的放大透视图。应当注意，图8示出了从下侧观察的多激光芯片50的状态，因此与图5至图7相比，图8示出了在上下方向上的倒置状态。
如这些图中所示，发光模块30包括多个驱动器IC 31(安装构件)、安装在驱动器IC31上的多个子安装座40(子安装构件)、以及安装在子安装座40上的多激光芯片50(多光发射器)。应当注意，尽管在图5中仅描述了一个驱动器IC 31，但是发光模块30被配置为使得多个驱动器IC 31沿X轴方向设置。
在该实施方式中，驱动器IC 31的数量是16。应当注意，发光模块30的驱动器IC 31的数量没有特别限制，并且可以适当地修改。
在该实施方式中，作为示例，关于驱动器IC 31的尺寸，宽度(在X轴方向上)被设置为20.47mm，深度(在Z轴方向上)被设置为5mm，并且高度(在Y轴方向上)被设置为0.09mm。此外，作为示例，发光模块30中的整个宽度(在X轴方向上)约为330mm。此外，关于安装有发光模块30的传热板25的尺寸，作为示例，宽度(在X轴方向上)被设置为350mm，深度(在Z轴方向上)被设置为30mm，并且高度(在Y轴方向上)被设置为3mm。
例如，驱动器IC 31由硅板构成。此外，驱动器IC 31在上表面上包括多个输入电极焊盘32和多个输出电极焊盘33。输入电极焊盘32通过引线接合连接到玻璃环氧板24。另一方面，输出电极焊盘33通过引线接合连接到设置在子安装座40中的输入电极焊盘42。
驱动器IC 31在其中包括驱动电路，驱动电路用于驱动安装在其上的多个子安装座40上的多激光芯片50的相应激光元件51。用于控制用于驱动相应激光元件51的发光定时和发光时间的信号从控制单元11输入到驱动电路中。
基于这些信号，驱动电路使相应激光元件51经由子安装座40中的开关电路(稍后描述)发光。激光元件51中的单个发光时间被设置为1μ秒。通过调节每单位时间的发光次数来调节整体光量。
应当注意，16个驱动器IC 31各自具有用于控制发光的不同的激光元件51，并且因此，不同的信号从控制单元11被输入到16个驱动器IC 31。
在该实施方式中，在X轴方向(激光元件51的设置方向)上针对一个驱动器IC 31安装32个子安装座40。应当注意，安装在一个驱动器IC 31上的子安装座40的数量没有特别限制，并且可以适当地修改。此外，子安装座40经由具有高导热性的粘合剂9(例如，紫外光固化银膏：参见图7的下图)固定在驱动器IC 31上。
在该实施方式中，关于子安装座40的尺寸，作为示例，宽度(在x轴方向上)被设置为630μm，深度(在Z轴方向上)被设置为1000μm，并且高度(在Y轴方向上)被设置为90μm。
例如，子安装座40由硅板构成。子安装座40在上表面上包括多个接合焊盘41(见图7的下图)、多个输入电极焊盘42和单个公共电极焊盘43。此外，子安装座40在上表面上包括多个对准标记44。
在本实施方式中，接合焊盘41由厚度为10μm的镀Au构成。该接合焊盘41电连接到多激光芯片50中的单独电极54。接合焊盘41的位置和形状与多激光芯片50中的单独电极54(电镀部分56)的位置和形状相同。
多个输入电极焊盘42通过引线接合连接到驱动器IC 31中的输出电极焊盘33。在该实施方式中，输入电极焊盘42的数量被设置为4，并且输入电极焊盘的尺寸被设置为90μm×90μm.。例如，四个输入电极焊盘42用于电源、GND、第一开关脉冲输入和第二开关脉冲输入。
公共电极焊盘43通过引线接合连接到多激光芯片50的公共电极52。在该实施方式中，公共电极焊盘43的尺寸被设置为90μm×90μm。
子安装座40中包括开关电路，该开关电路单独地切换安装在其上的多激光芯片50的每个激光元件51，以使该每一个激光元件51发光。具体地，开关电路根据经由输入电极焊盘42从驱动器IC 31(驱动电路)输入的开关脉冲来切换多激光芯片50中的多个激光元件51，以使该多个激光元件51发光。
当多激光芯片50安装在子安装座40上时，使用对准标记44。此外，当其上安装有多激光芯片50的子安装座40安装在驱动器IC 31上时，使用对准标记44。
在该实施方式中，为一个子安装座40安装一个多激光芯片50。应当注意，为一个子安装座40安装的多激光芯片50的数量可以是多个。
在该实施方式中，作为示例，关于多激光芯片50的尺寸，宽度(在x轴方向上)被设置为630μm(等于子安装座40的宽度)，深度(在Z轴方向上)被设置为280μm，高度(在Y轴方向上)被设置为90μm。
例如，多激光芯片50由氮化镓板构成。多激光芯片50包括在Z轴方向上具有长形状的多个激光元件51。多个激光元件51被设置为在X轴方向(一个方向)上彼此间隔预定的距离，并且在Z轴方向(与一个方向正交的方向)上发光。在该实施方式中，激光元件51的振荡波长被设置为405nm。
此外，多激光芯片50包括通常用在多个激光元件51中的公共电极52和在上表面上的对准标记53。此外，多激光芯片50包括多个单独电极54，用于在下表面上分别单独地向多个激光元件51供电。
在该实施方式中，一个多激光芯片50的激光元件51的数量被设置为32。应当注意，这个数字可以被适当地修改。此外，在该实施方式中，彼此相邻的两个激光元件51之间的距离(脊之间的距离)被设置为20μm.。应当注意，激光元件51之间的距离也可以被适当地修改，并且该距离通常被设置为100μm或更小。
在此，在本实施方式中，在分光模块30中，驱动器IC 31的数量被设置为16，安装在一个驱动器IC 31上的子安装座40的数量被设置为32，并且对应于子安装座40的激光元件51的数量被设置为32。因此，在该实施方式中，发光模块30包括总共16384(＝16×32×32)个激光元件51。
公共电极52形成在多激光芯片50的整个上表面中，并且经由引线接合连接到子安装座40中的公共电极焊盘43。例如，通过堆叠Au和Ge、Ni、Au等的合金来配置公共电极52。当多激光芯片50安装在子安装座40上时，使用对准标记53。此外，当其上安装有多激光芯片50的子安装座40安装在驱动器IC 31上时，使用对准标记53。
在此，向彼此相邻的两个激光元件51供电的两个单独电极54通常设置在彼此相邻的两个激光元件51之间的区域(多激光芯片50的下表面中的区域)中。
换言之，彼此相邻的两个激光元件51之间的区域通常用作一个区域，在该区域中设置有向彼此相邻的两个激光元件51中的每一个供电的两个单独电极54。应当注意，将在后面描述单独电极54以这种方式设置的原因。
单独电极54包括电极主体55和形成在电极主体55上的电镀部分56。例如通过堆叠Ti、Pt、Au等来配置电极主体55。电极主体55包括形成为覆盖激光元件51的涂层部分55a和从涂层部分55a拉出的基底55b。基底55b的尺寸被设置为约为彼此相邻的两个激光元件51之间的区域的尺寸的一半。此外，设置在这种区域中的两个基底55b中的一个设置在前侧(沿Z轴方向)，并且另一个设置在后侧(沿Z轴方向)。
在本实施方式中，电镀部分56由厚度为2μm的镀Au构成。由Au构成的电镀部分56相对于子安装座40中的接合焊盘41(Au)经受Au-Au超声波接合，使得多激光芯片50倒装芯片安装在子安装座40上。应当注意，接合方法不限于此，并且可以使用Au-Sn接合、Cu-Cu接合等。
应当注意，单独电极54在Z轴方向上实际上具有比图7和图8中绘制的形状更长的形状。
参考图8，激光元件51被设置为具有这样的结构，其中，在谐振方向(Z轴方向)上，具有在Z轴方向上长的带状的脊部70(光波导)被一对前端表面和后端表面夹住。即，激光元件51是边缘发射激光型半导体激光器。
例如，通过在板71上形成具有激光结构的叠层半导体层72来配置激光元件51。半导体层72包括第一覆层73、激活层74、第二覆层75和接触层76。除了上述提层之外的层(例如，缓冲层、引导层等)可以进一步设置在半导体层72中。
例如，板71由诸如GaN的III-V族氮化物半导体形成。在此，“III-V族氮化物半导体”包括在短周期周期表中的至少一种3B族元素和至少N个5B族元素。
III-V族氮化物半导体的示例可以包括含Ga和N的氮化镓基化合物。氮化镓基化合物包括GaN、AlGaN、AlGaInN等。III-V族氮化物半导体以取决于需要的方式掺杂有IV族或VI族元素(例如，Si、Ge、O和Se)的n型杂质或II族或IV族元素(例如，Mg、Zn和C)的p型杂质。
例如，半导体层72主要包括III-V族氮化物半导体。第一覆层73例如由AlGaN形成。激活层74具有多量子阱结构，其中，例如分别由具有不同组成比的GaInN形成的阱层和势垒层交替堆叠。第二覆层75例如由AlGaN形成。接触层76例如由GaN形成。
脊部70从第二覆层75突出形成。脊部70是半导体层72的一部分，并且通过利用在X轴方向上的折射率差来将光限制在X轴方向上。此外，注入半导体层72的电流是受限制的。对应于脊部70的激活层74的部分是发光区域78。
前端表面是发光的表面。在该前端表面中形成多层反射膜(未示出)。此外，后端表面是光被反射到的一侧的表面，并且多层反射膜(未示出)也形成在该后端表面中。例如，将在前端表面侧的多层反射膜的反射率设置为大约10％。此外，例如，将在后端表面侧的多层反射膜的反射率设置为大约95％。
在脊部70的表面(接触层76的表面)中，设置单独电极54中的涂层部分55a，以覆盖整个脊部70。涂层部分55a电连接到接触层76。应当注意，绝缘层77堆叠在半导体层72(不包括接触层76的部分)上。绝缘层77例如由SiO2、SiN、ZrO2等形成。
(单独电极54的阵列)
接下来，将描述单独电极54设置在上述阵列中的原因。在该描述中，将首先描述比较示例。图9是示出根据比较示例的单独电极54’的示图。如图9所示，在比较示例中，彼此相邻的两个激光元件51之间的区域用作设置一个激光元件51的单独电极54的区域。
应当注意，在以下描述中，关于多激光芯片50，位于沿X轴方向的两端侧的最外端的激光元件51将称为第一激光元件51a。
在如图9所示设置单独电极54’的情况下，彼此相邻的多激光芯片50的一个多激光芯片50中的第一激光元件51a和另一多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离是大的。即，一个多激光芯片50中的第一激光元件51a(左端)的单独电极54’成为障碍物，并且相对于该部分，激光元件51之间的距离不能设置为20μm。如果激光元件51之间的该距离不同于激光元件51之间的另一距离，则不能精确地形成待建模物体2。
有鉴于此，在该实施方式中，分别向彼此相邻的两个激光元件51供电的两个单独电极54通常设置在彼此相邻的两个激光元件51之间的一个区域中。因此，如图7所示，彼此相邻的两个多激光芯片50中的一个多激光芯片50的第一激光元件51a和另一多激光芯片50的第一激光元件51a之间的一距离可以设置为等于另一距离(20μm)。
应当注意，多激光芯片50相邻的图案包括两个图案，即图7左侧所示的图案和图7右侧所示的图案。
在图7左侧的图案中，安装在同一驱动器IC 31上的相应子安装座40上的多激光芯片50是相邻的。在图7右侧所示的图案中，位于两个驱动器IC 31中的一个驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50和位于另一驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50彼此相邻。
参考图7的左手侧，在同一驱动器IC 31上彼此相邻的两个多激光芯片50中的一个多激光芯片50的第一激光元件51a和另一多激光芯片50的第一激光元件51a之间的距离被设置为等于另一距离。
以这种方式，其上安装有相应多激光芯片50的多个子安装座40以高精度安装在同一驱动器IC 31上，使得彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离等于另一距离。应当注意，此时在安装中使用上述对准标记44和53。
参考图7的右手侧，位于彼此相邻的两个驱动器IC 31中的一个驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50中的第一激光元件51a和位于另一驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离被设置为等于另一距离。
以这种方式，其上安装有相应子安装座40的多个IC芯片以高精度安装在传热板25上，使得不同驱动器IC 31上彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离等于另一距离。此时在安装中使用上述对准标记44和53。
应当注意，从上面的描述可以理解，为了将彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离设置为等于另一距离，与第一激光元件51a相对应的单独电极54所设置的位置是重要的。在这一点上，单独电极54可以如图10所示设置。图10是示出单独电极54的阵列的另一示例的示图。
应当注意，在以下描述中，相对于多激光芯片50位于X轴方向上的两侧的第二外端的激光元件51将称为第二激光元件51b。此外，用于向第一激光元件51a供电的单独电极54将称为第一单独电极54a，并且用于向第二激光元件51b供电的单独电极54将称为第二单独电极54b。
在图10所示的示例中，对应于第一激光元件51a(左端)的第一单独电极54a和对应于第二激光元件51b(左端)的第二单独电极54b设置在第一激光元件51a和第二激光元件51b之间的区域中。即，第一激光元件51a和第二激光元件51b之间的区域通常用作设置第一单独电极54a和第二单独电极54b的区域。
对于除了对应于在左端的两个激光元件51的单独电极54之外的单独电极54’，一个单独电极54’设置在一个区域中。同样关于图10所示的情况，彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离可以被设置为等于另一距离。
参考图10的左手侧，对应于在同一驱动器IC 31上彼此相邻的两个多激光芯片50中的一个多激光芯片50(右手侧)的第一激光元件51a和第二激光元件51b的第一单独电极54a和第二单独电极54b通常设置在第一激光元件51a和第二激光元件51b之间的区域中。
参考图10的右手侧，对应于在位于彼此相邻的两个驱动器IC 31中的一个驱动器IC 31(右手侧)的最外端的子安装座40上的多激光芯片50中的第一激光元件51a和第二激光元件51b的第一单独电极54a和第二单独电极54b通常设置在第一激光元件51a和第二激光元件51b之间的区域中。
(激光元件51之间的距离)
接下来，将描述如何设置激光元件51之间的距离。图11是用于描述如何设置激光元件51之间的距离的示图。在图11的上图中示出了每个激光元件51(靠近光固化树脂1的表面)的图像平面上的平面方向(XY方向)上的光量分布。在图11的上图中示出的直线上的光量分布在图11的下图中示出。应当注意，基于光检测器60中检测到的光在控制单元11中产生如图11所示的光量分布。在下文中，如图11所示的光量分布将称为光量分布曲线。
从相应激光元件51发射的光被会聚棒透镜22会聚，并在X轴方向上的不同成像位置成像。在立体光刻中，在一个激光元件51中，对应于一个点的区域暴露于光。在对应于一个点的该区域中，光的强度在成像中心最高，并且光的强度随着远离成像中心而变低。
另一方面，在立体光刻中，由彼此相邻的两个激光元件51固化的两个点需要适当地彼此重叠。即，在彼此相邻的激光元件51之间的距离太长的情况下，相应激光元件51的成像中心彼此远离，并且因此这两个点不能适当地彼此重叠。
因此，在该实施方式中，彼此相邻的激光元件51之间的距离被设置为满足P2≥0.5×P1的关系。在此，P1是成像中心处的光密度，每个光密度对应于从相应激光元件51发射的相应光束。另一方面，P2是彼此相邻的两个成像中心之间的中间位置处的光密度。应当注意，P1和P2之间的关系取决于光固化树脂1的曝光灵敏度等，并且因此P1和P2之间的关系不限于该关系表达式，并且可以使用任何表达式，只要它是表示相邻的点彼此适当地重叠的条件的关系表达式。
<操作说明>
接下来，将描述控制单元11的处理。图12是示出控制单元11的处理的流程图。
首先，控制单元11基于由光检测器60检测的光来生成指示光的光量分布的光量分布曲线，并且基于光量分布曲线校正每个激光元件51的光量(步骤101)。
此时，控制单元11通常执行用于增加激光元件51的光量的处理，激光元件51的光量被确定为小于基于光量分布曲线的标准。例如，控制单元11执行增加提供给该激光元件51的电力的处理、增加每单位时间的发光次数的处理等。
此外，控制单元11可以执行用于减少激光元件51的光量的处理，激光元件51的光量被确定为大于基于光量分布曲线的标准。在这种情况下，例如，控制单元11执行减少提供给激光元件51的电力的处理、减少每单位时间的发光次数的处理等。
接下来，控制单元11基于光量分布曲线来校正建模数据(步骤102)。建模数据包括指示针对每一层的曝光图案的曝光图案数据和指示针对每一层的激光元件51的发光定时的发光定时数据。
在此，例如，由于发光模块30的温度升高导致的激光元件51的位置偏差等可能导致每个激光元件51的成像中心的位置偏差。在这种情况下，当原样使用原始建模数据(曝光图案数据、发光定时数据)时，有可能无法准确地形成待建模物体2。因此，控制单元11在步骤102中执行校正建模数据的处理。
在校正建模数据之后，控制单元11从存储单元17读取第m层(m＝1至n)的发光定时数据(步骤103)。接下来，控制单元11控制光源移动机构14，并将光源单元20移动到曝光开始位置(图1中的右手侧)(步骤104)。
接下来，控制单元11控制光源移动机构14沿扫描方向(Y轴方向)移动光源单元20，同时基于第m层的发光定时数据控制每个激光元件51的发光，以将第m层曝光(步骤105)。此时，激光元件51中的单个发光时间被设置为1μ秒。通过调节每单位时间的发光次数来调节整体光量。
当第m层曝光完成时，控制单元11确定待建模物体2中的建模是否已经完成(m＝n)(步骤106)。在建模尚未完成的情况下(步骤106中为否)，控制单元11将载物台6向下移动预定的距离(步骤107)。然后，控制单元11将1与m相加(步骤108)，并对该层执行步骤103至106的处理。
另一方面，在待建模物体2中的建模已经完成的情况下(步骤106中为是)，控制单元11终止处理。
应当注意，在图12中，已经描述了在将待建模物体2的建模开始的定时执行光量校正和建模数据校正的情况。然而，执行这些校正的定时不限于此。例如，控制单元11可以在每次完成一层的曝光时执行这种校正。
可替代地，控制单元11可以基于每一层的发光定时数据计算需要校正的定时，并且在该定时执行校正。可替代地，控制单元11可以基于过去存储的数据(例如，执行校正时的数据、对应于曝光层的发光定时数据等)计算需要校正的定时，并且在该定时执行校正。
(光量校正)
接下来，将具体描述校正每个激光元件51的光量时的处理。图13和图14是流程图，各自示出了当校正每一个激光元件51的光量时的处理。应当注意，在此，为了方便起见，将假设第一光检测器61和第二光检测器62各自由单个长线传感器63配置来进行描述。
首先，控制单元11控制光源移动机构14并将光源单元20移动到第一光检测器61上(步骤201)。此时，控制单元11沿Y轴方向移动光源单元20，使得光源单元20的中心(光源单元20中的发光区域78的位置)位于距第一光检测器61的中心距离为d1的位置。
应当注意，距离d1的初始值被设置为-20μm.。在此，距离d1的值在Y轴方向上的相对于第一光检测器61的中心的树脂罐5一侧为正，而在相反侧为负。
在移动光源单元20之后，控制单元11使得一个多激光芯片50的32个激光元件51中的第n个激光元件51发光(步骤202)。应当注意，n值的初始值是1。在此，由于提供了512个多激光芯片50，在步骤202中，使得512个多激光芯片50中的每一个中的第n个激光元件51同时在发光模块30中发光。
当使第n激光元件51发光时，控制单元11使第一光检测器61检测激光元件51的光量(步骤203)。接下来，控制单元11确定是否使所有32个激光元件51发光(步骤204)。
在应使发光的激光元件51仍然留下的情况下(步骤204中为否)，控制单元11将1与n相加(步骤205)，并使下一个激光元件51发光(步骤202)。然后，控制单元11使第一光检测器61检测激光元件51的光量(步骤203)。
在图15和图16的左手侧示出了在光源单元20的中心位于距第一光检测器61的中心距离d1的位置的情况下使第n激光元件51发光时的状态。此外，在图15和图16的右手侧示出了由第一光检测器61检测到的光量的示例。
在已使所有32个激光元件51发光的情况下(步骤204中为是)，控制单元11将距离d1加2μm(步骤207)，并确定总和是否大于20μm(步骤208)。
在总和为20μm或更小的情况下(步骤208中为否)，控制单元11使光源移动机构14沿Y轴方向将光源单元20移动2μm，并将光源单元20从第一光检测器61的中心移动到处于距离d1的位置(步骤201)。此后，控制单元11在处于距离d1的新位置再次执行步骤202至208的处理。
在步骤208中距离d1大于20μm的情况下(步骤208中为是)，控制单元11前进到下一步骤209。在步骤209中，控制单元11基于由每一个激光元件51的第一光检测器61检测的光量生成第一光量分布曲线。
图17和图18各自是示出第一光量分布曲线的示图。如那些图中所示，在该实施方式中，第一光量分布曲线在X轴方向(激光元件51的设置方向)和Y轴方向(光源单元20的扫描方向)这两个轴方向上改变为二维光量数据。
在生成第一光量分布曲线之后，控制单元11控制光源移动机构14以将光源单元20移动到第二光检测器62上(步骤210)。此时，控制单元11移动光源单元20，使得光源单元20的中心(光源单元20中发光区域78的位置)位于在Y轴方向上距第二光检测器62的中心距离为d2的位置。
在移动光源单元20之后，控制单元11使一个多激光芯片50的32个激光元件51中的第n个激光元件51发光(步骤211)。接下来，控制单元11使第二光检测器62检测激光元件51的光量(步骤212)。
接下来，控制单元11确定是否已使所有32个激光元件51发光(步骤213)，在应使发光的激光元件51仍然留下的情况下，将1与n相加(步骤214)，并使下一个激光元件51发光(步骤210)。
在已使所有32个激光元件51发光的情况下(步骤213中为是)，控制单元11将2μm与距离d1相加(步骤215)，并确定总和是否大于20μm(步骤216)。
在总和为20μm或更小的情况下(步骤216中为否)，控制单元11沿Y轴方向将光源单元20移动2μm，并将光源单元20从第一光检测器61的中心移动到处于距离d2的位置(步骤210)。
在步骤216中距离d1大于20μm的情况下(步骤216中为是)，控制单元11基于由第二光检测器62检测的每个激光元件51的光量来生成第二光量分布曲线(步骤217)。
当生成第二光量分布曲线时，控制单元11基于第一光量分布曲线来生成第一多行光量分布曲线(步骤218)。
图19和图20各自是示出第一多行光量分布曲线的示图。在生成第一多行光量分布曲线时，控制单元11首先为在步骤209生成的一行(该行在X轴方向上)准备第一光量分布曲线(见图17)的五个副本。然后，控制单元11通过将这五个副本在Y轴方向(光源单元20的扫描方向)上偏离每一个曝光间距(Y轴方向：20μm)并设置这五个副本来生成第一多行光量分布曲线。
应当注意，尽管在该实施方式中第一多行光量分布曲线中的行数被设置为5，但是该值可以适当地修改(这同样适用于稍后将描述的第二多行光量分布曲线)。
接下来，控制单元11确定中心两行区域(见图19)的光量是否满足第一多行光量分布曲线中的第一标准(步骤219)。在中心两行区域的光量不满足第一标准的情况下(步骤219中为否)，控制单元11校正每个激光元件51的光量，使得中心两行区域的光量能够满足第一标准(步骤220)。
此时，例如，在存在具有较小光量(不满足第一标准)的激光元件51的情况下，控制单元11执行用于增加对应于该激光元件51的光量的处理。此外，例如，在存在具有较大光量(不满足第一标准)的激光元件51的情况下，控制单元11执行用于减少对应于该激光元件51的光量的处理。
在校正每一个激光元件51的光量之后，控制单元11返回到步骤201，并且再次执行步骤201之后的处理。
在步骤219中，在中心两行区域的光量满足第一标准的情况下(步骤219中为是)，控制单元11基于第二光量分布曲线来生成第二多行光量分布曲线(步骤221)。
此时，控制单元11为在步骤217中生成的一行准备第二光量分布曲线的五个副本。控制单元11通过这五个副本在Y轴方向上将偏离每一个曝光间距(20μm)并设置这五个副本来生成第二多行光量分布曲线。
接下来，控制单元11确定中心两行区域(见图19)的光量是否满足第二多行光量分布曲线中的第二标准(步骤222)。在中心两行区域的光量不满足第二标准的情况下(步骤222中为否)，控制单元11校正每一个激光元件51的光量，使得中心两行区域的光量能够满足第二标准(步骤223)。
此时，例如，在存在具有较小光量(不满足第二标准)的激光元件51的情况下，控制单元11执行用于增加对应于该激光元件51的光量的处理。此外，例如，在存在具有较大量光(不满足第二标准)的激光元件51的情况下，控制单元11执行用于减少对应于该激光元件51的光量的处理。
在校正每个激光元件51的光量之后，控制单元11返回到步骤201，并且再次执行步骤201之后的处理。
在步骤222中，在中心两行区域的光量满足第二标准的情况下(步骤222中为是)，控制单元11终止处理。
(建模数据校正)
接下来，将描述校正建模数据时的处理。图21是示出校正建模数据时的处理的流程图。
首先，控制单元11基于被确定为满足第一标准的第一多行光量分布曲线、被确定为满足第二标准的第二多行光量分布曲线，来确定每个激光元件51的成像中心的位置(点中心)(步骤301)。
接下来，控制单元11根据成像中心的所确定位置将建模数据中的曝光图案数据转换为坐标(步骤302)。接下来，控制单元11基于转换为坐标的曝光图案数据来计算发光定时数据。
图22是用于描述校正建模数据时的处理的示图。
在图22的左图中示出了十个激光元件51(编号1至10)的成像中心的位置没有偏差的情况的示例。当在十个激光元件51沿扫描方向(Y轴方向)移动的同时使十个激光元件51在预定的发光定时发光时，根据如图22中左图所示的曝光图案(涂成黑色的区域)进行曝光。
即，在十个激光元件51的成像位置没有偏差的情况下，可以根据期望的曝光图案进行精确曝光。应当注意，图22中左图所示的曝光图案在下文中将称为参考曝光图案。
在图22的中心图中示出了十个激光元件51(编号1至10)的成像中心的位置之间的距离在X轴方向上相等地延伸的情况的示例。如上所述，假设在相应激光元件51的成像中心偏离的情况下，使得相应激光元件51在与左图相同的发光定时发光。在这种情况下，曝光图案是由中心图中的虚线包围的区域，并且偏离期望的参考曝光图案(左图)。在这种情况下，不能精确地形成待建模物体2。
因此，在这种情况下，在相应激光元件51的成像中心彼此偏离的状态下，控制单元11通过确定最接近参考曝光图案的曝光图案(涂成黑色的区域)，将曝光图案转换为坐标(见步骤302)。然后，控制单元11基于转换为坐标的曝光图案来确定每个激光元件51的发光定时(步骤303)。
在图22的右图中示出了十个激光元件51(编号1至10)的成像中心的位置在X轴方向上彼此远离或者在X轴方向上彼此靠近的情况下的示例。同样在这种情况下，当使相应激光元件51在与左图相同的发光定时发光时，曝光图案是由右图中的虚线包围的区域，并且偏离期望的参考曝光图案(左图)。
因此，同样在这种情况下，在相应激光元件51的成像中心彼此偏离的状态下，控制单元11通过确定最接近参考曝光图案的曝光图案(涂成黑色的区域)，将曝光图案转换为坐标(见步骤302)。然后，控制单元11基于转换为坐标的曝光图案来确定每个激光元件51的发光定时(步骤303)。
应当注意，尽管在该描述中，已经示出了成像中心在X轴方向(激光元件51的设置方向)上偏离的情况，但是在该实施方式中也处理了成像中心在Y轴方向(光源单元20的扫描方向)上偏离的情况。这是因为光量分布曲线(多行光量分布曲线)不仅对应于X轴方向而且对应于Y轴方向来二维地生成。
(使用两个光量分布曲线的原因)
接下来，将描述在距离l在相对于光源单元20的深度方向上不同的状态下获取的两个光量分布曲线用于激光元件51的光量校正和建模数据的校正的原因。
图23是用于描述在距离l相对于光源单元20的深度方向上不同的状态下获取的两个光量分布曲线用于激光元件51的光量校正和建模数据的校正的原因的示图。
在图23的左图中示出了会聚棒透镜22正常的情况的示例。在图23的右图中示出会聚棒透镜22的一些棒透镜22a倾斜的情况的示例。
如图23所示，从激光元件51发射的光经由多个棒透镜22a聚集。因此，如图23的左图所示，如果光固化树脂1的表面(图像平面)存在于沿深度方向偏离焦点位置的位置，图像模糊并且图像进一步分离。此外，如果多个透镜中的一些透镜倾斜，即使在光固化树脂1的表面存在于与焦点位置相对应的位置的情况下，图像也是分离的，如图23的右图所示。
图像的分离程度取决于光固化树脂1的表面位置与焦点位置的偏离量。此外，光固化树脂1在立体光刻设备100中曝光，不仅受光固化树脂1表面上的光量的影响，还受相对于光固化树脂1表面更深的位置处的光量的影响。
因此，在该实施方式中，生成在相对于光源单元20的深度方向上的距离不同的状态下获取的第一光量分布曲线(第一多行光量分布曲线)和第二光量分布曲线(第二多行光量分布曲线)这两个光量分布曲线。然后，基于这两个光量分布曲线来执行激光元件51的光量的校正和建模数据的校正。
<动作等>
如上所述，在该实施方式中，发光模块30被配置为使得多个(512个)多激光芯片50沿x轴方向设置，每一个多激光芯片50包括多个(32个)激光元件51，这些激光元件51被设置为在x轴方向上彼此间隔预定的距离(20μm)。
因此，在该实施方式中，可以增加发光模块30中的激光元件51的总数(例如，50个或更多)。因此，即使待建模物体2具有较大宽度(在X轴方向上)，也可以实现高速建模。
此外，在该实施方式中，多激光芯片50包括位于多激光芯片50中在X轴方向最外端的第一激光元件51a和位于X轴方向第二外端的第二激光元件51b。然后，向第一激光元件51a供电的第一单独电极54a和向第二激光元件51b供电的第二单独电极54b设置在多激光芯片50的下表面中的第一激光元件51a和第二激光元件51b之间的区域中。
通过以这样的阵列来设置单独电极54，彼此相邻的两个多激光芯片50中的一个多激光芯片50中的第一激光元件51a和另一多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离可以被设置为等于同一多激光芯片50中的激光元件51之间的距离(20μm：下文中简称为激光元件51之间的距离)(参见图7和图10)。
因此，在该实施方式中，与彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离不同于激光元件51之间的距离的情况相比，可以精确地形成待建模物体2。
特别地，在该实施方式中，即使激光元件51之间的距离被设置为100μm或更小，即，短距离，彼此相邻的两个多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离也可以被设置为等于激光元件51之间的距离(20μm)。
此外，在该实施方式中，同样关于对应于除第一激光元件51a和第二激光元件51b之外的激光元件51的单独电极54，采用类似于这种阵列的阵列。即，分别向彼此相邻的两个激光元件51供电的两个单独电极54设置在除第一激光元件51a和第二激光元件51b之外的激光元件51中彼此相邻的两个激光元件51之间的区域中。
因此，例如，即使在多激光芯片50通过从单个晶片切割而配置的情况下，也可以形成相同的多激光芯片50，而不管晶片在哪里切割。
此外，在该实施方式中，发光模块30包括沿X轴方向设置的多个(512个)子安装座40。一个多激光芯片50安装在多个(512个)子安装座40中的每一个上。此外，发光模块30包括沿X轴方向设置的多个(16个)驱动器IC 31。多个(32个)子安装座40安装在多个(16个)驱动器IC 31中的每一个上。
然后，在该实施方式中，彼此相邻的两个多激光芯片50中的一个多激光芯片50的第一激光元件51a和另一多激光芯片50的第一激光元件51a之间的距离被设置为等于同一驱动器IC 31上的激光元件51之间的距离(20μm)(参见图7的左手侧)。
此外，在该实施方式中，位于彼此相邻的两个驱动器IC 31中的一个驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50中的第一激光元件51a和位于另一驱动器IC 31的最外端的子安装座40上的多激光芯片50中的第一激光元件51a之间的距离被设置为等于激光元件51(20μm)之间的距离(参见图7的右手侧)。
因此，发光模块30中的所有(16384个)激光元件51之间的距离可以设置为相等的距离。
此外，在该实施方式中，子安装座40包括开关电路，以用于单独切换安装在其上的多激光芯片50的相应激光元件51并使相应激光元件51发光。
在此，在多激光芯片50的单独电极54的尺寸和距离被配置为如本实施方式中那样小的情况下，存在难以通过探测器测试每个激光元件51的光发射的问题。鉴于此，在该实施方式中，如上所述，将用于单独切换相应激光元件51并使相应激光元件51发光的开关电路安装在子安装座40上。因此，激光元件51的光发射可以通过控制来单独测试，以通过探测器向子安装座40中的输入电极焊盘42供电。
此外，在该实施方式中，在驱动器IC 31中包括的驱动电路，以用于驱动安装在其上的多个子安装座40上的多激光芯片50的相应激光元件51(发光元件)。因此，激光元件51的发光控制可以为每个驱动器IC 31共享。
此外，在该实施方式中，彼此相邻的激光元件51之间的距离被设置为满足P2≥0.5×P1的关系。如上所述，P1是分别对应于从相应激光元件51发射的光束的成像中心处的光密度。另一方面，P2是彼此相邻的两个成像中心之间的中间位置处的光密度。因此，由于曝光而产生的相应点可以在X轴方向上适当地相互重叠。
此外，在该实施方式中，发光模块30(驱动器IC 31)安装在传热板25上。然后，安装在该热传递上的发光模块30设置在光源单元20的壳体21内部，并且该壳体21设置有冷却机构80。因此，可以适当地冷却由发光模块30产生的热量。
应当注意，在该实施方式中，如上所述，激光元件51的数量大(16384)，并且发光模块30产生的热量也大，因此通过上述冷却机构80冷却由于发光模块30产生的热量特别有效。
此外，在该实施方式中，光检测器60检测从光源单元20发射的光。然后，控制单元11基于光检测器60检测到的光生成光量分布曲线，并基于该光量分布曲线控制每个激光元件51的光发射。
以这种方式，通过基于光量分布曲线控制每个激光元件51的光发射，可以精确地控制每个激光元件51的光发射。
此外，在该实施方式中，基于光量分布曲线来校正每个激光元件51的光量。因此，每一个激光元件51的光量可以被调节到合适的光量。
此外，在该实施方式中，基于光量分布曲线来校正每个激光元件51的发光定时。因此，例如，在每个激光元件51的成像中心的位置由于激光元件51的位置偏差等随着发光模块30的温度升高而偏离的情况下，也可以精确地形成待建模物体2。
此外，在该实施方式中，生成在光源单元20和光检测器60之间的距离l不同的状态下获取的第一光量分布曲线和第二光量分布曲线的两个光量分布曲线。然后，基于这两个光量分布曲线来执行激光元件51的光量的校正和发光定时的校正。
因此，可以基于多个光量分布曲线来执行每种类型的校正，该多个光分布量基于各种深度位置的光量。因此，可以精确地执行每种类型的校正。
此外，在该实施方式中，生成指示光的二维光量分布的二维光量分布曲线(多行光量分布曲线)来作为光量分布曲线。然后，基于二维光量分布曲线来执行激光元件51的光量的校正和发光定时的校正。因此，可以更精确地执行每一种类型的校正。
此外，在该实施方式中，假设光源单元20和光固化树脂1之间的距离是距离L，光源单元20和光检测器60之间的距离是距离l，并且光源单元20对光固化树脂1的曝光深度是D，光检测器60被设置为满足L≤l≤L+D的条件。因此，光检测器60可以设置在合适位置以用于测量光量。
《第二实施方式》
接下来，将描述本技术的第二实施方式。在第二实施方式中，光源单元20中的发光模块130具有不同于上述第一实施方式的配置。因此，将主要描述这一点。应当注意，根据在以下描述中的第二实施方式，具有与第一实施方式相似的配置和功能的构件将由相同的附图标记表示，并且将省略或简化描述。
图24是示出根据第二实施方式的发光模块130的透视图。图25是示出发光模块130的一部分的放大透视图。图26是发光模块130中的多激光芯片50的仰视图，并且是从发光侧观察的发光模块130的侧视图。
第二实施方式与第一实施方式的不同之处主要在于，多激光芯片50设置在基板140的下侧、而不是上侧，并且基板140通过倒装芯片安装而不是引线接合而安装在驱动器IC 131上。
如图24至图26所示，与第一实施方式一样，根据第二实施方式的发光模块130包括多个驱动器IC 131、安装在驱动器IC 131上的多个基板140以及安装在基板140上的多激光芯片50。
基板140在下表面侧包括多个输入电极焊盘142(图25)、多个对准标记44(图25)和多个接合焊盘41(图26的下图)。此外，驱动器IC 131在上表面侧包括电连接到子安装座40的多个输入电极焊盘142的多个输出电极焊盘(未示出)。
在第二实施方式中，基板140的输入电极焊盘142的数量被设置为17，并且输入电极焊盘142的尺寸被设置为50μm×50μm。例如，17个输入电极焊盘142中的3个用于供电，它们中的3个用于第一GND，它们中的1个用于第二GND，1个用于开关脉冲输入，另外9个用作虚拟焊盘。
多激光芯片50被设置为使得设置有单独电极54的一侧是上侧，而设置有公共电极52的一侧是下侧。在第二实施方式中，多激光芯片50设置在子安装座40的下侧，因此多激光芯片50邻近传热板25。
在第二实施方式中，以这种方式，多激光芯片50邻近传热板25，因此可以增强多激光芯片50的冷却性能。此外，在第二实施方式中，例如，具有高导热率的粘合剂9插在多激光芯片50和传热板25之间(在图26的下图中)。因此，可以进一步增强多激光芯片50的冷却性能。
《各种变型例》
图27是示出光检测器的另一示例的示图。在图27所示的示例中，光检测器160的数量被设置为1，并且该光检测器160通过移动机构在上下方向上移动。移动机构在上下方向上移动光检测器160，使得光源单元20和光检测器160之间的距离l变得不同。同样利用这种配置，光检测器160能够在距离l不同的状态下检测光。
应当注意，光源单元20可以通过移动机构而不是光检测器160而在上下方向上移动。此外，光检测器160和光源单元20都可以在上下方向上移动。
图28是示出光检测器的又一示例的示图。在图28所示的示例中，相机161通过移动机构在X轴方向(激光元件51的设置方向)上移动。例如，在相机中，像素数量被设置为640×480，并且焦点位置处的分辨率被设置为4μm。
应当注意，可以提供多个(例如，两个)相机161，每一个相机位于距离l处，使得相机161能够在距离l不同的状态下检测光。此外，单个相机161可以通过移动机构在上下方向上移动。可替代地，光源单元20而不是相机161可以通过移动机构在上下方向上移动，或者相机161和光源单元20都可以通过移动机构在上下方向上移动。
此外，相机161的图像拾取元件162中的图像平面可以相对于X轴方向(激光元件51的设置方向)倾斜(在这种情况下，不需要上下方向的移动机构)，使得相机161能够在距离l不同的状态下检测光。图29是示出当相机的图像拾取元件162的图像平面相对于X轴方向(激光元件51的设置方向)倾斜时的状态的示图。
图30是示出光检测器的又一示例的示图。该光检测器163包括第一图像拾取元件164和第二图像拾取元件165。第一图像拾取元件164和第二图像拾取元件165设置在支撑台166上的不同高度位置，使得与光源单元20的距离l变得不同。
此外，第一图像拾取元件164和第二图像拾取元件165通过移动机构与支撑台166一起在X轴方向(激光元件51的设置方向)上移动。例如，关于第一图像拾取元件164和第二图像拾取元件165中的每一个，像素数量被设置为640×480，焦点位置处的分辨率被设置为4μm。
同样利用这种配置，光检测器163被设置为能够在距离l不同的状态下检测光。应当注意，图像拾取元件的数量可以是一个或者可以是三个或更多。
此外，一个图像拾取元件可以通过移动机构在上下方向上移动，使得图像拾取元件能够在距离l不同的状态下检测光。此外，光源单元20而不是图像拾取元件，可以通过移动机构在上下方向上移动，或者图像拾取元件和光源单元20都可以通过移动机构在上下方向上移动。
此外，图像拾取元件中的图像平面可以相对于X轴方向(激光元件51的设置方向)倾斜(在这种情况下，不需要上下方向的移动机构)，使得图像拾取元件能够在距离l不同的状态下检测光。
在上面的描述中，当形成待建模物体2时，已经描述了光源单元20相对于树脂罐5移动的情况。另一方面，当待建模物体2形成时，树脂罐5可以相对于光源单元20移动。可替代地，光源单元20和树脂罐5都可以被配置为可移动的。
在上面的描述中，激光元件51被示为发光元件的示例。发光元件可以是另一发光元件，例如，发光二极管(LED)。
在上面的描述中，已经描述了光量分布曲线是二维光量分布曲线的情况。另一方面，光量分布曲线可以是在X轴方向(激光元件51的设置方向)上的一维光量分布曲线(见图11的下图)。
在上面的描述中，已经描述了使用各自位于不同的距离l的两个光量分布曲线的情况。另一方面，光量分布曲线可以是1。可替代地，可以使用三个或更多个光量分布曲线，每个光量分布曲线位于不同的距离l。
在上面的描述中，已经描述了将发光模块30应用于立体光刻设备100的情况。另一方面，根据本技术的发光模块30可以应用于各种设备，例如，激光打印机、激光显示设备和测量设备。
网络上的服务器设备可以执行控制单元11的上述处理。
本技术还可以采用以下配置。
(1)一种发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与一个方向正交的方向上发光，以及
多个单独电极，向多个发光元件中的每一个发光元件供电，多个多光发射器设置在一个方向上，其中，
多个发光元件包括
第一发光元件，位于一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于一个方向上的第二外端，
多个单独电极包括
第一单独电极，向第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向第二发光元件供电，并且
第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
(2)根据(1)所述的发光模块，其中，
在彼此相邻的两个多光发射器中的一个多光发射器中的第一发光元件和在另一个多光发射器中的第一发光元件之间的距离等于预定的距离。
(3)根据(2)所述的发光模块，其中，
预定的距离是100μm或更小。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的发光模块，其中，
在除了第一发光元件和第二发光元件之外的发光元件中，向彼此相邻的两个发光元件中的每一个供电的两个单独电极被设置在彼此相邻的两个发光元件之间的区域中。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的发光模块，还包括
多个子安装构件，多光发射器被分别安装在多个子安装构件上，多个子安装构件设置在一个方向上。
(6)根据(5)所述的发光模块，还包括
多个安装构件，多个子安装构件被分别安装在多个安装构件上，多个安装构件设置在该一个方向上。
(7)根据(6)所述的发光模块，其中，
安装在彼此相邻的安装构件中的一个安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件与安装在另一安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件之间的距离等于预定的距离。
(8)根据(1)至(7)中任一项所述的发光模块，其中，
会聚从多个发光元件发射的相应光束中的每一个的会聚透镜被设置在发光侧。
(9)根据(5)所述的发光模块，其中，
多个子安装构件各自包括开关电路，开关电路用于单独地切换安装在其上的多光发射器的多个发光元件并使多个发光元件发光。
(10)根据(6)所述的发光模块，其中，
多个安装构件包括驱动电路，驱动电路用于驱动安装在其上的多个子安装构件上的多光发射器的多个发光元件。
(11)根据(1)至(10)中任一项所述的发光模块，其中，
假设分别对应于从多个发光元件发射的相应光束的成像中心中的光密度为P1，并且彼此相邻的两个成像中心之间的中间位置处的光密度为P2，则预定的距离被设置为满足P2≥0.5×P1的关系。
(12)根据(6)所述的发光模块，其中，
多个安装构件安装在传热板上。
(13)根据(12)所述的发光模块，其中，
发光模块容纳在壳体内，并且
壳体设置有冷却机构，冷却机构冷却由于发光模块而产生的热量。
(14)根据(1)至(13)中任一项所述的发光模块，其中，
多个发光元件发光，以用于在立体光刻中固化光固化树脂。
(15)一种发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开100μm或更小的距离，并且在与一个方向正交的方向上发光；以及
多个单独电极，向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在一个方向上。
(16)一种光源单元，包括：
发光模块，包括
多个多光发射器，每个多光发射器包括
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与一个方向正交的方向上发光，以及
多个单独电极，向多个发光元件中的每一个供电，多个多光发射器设置在一个方向上，其中，
多个发光元件包括
第一发光元件，位于一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于一个方向上的第二外端，
多个单独电极包括
第一单独电极，向第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向第二发光元件供电，并且
第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
(17)一种立体光刻设备，包括：
光源单元，包括
发光模块，包括
多个多光发射器，每个多光发射器包括多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与一个方向正交的方向上发光以用于在立体光刻中固化光固化树脂，以及多个单独电极，向多个发光元件中的每一个供电，
多个多光发射器设置在一个方向上，其中，
多个发光元件包括
第一发光元件，位于一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于一个方向上的第二外端，
多个单独电极包括
第一单独电极，向第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向第二发光元件供电，并且
第一单独电极和第二单独电极被设置在第一发光元件和第二发光元件之间的区域中。
附图标记列表
1光固化树脂
2待建模物体
5树脂罐
11控制单元
20光源单元
30发光模块
22会聚棒透镜
31驱动器IC
40子安装座
50多激光芯片
51激光元件
54单独电极
60光检测器
80冷却机构
100立体光刻设备。

Claims (17)

1.一种发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括：
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与所述一个方向正交的方向上发光，以及
多个单独电极，向所述多个发光元件中的每一个发光元件供电，所述多个多光发射器设置在所述一个方向上，其中，
所述多个发光元件包括：
第一发光元件，位于所述一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于所述一个方向上的第二外端，
所述多个单独电极包括：
第一单独电极，向所述第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向所述第二发光元件供电，并且
所述第一单独电极和所述第二单独电极被设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的区域中。
2.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
在彼此相邻的两个多光发射器中的一个多光发射器中的第一发光元件和在另一个多光发射器中的第一发光元件之间的距离等于所述预定的距离。
3.根据权利要求2所述的发光模块，其中，
所述预定的距离是100μm或更小。
4.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
在除了所述第一发光元件和所述第二发光元件之外的发光元件中，向彼此相邻的两个发光元件中的每一个供电的两个单独电极被设置在彼此相邻的所述两个发光元件之间的区域中。
5.根据权利要求1所述的发光模块，还包括：
多个子安装构件，所述多光发射器被分别安装在所述多个子安装构件上，所述多个子安装构件设置在所述一个方向上。
6.根据权利要求5所述的发光模块，还包括：
多个安装构件，所述多个子安装构件被分别安装在所述多个安装构件上，所述多个安装构件设置在所述一个方向上。
7.根据权利要求6所述的发光模块，其中，
安装在彼此相邻的安装构件中的一个安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件与安装在另一安装构件中的位于最外端的子安装构件上的多光发射器中的第一发光元件之间的距离等于所述预定的距离。
8.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
会聚从所述多个发光元件发射的相应光束中的每一个的会聚透镜被设置在发光侧。
9.根据权利要求5所述的发光模块，其中，
所述多个子安装构件各自包括开关电路，所述开关电路用于单独地切换安装在所述多个子安装构件上的所述多光发射器的多个发光元件并使所述多个发光元件发光。
10.根据权利要求6所述的发光模块，其中，
所述多个安装构件包括驱动电路，所述驱动电路用于驱动安装在所述多个安装构件上的所述多个子安装构件上的所述多光发射器的多个发光元件。
11.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
假设分别对应于从所述多个发光元件发射的相应光束的成像中心中的光密度为P1，并且彼此相邻的两个成像中心之间的中间位置处的光密度为P2，则所述预定的距离被设置为满足P2≥0.5×P1的关系。
12.根据权利要求6所述的发光模块，其中，
所述多个安装构件安装在传热板上。
13.根据权利要求12所述的发光模块，其中，
所述发光模块容纳在壳体内，并且
所述壳体设置有冷却机构，所述冷却机构减少由于所述发光模块而产生的热量。
14.根据权利要求1所述的发光模块，其中，
所述多个发光元件发光，以用于在立体光刻中固化光固化树脂。
15.一种发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括：
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开100μm或更小的距离，并且在与所述一个方向正交的方向上发光；以及
多个单独电极，向所述多个发光元件中的每一个供电，所述多个多光发射器设置在所述一个方向上。
16.一种光源单元，包括：
发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括：
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与所述一个方向正交的方向上发光，以及
多个单独电极，向所述多个发光元件中的每一个供电，所述多个多光发射器设置在所述一个方向上，其中，
所述多个发光元件包括：
第一发光元件，位于所述一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于所述一个方向上的第二外端，
所述多个单独电极包括：
第一单独电极，向所述第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向所述第二发光元件供电，并且
所述第一单独电极和所述第二单独电极被设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的区域中。
17.一种立体光刻设备，包括：
光源单元，包括：
发光模块，包括：
多个多光发射器，每个多光发射器包括：
多个发光元件，被设置为在一个方向上彼此间隔开预定的距离，并且在与所述一个方向正交的方向上发光以用于在立体光刻中固化光固化树脂，以及
多个单独电极，向所述多个发光元件中的每一个供电，所述多个多光发射器设置在所述一个方向上，其中，
所述多个发光元件包括：
第一发光元件，位于所述一个方向上的最外端，以及
第二发光元件，位于所述一个方向上的第二外端，
所述多个单独电极包括：
第一单独电极，向所述第一发光元件供电，以及
第二单独电极，向所述第二发光元件供电，并且
所述第一单独电极和所述第二单独电极被设置在所述第一发光元件和所述第二发光元件之间的区域中。
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