JP2002185041A - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
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- JP2002185041A JP2002185041A JP2000382164A JP2000382164A JP2002185041A JP 2002185041 A JP2002185041 A JP 2002185041A JP 2000382164 A JP2000382164 A JP 2000382164A JP 2000382164 A JP2000382164 A JP 2000382164A JP 2002185041 A JP2002185041 A JP 2002185041A
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- silicon
- silicon substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 窒化物系半導体層の積層構造を有する半導体
素子をチップ状にカッティングし易くすることにより端
面におけるチッピングの発生を抑制する。 【解決手段】 本発明に係る半導体素子は、シリコン基
板１上にＡｌxＧａyＩｎ zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）で表される
化合物半導体層２〜５を有し、シリコン基板１は（１１
２）面から任意の方向に±５度の範囲にある面で構成さ
れる主面を有し、この主面上に上記化合物半導体層２〜
５を形成する。
素子をチップ状にカッティングし易くすることにより端
面におけるチッピングの発生を抑制する。 【解決手段】 本発明に係る半導体素子は、シリコン基
板１上にＡｌxＧａyＩｎ zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）で表される
化合物半導体層２〜５を有し、シリコン基板１は（１１
２）面から任意の方向に±５度の範囲にある面で構成さ
れる主面を有し、この主面上に上記化合物半導体層２〜
５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子に関
し、特に、（１１２）面から任意の方向に±５度の範囲
内にある面で構成される主面を有するシリコン基板上に
窒化物系半導体層を積層した窒化物系半導体素子に関す
る。
し、特に、（１１２）面から任意の方向に±５度の範囲
内にある面で構成される主面を有するシリコン基板上に
窒化物系半導体層を積層した窒化物系半導体素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＩｎＮ，ＡｌＮおよびそれらの
混晶半導体からなる窒化物半導体材料を用いて、これま
でサファイア基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板もしくはシ
リコン（１１１）基板上にＩｎxＧａ1-xＮ結晶を発光層
として用いた発光素子が作製されている。
混晶半導体からなる窒化物半導体材料を用いて、これま
でサファイア基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板もしくはシ
リコン（１１１）基板上にＩｎxＧａ1-xＮ結晶を発光層
として用いた発光素子が作製されている。
【０００３】たとえば、特開平５−３４３７４１号公報
には、シリコン（１１１）基板上に形成した窒化ガリウ
ム系半導体素子が開示されている。
には、シリコン（１１１）基板上に形成した窒化ガリウ
ム系半導体素子が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シリコン基板は、安
価、高品質でしかも大面積の基板が得られるため、この
シリコン基板を窒化物系半導体素子に用いることによ
り、従来の基板を用いた場合と比べ、より安価な半導体
素子を作製することが可能となる。
価、高品質でしかも大面積の基板が得られるため、この
シリコン基板を窒化物系半導体素子に用いることによ
り、従来の基板を用いた場合と比べ、より安価な半導体
素子を作製することが可能となる。
【０００５】しかしながら、従来シリコン基板上に窒化
物系半導体層をエピタキシャル成長させる場合、主に
（１１１）面を主面とするシリコン基板を用いていたた
め、この基板を正方形のチップにカッティングする際に
結晶学的にカットし難く、カッティング後に端面にチッ
ピングが生じ易くなるという問題があった。
物系半導体層をエピタキシャル成長させる場合、主に
（１１１）面を主面とするシリコン基板を用いていたた
め、この基板を正方形のチップにカッティングする際に
結晶学的にカットし難く、カッティング後に端面にチッ
ピングが生じ易くなるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するものであ
る。本発明は、窒化物系半導体層の積層構造を有する半
導体素子をチップ状にカッティングし易くすることによ
り端面におけるチッピングの発生を抑制することを目的
とする。
る。本発明は、窒化物系半導体層の積層構造を有する半
導体素子をチップ状にカッティングし易くすることによ
り端面におけるチッピングの発生を抑制することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体素子
は、１つの曲面では、シリコン基板上にＩｎxＧａyＡｌ
zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１，０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体層を有し、上
記シリコン基板は（１１２）面から任意の方向に±５度
の範囲にある面で構成される主面を有し、この主面上に
化合物半導体層を有することを特徴とする。上記化合物
半導体層は、好ましくは中間層を介して前記主面上に形
成される。
は、１つの曲面では、シリコン基板上にＩｎxＧａyＡｌ
zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦
１，０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体層を有し、上
記シリコン基板は（１１２）面から任意の方向に±５度
の範囲にある面で構成される主面を有し、この主面上に
化合物半導体層を有することを特徴とする。上記化合物
半導体層は、好ましくは中間層を介して前記主面上に形
成される。
【０００８】本発明に係る半導体素子は、他の曲面で
は、（１１２）面から任意の方向に±５度の範囲にある
主面を有するシリコン基板と、この主面上に積層された
ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）で表される化合物半導
体層と、化合物半導体層上に形成された第１電極と、シ
リコン基板の裏面に形成された第２電極とを備える。
は、（１１２）面から任意の方向に±５度の範囲にある
主面を有するシリコン基板と、この主面上に積層された
ＩｎxＧａyＡｌzＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１）で表される化合物半導
体層と、化合物半導体層上に形成された第１電極と、シ
リコン基板の裏面に形成された第２電極とを備える。
【０００９】本願発明者は、ウェハの分割時に正方形の
チップにおける２方向の側面が、シリコン面の原子配列
において、それぞれの面のシリコンボンド数ができるだ
け少なく、その面に他のシリコン原子が配列することな
く一様に配列する関係を有する面を用いるとチップに分
割し易くなり、かつその面を用いて平坦なエピタキシャ
ル面が得られる必要があることを考慮して実験を行なっ
た結果、（１１２）面を主面として有するシリコン（１
１２）面基板を用いることを想到した。
チップにおける２方向の側面が、シリコン面の原子配列
において、それぞれの面のシリコンボンド数ができるだ
け少なく、その面に他のシリコン原子が配列することな
く一様に配列する関係を有する面を用いるとチップに分
割し易くなり、かつその面を用いて平坦なエピタキシャ
ル面が得られる必要があることを考慮して実験を行なっ
た結果、（１１２）面を主面として有するシリコン（１
１２）面基板を用いることを想到した。
【００１０】このシリコン基板を用いた場合、＜１１−
２＞，＜１−１０＞の２軸方向にシリコン基板を割り易
くなり、さらに中間層（バッファ層）を用いることで主
面上に平坦な窒化物系半導体層を形成することができ
た。
２＞，＜１−１０＞の２軸方向にシリコン基板を割り易
くなり、さらに中間層（バッファ層）を用いることで主
面上に平坦な窒化物系半導体層を形成することができ
た。
【００１１】そこで、この窒化物系半導体層上にＡｌＧ
ａＩｎＮ系窒化物半導体層を積層して半導体素子を作製
したところ、従来に比べ発光強度の高い半導体素子が得
られるとともに、チップ分割においても、スクライビン
グを行なうことでチッピングのない正方形の半導体素子
チップを得ることができた。
ａＩｎＮ系窒化物半導体層を積層して半導体素子を作製
したところ、従来に比べ発光強度の高い半導体素子が得
られるとともに、チップ分割においても、スクライビン
グを行なうことでチッピングのない正方形の半導体素子
チップを得ることができた。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を用いて説明する。図１は、本発明の１つの実
施の形態における窒化物半導体発光素子の断面図であ
る。
て、図１を用いて説明する。図１は、本発明の１つの実
施の形態における窒化物半導体発光素子の断面図であ
る。
【００１３】本実施の形態の窒化物半導体発光素子は、
シリコン（１１２）面基板１上に、順次積層されたｎ−
ＡｌＧａＩｎＮ層１０、ｎ−ＧａＩｎＮからなる第１ク
ラッド層２、ＧａxＩｎ1-xＮからなる発光層３、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＮからなるキャリアブロック層４、ｐ−Ｇａ
ＩｎＮからなる第２クラッド層５が順に積層された構造
を有する。
シリコン（１１２）面基板１上に、順次積層されたｎ−
ＡｌＧａＩｎＮ層１０、ｎ−ＧａＩｎＮからなる第１ク
ラッド層２、ＧａxＩｎ1-xＮからなる発光層３、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＮからなるキャリアブロック層４、ｐ−Ｇａ
ＩｎＮからなる第２クラッド層５が順に積層された構造
を有する。
【００１４】シリコン（１１２）面基板１の下面（裏
面）には電極１５が設けられ、第２クラッド層５の上面
には透明電極１６が設けられ、透明電極１６の上面の一
部にはボンディング電極１７が設けられる。
面）には電極１５が設けられ、第２クラッド層５の上面
には透明電極１６が設けられ、透明電極１６の上面の一
部にはボンディング電極１７が設けられる。
【００１５】発光層３は、ＧａxＩｎ1-xＮの組成ｘを変
えることにより、バンド間発光の波長を紫外から赤色ま
で変化させることができるが、本実施の形態では、青色
で発光するものとした。なお、ｘの値は０．８２であ
る。
えることにより、バンド間発光の波長を紫外から赤色ま
で変化させることができるが、本実施の形態では、青色
で発光するものとした。なお、ｘの値は０．８２であ
る。
【００１６】マグネシウムがドープされｐ型の第２クラ
ッド層５の抵抗は大きい。したがって、第２クラッド層
５の一端へボンディング電極１７のみから電流、すなわ
ち正孔を注入しても電流密度が発光層３の全域において
均一とならないおそれがある。
ッド層５の抵抗は大きい。したがって、第２クラッド層
５の一端へボンディング電極１７のみから電流、すなわ
ち正孔を注入しても電流密度が発光層３の全域において
均一とならないおそれがある。
【００１７】そこで、ボンディング電極１７と第２クラ
ッド層５の間に、第２クラッド層５のほぼ全面にわたる
薄膜の透明電極１６を設けている。この部分より、多く
の光を取出すことができる。
ッド層５の間に、第２クラッド層５のほぼ全面にわたる
薄膜の透明電極１６を設けている。この部分より、多く
の光を取出すことができる。
【００１８】ｎ型のシリコン（１１２）面基板１の上に
形成される電極１５には金属を用いればよく、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂのいずれかを含むことが、接
触抵抗および駆動電圧を下げることが可能となる点で望
ましい。
形成される電極１５には金属を用いればよく、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂのいずれかを含むことが、接
触抵抗および駆動電圧を下げることが可能となる点で望
ましい。
【００１９】また、ｐ型のＧａＮ第２クラッド層５に接
続される透明電極１６には、２０ｎｍ以下の膜厚の金
属、たとえばＴａ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕのいずれか、もしくはＩＴＯ等を用いる
ことが好ましい。それにより、密着性を向上し、接触抵
抗および駆動電圧を下げることが可能となる。
続される透明電極１６には、２０ｎｍ以下の膜厚の金
属、たとえばＴａ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕのいずれか、もしくはＩＴＯ等を用いる
ことが好ましい。それにより、密着性を向上し、接触抵
抗および駆動電圧を下げることが可能となる。
【００２０】次に、本実施の形態の窒化物半導体発光素
子の製造方法について説明する。洗浄したシリコン（１
１２）面基板１をＭＯＣＶＤ(Metal Organic ChemicalV
apor Deposition)装置内に導入し、水素（Ｈ2）雰囲気
の中で、約１１００℃の高温でクリーニングを行なう。
子の製造方法について説明する。洗浄したシリコン（１
１２）面基板１をＭＯＣＶＤ(Metal Organic ChemicalV
apor Deposition)装置内に導入し、水素（Ｈ2）雰囲気
の中で、約１１００℃の高温でクリーニングを行なう。
【００２１】ここで、シリコン基板１の主面には（１１
２）ジャスト面を用いたが、本発明者の実験において
は、すべての方向におよそ±５度の範囲内で傾いた面に
対して後述する平坦な窒化物半導体層が得られた。
２）ジャスト面を用いたが、本発明者の実験において
は、すべての方向におよそ±５度の範囲内で傾いた面に
対して後述する平坦な窒化物半導体層が得られた。
【００２２】その後、キャリアガスとしてＮ2を１０ｌ
／ｍｉｎ．流しながら、８００℃でＮＨ3とトリメチル
アルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭ
I）、ＳｉＨ4ガスをそれぞれ５ｌ／ｍｉｎ．、１０μｍ
ｏｌ／ｍｉｎ．、１７μｍｏｌ／ｍｉｎ．、０．１μｍ
ｏｌ／ｍｉｎ．導入して、約１０ｎｍの厚みのＡｌ0. 85
Ｉｎ0.15Ｎ層１０を成長する。
／ｍｉｎ．流しながら、８００℃でＮＨ3とトリメチル
アルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルインジウム（ＴＭ
I）、ＳｉＨ4ガスをそれぞれ５ｌ／ｍｉｎ．、１０μｍ
ｏｌ／ｍｉｎ．、１７μｍｏｌ／ｍｉｎ．、０．１μｍ
ｏｌ／ｍｉｎ．導入して、約１０ｎｍの厚みのＡｌ0. 85
Ｉｎ0.15Ｎ層１０を成長する。
【００２３】本例では、中間層にＡｌＩｎＮ層を用いた
が、ＡｌＮ層もしくはＡｌＧａＮ層、さらにはＡｌＧａ
ｌｎＮ層を中間層として用いても、同様の結果が得られ
た。
が、ＡｌＮ層もしくはＡｌＧａＮ層、さらにはＡｌＧａ
ｌｎＮ層を中間層として用いても、同様の結果が得られ
た。
【００２４】続いて同じ温度で、ＴＭＡの供給を停止
し、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＴＭＩ、ＳｉＨ4
ガスを約２０μｍｏｌ／ｍｉｎ．、１００μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ．、０．０５μｍｏｌ／ｍｉｎ．それぞれ導入し、
約３００ｎｍの厚さのシリコンドープＧａ0.92Ｉｎ0.08
Ｎ層である第１クラッド層２を成長する。
し、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、ＴＭＩ、ＳｉＨ4
ガスを約２０μｍｏｌ／ｍｉｎ．、１００μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ．、０．０５μｍｏｌ／ｍｉｎ．それぞれ導入し、
約３００ｎｍの厚さのシリコンドープＧａ0.92Ｉｎ0.08
Ｎ層である第１クラッド層２を成長する。
【００２５】この第１クラッド層２は、中間層であるＡ
ｌＩｎＮ層１０を堆積後、成長温度を高温に上げてＧａ
Ｎの層としてもよかったが、Ｉｎを含みＡｌを含まない
ＧａＩｎＮクラッド層を用いることで、低温成長が可能
となり、クラックの発生を抑制することができた。
ｌＩｎＮ層１０を堆積後、成長温度を高温に上げてＧａ
Ｎの層としてもよかったが、Ｉｎを含みＡｌを含まない
ＧａＩｎＮクラッド層を用いることで、低温成長が可能
となり、クラックの発生を抑制することができた。
【００２６】その後、ＴＭＡ，ＴＭＩ，ＴＭＧの供給を
停止して、基板温度を７６０℃まで降温し、インジウム
原料であるＴＭＩを６．５μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ＴＭＧ
を２．８μｍｏｌ／ｍｉｎ．導入し、Ｇａ0.82Ｉｎ0.18
Ｎ層よりなる３ｎｍの厚みの井戸層を成長する。
停止して、基板温度を７６０℃まで降温し、インジウム
原料であるＴＭＩを６．５μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ＴＭＧ
を２．８μｍｏｌ／ｍｉｎ．導入し、Ｇａ0.82Ｉｎ0.18
Ｎ層よりなる３ｎｍの厚みの井戸層を成長する。
【００２７】その後再び、８５０℃まで昇温し、ＴＭＧ
を１４μｍｏｌ／ｍｉｎ．導入し、ＧａＮよりなる障壁
層を成長する。同様に井戸層、障壁層の成長を繰り返
し、４ペアーからなる多重量子井戸層（ＭＱＷ）からな
る発光層３を成長する。
を１４μｍｏｌ／ｍｉｎ．導入し、ＧａＮよりなる障壁
層を成長する。同様に井戸層、障壁層の成長を繰り返
し、４ペアーからなる多重量子井戸層（ＭＱＷ）からな
る発光層３を成長する。
【００２８】上記発光層３の成長が終了した後、最後の
障壁層と同じ温度で、ＴＭＧを１１μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ．、ＴＭＡを１．１μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ＴＭＩを４
０μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ｐ型ドーピング原料ガスである
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）
を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ．流し、５０ｎｍの厚みのｐ型
Ａｌ0.20Ｇａ0.75Ｉｎ0.05Ｎキャリアブロック層４を成
長する。
障壁層と同じ温度で、ＴＭＧを１１μｍｏｌ／ｍｉ
ｎ．、ＴＭＡを１．１μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ＴＭＩを４
０μｍｏｌ／ｍｉｎ．、ｐ型ドーピング原料ガスである
ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）
を１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎ．流し、５０ｎｍの厚みのｐ型
Ａｌ0.20Ｇａ0.75Ｉｎ0.05Ｎキャリアブロック層４を成
長する。
【００２９】キャリアブロック層４の成長が終了する
と、同じ成長温度においてＴＭＡの供給を停止し、８０
ｎｍの厚みのｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｎからなる第２クラッ
ド層５の成長を行ない、発光素子構造の成長を終了す
る。成長が終了すると、ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＣｐ2Ｍ
ｇの供給を停止した後、室温まで冷却し、ＭＯＣＶＤ装
置より取出す。
と、同じ成長温度においてＴＭＡの供給を停止し、８０
ｎｍの厚みのｐ型Ｇａ0.9Ｉｎ0.1Ｎからなる第２クラッ
ド層５の成長を行ない、発光素子構造の成長を終了す
る。成長が終了すると、ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＣｐ2Ｍ
ｇの供給を停止した後、室温まで冷却し、ＭＯＣＶＤ装
置より取出す。
【００３０】その後、第２クラッド層５の上面に透明電
極１６を、さらにその上の一部にボンディング電極１７
を、シリコン（１１２）面基板１下面に電極１５を形成
し、本実施の形態の発光素子が完成する。
極１６を、さらにその上の一部にボンディング電極１７
を、シリコン（１１２）面基板１下面に電極１５を形成
し、本実施の形態の発光素子が完成する。
【００３１】このようにして作製した半導体素子の特性
を測定したところ、シリコン（１１２）面基板１用いた
ことにより、シリコン表面でのマクロステップが多く存
在するため二次元成長によって平坦な層が形成され、そ
れに伴い素子構造内の界面の急峻性が向上することで発
光に寄与しない漏れ電流が減少し、順方向電流２０ｍＡ
において３．０ｍＷと従来の半導体素子よりも発光強度
が高く、かつシリコン（１１２）面基板１を＜１１−２
＞，＜１−１０＞の２軸方向に容易に割ることができる
ので、チップ分離で形成されるシリコン端面にチッピン
グの少ない正方形のＬＥＤチップを作製することが可能
となった。
を測定したところ、シリコン（１１２）面基板１用いた
ことにより、シリコン表面でのマクロステップが多く存
在するため二次元成長によって平坦な層が形成され、そ
れに伴い素子構造内の界面の急峻性が向上することで発
光に寄与しない漏れ電流が減少し、順方向電流２０ｍＡ
において３．０ｍＷと従来の半導体素子よりも発光強度
が高く、かつシリコン（１１２）面基板１を＜１１−２
＞，＜１−１０＞の２軸方向に容易に割ることができる
ので、チップ分離で形成されるシリコン端面にチッピン
グの少ない正方形のＬＥＤチップを作製することが可能
となった。
【００３２】以上のように本発明の実施の形態について
説明を行なったが、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
説明を行なったが、今回開示した実施の形態はすべての
点で例示であって制限的なものではないと考えられるべ
きである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれる。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、（１１２）面から任意
の方向に±５度の範囲にある面で構成される主面を有す
るシリコン基板を用いているので、＜１１−２＞，＜１
−１０＞の２軸方向にシリコン基板を割り易くなり、チ
ップ状に分割した後の半導体素子の端面におけるチッピ
ングの発生を効果的に抑制することができる。
の方向に±５度の範囲にある面で構成される主面を有す
るシリコン基板を用いているので、＜１１−２＞，＜１
−１０＞の２軸方向にシリコン基板を割り易くなり、チ
ップ状に分割した後の半導体素子の端面におけるチッピ
ングの発生を効果的に抑制することができる。
【００３４】また、シリコン基板の主面上に平坦な窒化
物系半導体層を形成することができるので、従来に比べ
発光強度の高い半導体素子が得られる。
物系半導体層を形成することができるので、従来に比べ
発光強度の高い半導体素子が得られる。
【図１】 本発明の１つの実施の形態の発光素子を示す
断面図である。
断面図である。
１ シリコン（１１２）面基板、２ 第１クラッド層、
３ 発光層、４ キャリアブロック層、５ 第２クラッ
ド層、１０ ＡｌＩｎＮ層、１５ 電極、１６透明電
極、１７ ボンディング電極。
３ 発光層、４ キャリアブロック層、５ 第２クラッ
ド層、１０ ＡｌＩｎＮ層、１５ 電極、１６透明電
極、１７ ボンディング電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 善央 三重県津市大門15−10 (72)発明者 小出 典克 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA06 AA11 AA13 AA18 BA02 BA08 BA11 BA38 BB12 CA04 DA03 FA10 JA04 JA06 LA18 5F041 AA41 CA23 CA33 CA40 CA65 CA76
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン基板上にＡｌxＧａyＩｎzＮ
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，
０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体層を有する半導体
素子において、 前記シリコン基板は（１１２）面から任意の方向に±５
度の範囲にある面で構成される主面を有し、前記主面上
に前記化合物半導体層を有することを特徴とする、半導
体素子。 - 【請求項２】 前記化合物半導体層は、中間層を介して
前記主面上に形成される、請求項１に記載の半導体素
子。 - 【請求項３】 （１１２）面から任意の方向に±５度の
範囲にある主面を有するシリコン基板と、 前記主面上に積層されたＡｌxＧａyＩｎzＮ（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦
１）で表される化合物半導体層と、 前記化合物半導体層上に形成された第１電極と、 前記シリコン基板の裏面に形成された第２電極とを備え
た、半導体素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000382164A JP2002185041A (ja) | 2000-12-15 | 2000-12-15 | 半導体素子 |
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Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| US6730987B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-04 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor |
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| JP2005184001A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2010263189A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオード |
| JP2012231156A (ja) * | 2007-04-27 | 2012-11-22 | Azzurro Semiconductors Ag | Ｉｖ族基板表面上での窒化物半導体素子の層構造 |
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2000
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6730987B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-05-04 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor |
| US7030003B2 (en) | 2001-09-10 | 2006-04-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Compound semiconductor device, production method thereof, light-emitting device and transistor |
| US6844572B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2005184006A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | フリップチップ型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2005184001A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Samsung Electronics Co Ltd | トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| JP2012231156A (ja) * | 2007-04-27 | 2012-11-22 | Azzurro Semiconductors Ag | Ｉｖ族基板表面上での窒化物半導体素子の層構造 |
| JP2010263189A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-11-18 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光ダイオード |
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