JP2005184006A - フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 48
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 150000002603 lanthanum Chemical class 0.000 claims 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N silver;hydrate Chemical compound O.[Ag].[Ag] VFWRGKJLLYDFBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019080 Mg-H Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
【課題】 発光効率の向上したフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーム接触層及び反射層が順次に積層されており、マルチオーム接触層は、改質金属層／透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一組が反復積層されており、改質金属層は銀を含む発光素子。このようなフリップチップ型発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーム接触特性が改善されて、発光素子のパッケージング時にワイヤーボンディング効率を及び収率を高めることができ、低い比接触抵抗及び優秀な電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。
【選択図】 図１
【解決手段】 ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層、マルチオーム接触層及び反射層が順次に積層されており、マルチオーム接触層は、改質金属層／透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一組が反復積層されており、改質金属層は銀を含む発光素子。このようなフリップチップ型発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーム接触特性が改善されて、発光素子のパッケージング時にワイヤーボンディング効率を及び収率を高めることができ、低い比接触抵抗及び優秀な電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。
【選択図】 図１
Description
本発明はフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に係り、詳細には、発光効率を向上させうる電極構造を持つフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法に関する。
窒化物系化合物半導体、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体を利用した発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子を製造するためには、半導体と電極との間のオーム接触構造が非常に重要である。現在商業的に利用できるＧａＮ系発光素子は絶縁性サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板上に形成される。
このようなＧａＮ系発光素子は、トップエミット型発光素子（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ；ＴＬＥＤＳ）と、フリップチップ発光素子（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ：ＦＣＬＥＤＳ）とに分類される。
トップエミット型発光素子は、ｐ型クラッド層と接触しているオーム電極層を通じて光を発するように形成される。
トップエミット型発光素子は、ｐ型クラッド層のホール濃度が低いため、低い電流注入及び電流拡散のような劣悪な電気的特性を持つ。このような劣悪な電気的特性は、透明かつ低い面抵抗値を持つオーム接触電極開発を通じて克服できる。
このようなトップエミット型発光素子には、一般的にニッケルのような遷移金属を基本とする金属薄膜構造として酸化された半透明ニッケル／金の金属薄膜が広く利用されている。
このようなニッケル金属を基本とする金属薄膜は、酸素（Ｏ２）雰囲気で熱処理すると１０−３〜１０−４Ωｃｍ２程度の比接触抵抗を持つ半透明オーム接触層を形成することが報告されている。５００℃〜６００℃温度範囲で、酸素（Ｏ２）雰囲気で熱処理すると、ショットキー障壁の高さ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｈｅｉｇｈｔ：ＨＢＴ）が低くなり、その結果、ＧａＮ表面付近に複数のキャリアであるホールを容易に供給してＧａＮ表面付近での実効キャリア濃度を増加させ、低い比接触抵抗を実現できる。他方では、ニッケル／金をｐ型ＧａＮに接触させて熱処理すれば、Ｍｇ−Ｈ金属間の化合物を除去することができるというＧａＮ表面でマグネシウムドープ剤の濃度を増加させる再活性化過程を通じてｐ型ＧａＮの表面での実効キャリア濃度を１０１９以上にすることにより、ｐ型ＧａＮと電極層（酸化ニッケル）との間にトンネリング伝導を起こしてオーム伝導特性を示すことが理解されている。
ところが、ニッケル／金で形成される半透明電極薄膜を利用したトップエミット型発光ダイオードは、光利用効率が低くて大容量及び高輝度発光素子を具現し難い。
最近では、大容量の高輝度発光素子の実現のために高反射層素材として注目されている銀、銀酸化物（Ａｇ２Ｏ）またはアルミニウムなどを利用したフリップチップ方式の発光素子開発の必要性が強く望まれている。
しかし、それら金属は、高い反射効率を持っているために一時的に高い発光効率を提供できるが、小さな仕事関数値を持つ特性のために低抵抗値を持つオーム接触の形成が難しくて、素子寿命が短くかつＧａＮとの接着性が悪くて素子の安定的な信頼性を提供できないという問題点がある。
すなわち、アルミニウムを用いる場合には仕事関数値が低いために熱処理時にｐ型ＧａＮの界面にオーム接触ではないショットキー接触を形成する傾向があってほとんど利用できず、銀はアルミニウムとは違ってＧａＮとのオーム接触を形成するが、熱的な不安定性及びＧａＮとの機械的接着力の低さのために発光素子製作及び作動時信頼性を確保し難いという問題点がある。
このような問題を解決するために、低い比接触抵抗値を持ちつつも高い反射率を提供するオーム接触層の開発が活発に行われている。
Ｍｅｎｓｚ等のグループは、非特許文献１において２層構造としてニッケル／アルミニウム及びニッケル／銀構造を提案したが、この構造は、オーム接触形成が難しくて発光ダイオード作動時に高い作動電圧による多くの熱発生を引き起こすという問題点を持っている。
最近、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｒ．Ｋｒａｍｅｓ等のグループは、特許文献１をにおいてニッケル／銀及び金／酸化ニッケル（ＮｉＯｘ）／アルミニウム電極構造を研究開発したと報告した。ところが、この構造も接着性が落ち、乱反射によって発光効率が低下するという短所を持っている。
米国特許出願公開第２００２／０１７１０８７号明細書
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｌｅｔｔｅｒｓ ３３（２４）ｐ．２０６６
本発明は前記のような問題点を改善するためになされたものであり、優れた接着性及び低い比接触抵抗を持つ電極構造のフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供するところにその目的がある。
本発明によるフリップチップ型窒化物系発光素子は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層が設けられたフリップチップ型窒化物系発光素子において、前記ｐ型クラッド層と前記反射層との間に改質金属層および透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一回積層されたマルチオーム接触層を備え、前記改質金属層は銀を含む。
前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）と透明伝導性窒化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｎｉｔｒｉｄｅ：ＴＣＮ）のうちいずれか一つで形成され、前記透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）としては、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素の金属のうち少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものが挙げられ、前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することが好ましい。
望ましくは、改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さに形成される。
また、前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上の元素で形成される。
前記透明伝導性薄膜層は１０ｎｍないし１０００ｎｍに形成され、前記反射層は１００ｎｍないし１０００ｎｍに形成されることが望ましい。
また、本発明によるフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層を持つフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、基板上に前記ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記ｐ型クラッド層上に、改質金属層／透明伝導性薄膜層を積層反復単位として少なくとも一組以上を積層してマルチオーム接触層を形成する段階と、前記マルチオーム接触層上に反射層を形成する段階と、を含み、前記改質金属層は銀を含む。
望ましくは、前記マルチオーム接触層の形成段階以後または前記反射層の形成段階以後に熱処理する段階をさらに含む。
本発明によるフリップチップ型発光素子及びその製造方法によれば、ｐ型クラッド層とのオーム接触特性が改善されて、発光素子のパッケージング時にワイヤーボンディング効率及び収率を高めることができ、低い比接触抵抗及び優秀な電流−電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましいフリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法をさらに詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施例によるフリップチップ型発光素子を示す断面図である。
図面を参照すれば、フリップチップ型発光素子は、基板１１０、バッファ層１２０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、マルチオーム接触層１６０及び反射層１７０が順次に積層された構造からなっている。参照符号１８０はｐ型電極パッドであり、１９０はｎ型電極パッドである。
マルチオーム接触層１６０は、改質金属層１６０ａと透明伝導性薄膜層１６０ｂとが順次に積層されたものからなる。
ここで、基板１１０からｐ型クラッド層１５０までが発光構造体に該当し、ｐ型クラッド層１５０上に積層されたマルチオーム接触層１６０と反射層１７０とがｐ型電極構造体に該当する。
基板１１０は、サファイア、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン（Ｓｉ）、およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる群より選択されるいずれか一つで形成されたことが望ましい。
本発明の発光素子では、バッファ層１２０は含んでいてもよいし、含まなくてもよい。
バッファ層１２０からｐ型クラッド層１５０までの各層は、ＩＩＩ族窒化物系化合物のＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）で示される化合物を基本として形成され、ｎ型クラッド層１３０及びｐ型クラッド層１５０にはドープ剤が添加される。
また、活性層１４０は単層またはＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）層など公知の多様な構造に構成できる。
一例として、ＧａＮ系化合物を適用する場合、バッファ層１２０はＧａＮで形成され、ｎ型クラッド層１３０は、ＧａＮにｎ型ドープ剤としてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、またはＴｅなどが添加されて形成され、活性層はＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷまたはＡｌＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷで形成され、ｐ型クラッド層１５０は、ＧａＮにＰ型ドープ剤としてＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、またはＢａなどが添加されて形成される。
ｎ型クラッド層１３０とｎ型電極パッド１９０との間には、ｎ型オーム接触層（図示せず）が介在し、ｎ型オーム接触層は、チタンとアルミニウムとが順次に積層された層構造など公知の多様な構造が適用される。
ｐ型電極パッド１８０は、ニッケル／金または銀／金が順次に積層された層構造が適用できる。
各層の形成方法は電子ビーム蒸着器、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＬＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、二重型の熱蒸着器、スパッタなど公知の蒸着方式により形成することができる。
マルチオーム接触層１６０は、望ましくはｐ型クラッド層１５０の実効キャリア濃度を高めることができ、ｐ型クラッド層１５０をなしている化合物のうち窒素以外の成分と反応性の良い物質が適用される。例えば、ＧａＮ系化合物がｐ型クラッド層として適用される場合、マルチオーム接触層１６０には、窒素よりもガリウムに対して優先的に反応する物質が適用される。
この場合、一例として、ＧａＮを主成分とするｐ型クラッド層１５０の場合、前述の特性を持つマルチオーム接触層１６０によるｐ型クラッド層１５０のガリウムとマルチオーム接触層１６０との反応により、ｐ型クラッド層１５０の表面にはガリウム空孔が形成される。ｐ型クラッド層１５０に形成されるガリウム空孔はｐ型ドープ剤として作用するので、ｐ型クラッド層１５０とマルチオーム接触層１６０との反応により、ｐ型クラッド層１５０の表面の実効ｐ型キャリア濃度が増加する。
また、マルチオーム接触層１６０には、工程上ｐ型クラッド層１５０の表面に残留してしまい界面でキャリアの流れに対する障害物となる自然酸化層であるガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ３）を還元してショットキー障壁の高さ及び幅を減らしうる物質が適用される。前記のｐ型ＧａＮ表面でのガリウム空孔の形成、自然酸化層の還元機能及び透明な伝導性酸化層の形成により、ＧａＮ系半導体と接触金属電極との界面でトンネリング伝導現象を発生させうる。
このような条件を満たしうるマルチオーム接触層１６０は、ｐ型クラッド層１５０上に形成された改質金属層１６０ａ及び改質金属層１６０ａ上に形成された透明伝導性薄膜層１６０ｂを反復単位として少なくとも一組有し、改質金属層１６０ａ及び透明伝導性薄膜層１６０ｂの反復数は、適宜決定することができる。
改質金属層１６０ａには、高い導電性を持ちつつ６００℃以下の温度と酸素雰囲気での熱処理時に容易に伝導性ナノ相粒子に分解され、容易に酸化されない物質が適用される。
このような条件を備えた改質金属層１６０ａ用素材には銀が適用される。
望ましくは、改質金属層１６０ａは銀単独で形成される。また他には、改質金属層１６０ａは銀を含む合金または固溶体で形成できる。
また、マルチオーム接触層１６０を形成している改質金属層１６０ａの厚さは、熱処理時に容易に伝導性ナノ相粒子に分解できる厚さである１ｎｍないし２０ｎｍ以内に形成することが望ましい。
透明伝導性薄膜層１６０ｂには、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）または透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）のうちいずれか一つが適用される。
透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）は、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、カドミウム（Ｃｄ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）、銀、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、銅（Ｃｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ランタン（Ｌａ）元素系列などの金属のうち少なくとも一つ以上の成分と酸素とで形成される透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）が適用される。
透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）用素材は特に限定されないが、仕事関数値及び面抵抗値を優先的に考慮して選択することができ、透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）は低い面抵抗値及び高い光の透過率を持つチタンと窒素とで形成された透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）が適用されることが望ましい。
また、透明伝導性薄膜層１６０ｂに適用される透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）及び透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）は、前記主成分に対して電気的特性を向上させるために、元素周期律表上の金属成分のうち少なくとも一つ以上の元素をドープ剤として添加できる。
ここで、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）及び透明伝導性窒化物（ＴＣＮ）に適切な電気的特性を持たせるために添加されるドープ剤の添加比率は０．００１ないし２０質量％の範囲内で適用されることが望ましい。ここで、質量％は添加される元素の質量比率をいう。
また、透明伝導性薄膜層１６０ｂの厚さは、適切な光の透過率及び導電性を示すために１０ｎｍないし１０００ｎｍの厚さに形成されることが望ましい。
このようなマルチオーム接触層１６０は、電子ビーム蒸着器、熱蒸着器、スパッタ蒸着器、レーザー蒸着器のうちいずれか一つで形成することが望ましい。
また、マルチオーム接触層１６０を形成するために適用される蒸着温度は２０℃ないし１５００℃範囲内であり、蒸着器内の圧力は大気圧ないし１０−１２ｔｏｒｒ程度であることが好ましい。
また、マルチオーム接触層１６０を形成した後には熱処理過程を経ることが望ましい。
熱処理は、反応器内の温度を１００℃〜８００℃で真空またはガス雰囲気で１０秒ないし３時間程度行うことが好ましい。
熱処理時に反応器内に投入されるガスは、窒素、アルゴン、ヘリウム、酸素、水素、および空気のうち少なくとも一つ以上の気体が適用される。
このような構造のマルチオーム接触層１６０は、前述したような適正な雰囲気及び温度で熱処理を行えば、高い光の透過率（波長４００ｎｍの光において９０％）及び低い面抵抗値（１０Ω／ｃｍ２以下）を持つ透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）になると同時に、ｐ型ＧａＮの上部に存在する自然酸化層であうガリウム酸化物（Ｇａ２Ｏ３）を還元させてショットキー障壁の幅を減少させる。したがって、オーム接触形成に有利なトンネリング効果を誘発して電気的特性を向上させ、１００％に近い光の透過率を持つ。
反射層１７０は、光の反射率の高い素材、例えば、銀、銀酸化物（Ａｇ２Ｏ）、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、ルテニウムなどの金属元素のうち少なくとも一つ以上で形成される。
本発明の一側面によれば、反射層１７０は銀にアルミニウムが約５質量％含まれた合金で形成する。このような銀−アルミニウム合金は、銀のみで形成すると生じるおそれのある悪い接着性及び熱的不安定性を改善させて優秀な接触性及び耐久性を提供することができるため好ましい。
望ましくは、反射層１７０は、１００ｎｍ以上の厚さを持つ膜とすることが望ましい。
さらに望ましくは、反射層１７０は１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚さに形成する。
反射層１７０も前述された蒸着方式により形成すればよい。
望ましくは、マルチオーム接触層１６０及び反射層１７０を、連続的な蒸着工程を行った以後に共に前述された方法で熱処理することが望ましい。
このような構造のオーム接触電極は、２００℃以上の温度で発生する表面劣化現象を防止し、酸化に安定的でかつ高い反射率を元来通り持つことができて高効率の発光素子を具現できる。
一方、図示された例では、ｐ型クラッド層１５０と反射層１７０との間に改質金属層１６０ａ／透明伝導性薄膜層１６０ｂのみよりなる構造が適用されたが、ｐ型クラッド層１５０と反射層１７０との間に改質金属層１６０ａ及び透明伝導性薄膜層１６０ｂを反復的に積層した構造を適用できる。
以下では、ＧａＮを主成分とした発光素子の製造過程の一例を図２を参照して説明する。
まず、基板１１０上にｎ型ＧａＮを成長させてｎ型クラッド層１３０を形成する（段階２１０）。
次いで、ｎ型クラッド層１３０上に活性層１４０を成長させ（段階２２０）、その上にｐ型ＧａＮを成長させてｐ型クラッド層１５０を形成する（段階２３０）。
以後、ｎ型電極パッド１９０を設置するための空間を確保するために、一部をエッチングしてＭＥＳＡ構造に製作する（段階２４０）。
次いで、ｐ型クラッド層１５０上にマルチオーム接触層１６０と反射層１７０とを連続工程で蒸着し（段階２５０及び段階２６０）、前述された熱処理条件で熱処理を行う（段階２７０）。
これとは違って、前記図示された図面と同一工程については同一参照符号を表記した図３に図示されたように、マルチオーム接触層１６０を形成した後（段階２５０）、前記の条件で１次熱処理を行い（段階３６０）、反射層１７０を蒸着した後に２次熱処理を行ってもかまわない（段階３８０）。
１１０ 基板、
１２０ バッファ層、
１３０ ｎ型クラッド層、
１４０ 活性層、
１５０ ｐ型クラッド層、
１６０ マルチオーム接触層、
１６０ａ 改質金属層、
１６０ｂ 透明伝導性薄膜層、
１７０ 反射層、
１８０ ｐ型電極パッド、
１９０ ｎ型電極パッド。
１２０ バッファ層、
１３０ ｎ型クラッド層、
１４０ 活性層、
１５０ ｐ型クラッド層、
１６０ マルチオーム接触層、
１６０ａ 改質金属層、
１６０ｂ 透明伝導性薄膜層、
１７０ 反射層、
１８０ ｐ型電極パッド、
１９０ ｎ型電極パッド。
Claims (14)
- ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層が設けられたフリップチップ型窒化物系発光素子において、
前記ｐ型クラッド層と前記反射層との間に改質金属層および透明伝導性薄膜層からなる積層反復単位が少なくとも一回積層されたマルチオーム接触層を備え、
前記改質金属層は銀を含むことを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子。 - 前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物と透明伝導性窒化物とのいずれか一つで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することを特徴とする請求項２に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記透明伝導性酸化物は、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素のからなる群より選択される少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものを含むことを特徴とする請求項２に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上で形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- 前記透明伝導性薄膜層は１０ｎｍないし１０００ｎｍの厚さを有し、前記反射層は１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子。
- ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層を持ち、前記ｐ型クラッド層上に反射層を持つフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法において、
基板上に前記ｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層が順次に積層された発光構造体の前記ｐ型クラッド層上に、改質金属層および透明伝導性薄膜層からなる積層反復単位を少なくとも一回積層してマルチオーム接触層を形成する段階と、
前記マルチオーム接触層上に反射層を形成する段階とを含み、
前記改質金属層は銀を含むことを特徴とするフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。 - 前記透明伝導性薄膜層は、透明伝導性酸化物と透明伝導性窒化物とのいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記透明伝導性薄膜層はチタン及び窒素を含有することを特徴とする請求項９に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記透明伝導性酸化物はインジウム、錫、亜鉛、ガリウム、カドミウム、マグネシウム、ベリリウム、銀、モリブデン、バナジウム、銅、イリジウム、ロジウム、ルテニウム、タングステン、コバルト、ニッケル、マンガン、アルミニウム、およびランタン系列元素からなる群より選択される少なくとも一つ以上の成分と酸素とが結合されて形成されたものを含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記改質金属層は１ｎｍないし２０ｎｍの厚さに形成することを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記マルチオーム接触層の形成段階以後または前記反射層の形成段階以後に熱処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
- 前記反射層は銀、銀酸化物、アルミニウム、亜鉛、チタン、ロジウム、マグネシウム、パラジウム、及びルテニウムからなる群より選択される少なくとも一つ以上で形成することを特徴とする請求項８に記載のフリップチップ型窒化物系発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2003-094684 | 2003-12-22 | ||
| KR1020030094684A KR100590532B1 (ko) | 2003-12-22 | 2003-12-22 | 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005184006A true JP2005184006A (ja) | 2005-07-07 |
| JP5084101B2 JP5084101B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=34675912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004371545A Active JP5084101B2 (ja) | 2003-12-22 | 2004-12-22 | フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7190002B2 (ja) |
| JP (1) | JP5084101B2 (ja) |
| KR (1) | KR100590532B1 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7190002B2 (en) | 2007-03-13 |
| US7491564B2 (en) | 2009-02-17 |
| US20070122925A1 (en) | 2007-05-31 |
| KR20050063293A (ko) | 2005-06-28 |
| KR100590532B1 (ko) | 2006-06-15 |
| US20050133803A1 (en) | 2005-06-23 |
| JP5084101B2 (ja) | 2012-11-28 |
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