JP2005167237A - フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層50が順次に積層されており、p型クラッド層50上にSb、F、P、Asのうち少なくとも何れか一つがドーピングされた錫酸化物により形成されたオーミックコンタクト層60と、オーミックコンタクト層60の上部に光反射素材により形成された反射層70と、を備えるフリップチップ型窒化物系発光素子。このフリップチップ型窒化物系発光素子及び製造方法によれば、低い面抵抗と高いキャリア濃度を有する伝導性酸化物電極構造体の適用により電流−電圧特性が改善され、かつ耐久性が向上する。
【選択図】図1
【解決手段】基板10、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層50が順次に積層されており、p型クラッド層50上にSb、F、P、Asのうち少なくとも何れか一つがドーピングされた錫酸化物により形成されたオーミックコンタクト層60と、オーミックコンタクト層60の上部に光反射素材により形成された反射層70と、を備えるフリップチップ型窒化物系発光素子。このフリップチップ型窒化物系発光素子及び製造方法によれば、低い面抵抗と高いキャリア濃度を有する伝導性酸化物電極構造体の適用により電流−電圧特性が改善され、かつ耐久性が向上する。
【選択図】図1
Description
本発明は、フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に係り、詳細には発光素子の発光効率を高めうるフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に関する。
従来の商用化されている窒化ガリウム系発光素子は、トップエミット型発光素子とフリップチップ型発光素子に分類される。トップエミット型発光素子は、p型クラッド層と接触しているオーミックコンタクト層を通じて光が出射されるように形成される。このようなトップエミット型発光素子は、一般的にp型クラッド層上にNiとAuを順次に積層した電極構造が利用されている。
しかし、Ni/Auにより形成される電極構造の場合、薄膜の不透明性によって内部的に形成された光が外部に出射される過程で相当量の光が内部で吸収されて発光素子の発光効率が低下する問題点がある。すなわち、トップエミット型構造の発光素子は大容量及び高輝度の発光素子として利用し難い短所がある。
したがって、大容量及び高輝度の発光素子の具現のために高反射層素材として脚光を浴びているAg、Alなどを用いたフリップチップ方式の発光素子の開発が要求されている。特許文献1にはp型クラッド層上に反射率の高いAgを厚く積層してフリップチップ方式の高効率発光素子を具現した内容が開示されている。
しかし、このような構造のフリップチップ型発光素子は、p型クラッド層とAg層間の接触力が非常に弱くて熱処理後に大部分のAgが酸化されるか、多量の気孔が発生することによって、接触抵抗が上昇し、反射率が急激に低下する問題点がある。
一方、反射層とp型クラッド層間に発生する前記のような問題点を解決するために、伝導性酸化物の一種であるITOを中間挿入層として形成したフリップチップ形態の発光素子が提案された。特に、このようなフリップチップ形態の発光素子は、既存に使われているNi/Au電極構造のトップエミット型発光素子に比べて優れた出力特性を表している。しかし、ITO/Ag電極構造のフリップチップ発光素子は、相対的に高い出力特性にもかかわらず、ITO自体の抵抗がNi/Au構造に比べて約3倍以上高くて動作電圧が急激に上昇する問題点がある。
米国特許第6,194,743号明細書
本発明は前記問題点を改善するために創案されたものであって、本発明の目的は、低い接触抵抗と高反射率が提供できる電極構造体を有するフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は、動作電圧を下げ、出力特性を向上させうるフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供することである。
前記目的を達成するために本発明に係るフリップチップ型窒化物系発光素子は、n型クラッド層とp型クラッド層間に活性層を有するフリップチップ型窒化物系発光素子において、前記p型クラッド層上に添加元素がドーピングされた錫酸化物により形成されたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタクト層の上部に光反射素材により形成された反射層と、を備える。
望ましくは、前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つである。
また、前記添加元素の添加比は、0.1〜40アトミックパーセントが適用される。
前記光反射素材は、Ag、Rhのうち少なくとも何れか一つであることが望ましい。
本発明の他の側面によれば、前記反射層上にNi、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金、及び添加元素がドーピングされた錫酸化物よりなる群から選択された何れか一つより形成された拡散防止層をさらに備える。ここで望ましくは、前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つである。
また、前記目的を達成するために本発明に係るフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法は、n型クラッド層とp型クラッド層間に活性層を有するフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、(a)基板上にn型クラッド層、活性層、及びp型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記p型クラッド層上に添加元素がドーピングされた錫酸化物によりオーミックコンタクト層を形成する段階と、(b)前記オーミックコンタクト層の上部に光反射素材により反射層を形成する段階と、(c)前記(b)段階を経て形成された結果物を熱処理する段階と、を含む。
望ましくは、オーミックコンタクト層に適用される前記前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つである。
また、前記反射層上にNi、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金、及び添加元素がドーピングされた錫酸化物よりなる群から選択された何れか一つより拡散防止層を形成する段階をさらに含む。ここで望ましくは、前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つである。
さらに望ましくは、前記オーミックコンタクト層の形成段階は、酸素を含んだ気体雰囲気で蒸着により行われる。
前記オーミックコンタクト層形成段階において、前記反応器内に供給される酸素の供給圧力は、1〜300mTorrである。
また、前記熱処理は、200〜800℃の温度範囲で行われることが望ましい。
前記熱処理は、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、空気のうち少なくとも一つを含む気体雰囲気で10秒〜2時間行われることが望ましい。
本発明に係るフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、低い面抵抗と高いキャリア濃度を有する伝導性酸化物電極構造体の適用により電流−電圧特性が改善され、かつ耐久性が向上する。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例によるフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法をさらに詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施例によるp型電極構造体を示す断面図である。
図面を参照すれば、p型電極構造体はオーミックコンタクト層60と反射層70とを備える。
示された例では、基板10上にIII族窒化物系p型クラッド層50が形成されており、p型クラッド層50上にオーミックコンタクト層60と反射層70とが順次に積層されている。
p型クラッド層50は、III族窒化化合物にp型ドーパントが添加されたものが適用される。
ここで、III族窒化化合物は、一般式であるAlxInyGa1−x−yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)と表現される化合物である。
また、p型ドーパントは、Mg、Zn、Ca、Sr、Baなどが適用されうる。
オーミックコンタクト層60は、添加元素がドーピングされた錫酸化物により形成される。
オーミックコンタクト層60に適用される添加元素は、Sb、F、P、Asのうち少なくとも一つが適用される。
ここで、錫酸化物に対してドーピングされる添加元素の添加比率は0.01〜40アトミックパーセントを適用する。ここで、アトミックパーセントは添加される元素数相互間の比率をいう。
一般的に、ドーピングしていない錫酸化物(SnO2)は、数十ないし数百オーム(Ω・cm)に達する非常に大きい抵抗率の値と低いキャリア濃度とを有する。
一方、酸化物を常温で蒸着した後に高温で熱処理するか、蒸着時に適用する蒸着温度を常温より高い温度を適用する方法などによって、SnO2のような伝導性酸化物の抵抗値を下げることができるが、このような方法によって生成された伝導性酸化物もやはり数ないし数十Ω・cmに達する比較的高い抵抗率の値を有する。
したがって、ドーピングされていない錫酸化物単独ではオーミックコンタクト層として適用し難い。
本発明においては、錫酸化物にSb、F、P、Asなどの添加元素をドーピングして酸化物自体の抵抗率の値を下げてこのような問題点を解決した。
また、ドーピングされた酸化物の蒸着後、追加的な熱処理工程を行うか、または常温以上で蒸着すれば、10−2Ω・cm以下の低い抵抗率が得られることを確認した。
オーミックコンタクト層60は、0.1ないし500nmの厚さに形成することが望ましい。
反射層70は、可視光線及び紫外線領域で85%以上の高い反射率を示す素材、例えばAgまたはRhのうち何れか一つより形成されることが望ましい。
また、反射層70は、10〜2000nmの厚さに形成することが望ましい。
本発明の第2実施例によるp型電極構造体が図2に示されている。
図1と同じ機能をする要素は、同じ参照符号で表す。
図面を参照すれば、p型電極構造体は、オーミックコンタクト層60、反射層70、及び拡散防止層80を含む。
示された例では、基板10上にIII族窒化物系p型クラッド層50が形成されており、p型クラッド層50上にオーミックコンタクト層60、反射層70、及び拡散防止層80が順次に積層されている。
オーミックコンタクト層60は、前述したように、錫酸化物にSb、F、P、Asのうち少なくとも何れか一つがドーピングされて形成される。
反射層70は、前述したようなAgまたはRhにより形成する。
拡散防止層80は、Ni、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金、及びSb、F、P、Asのうち少なくとも一つを含む添加元素がドーピングされた錫酸化物よりなる群から選択された何れか一つより形成されたことが望ましい。
拡散防止層80は、1〜1000nmの厚さに形成することが望ましい。
図1及び図2を通じて説明されたp型電極構造体、すなわち、オーミックコンタクト層60/反射層70よりなるp型電極構造体、またはオーミックコンタクト層60/反射層70/拡散防止層80よりなるp型電極構造体は蒸着後に熱処理工程を経る。
まず、蒸着工程は、電子ビームまたは熱蒸着器、スパッタリング、レーザー蒸着器のうち何れか一つにより形成されることが望ましい。
望ましくは、オーミックコンタクト層60を蒸着工程を通じて形成時に蒸着器の反応器内に酸素を1〜300mTorr程度の圧力で供給しつつ蒸着する。
熱処理は、200〜800℃で真空またはガス雰囲気で10秒〜2時間行う。
熱処理時、反応器内に投入されるガスは窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、空気のうち少なくとも一つ以上の気体が適用されうる。
図3は、本発明の一実施例によってSbが5アトミックパーセントにドーピングされた錫酸化物(5atm%Sb−SnO2)により形成されたオーミックコンタクト層60に対して熱処理後の抵抗率及びキャリア濃度の変化を示すグラフである。図面において、aで表記されたグラフは抵抗率を示し、bで表記されたグラフはキャリア濃度を示す。
ここで、オーミックコンタクト層60は、レーザー蒸着器を用いて30mTorr酸素分圧下で300nm厚さに常温で錫酸化物にSbがドーピングされるように蒸着して形成した後、400〜600℃温度で熱処理工程を実施し、ホール測定機を用いて熱処理温度による抵抗率の変化とキャリア濃度変化を測定した。
図3から分かるように、熱処理温度が増加するほど抵抗は低くなり、キャリア濃度は増加する。すなわち、本実験に使われたSbのドーピングされた錫酸化物が酸素雰囲気で常温でレーザー蒸着器で蒸着後に400〜600℃に熱処理した場合、7.06×10−3ないし2.62×10−3の非常に低い抵抗率の値を表している。
下記表1は、ドーピングしない錫酸化物(SnO2)とSbがドーピングされた錫酸化物(Sb−SnO2)を多様な条件でレーザー蒸着器で蒸着した後に得た実験結果を表す。
表1においてRは抵抗を、Nはキャリア濃度を表す。
表1から分かるように、ドーピングしていない錫酸化物は常温より高い温度の600℃で蒸着したにもかかわらず、数Ω程度の高い抵抗値を表している。
一方、本実験によるSbがドーピングされた錫酸化物は、同じ条件で蒸着時に3.01×10−3Ω・cmの低い抵抗率を表す。また、常温で蒸着後、熱処理を行った場合には2.62×10−3Ω・cmのさらに低い抵抗率を表す。
一方、酸素を注入していない真空条件で蒸着した場合には1.74×10−1Ω・cmの比較的に高い抵抗率を表した。このような結果は、オーミックコンタクト層60の蒸着時、酸素雰囲気で行われることが望ましいことを示す。
すなわち、オーミックコンタクト層60の蒸着時に酸素が注入されていない場合、多量の酸素欠乏が起きて蒸着された薄膜の抵抗が急増し、結局、蒸着された薄膜が格段に低いキャリア濃度を表す。
図4は、Sbがドーピングされた錫酸化物を酸素雰囲気で約300nmの厚さに常温で蒸着した後、600℃で熱処理した試片に対するX線回折試験(XRD)の結果を表す。図面から分かるように、錫酸化物(SnO2)に対するピークが明確に観察された。
図5は、Sbがドーピングされた錫酸化物を酸素雰囲気で約300nm厚さに常温で蒸着した後、400〜600℃で熱処理した試片に対する光透過度を測定した結果を表す。図5から分かるように、あらゆる試片に対して400〜800nmの広い領域で85%以上の高い透過度を有する。
図6は、5×1017cm−3のキャリア濃度を有する窒化ガリウムを主成分にしたp型クラッド層50上に酸素雰囲気下で常温で蒸着させたSbがドーピングされた錫酸化物(Sb−SnO2)であって、オーミックコンタクト層60を5nm及び10nm厚さにそれぞれ蒸着した後、その上部にAgにより形成された反射層70を175nm厚さに蒸着し、空気雰囲気で530℃で熱処理した後の電気的特性を測定した結果を示すグラフである。
図示しないが、常温で蒸着されたSbがドーピングされた錫酸化物は熱処理前には比較的高い抵抗値を有し、整流性挙動を示すが、熱処理後には図6に示すように、オーミック接触挙動を意味する線形的な電流−電圧特性を示し、10−4Ωcm2程度の低い非接触抵抗を有することが分かる。
一方、比較のためにAgにより形成された単一オーミック電極層を形成させた場合の非接触抵抗を計算した結果、3×10−3Ωcm2の高い抵抗値を有することを確認した。
図7は、Sbがドーピングされた錫酸化物とAgとが順次に形成された本実施例によるp型電極構造体に対するオージェ電子分光分析(AES)結果を表す。Ag、Sn、Sbのみならず、ガリウムと窒素に対する明確な成分とそれぞれの境界を確認することができる。
図8Aは、Ag単独で形成された従来の電極構造体に対して530℃で熱処理したサンプルに対する走査電子顕微鏡(SEM)で撮影した写真であり、図8Bは、p型GaNにより形成されたp型クラッド層50上にSbがドーピングされた5nm厚さの錫酸化物でオーミックコンタクト層60を形成し、その上部にAgを175nm厚さに反射層70を形成した電極構造体に対して530℃で熱処理後にSEMで撮影した写真であり、図8Cは、p型GaNにより形成されたp型クラッド層50上にSbがドーピングされた10nm厚さの錫酸化物でオーミックコンタクト層60を形成し、その上にAgを175nm厚さに反射層70を形成した電極構造体に対して530℃で熱処理した後にSEMで撮影した写真である。
図8Aの写真から分かるように、Agだけで構成された従来の電極構造体は窒化ガリウムとの低い接触特性によってその境界部位が著しく膨らみ、かつ気孔が多く発生した。このような結果は、前記の熱処理したAg単一電極構造体が比較的高い非接触抵抗を表した結果と直接的な連関性を持っている。
一方、図8B及び図8Cから分かるように、本実施例によってSbがドーピングされた錫酸化物でオーミックコンタクト層60を形成し、その上部にAgにより反射層70を形成した後に530℃で熱処理した場合、p型クラッド層50と電極構造体間に優秀な接触特性により気孔が発生せず、膨潤現象も発生しなかった。
図9は、図1のp型電極構造体が逆に適用されたフリップチップ型発光素子の一例を示す断面図である。
図面を参照すれば、発光素子は、透明な基板110、バッファ層120、n型クラッド層130、活性層140、p型クラッド層150、オーミックコンタクト層160、反射層170が垂直方向に積層された構造よりなっている。参照符号210はn型電極パッド、220はp型電極パッド、230はフリップチップ型発光素子に必要なソルダー、240はサブマウントである。
基板110は、透明素材、例えばサファイアまたはシリコンカーバイド(SiC)により形成される。
バッファ層120は省略されうる。
バッファ層120からp型クラッド層150までの各層は、III族窒化物系化合物の一般式であるAlxInyGa1−X−YN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)と表現される化合物のうち選択された何れか一つの化合物を基本として形成され、n型クラッド層130及びp型クラッド層150は、該当ドーパントが添加される。
また、活性層140は、単層またはMQW層などの公知の多様な方式で構成されうる。
一例として、GaN半導体を適用する場合、バッファ層120はGaNにより形成され、n型クラッド層130はGaNにn型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Teなどが添加されて形成され、活性層はInGaN/GaNまたはAlGaN/GaN MQWにより形成され、p型クラッド層150はGaNにP型ドーパントとしてMg、Zn、Ca、Sr、Baなどが添加されて形成される。
n型クラッド層130とn型電極パッド210間にはn型オーミックコンタクト層(図示せず)が介在し、n型オーミックコンタクト層はTiとAlが順次に積層された層構造など公知の多様な構造が適用されうる。
p型電極パッド220は、Ni/Auが順次に積層された層構造など公知の多様な構造が適用されうる。
オーミックコンタクト層160は、図1を通じて説明したように、添加元素がドーピングされた錫酸化物により形成される。
前記添加元素は、Sb、F、P、Asのうち少なくとも一つを含んで形成される。
また、反射層170も、図1を通じて説明したように、反射度の高いAg、Rhのうち少なくとも一つにより形成される。
各層の形成方法は、電子ビーム蒸着器、PVD(Physical Vapor Deposition)、CVD(Chemical Vapor Deposition)、PLD(Plasma Laser Deposition)、二重型の熱蒸着器(Dual−type Thermal Evaporator)、スパッタリング等により形成される。特に、オーミックコンタクト層160を形成するために添加元素がドーピングされた錫酸化物の蒸着時、反応器内に酸素を1〜300mTorr注入することが望ましい。
このような発光素子は、前述したように基板110からp型クラッド層150まで発光構造体を形成した後にp型クラッド層150上に添加元素がドーピングされた錫酸化物でオーミックコンタクト層160を形成し、AgまたはRhで反射層170を順次に蒸着して形成した後に熱処理すれば良い。
図10は、図9の反射層170とp型電極パッド220間に拡散防止層180を適用した発光素子の一例を示す図面である。示された図面と同じ機能をする要素は、同じ参照符号で表記する。
拡散防止層180は、AgまたはRhにより形成された反射層170とp型電極パッド220間に良好な接触特性を誘導し、特にp型電極パッド220として使われる物質が反射層170に拡散することを防止することによって、オーミック接触抵抗の増加及び反射度の低下を防止するために適用されたものである。
図10に示された発光素子も、前記のような方式により基板110からp型クラッド層150まで発光構造体を形成した後にp型クラッド層150上に添加元素がドーピングされた錫酸化物でオーミックコンタクト層160を形成し、AgまたはRhで反射層170を蒸着した後、添加元素がドーピングされた錫酸化物、Ni、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金のうち一つで形成された拡散防止層180を形成した後に熱処理すれば良い。
前記拡散防止層180に適用される錫酸化物に添加される元素としては、Sb、F、P、Asのうち少なくとも一つが適用される。
図11は、図9を通じて説明された電極構造が適用されたInGaN/GaN MQW構造の青色発光ダイオードに対する動作電圧を測定した結果を示すグラフである。この時に適用された熱処理条件は、530℃で空気雰囲気下で行われた。また、図11には本発明に係る電極構造体を有する発光ダイオードの特性を従来構造と比較するために既存に使われているAg単独で電極が形成された発光素子に対しても動作電圧を測定した結果を共に表した。
図11から分かるように、本発明に係るSbドーピングされた錫酸化物を5nm及び10nm厚さにそれぞれ形成したオーミックコンタクト層上にAgを175nmに形成した電極構造体が適用された発光素子の動作電圧は20mAでそれぞれ3.16、3.18Vであって、Agを175nmの厚さに単独で形成した従来の電極構造体が適用された従来の発光ダイオードの動作電圧(3.36V)より顕著に低くなった。
図12は、図11の実験に適用されたInGaN/GaN MQW構造の青色発光ダイオードに対する出力特性を測定した結果を示すグラフである。
図面を通じて分かるように、Sbがドーピングされた錫酸化物よりなる電極構造体が適用された本発明の発光素子の出力特性が100mA以内の全領域にかけて既存に使われているAg単独の電極構造体を有する発光素子より向上した。
本発明は、フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に係り、LEDまたはLdのような発光素子に適用されうる。
10…基板、
50…p型クラッド層、
60…オーミックコンタクト層、
70…反射層。
50…p型クラッド層、
60…オーミックコンタクト層、
70…反射層。
Claims (13)
- n型クラッド層とp型クラッド層間に活性層を有するフリップチップ型窒化物系発光素子において、
前記p型クラッド層上に添加元素がドーピングされた錫酸化物により形成されたオーミックコンタクト層と、
前記オーミックコンタクト層の上部に光反射素材により形成された反射層と、を備えることを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子。 - 前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記添加元素の添加比は、0.1〜40アトミックパーセントであることを特徴とする請求項2に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記光反射素材は、Ag、Rhのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記反射層上にNi、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金、及び添加元素がドーピングされた錫酸化物よりなる群から選択された何れか一つより形成された拡散防止層をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項5に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- n型クラッド層とp型クラッド層間に活性層を有するフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、
(a)基板上にn型クラッド層、活性層、及びp型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記p型クラッド層上に添加元素がドーピングされた錫酸化物によりオーミックコンタクト層を形成する段階と、
(b)前記オーミックコンタクト層の上部に光反射素材により反射層を形成する段階と、
(c)前記(b)段階を経て形成された結果物を熱処理する段階と、を含むことを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。 - 前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項7に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記光反射素材は、Ag、Rhのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項7に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記反射層上にNi、Au、Zn、Cu、Zn−Ni合金、Cu−Ni合金、Ni−Mg合金、及び添加元素がドーピングされた錫酸化物よりなる群から選択された何れか一つより拡散防止層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記添加元素は、Sb、F、P、及びAsよりなる群から選択された少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項10に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記熱処理は、200〜800℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項7に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記オーミックコンタクト層の形成段階は、酸素を含んだ気体雰囲気で蒸着により行われることを特徴とする請求項7に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
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