CN104822319B

CN104822319B - 倾斜磁场线圈装置及磁共振成像装置

Info

Publication number: CN104822319B
Application number: CN201380061471.7A
Authority: CN
Inventors: 中康弘; 黑目明
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Fujifilm Healthcare Corp
Priority date: 2012-12-25
Filing date: 2013-12-18
Publication date: 2017-07-11
Anticipated expiration: 2033-12-18
Also published as: WO2014103827A1; US20150346297A1; US10060996B2; JP5887261B2; JP2014124195A; CN104822319A

Abstract

倾斜磁场线圈装置(2)具有：主线圈装置(3)，其在第一树脂(3a)中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈(3z)并整形；以及屏蔽线圈装置(4)，其在第二树脂(4a)中埋入抑制泄漏磁场的多个屏蔽线圈(4z)并整形，屏蔽线圈装置(4)具备与主线圈装置(3)对置并固定于主线圈装置(3)的对置区域(A1)及从主线圈装置(3)突出的突出区域(A2)，在突出区域(A2)中的第二树脂(4a)中埋入绝缘性的加固材料(5)。加固材料(5)在屏蔽线圈装置(4)的圆周方向上配置多个，优选在互相邻接的加固材料(5)之间填充第二树脂(4a)。加固材料(5)优选相对于屏蔽线圈(4z)等配置于主线圈装置(3)侧。

Description

倾斜磁场线圈装置及磁共振成像装置

技术领域

本发明涉及产生磁场强度倾斜的倾斜磁场的倾斜磁场线圈装置及具有该倾斜磁场线圈装置的磁共振成像装置(以下，称为MRI(Magnetic Resonance Imaging)装置)。

背景技术

MRI装置主要包括在摄像空间产生静磁场的静磁场磁铁、用于产生来自被检测者的核磁共振(NMR：Nuclear Magnetic Resonance)信号的RF线圈、为了对信号给予位置信息而产生倾斜磁场的倾斜磁场线圈装置。并且，在倾斜磁场线圈装置中，产生倾斜磁场的主线圈装置与配置于主线圈装置的外侧且抑制其产生泄漏磁场的屏蔽线圈装置一体化。主线圈装置与屏蔽线圈装置呈筒形状，屏蔽线圈装置的轴长为了得到充分遮蔽从主线圈装置的泄漏磁场的充分的电磁屏蔽效果，比主线圈装置的轴长还长。因此，屏蔽线圈装置从主线圈装置的端部突出。另一方面，提出了以不会给被检测者带来压迫感的方式在被检测者的肩宽方向得到充分的空间的方案(例如参照专利文献1等)。在专利文献1中，倾斜磁场线圈的外周面沿圆筒形状，但就内周面而言，被检测者的肩宽的方向比其他方向宽。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-072461号公报

发明内容

发明所要解决的课题

以往，倾斜磁场线圈装置呈圆筒形状，为了扩大被检测者进入的空间，该圆筒形成得薄。因此，从主线圈装置的端部突出的部位的屏蔽线圈装置形成得更薄。由此，刚性下降，MRI装置工作时的屏蔽线圈装置的振动振幅增大，有可能导致在主线圈装置与从其端部突出的屏蔽线圈装置的接合界面的剥离等损伤。

另外，如专利文献1那样，倾斜磁场线圈装置的外周面为圆筒状而内周面在被检测者的肩宽的方向宽时，倾斜磁场线圈装置在圆周方向局部形成得更薄。即使如此，也有可能局部地产生在上述接合界面的剥离等损伤。

因此，本发明所要解决的课题在于提供即使形成得薄也难以损伤的倾斜磁场线圈装置及搭载该倾斜磁场线圈装置的MRI装置。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明是一种倾斜磁场线圈装置，其具有：主线圈装置，其在第一树脂中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈并整形；以及屏蔽线圈装置，其在第二树脂中埋入抑制上述泄漏磁场的多个屏蔽线圈并整形，

上述屏蔽线圈装置具备与上述主线圈装置对置并固定于上述主线圈装置的对置区域及从上述主线圈装置突出的突出区域，

在上述突出区域中的上述第二树脂中埋入绝缘性的加固材料。

另外，本发明是MRI装置，其具有在时间上且空间上产生均匀的静磁场的静磁场磁铁装置，在摄像空间中，上述倾斜磁场与上述静磁场重合。

发明效果

根据本发明，能够提供即使形成得薄也难以损伤的倾斜磁场线圈装置及搭载该倾斜磁场线圈装置的MRI装置。另外，上述以外的课题、结构及效果通过以下的实施方式的说明变得明确。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的磁共振成像装置(MRI装置：水平磁场型)的纵剖视图。

图2是透视外装罩并从z轴方向观察本发明的第一实施方式的MRI装置(水平磁场型)的侧视图。

图3是放大本发明的第一实施方式的MRI装置的纵剖视图中的、倾斜磁场线圈装置的端部与其周围的放大图。

图4A是加固材料的立体图。

图4B是设于本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置的屏蔽线圈装置的制造途中的立体图(其一)。

图5是设于本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置的屏蔽线圈装置的制造途中的立体图(其二)。

图6是设于本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置的屏蔽线圈装置的制造途中的立体图(其三)。

图7A是设于本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置的加固材料的立体图。

图7B是放大本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置的纵剖视图的、其端部与其周边的放大图。

图8是放大本发明的第三实施方式的倾斜磁场线圈装置的纵剖视图的、其端部与其周边的放大图。

图9是透视外装罩并从z轴方向观察本发明的第四实施方式的MRI装置(水平磁场型)的侧视图。

图10是本发明的第五实施方式的MRI装置(垂直磁场型)的纵剖视图。

具体实施方式

接着，适当参照附图详细地说明本发明的实施方式。另外，在各图中，对共同的部分标注相同的符号并省略重复的说明。

(第一实施方式)

图1表示本发明的第一实施方式的磁共振成像装置(MRI装置：水平磁场型)的纵剖视图。图1是用沿被检测者10的体轴方向的平面剖切MRI装置1的剖视图。利用MRI装置1，利用在向置于均匀的静磁场12中的被检测者10照射高频脉冲时产生的核磁共振现象，能够得到表示被检测者10的物理、化学性质的剖面图像。并且，该剖面图像尤其用于医疗。

MRI装置1具有在供被检测者10插入的摄像空间11产生时间且空间上均匀的静磁场12的静磁场磁铁装置6、为了在该摄像空间11与静磁场12重合地给予位置信息而在空间上以脉冲状产生磁场强度有坡度的倾斜磁场13的倾斜磁场线圈装置2、向被检测者10照射高频脉冲且从被检测者10的生物体组织的原子核发出磁共振信号的RF线圈7、接收该磁共振信号的接收线圈(省略图示)、对接收的磁共振信号进行处理并显示图像的计算机系统(省略图示)、以及在载置被检测者10的状态下向摄像空间11移动的移动式床9。另外，MRI装置1具有以覆盖静磁场磁铁装置6与倾斜磁场线圈装置2的方式配置的外装罩8。另外，RF线圈7配置于倾斜磁场线圈装置2的摄像空间11侧，从被检测者10观察时，看上去覆盖倾斜磁场线圈装置2，因此，能认为兼作外装罩8的一部分。另外，倾斜磁场线圈装置2与RF线圈7通过支撑体14、15固定于静磁场磁铁装置6。

作为静磁场磁铁装置6，以在摄像空间11产生的均匀的静磁场12的磁场方向是水平方向的场合为例进行说明。静磁场磁铁装置6可以使用由致冷剂冷却且成为超电导状态的超电导线圈那样的线圈6a，也可以使用永久磁铁(磁性体)，也可以使用双方。在该第一实施方式中，以使用线圈6a的场合为例进行说明。即，静磁场磁铁装置6具有在被检测者10的体轴方向配置多个(在图1的例子中为七个)的环状线圈6a、与致冷剂液体氦一起收纳该线圈6a且冷却线圈6a的液体氦容器6d、对来自真空容器6b的辐射热进行屏蔽的辐射屏蔽件6c、以及在真空环境下收纳这些的真空容器6b。真空容器6b为空心圆筒形状。空心圆筒形状的真空容器6b的外周壁和两端的开口端壁与外装罩8对置。空心圆筒形状的真空容器6b的内周壁与倾斜磁场线圈装置2的圆筒形状的外周壁对置。真空容器6b需要真空耐力，因此，为对不锈钢部件进行焊接等而成的结构。摄像空间11被圆筒形状的静磁场磁铁装置6包围。静磁场磁铁装置6在摄像空间11中，在圆筒形状的静磁场磁铁装置6的中心轴方向(z轴方向)产生强力且均匀的静磁场12。被检测者10由移动式床9运到摄像空间11。

倾斜磁场线圈装置2大致呈筒形状。倾斜磁场线圈装置2为与静磁场磁铁装置6同轴的筒形状且配置在其内侧。倾斜磁场线圈装置2在摄像空间11中，磁场的方向是与静磁场12相同的方向，在任意的方向以脉冲状产生磁通密度(磁场密度)倾斜的倾斜磁场13。在倾斜磁场线圈装置2中，通常如图1所示，将静磁场12的磁场方向(水平方向)作为z轴，在与z轴正交的垂直方向获得y轴，在与z轴和y轴正交的方向获得x轴，在这些x、y、z三方向的各个方向上，倾斜磁场线圈装置2能够产生磁场强度在其方向上倾斜的倾斜磁场13。例如，图1所示的倾斜磁场13的例子是在y方向倾斜的倾斜磁场。

倾斜磁场线圈装置2具有产生磁场强度倾斜的倾斜磁场13的筒形状的主线圈装置3、抑制其泄漏磁场的筒形状的屏蔽线圈装置4。并且，主线圈装置3与屏蔽线圈装置4利用层间树脂2a粘接并一体化。主线圈装置3为插入筒形状的屏蔽线圈装置4的形态。屏蔽线圈装置4的轴长为了得到遮蔽来自主线圈装置3的泄漏磁场的充分的电磁屏蔽效果，比主线圈装置3的轴长还长。因此，屏蔽线圈装置4从主线圈装置3的端部突出。屏蔽线圈装置4具有与主线圈装置3对置且固定于主线圈装置3的对置区域A1、从主线圈装置3突出的突出区域A2。在MRI装置1中，为了扩大被检测者10进入的空间，倾斜磁场线圈装置2的筒形状形成得薄。筒形状的主线圈装置3与屏蔽线圈装置4也形成得薄。这样，较薄的主线圈装置3与屏蔽线圈装置4能够由无架线圈形成。因此，屏蔽线圈装置4的突出区域A2也薄。因此，在突出区域A2中设有绝缘性的加固材料5。加固材料5由FRP(Fiber Reinforced Plastics)等绝缘性部件制造。利用加固材料5，提高突出区域A2的刚性，MRI装置1工作时的屏蔽线圈装置4的突出区域A2的振动振幅降低，能抑制在突出区域A2的根侧的主线圈装置3与屏蔽线圈装置4的接合界面产生剥离等损伤。加固材料5配置于屏蔽线圈装置4的主线圈装置3(层间树脂2a)侧。上述加固材料5不仅在突出区域A2，也延伸至上述对置区域A1。加固材料5在突出区域A2的轴向(z轴方向)的长度L1与加固材料5在对置区域A1的轴向的长度L2大致相等(L1＝L2)。

在倾斜磁场线圈装置2的摄像空间11侧设有向被检测者10照射高频脉冲磁场的RF线圈7。RF线圈7大致是圆筒形，与静磁场磁铁装置6、倾斜磁场线圈装置2同轴，具有与z轴一致的中心轴。

外装罩8覆盖静磁场磁铁装置6、倾斜磁场线圈装置2与RF线圈7，但如图1所示，在外装罩8上嵌入RF线圈7，RF线圈7可以兼作外装罩8。外装罩8由FRP(Fiber ReinforcedPlastics)等绝缘性部件制造。RF线圈7可以设置于倾斜磁场线圈装置2的摄像空间11侧的内壁面。在屏蔽线圈装置4的突出区域A2未设有主线圈装置3，因此，能够为使外装罩8的开口部的直径越向外侧越宽的喇叭形状。即使利用该结构，也能不对被检测者10带来压迫感。

图2表示透视外装罩8并从z轴方向观察本发明的第一实施方式的MRI装置(水平磁场型)1的侧视图。静磁场磁铁装置6与倾斜磁场线圈装置2的屏蔽线圈装置4为以z轴为中心轴的大致圆筒形状。倾斜磁场线圈装置2的主线圈装置3与RF线圈7是剖面为大致椭圆形状的筒，与y轴方向的内径(长度)相比，x轴方向的内径(长度)大。由此，被检测者10(参照图1)能在其肩宽的方向(x轴方向)确保充分的空间，能够舒适地躺着。由此，能释放对被检测者10的压迫感。并且，倾斜磁场线圈装置2的主线圈装置3与屏蔽线圈装置4的间隔D2(层间树脂2a的厚度)在绕z轴的圆周方向不同。具体地说，从z轴朝x轴方向的部位的间隔D2(层间树脂2a的厚度)在圆周方向极小(最小)，层间树脂2a局部形成得薄。

在层间树脂2a，为了配置被称为垫片的磁性体的小片(铁片)，设有多个垫片托盘16。多个垫片托盘16沿圆周方向等间隔地排列。通过对每个垫片托盘16配置不同质量的磁性体(垫片)，能够以包括MRI装置1以外的装置产生的磁场的影响地将静磁场磁铁装置6生成的摄像空间11中的静磁场12的均匀性提高为规定值以上，且其磁场强度均匀的方式进行调整。

另外，主线圈装置3具有产生倾斜磁场的主线圈3z、3y、3x。主线圈3z、3y、3x埋入第一树脂3a中，并整形为筒形状。

另外，屏蔽线圈装置4具有抑制上述泄漏磁场的屏蔽线圈4z、4y、4x、上述加固材料5、衬垫4b、绝缘薄片4c。屏蔽线圈4z、4y、4x埋入第二树脂4a，整形为圆筒形状。上述加固材料5与衬垫4b也被埋入第二树脂4a。加固材料5与衬垫4b分别在屏蔽线圈装置4的圆周方向上配置多个。并且，在互相邻接的加固材料5彼此之间与互相邻接的加固材料5和衬垫4b之间填充第二树脂4a，相互进行固定。互相邻接的加固材料5彼此的圆周方向的间隔D3为1mm～数十mm左右。设置间隔D3是为了确保为了使屏蔽线圈装置4一体化而填充的第二树脂4a的流动性，防止在屏蔽线圈装置4内产生间隙。互相邻接的加固材料5与衬垫4b的圆周方向的间隔也为1mm～数十mm左右。另外，在图2中，邻接的加固材料5彼此的间隔D3比邻接的加固材料5与衬垫4b的间隔窄，但并未限定于此。间隔D3可以与邻接的加固材料5和衬垫4b的间隔相等，也可以比之宽。另外，在本说明书中，数十mm表示20mm以上且30mm以下。

另外，相邻的衬垫4b彼此的圆周方向的间隔D4为50mm～150mm左右。加固材料5与衬垫4b的表面沿屏蔽线圈装置4的侧面(屏蔽线圈4z、4y、4x)。加固材料5的圆周方向的宽度W1与衬垫4b的圆周方向的宽度W2为10mm～数十mm左右。因此，当宽度W1与宽度W2小时，将加固材料5与衬垫4b视为大致长方体的棒(板)，当大时，为弯曲的板形状。另外，在图2中，将宽度W1描绘得比宽度W2小，但并未限定于此。宽度W1与宽度W2可以相等，也可以比之大。

另外，加固材料5、衬垫4b与绝缘薄片4c相对于屏蔽线圈4z、4y、4x配置于主线圈装置3(层间树脂2a)侧。绝缘薄片4c在圆周方向的整周，一侧与层间树脂2a粘接，其相反侧粘接于第二树脂4a。另外，加固材料5与衬垫4b设置在设置了构成屏蔽线圈4z、4y、4x的线圈导体的假想圆筒曲面S上。即，加固材料5与衬垫4b在假想圆筒曲面中，与屏蔽线圈4z、4y、4x接触。假想圆筒曲面S是以z轴为中心轴的圆筒形状，以距离D1为半径。多个衬垫4b在圆周方向上等间隔地配置。在相邻的衬垫4b之间配置多个(在图2的例子中为两个)加固材料5。

图3表示放大本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置2的纵剖视图中的、其端部与其周边的放大图。该图3的放大图放大了图1的y轴的正侧且z轴的负侧区域内的一部分。主线圈装置3为了在x、y、z每一个方向独立地产生倾斜磁场13(参照图1)，具有三层的主线圈3z、3y、3x。另外，屏蔽线圈装置4分别与三层的主线圈3z、3y、3x对应地具有抑制泄漏磁场的三层屏蔽线圈4z、4y、4z。另外，主线圈3z与屏蔽线圈4z各自的线圈导体为管状。能够使致冷剂在该管内流动，主线圈3z与屏蔽线圈4z还能冷却倾斜磁场线圈装置2。这种结构的倾斜磁场线圈装置2被称为主动屏蔽类型，静磁场12与倾斜磁场13的磁场强度均强，在产生高速的倾斜磁场脉冲的MRI装置1中普遍使用。并且，在三层的主线圈3z、3y、3x的层间夹持未图示的FRP材料等绝缘薄片。同样地，在三层的屏蔽线圈4z、4y、4z的层间夹持未图示的FRP材料等绝缘薄片。在主线圈装置3中，三层的主线圈3z、3y、3x与层间的绝缘薄片利用第一树脂3a粘接为层状并一体化。在屏蔽线圈装置4中，三层的屏蔽线圈4z、4y、4x与层间的绝缘薄片、加固材料5、衬垫4b与绝缘薄片4c利用第二树脂4a粘接为层状并一体化。

在上述主动屏蔽类型的倾斜磁场线圈装置2中，与主线圈3z、3y、3x相比，屏蔽线圈4z、4y、4x在z轴方向长。并且，在主动屏蔽类型的倾斜磁场线圈装置2中，主线圈3z、3y、3x与屏蔽线圈4z、4y、4x串联地连接，流经主线圈3z、3y、3x的电流的大小与流经屏蔽线圈4z、4y、4x的电流的大小大致相等，这些电流的方向大致为相反方向。由于主线圈3z、3y、3x与屏蔽线圈4z、4y、4x邻接地配置，因此，在主线圈3z、3y、3x所处的区域产生的上述静磁场12(参照图1)的磁场强度与方向和在屏蔽线圈4z、4y、4x所处的区域产生的上述静磁场12的磁场强度与方向大致相等。通过该静磁场12，电磁力(洛伦兹力)作用在主线圈3z、3y、3x与屏蔽线圈4z、4y、4x上。在主线圈3z、3y、3x与屏蔽线圈4z、4y、4x中，电流的大小相等，但电流方向是相反方向，因此，作用在各个上的电磁力的方向互相为相反方向。在主线圈3z、3y、3x与屏蔽线圈4z、4y、4x对置地配置的对置区域A1，电磁力抵消，其重心不运动(振动)。另一方面，在只配置屏蔽线圈4z、4y、4x的突出区域A2，电磁力不抵消地进行作用，使突出区域A2振动。该振动在使屏蔽线圈装置4从主线圈装置3剥离的方向运动。但是，加固材料5减小该振动的振幅，因此能抑制其剥离。

加固材料5在突出区域A2的轴向(z轴方向)的长度L1与加固材料5在对置区域A1的轴向的长度L2大致相等(L1＝L2)。即，在z轴方向位置中，加固材料5的中央位置P1与主线圈装置3的端面的位置P2大致一致。并且，长度L1与L2为50mm～150mm的范围内。如果在该范围内具有L1＝L2的关系，则运用利用有限要素法的仿真确认得到充分的振动抑制效果。即，不需要在对置区域A1的全部区域安装加固材料5，能容易且低成本地进行加固。另外，加固材料5的长度短，能在其间容易且可靠地填充第二树脂4a，能稳固且可靠地固定邻接的加固材料5彼此。

图4A表示加固材料5的立体图。以下，对本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置2的制造方法、尤其屏蔽线圈装置4的制造方法进行说明。在这些制造方法中，如图4A所示，以使用呈长方体形状的加固材料5的场合为例进行说明。

图4B表示设于本发明的第一实施方式的倾斜磁场线圈装置2的屏蔽线圈装置4的制造途中的立体图(其一)。屏蔽线圈装置4是所谓的无架线圈，在其制造方法中，首先，准备临时线轴17。临时线轴17具有圆筒形状的基体17a、分割为多个(在图4B的例子中为四个)且整体为圆筒形状的可动壁17c、能使可动壁17c相对于基体17a移动的可变衬垫17b。通过使可动壁17c移动，能对可动壁17c所具有的圆筒形状的外径进行扩缩。并且，在屏蔽线圈装置4的制造方法中，以使可动壁17c所具有的圆筒形状的外径与规定的屏蔽线圈装置4的内径大致相等的方式，使用可变衬垫17b进行设定。接着，在临时线轴17的可动壁17c上卷绕环氧玻璃制的薄绝缘薄片4c，使用临时固定用蜡等进行临时固定。在该绝缘薄片4c上粘贴多个加固材料5、比加固材料5长的衬垫4b。衬垫4b呈长方体的形状，在临时线轴17的圆周方向等间隔地配置。衬垫4b的长度方向与临时线轴17的轴向平行。衬垫4b从临时线轴17的轴向的一端部到达另一端部。加固材料5的长度方向的长度比衬垫4b的长度方向的长度的一半短，分别设在临时线轴17(衬垫4b)的轴向的两端。即，设于临时线轴17(衬垫4b)的一端侧的加固材料5从设于另一端侧的加固材料5离开。加固材料5在其两端沿临时线轴17的轴向配置多个。加固材料5配置于衬垫4b之间。在加固材料5彼此之间和加固材料5与衬垫4b之间设有间隙，第二树脂4a(参照图3)能容易地填充。由此，在两端形成由加固材料5与衬垫4b形成的环。相反地，也可以使加固材料5从一开始为环形状。在该情况下，只要在两端配置环形状的加固材料5，并在其间配置衬垫4b即可。加固材料5与衬垫4b能够使用陶瓷或环氧玻璃等树脂。在加固材料5与衬垫4b使用环氧玻璃等树脂的情况下，利用该树脂纺丝，利用该丝纺布(薄片化)，将该布层叠并浸渍该树脂互相粘贴等而提高其强度。所纺的丝(树脂)具有光学上偏光的特性，因此，具有这些丝的加固材料5或衬垫4b、第二树脂4a即使是环氧玻璃等同种树脂，也能明确地区别各自的区域。

接着，如图5所示，从加固材料5与衬垫4b上卷绕成为屏蔽线圈4z的线圈导体4d。利用加固材料5与衬垫4b、尤其衬垫4b，能够在轴向上以一定的直径卷绕屏蔽线圈4z。因此，衬垫4b的径向的厚度优选与加固材料5的径向厚度相等或更厚。另外，相邻的衬垫4b彼此的圆周方向的间隔D4只要相对于可动壁17c的外径(屏蔽线圈装置4的内径)充分小，为十分之一以下左右即可，为50mm～150mm左右。并且，由此，能抑制倾斜磁场的紊乱。另外，线圈导体4d实质上卷绕在临时线轴17上，因此能作用期望的张力地进行卷绕。

接着，如图6所示，准备屏蔽线圈4y与屏蔽线圈4x，并粘贴在屏蔽线圈4z(临时线轴17)上的规定位置。四个屏蔽线圈4y粘贴在从y轴方向夹持临时线轴17(屏蔽线圈4z)的位置。四个屏蔽线圈4x粘贴在从x轴方向夹持临时线轴17(屏蔽线圈4z)的位置。另外，在图6中，示意地表示使屏蔽线圈4y、4x为板形状，但实际上切割涡状的图案。另外，在屏蔽线圈4z、4y与4x的层间设有绝缘薄片。并且，屏蔽线圈4z、4y、4x、加固材料5、衬垫4b与绝缘薄片4c形成的间隙中流入熔化了的第二树脂4a，并封闭。当第二树脂4a固化时，它们互相粘接而一体化。最后，使临时固定用蜡溶化，使用可变衬垫17b缩小临时线轴17的可动壁17c的外径。由此，可动壁17c能够从屏蔽线圈装置4离开，将临时线轴17从屏蔽线圈装置4卸下。另外，在不使用临时固定用蜡将临时线轴17从屏蔽线圈装置4卸下的情况下，可以省略临时固定用蜡，也可以省略绝缘薄片4c。在该情况下，加固材料5与衬垫4b能够防止屏蔽线圈4z从屏蔽线圈装置4的内周面露出。主线圈装置3能够使用一般的无架线圈的制造方法制造。使完成的屏蔽线圈装置4与主线圈装置3在同心轴上位置重合，在屏蔽线圈装置4与主线圈装置3之间注入熔化了的层间树脂2a，并封闭。当层间树脂2a固化时，屏蔽线圈装置4与主线圈装置3互相粘接并一体化，倾斜磁场线圈装置2完成。另外，第二树脂4a与层间树脂2a能够使用环氧玻璃等。

(第二实施方式)

图7A表示设于本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置2的加固材料5的立体图。第二实施方式的加固材料5与第一实施方式的加固材料5的不同点在于具有槽5a。并且，随此，加固材料5的厚度与槽5a的深度相应地变厚。

图7B表示放大本发明的第二实施方式的倾斜磁场线圈装置2的纵剖视图中的、其端部与其周边的放大图。第二实施方式与第一实施方式的不同点在于，在设于加固材料5的槽5a中埋入屏蔽线圈4z的线圈导体4d。槽5a的深度与屏蔽线圈4z的线圈导体4d的高度大致一致。据此，由于能够使加固材料5的厚度与屏蔽线圈4z的线圈导体4d的高度相应地变厚，因此，能进一步提高加固材料5的刚性，提高加固效果。另外，由于能使线圈导体4d下的加固材料5的厚度更薄，因此，能够使屏蔽线圈装置4的厚度更薄。另外，由于利用槽5a对屏蔽线圈4z的线圈导体4d进行定位，因此，能减少屏蔽线圈4z的线圈导体4d的卷绕不均。

(第三实施方式)

图8表示放大了本发明的第三实施方式的倾斜磁场线圈装置2的纵剖视图中的、其端部与其周边的放大图。第三实施方式的加固材料5与第一实施方式的加固材料5不同点在于追加设于相邻的线圈导体4d之间的第一加固材料5b。在制造时，在卷绕屏蔽线圈4z的线圈导体4d后，在相邻的线圈导体4d之间安装第一加固材料5b。由此，能提高加固效果。另外，相邻的线圈导体4d的相对位置(距离)由第一加固材料5b规定，因此，能减少屏蔽线圈4z的线圈导体4d的卷绕不均。

(第四实施方式)

图9表示透视外装罩8并从z轴方向观察本发明的第四实施方式的MRI装置(水平磁场型)1的侧视图。第四实施方式与第一实施方式的不同点在于，在第一实施方式中，加固材料5在圆周方向上均匀地配置，在第四实施方式中，加固材料5在圆周方向上不均匀地配置。具体地说，主线圈装置3与屏蔽线圈装置4的间隔D2在圆周方向上变化，间隔D2宽的一方在第一范围R1的加固材料5的分布密度比间隔D2窄的一方在第二范围R2的加固材料5的分布密度低。在第二范围R2中，由于倾斜磁场线圈装置2的厚度比其他第一范围R1等薄，因此，可以预测在该范围的振动振幅最大。因此，能够使第二范围R2的加固材料5的分布密度比其他区域高。由此，能减少加固材料5的个数，减少成本。

(第五实施方式)

图10表示本发明的第五实施方式的MRI装置(垂直磁场型)1的纵剖视图。第五实施方式与第一实施方式的不同点在于不是水平磁场型，而是垂直磁场型。随此，静磁场磁铁装置6(真空容器6b)为上下一对的圆盘形状。倾斜磁场线圈装置2也为上下一对的圆盘形状。RF线圈7也为上下一对的圆盘形状。外装罩8也为圆盘形状。另外，将静磁场12的磁场方向(垂直方向)作为z轴，将与z轴正交的水平方向作为x轴，将与z轴、x轴正交的方向作为y轴。由此，图10所示的倾斜磁场13的例子表示在x方向倾斜的倾斜磁场。

另外，倾斜磁场线圈装置2的主线圈装置3为上下一对的圆盘形状。倾斜磁场线圈装置2的屏蔽线圈装置4也为上下一对的圆盘形状。主线圈装置3与屏蔽线圈装置4各自的互相对置的面彼此由层间树脂2a粘接。屏蔽线圈装置4的圆盘形状的直径为了得到遮蔽来自主线圈装置3的泄漏磁场的充分的电磁屏蔽效果，比主线圈装置3的圆盘形状的直径长。因此，屏蔽线圈装置4从主线圈装置3的端部突出。屏蔽线圈装置4具有与主线圈装置3对置且固定于主线圈装置3的对置区域A1、从主线圈装置3突出的突出区域A2。因此，具有屏蔽线圈装置4的突出区域A2的倾斜磁场线圈装置2的端部(外周部)薄。因此，在突出区域A2设有绝缘性的加固材料5。加固材料5不仅向突出区域A2，也向对置区域A1延伸。利用加固材料5，提高突出区域A2的刚性，减小MRI装置1工作时的屏蔽线圈装置4的突出区域A2的振动振幅，能抑制在突出区域A2的根侧的主线圈装置3与屏蔽线圈装置4的接合面的剥离等损伤的产生。加固材料5在突出区域A2的径向(例如x轴方向)的长度L1与加固材料5在对置区域A1的径向的长度L2大致相等(L1＝L2)。即，在屏蔽线圈装置4的圆盘形状的径向位置(例如x轴方向位置)，加固材料5的中央位置与主线圈装置3的端面的位置大致一致。据此，能可靠地降低上述振动振幅。另外，在第五实施方式中，由于未卷绕线圈导体4d，因此，能省略第一实施方式的衬垫4b。另外，在第五实施方式中，作为加固材料5的形状，可以不是长方体的板，能够使用俯视为扇形或在圆周方向上连续的环状的板。

并且，本发明并未限定于上述第一至第五实施方式，包括多种变形例。例如，上述第一至第五实施方式是为了使本发明容易明白地说明而详细地进行说明，未必限定于具备说明的全部的结构。另外，也能将某实施方式的结构的一部分置换为其他实施方式的结构，另外，也能在某实施方式的结构上追加其他实施方式的结构。另外，也能对各实施方式的结构的一部分进行其他结构的追加、删除、置换。

符号说明

1—磁共振成像(MRI)装置，2—倾斜磁场线圈装置，2a—层间树脂，3—主线圈装置，3x、3y、3z—主线圈，3a—第一树脂，4—屏蔽线圈装置，4x、4y、4z—屏蔽线圈，4a—第二树脂，4b—衬垫，4c—绝缘薄片，4d—构成屏蔽线圈的线圈导体，5—加固材料，5a—加固材料的槽，5b—第一加固材料，6—静磁场磁铁装置，6a—线圈，6b—真空容器，6c—辐射屏蔽件，6d—液体氦容器，7—RF线圈，8—外装罩，9—移动式床，10—被检测者，11—摄像空间，12—表示静磁场及其方向的箭头，13—表示倾斜磁场及其方向的箭头，14、15—支撑体，16—垫片托盘，17—临时线轴，17a—基体，17b—可变衬垫，17c—可动壁，A1—对置区域，A2—突出区域，D1—从加固材料的线圈导体设置面到中心轴的距离，D2—主线圈装置与屏蔽线圈装置的间隔，D3—邻接的加固材料的间隔，D4—相邻的衬垫彼此的圆周方向的间隔(50mm～150mm)，L1—加固材料在突出区域的轴向的长度(50mm～150mm)，L2—加固材料在对置区域的轴向的长度(50mm～150mm)，P1—加固材料的中央的位置，P2—主线圈装置的端面的位置，R1—第一范围(宽间隔范围)，R2—第二范围(窄间隔范围)，S—假想圆筒曲面，W1—加固材料的圆周方向的宽度(10mm～数十mm)，W2—衬垫的圆周方向的宽度(10mm～数十mm)。

Claims

1.一种倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

具有：

主线圈装置，其在第一树脂中埋入产生倾斜磁场与泄漏磁场的多个主线圈并整形；以及

屏蔽线圈装置，其在第二树脂中埋入抑制上述泄漏磁场的多个屏蔽线圈并整形，

2.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述主线圈装置与上述屏蔽线圈装置大致是圆盘形状，

上述主线圈装置与上述屏蔽线圈装置各自的互相对置的面彼此被粘接。

3.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述主线圈装置与上述屏蔽线圈装置大致是筒形状，

上述主线圈装置配置于上述屏蔽线圈装置的内侧。

4.根据权利要求3所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述屏蔽线圈装置大致是圆筒形状，

上述主线圈装置与上述屏蔽线圈装置的间隔在圆周方向上不同。

5.根据权利要求3所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

在上述对置区域，将在与假想圆筒曲面接触的位置具有用于设置线圈导体的表面的衬垫埋入上述第二树脂，该假想圆筒曲面以从上述加固材料的设置构成上述屏蔽线圈的上述线圈导体的面到上述屏蔽线圈装置的圆筒形状的中心轴的距离为半径。

6.根据权利要求5所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料与上述衬垫的圆周方向的宽度是10mm～30mm的范围内，

上述加固材料在上述突出区域的轴向长度是50mm～150mm的范围内，

相邻的上述衬垫彼此的圆周方向的间隔是50mm～150mm的范围内。

7.根据权利要求3所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述主线圈与上述屏蔽线圈是无架线圈。

8.根据权利要求4所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

在上述主线圈装置与上述屏蔽线圈装置的间隔不同的、宽的第一范围与窄的第二范围中，上述第二范围中的上述加固材料的分布密度比上述第一范围中的上述加固材料的分布密度高。

9.根据权利要求3所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料在上述屏蔽线圈装置的圆周方向上配置多个，

在互相邻接的上述加固材料之间填充上述第二树脂。

10.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料的表面沿上述屏蔽线圈装置的侧面。

11.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料相对于上述屏蔽线圈配置于上述主线圈装置侧。

12.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

在上述加固材料中设有槽，

在上述槽中设置构成上述屏蔽线圈的线圈导体。

13.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料具有设于相邻的上述线圈导体之间的第一加固材料。

14.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

上述加固材料向上述对置区域延伸。

15.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈装置，其特征在于，

在上述屏蔽线圈装置的筒形状的轴向位置或圆盘形状的径向位置，上述加固材料的中央位置与上述主线圈装置的端面的位置大致一致。

16.一种磁共振成像装置，其特征在于，

具有权利要求1至权利要求15任一项所述的倾斜磁场线圈装置以及在时间上且空间上产生均匀的静磁场的静磁场磁铁装置，

在摄像空间中，上述倾斜磁场与上述静磁场重合。