CN100442549C - 氮化镓基ⅲ-v族化合物半导体发光器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种GaN基III-V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III-V族化合物半导体发光器件包括:至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层,它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括:位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层;和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
Description
技术领域
本发明涉及一种GaN基III-V族化合物半导体发光器件及其制造方法,尤其是,涉及一种包括具有低电阻和高透光率的p型电极层的GaN基III-V族化合物半导体发光器件。
背景技术
在使用基于氮化镓(GaN)的化合物半导体的发光二极管(LED)中,必须在半导体层和电极之间形成高质量的欧姆接触。用于p型GaN半导体层的欧姆接触层可以采用薄的镍(Ni)基金属结构,即,薄的Ni-金(Au)透明金属层(参考美国专利No.5,877,558和6,008,539)。
众所周知,通过在氧气(O2)气氛中对薄的Ni基金属层进行退火处理,可以形成具有大约为10-3到10-4Ωcm2的低非接触电阻的欧姆接触。根据此种低的非接触电阻(non-contact resistance),在500℃到600℃的氧气气氛中进行退火处理时,在GaN和Ni之间的界面处,在岛状薄Au层之间和之上形成p型半导体氧化物的氧化镍(NiO)。从而,降低了肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBT)。SBT的降低使得容易在GaN表面附近提供多数载流子,即空穴。因此,在GaN表面附近,增加了有效载流子浓度。同时,在将Ni/Au接触到p型GaN基半导体层且然后进行退火处理以便去除Mg-H络合物之后,出现再激活以提高p型GaN基半导体层的表面上的Mg掺杂剂的密度。结果,在p型GaN基半导体层的表面上有效载流子浓度增加到超过1019/cm3,并且于是在p型GaN基半导体层和电极层(NiO)之间出现隧穿传导,以便获得欧姆导电性能。
对于薄Ni/Au层的情况,Au提高了导电性,从而引起低的接触电阻,但是具有相对低的吸光率,导致降低了透光率。因此,需要具有高透光率的新的欧姆接触材料,以实现具有高功率和高亮度的GaN半导体发光器件。
发明内容
本发明提供了一种包括相对于GaN基半导体层具有增强透光率的欧姆接触金属系统的半导体发光器件。
本发明还提供了一种制作半导体发光器件的方法。
根据本发明的一个方面,提供了一种半导体发光器件,包括:至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层,它们位于n型电极和p型电极之间。其中,P型电极包括:位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层;和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
优选地,第一电极层的厚度形成为0.1nm到200nm。
可以在氧气气氛下对第一和第二电极层进行退火,从而第一和第二电极层的每一个的至少一部分会受到氧化。
根据本发明的另外一个方面,提供了一种半导体发光器件,包括:至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层,它们位于n型电极和p型电极之间。其中,P型电极包括:位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层;位于第一电极层上、由Ni或者Ni合金制成的第二电极层;以及位于第二电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第三电极层。
根据本发明的又一个方面,提供了一种制作半导体发光器件的方法,包括:在衬底上顺序堆叠n型GaN基化合物半导体层、有源层和p型GaN基化合物半导体层;顺序构图p型GaN基化合物半导体层和有源层,以将n型GaN基化合物半导体层的一部分露出;在n型GaN基化合物半导体层的露出部分上形成n型电极;在图案化的p型GaN基化合物半导体层上形成Ag或者Ag合金的第一电极层;在第一电极层上,使用从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料,形成第二电极层;以及对已经形成第二电极层的所得结构进行退火处理。
优选地,使用电子束蒸发或者热蒸发形成n型电极和第一电极层。
优选地,在200℃到700℃温度,进行退火处理10秒到2个小时。
优选地,在氧气气氛中进行退火处理。
根据本发明的又一个方面,提供了一种制作半导体发光器件的方法,包括:在衬底上顺序堆叠n型GaN基化合物半导体层、有源层和p型GaN基化合物半导体层;顺序构图p型GaN基化合物半导体层和有源层,以将n型GaN基化合物半导体层的一部分露出;在n型GaN基化合物半导体层的露出部分上形成n型电极;在图案化的p型GaN基化合物半导体层上形成Ag或者Ag合金的第一电极层;在第一电极层上形成Ni或者Ni合金的第二电极层;在第二电极层上,使用从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料,形成第三电极层;对已经形成第三电极层的所得结构进行退火。
附图说明
通过结合附图而对优选实施例进行的详尽描述,可以对本发明的上述和其它特征和优点更为明确,其中:
图1显示的是根据本发明实施例的、GaN基III-V族化合物半导体发光器件的横截面图;
图2到图5显示的是制作图1中GaN基III-V族化合物半导体发光器件方法步骤的横截面图;
图6显示的是图1所示的GaN基III-V族化合物半导体发光器件的p型Ag/Ni电极的吸光率和传统p型Ni/Au电极的吸光率之间的比较图;
图7显示的是图1所示的GaN基III-V族化合物半导体发光器件的p型Ag/Ni电极的透光率和传统p型Ni-Au电极的透光率之间的比较图;
图8显示的是图1所示的GaN基III-V族化合物半导体发光器件的p型Ag/Ni电极的电测结果,该电极被沉积在p型GaN上,厚度为5nm,并且是在非退火状态和在空气气氛中进行退火处理状态下测量的;
图9显示的是根据本发明另外一个实施例的、GaN基III-V族化合物半导体发光器件的横截面图;
图10显示的是Ag/Ni/Ru的电测结果,其被沉积至3到4nm的厚度,并且是在非退火状态和在空气气氛中进行退火处理状态下测量的;和
图11和12显示的是用于显示位于p型GaN和沉积在p型GaN上的Ag/Ni/Ru之间界面上的电极成分的扩散和反应的俄歇电子能谱(AES)深度轮廓结果的示图,是在非退火状态和在氧气气氛中退火处理状态下测量的。
具体实施方式
下文中,参考附图对根据本发明优选实施例的GaN基III-V族化合物半导体发光器件以及GaN基III-V族化合物半导体发光器件的制作方法进行详细描述。在图中,对层和区域的厚度进行放大以进行清楚说明。
图1显示的是根据本发明实施例的、GaN基III-V族化合物半导体发光器件的横截面示意图。参考图1,第一化合物半导体层12形成于透明衬底10上。第一化合物半导体层12优选地为n型II-V族化合物半导体层,例如,n-GaN层,但是,也可以是其它类型的化合物半导体层。可以将第一化合物半导体层12分为第一和第二区域R1和R2。将有源层14堆叠在第一区域R1,有源层14通过p型和n型载流子的复合而发光,例如蓝光或者绿光。将第二化合物半导体层16堆叠在有源层14上。第二化合物半导体层16优选地为p型III-V族化合物半导体层,例如,p-GaN层,但是,也可以是其它类型的化合物半导体层。
作为本发明特征部分之一的p型电极20形成于第二化合物半导体层16上。P型电极20包括由Ag或者Ag合金制成的第一电极层22和形成于第一电极层22上的第二电极层24。使用从Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh中选择的至少一种材料制成第二电极层24。
第一和第二电极层22和24的每一个的厚度可以形成至0.1nm到200nm,优选地,为约5nm的厚度。
优选地,透明衬底10采用蓝宝石。
同时,n型电极30形成于第一化合物半导体层12的第二区域R2上。
可以在氧气气氛中对第一和第二电极层22和24进行退火处理,从而使它们中每一个的至少一部分可以转变为氧化物。
当施加到p型和n型电极20和30上的电压大于发光所需阈值电压时,有源层14发光。有源层14所发射的一部分光L1通过p型电极20,一部分光L2通过透明衬底10、被位于透明衬底10下面的板(未显示)反射、并且朝向p型电极20行进。
现在参考图2到5,对制作图1中GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法进行详细描述。
参考图2,第一化合物半导体层12形成于由蓝宝石制成的透明衬底10上。第一化合物半导体层12优选的为n型GaN层,但是也可以为其它类型的化合物半导体层。在第一化合物半导体层12上顺序形成有源层14和第二化合物半导体层16。第二化合物半导体层16优选的为p型GaN层,但是也可以为其它类型的化合物半导体层。第一光致抗蚀剂层图案PR1形成于第二化合物半导体层16上。第一光致抗蚀剂层图案PR1限定了其中将要形成p型和n型电极20和30的区域。
参考图2和图3,将第一光致抗蚀剂层图案PR1用作蚀刻掩模,顺序蚀刻第二化合物半导体层16和有源层14。此处,蚀刻优选地进行直到第一化合物半导体层12露出,但是也可以进行直到第一化合物半导体层12的一部分被去除。之后,去除第一光致抗蚀剂层图案PR1。在通过蚀刻露出的第一化合物半导体层12的预定区域上形成n型电极30。可以在随后的工艺中形成n型电极30,这将在下面进行描述。
参考图4,在已经形成n型电极30的所得结构上形成第二光致抗蚀剂层图案PR2,以便覆盖n型电极30并且将第二化合物半导体层16的上表面露出。第二光致抗蚀剂层图案PR2限定了其中将要形成p型电极30的区域。使用电子束蒸发或者热蒸发在第二光致抗蚀剂层图案PR2上形成第一金属层22,以便接触第二化合物半导体层16的露出上表面。使用Ag或者Ag合金制成第一金属层22。而且,第一金属层22的厚度可以为0.1nm到200nm,但是优选地采用厚度约为5nm。
使用电子束蒸发或者热蒸发在第一金属层22上形成第二金属层24。使用从Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh中选择的至少一种材料制成第二金属层24。第二金属层24的厚度可以为0.1nm到200nm,但是优选地,采用厚度约为5nm。
然后将第二光致抗蚀剂层图案PR2浮脱。此处,同时去除第二光致抗蚀剂层图案PR2上的第一和第二金属层22和24。因此,如图5所示,在第二化合物半导体层16上形成第一和第二金属层22和24,以用作p型电极20。
此后,构图已经完成的所得结构在空气或者氧气气氛下200℃-700℃的温度退火10秒至2小时。结果,在p型化合物半导体层16的表面上形成p型电极20,以便形成与p型化合物半导体层16的欧姆接触。
同时,在去除第二光致抗蚀剂层图案PR2之后,可以形成n型电极30。
图6显示的是本发明的p型Ag/Ni电极的吸光率和传统p型Ni/Au电极的吸光率之间的比较图。本发明的p型Ag/Ni电极和传统p型Ni/Au电极均包括两层,每一层的厚度沉积为5nm。在550℃温度、空气气氛中对本发明的p型Ag/Ni电极和传统p型Ni/Au电极进行退火处理1分钟,以比较它们的特性。如图6所示,在波长为400nm到800nm时,本发明的p型Ag/Ni电极的吸光率比传统p型Ni/Au电极的吸光率明显要小很多。
图7显示的是本发明的p型Ag/Ni电极的透光率和传统p型Ni/Au电极的透光率之间的比较图。本发明的p型Ag/Ni电极和传统p型Ni/Au电极均包括两层,每一层的厚度均沉积为5nm。在550℃温度、空气气氛中对本发明的p型Ag/Ni电极和传统p型Ni/Au电极进行退火处理1分钟,以比较它们的特性。如图7所示,在波长为300nm到800nm时,p型Ag/Ni电极具有很高的透光率,超过90%。在波长为460nm时,p型Ag/Ni电极的透光率比传统p型Ni/Au电极的透光率要大很多。换言之,p型Ag/Ni电极的透光率和传统p型Ni/Au电极的透光率分别为94%和76%。
图8显示的是沉积在具有4~5×1022/cm3载流子的p型GaN上、厚度为5nm并且在空气气氛中进行退火处理的Ag和Ni的电测结果。如图8所示,分别在450℃和550℃温度进行1分钟退火处理的Ag/Ni的电流(I)-电压(V)特性的欧姆性能,要优于没有经过退火处理(沉积时)的Ag/Ni的I-V特性的欧姆性能。这是因为Ag和Ni中每一个的一部分在退火处理中转变为氧化物,从而降低了电阻。
图9显示的是根据本发明另外一个实施例的、GaN基III-V族化合物半导体发光器件的横截面示意图。参考图9,n-GaN层112形成于透明衬底110上。N-GaN层112分为第一和第二区域R1和R2。将有源层114和p-GaN层116顺序堆叠在n-GaN层120的第一区域R1上。
作为本发明特征部分的p型电极120形成于p-GaN层116上。P型电极120包括由Ag或者Ag合金制成的第一电极层122、形成于第一电极层122上的第二电极层124、和形成于第二电极层124上的第三电极层126。第二电极层124由Ni或者Ni合金制成。第三电极层126由Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh中的至少一种制成。
第一、第二和第三电极层122、124和126的厚度均可以为从0.1nm到200nm,优选地,为5nm的厚度。
优选地,透明衬底110由蓝宝石制成。
在n-GaN层112的第二区域R2上形成n型电极130。
现在,参考根据本发明第一个实施例制作GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法和图9,对图9的GaN基III-V族化合物半导体发光器件的制作方法进行描述。
形成n-GaN层112、有源层114和p-GaN层116的工艺,对p-GaN层116、有源层114和n-GaN层112进行顺序蚀刻的工艺,在n-GaN112的第二区域R2上形成n型电极130的工艺,以及形成图4所示的第二光致抗蚀剂层图案PR2和第一金属层122的工艺,与第一个实施例中的工艺相同。
在第一金属层122上顺序堆叠第二和第三金属层124和126。此处,第二金属层124由Ni或者Ni合金制成,而第三金属层126由Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh中的至少一种制成。
然后,去除第二光致抗蚀剂层图案PR2。此处,同时去除第二光致抗蚀剂层图案PR2上的第一、第二和第三金属层122、124和126。因此,如图9所示,在p-GaN层116上形成第一、第二和第三金属层122、124和126,以用作p型电极120。
下一步,在200℃到700℃的温度、空气气氛中对构图已经完成的所得结构进行10秒钟到2小时的退火,以利用欧姆接触的形成在p-GaN层116的表面上形成p型电极120。
图10显示的是沉积在具有4~5×1022/cm3载流子的p型GaN上的、厚度为3~4nm并且在非退火状态(沉积时)和在空气气氛中进行退火处理状态下测量的Ag/Ni/Ru的电测结果。如图10所示,分别在330℃、450℃和550℃温度进行1分钟退火处理的Ag/Ni/Ru的I-V特性的欧姆性能,要远远优于没有经过退火处理(沉积时)的Ag/Ni/Ru的I-V特性的欧姆性能。
图11和12显示的是用于显示位于p型GaN和沉积在p型GaN上的Ag/Ni/Ru之间界面上的电极成分的扩散和反应的AES深度轮廓线的结果,是在非退火状态(沉积时)和在氧气气氛中进行退火处理状态下测量的。
参考图11,随着p型电极深度的增加,Ru降低而Ni和Ag增加随后降低。当溅射时间变得更长时,出现p型GaN组分。
参考图12,在退火处理中Ru和Ni受到氧化,从而它们的位置颠倒。从而,从p型电极的表面形成氧化镍和氧化钌。部分Ag也受到氧化。这些氧化物用于提高透光率。
如上所述,在根据本发明的GaN基III-V族化合物半导体发光装置中,p型电极显示了增强的透光率,尽管具有和传统Ni/Au电极类似的低电阻。同时,能够获得高质量的欧姆接触性能。
尽管参考示范实施例对本发明进行了特定的显示和描述,但是可以理解的是,对于本领域的技术人员而言,在不偏离所附权利要求的宗旨和范围时,可以有多种形式和细节的变化。
Claims (8)
1、一种发光器件,包括:
位于n型电极和p型电极之间的至少n型GaN基化合物半导体层、有源层、和p型GaN基化合物半导体层,
其中,所述p型电极是透明的,并且包括位于所述p型GaN基化合物半导体层上的由Ag或者Ag合金制成的第一电极层;直接位于所述第一电极层上的由Ni或者Ni合金制成的第二电极层;和直接位于所述第二电极层上的由从包括Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第三电极层。
2、根据权利要求1的半导体发光器件,其中,所述第一电极层的厚度形成为0.1nm到200nm。
3、根据权利要求2的半导体发光器件,其中,在氧气气氛对所述第一、第二和第三电极层进行退火,从而所述第一、第二和第三电极层的每一个的至少一部分会形成为氧化物。
4、一种制作半导体发光器件的方法,包括:
在衬底上顺序堆叠n型GaN基化合物半导体层、有源层和p型GaN基化合物半导体层;
顺序构图所述p型GaN基化合物半导体层和所述有源层,以将所述n型GaN基化合物半导体层的一部分露出;
在所述n型GaN基化合物半导体层的露出部分上形成n型电极;
在图案化的p型GaN基化合物半导体层上形成Ag或者Ag合金的第一电极层;
直接在所述第一电极层上形成Ni或者Ni合金的第二电极层;
从包括Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料,直接在所述第二电极层上形成第三电极层;以及
对已经形成所述第三电极层的所得结构进行退火,
其中包括所述第一电极层、所述第二电极层和所述第三电极层的p型电极是透明的。
5、根据权利要求4的方法,其中,所述第一电极层的厚度形成为0.1nm到200nm。
6、根据权利要求4的方法,其中,使用电子束蒸发或者热蒸发形成所述n型电极和所述第一和第二电极层。
7、根据权利要求4的方法,其中,在200℃到700℃的温度进行退火处理10秒到2个小时。
8、根据权利要求7的方法,其中,在氧气气氛中进行所述退火处理。
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