JP5931612B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明は、静磁場発生装置と傾斜磁場発生装置を備えた磁気共鳴イメージング(以下、ＭＲＩ；Magnetic Resonance Imagingと称す)装置に関する。

ＭＲＩ装置は、原子核の核磁気共鳴現象を利用して撮像空間内に置かれた被検体の物理的性質を表す磁気共鳴画像（断層画像）を得るものである。一般に、ＭＲＩ装置は、撮像空間に均一磁場（静磁場）を発生させる静磁場発生源を有する静磁場発生装置と、被検体の生体組織の原子核に核磁気共鳴を生じさせるための高周波の電磁波を発生させる照射コイルと、核磁気共鳴により発生する核磁気共鳴信号を検出する受信コイルと、核磁気共鳴信号に位置情報を付与するために均一磁場に重畳して傾斜磁場を発生させる傾斜磁場発生源を有する傾斜磁場発生装置を備えている。ＭＲＩ装置の撮影時には、傾斜磁場発生装置によって、所望のパルスシーケンスにしたがい、均一磁場中に置かれた被検体にＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に線形な傾斜磁場が重畳され、被検体の原子スピンがラーモア周波数で磁気的に励起される。この励起に伴い、磁気共鳴信号が検出され、被検体の磁気共鳴画像、例えば、２次元の断層画像が再構成される。

撮像の際に傾斜磁場発生源に電流が流れると、撮像空間に線形傾斜磁場が発生すると同時に、静磁場発生装置の側に漏れる磁場も発生する。この漏れ磁場により、静磁場発生装置の導電性部材に渦電流が発生し、静磁場とカップリングして生じるローレンツ力による導電性部材の振動や、導電性部材のジュール発熱を引き起こす。ＭＲＩ装置の振動は、断層画像の劣化と撮像時の騒音の原因となり、また、ジュール発熱は、静磁場発生装置の温度上昇を引き起こし、冷媒の消費や磁性体の磁化変化による断層画像の劣化を生じさせる原因となる。

この漏れ磁場の抑制に関する従来技術として、傾斜磁場発生源を内部に有するように電気導体板を剛に設置することで、傾斜磁場発生源から静磁場発生装置の側に漏れる磁場を遮蔽し、静磁場発生装置に生じる渦電流とローレンツ力を低減し、静磁場発生装置の騒音を低減する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、静磁場発生装置内側の常温ボアに、円筒状の電気導体を円筒中心軸に沿って複数個に分割することで、液体ヘリウムの蒸発量を抑えつつ、渦電流による画像への影響を低減する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

米国特許第６３２６７８８号明細書 特開平３−２３８４０号公報

一般的に、ＭＲＩ装置によって撮像される断層画像の画質を向上させるためには、静磁場強度や傾斜磁場強度（傾斜磁場発生源に流すパルス電流）を大きくすればよいことが知られている。しかし、単に、静磁場強度や傾斜磁場強度を大きくしても、前記した渦電流が増大して振動の振幅やジュール発熱が増大し、画質を向上させることができない。

まず、振動の、断層画像の劣化や騒音との関係について説明する。静磁場発生装置の導電性部材の振動は、前記漏れ磁場による渦電流によって生じる。そして、この振動に伴い静磁場発生源が発生させる静磁場によって静磁場発生装置の導電性部材に別の渦電流が誘導される。これらの渦電流が、撮像空間に不要な磁場（誤差磁場）を発生させて均一磁場を乱すことで、断層画像が劣化する。また、静磁場発生装置の導電性部材の振動が、静磁場発生装置全体や傾斜磁場発生装置に伝わって振動し、さらにその振動が空気に伝わることで放射音（騒音）が発生する。この騒音は、撮像空間内に仰臥している被検体や検査者に不快感・不安感を与える。

次に、前記ジュール発熱の、断層画像の劣化や冷媒の消費量増大との関係について説明する。静磁場発生装置に磁性体が使われていると、その磁性体（導電性部材）に渦電流が生じ、渦電流によるジュール発熱で磁性体の温度が上昇する。これにより、磁化が変化して静磁場の均一度が悪化することで、断層画像が劣化する。また、冷媒を納めた導電性容器（導電性部材）に生じた渦電流のジュール発熱によって導電性容器の温度さらには冷媒の温度が上昇し、冷媒の消費量が増加する。また、冷媒を納めた導電性容器（冷却容器）の外側に配置された輻射熱を遮蔽する輻射シールドに生じた渦電流によるジュール発熱により輻射シールドの温度が上昇し、輻射シールドから冷却容器への輻射熱が増加して冷却容器の温度が上昇し、冷媒の消費量が増加する。

前記課題を解決するために、本発明は、前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、電気抵抗が周囲より高いスリット状領域を有し、隣と隣接して積層される複数層の導電性部材を有し、前記導電性部材は、前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、互いに隣と径方向に隣接して積層され、前記静磁場発生源の円環状の周方向に略平行である前記スリット状領域を有する導電性の複数のリングとを有し、前記スリット状領域の内の少なくとも１つと、その他の前記スリット状領域とは、前記傾斜磁場発生装置の前記径方向からその外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように配置され、前記リングは、前記スリット状領域によって前記静磁場発生源の円環状の中心軸方向に分割され、前記周方向には連続しているＭＲＩ装置であることを特徴としている。
また、本発明は、前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、電気抵抗が周囲より高いスリット状領域を有し、隣と隣接して積層される複数層の導電性部材を有し、前記導電性部材は、前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、互いに隣と径方向に隣接して積層され、前記静磁場発生源の円環状の中心軸方向に略平行である前記スリット状領域を有する導電性の複数のリングとを有し、前記スリット状領域の内の少なくとも１つと、その他の前記スリット状領域とは、前記傾斜磁場発生装置の前記径方向からその外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように配置され、前記リングは、前記スリット状領域によって前記静磁場発生源の円環状の周方向に分割され、前記中心軸方向には連続しているＭＲＩ装置であることを特徴としている。

しかし、特許文献１では、電気導体（板）が傾斜磁場発生装置全体を覆うように設置されるため、電気導体（板）の撮像空間に近い位置で発生した渦電流が作る誤差磁場により、断層画像が劣化すると考えられる。また、特許文献２では、電気導体の分割部により渦電流が減少し誤差磁場は減少するが、分割部から漏れ磁場が漏れ、静磁場発生装置における漏れ磁場の低減が十分にできないと考えられる。前記より、誤差磁場低減（断層画像の劣化の抑制）と漏れ磁場低減の双方を両立させることが望ましい。

本発明が解決しようとする課題は、断層画像の劣化を抑制しつつ、漏れ磁場を低減できるＭＲＩ装置を提供することにある。

前記課題を解決するために、本発明は、前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、電気抵抗が周囲より高いスリット状領域を有し、隣と隣接して積層される複数層の導電性部材とを有し、一つの層の前記導電性部材の前記スリット状領域と、他の一つの層の前記導電性部材の前記スリット状領域とは、互いに離れているか、又は、互いに交差しているＭＲＩ装置であることを特徴としている。

本発明によれば、断層画像の劣化を抑制しつつ、漏れ磁場を低減できるＭＲＩ装置を提供できる。

本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置の斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置の縦断面図（切断面：ｙｚ平面）である。 本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置のｙｚ平面で切断した縦断面及びｘｙ平面で切断した横断面の、ｚｘ平面から上方部分の概略図である。 本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置に搭載されるリングの斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置のｙｚ平面で切断した縦断面及びｘｙ平面で切断した横断面の、ｚｘ平面から上方部分の概略図である。 本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置のｙｚ平面で切断した縦断面及びｘｙ平面で切断した横断面の、ｚｘ平面から上方部分の概略図である。 本発明の第４の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置のｙｚ平面で切断した縦断面及びｘｙ平面で切断した横断面の、ｚｘ平面から上方部分の概略図である。 本発明の第５の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置のｘｙ平面で切断した横断面の、ｘ軸から上方部分の概略図である。 本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の斜視図である。 本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の縦断面図（切断面：ｙｚ平面）である。 本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置のｚｘ平面で切断した縦断面のｘ軸から上方部分、及び、ｘｙ平面に平行な平面で切断した横断面のｚｘ平面からベッド側の概略図である。 本発明の第７の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置のｚｘ平面で切断した縦断面のｘ軸から上方部分、及び、ｘｙ平面に平行な平面で切断した横断面のｚｘ平面からベッド側の概略図である。

次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１に、本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置１の斜視図を示す。ＭＲＩ装置１は、被検体１０を内部の撮像空間８に導入可能な円筒形状の静磁場発生装置２と、導入された被検体１０の生体組織を構成する原子核に核磁気共鳴を起こさせるために高周波信号を照射する照射コイル４と、被検体１０から発せられる各々の信号に位置情報を与えるための傾斜磁場発生装置３と、傾斜磁場発生装置３の径方向外側に設けられる導体リング（導電性部材）５と、被検体１０から発せられる信号を受信するための受信コイル２２と、被検体１０を積載するベッド１１等で構成されている。

静磁場発生装置２は、被検体１０の生体組織を構成する原子のスピンを配向させるために、撮像空間８に均一磁場７（図２参照）を生成する。その均一磁場７の磁場を補正し、その均一度を高めるために、シムコイル（図示せず）が静磁場発生装置２の撮像空間８側に設けられている。静磁場発生装置２は、真空容器支持脚２ｆで支えられている。静磁場発生装置２は、水平方向に平行なｚ軸を中心軸とする円筒形状をしている。傾斜磁場発生装置３は、静磁場発生装置２の撮像空間８側に設けられている。傾斜磁場発生装置３は、静磁場発生装置２と中心軸を共通とする（ｚ軸を中心軸とする）円筒形状をしている。傾斜磁場発生装置３は、撮像空間８に、互いに直交する３方向、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向それぞれに沿って磁場強度が線形的に変化する傾斜磁場を発生させ、計測されるＮＭＲ信号に位置情報を持たせている。照射コイル４は、傾斜磁場発生装置３の撮像空間８側に設けられている。照射コイル４は、静磁場発生装置２と中心軸を共通とする（ｚ軸を中心軸とする）円筒形状をしている。照射コイル４は、被検体１０の生体組織を構成する原子の原子核に核磁気共鳴を起こさせるために、高周波信号を照射する。また、受信コイル２２が、核磁気共鳴による磁気共鳴信号（ＮＭＲ信号）を受け取るために、ベッド１１に取り付けられている。被検体１０の周囲を囲むように受信コイル２２が設けられている。導体リング５は、静磁場発生装置２の撮像空間８側に設けられている。導体リング５は、傾斜磁場発生装置３の径方向外側に設けられている。導体リング５は、静磁場発生装置２又は傾斜磁場発生装置３と中心軸を共通とする（ｚ軸を中心軸とする）円筒形状をしている。
なお、このＭＲＩ装置１では、その構造の理解を容易にするために、撮像空間８の中に原点を有するｘｙｚ座標系を設定している。ｚ軸の方向は均一磁場７（図２参照）の向き（静磁場発生装置２の中心軸の方向）に一致する方向に定義し、ｘ軸の方向は被検体１０が仰臥した時の左右方向（肩幅の方向）に一致する方向に定義し、ｙ軸の方向はｚ軸とｘ軸に直交する方向（上下方向）に定義している。

図２に、本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１の縦断面図（切断面：ｙｚ平面）を示す。静磁場発生装置２は、超電導コイルである複数のメインコイル（静磁場発生源）２ａと、超電導コイルである複数のシールドコイル（静磁場発生源）２ｂと、メインコイル２ａとシールドコイル２ｂを冷媒と共に収納し冷却する冷却容器２ｅと、冷却容器２ｅを覆い真空容器２ｃから放射される輻射熱をシールドする輻射シールド２ｄと、冷却容器２ｅと輻射シールド２ｄを真空環境下に収納し断熱する真空容器２ｃと、真空容器２ｃを設置床面１２に支持する真空容器支持脚２ｆ（図１参照）と、冷却容器２ｅと輻射シールド２ｄを真空容器２ｃ内に断熱支持する荷重支持体（図示せず）等を有している。

複数のメインコイル（静磁場発生源）２ａは、ｚ軸を互いに共通する中心軸とするリング（円環）形状をしている。複数のメインコイル２ａは、ｚ軸方向に複数（図２の例では４個）配置されている。複数のメインコイル２ａは、撮像空間（空間）８に、均一磁場７となる静磁場を生成する。均一磁場７の方向は、設置床面１２に対して平行になっている。複数のメインコイル２ａは、撮像空間８以外にも、静磁場を生成し、特に、ｚ軸に対して、メインコイル２ａよりも遠くの位置に、静磁場の漏れ磁場を生成させる。複数のシールドコイル（静磁場発生源）２ｂは、この漏れ磁場の大きさを小さくすることができる。複数のシールドコイル２ｂは、ｚ軸を互いに共通する中心軸とするリング形状をしている。複数のシールドコイル２ｂは、ｚ軸方向に複数（図２の例では２個（一対））配置されている。複数のシールドコイル２ｂは、ｚ軸方向において複数個配列された内の両端に配置された一対のメインコイル２ａの近傍に配置されている。複数のシールドコイル２ｂは、ｚ軸方向において両端に配置された一対のメインコイル２ａよりも、ｚ軸に対して遠くに、かつ、ｚ軸方向の外側に、配置されている。

傾斜磁場発生装置３は、メインコイル（傾斜磁場発生源）３ａと、シールドコイル（傾斜磁場発生源）３ｂを有している。メインコイル３ａは、図２では記載を省略して１個記載したが実際には複数個設けられている。また、シールドコイル３ｂも、図２では記載を省略して１個記載したが実際には複数個設けられている。そして、傾斜磁場発生装置３は、メインコイル３ａとシールドコイル３ｂを互いに固定するレジン３ｃを有している。メインコイル３ａは、ｚ軸を中心軸とする円筒形状をしている。メインコイル３ａは、撮像空間８に、静磁場の均一磁場７に重畳し、パルス状に変動する変動磁場である傾斜磁場９を生成する。メインコイル３ａは、撮像空間８以外には、変動磁場の漏れ磁場を生成させる。シールドコイル３ｂは、この漏れ磁場の大きさを小さくすることができる。シールドコイル３ｂは、ｚ軸を中心軸とする円筒形状をしている。シールドコイル３ｂは、ｚ軸に対して、メインコイル３ａよりも遠くに配置されている。シールドコイル３ｂは、メインコイル３ａに対して、静磁場発生装置２の側に配置されている。傾斜磁場発生装置３は、取付部材（図示せず）を介して真空容器２ｃに取り付けられている。

導体リング５は、静磁場発生装置２のメインコイル２ａと傾斜磁場発生装置３のシールドコイル３ｂとの間に配置されている。導体リング５は、内側リング５ａ（５）と、内側リング５ａの径方向外側に隣接して積層される外側リング５ｂ（５）とを有している。

図３Ａに、本発明の第１の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１のｙｚ平面で切断した縦断面（左側図）及びｘｙ平面で切断した横断面（右側図）の、ｚｘ平面から上方部分の概略図を示す。また、図３Ｂに、このＭＲＩ装置１に搭載される導体リング５の斜視図を示す。図２、図３Ａの左側図、図３Ｂに示すように、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）には、周方向に略平行に高電気抵抗のスリット状領域５１ａと５１ｂが設けられている。スリット状領域５１ａと５１ｂにおける抵抗率（電気抵抗）は、内側リング５ａと外側リング５ｂの本体における抵抗率（電気抵抗）より高くなっている。内側リング５ａのスリット状領域５１ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂとは、それらを傾斜磁場発生装置３の径方向から傾斜磁場発生装置３の外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように、離れて配置される。スリット状領域５１ａと５１ｂは、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）を、中心軸（ｚ軸）方向に分割（分断）している。

図３Ａの右側図、図３Ｂに示すように、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）には、中心軸方向（ｚ軸方向）に略平行にスリット状領域５２ａと５２ｂが設けられている。内側リング５ａのスリット状領域５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５２ｂとは、前記外周面へのそれぞれの前記投影像が互いに重ならないよう離れて配置される。スリット状領域５２ａと５２ｂは、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）を、周方向に分割（分断）している。導体リング５（５ａ、５ｂ）の板厚あたりの電気抵抗率（シート抵抗）は、静磁場発生装置２の導電性部材（真空容器２ｃ、輻射シールド２ｄ、冷却容器２ｅ）と傾斜磁場発生装置３の外壁のシート抵抗より低くなっていることが望ましい。なお、内側リング５ａのスリット状領域５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂとは、互いに交差している。また、内側リング５ａのスリット状領域５１ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５２ｂとは、互いに交差している。内側リング５ａのスリット状領域５１ａ、５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂ、５２ｂとは、図３Ｂに示すように平行であっても、平行でなくてもよく、また、交差していなくても、交差していてもよい。内側リング５ａのスリット状領域５１ａ、５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂ、５２ｂとは、全部においてずれていることが望ましく、交差箇所以外ではずれていることが望ましい。内側リング５ａのスリット状領域５１ａ、５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂ、５２ｂとが、少なくとも１方の全領域において対向し（重なり）、ずれていないのは望ましくない。

次に、導体リング５による、傾斜磁場発生装置３から静磁場発生装置２の側に漏れる漏れ磁場の低減について説明する。まず、内側リング５ａにより、スリット状領域５１ａ、５２ａ以外の部位においては、傾斜磁場発生装置３から静磁場発生装置２の側に漏れる漏れ磁場が遮蔽される。しかし、そのスリット状領域５１ａ、５２ａからは、その漏れ磁場が漏れる。しかしながら、外側リング５ｂが内側リング５ａのスリット状領域５１ａ、５２ａを被覆しているので、スリット状領域５１ａ、５２ａから漏れた漏れ磁場は、外側リング５ｂによって遮蔽され、静磁場発生装置２の側に漏れることはない。外側リング５ｂもスリット状領域５１ｂ、５２ｂを有するが、内側リング５ａによって被覆されているため、スリット状領域５１ｂ、５２ｂから漏れ磁場が漏れることはない。前記より、導体リング５（５ａ、５ｂ）によれば、傾斜磁場発生装置３から静磁場発生装置２の側に漏れる漏れ磁場が遮蔽され、静磁場発生装置２を構成する導電性部材（真空容器２ｃ、輻射シールド２ｄ、冷却容器２ｅ）に生じる傾斜磁場による渦電流を減少させることができる。これに伴い、静磁場発生装置２を構成する導電性部材（真空容器２ｃ、輻射シールド２ｄ、冷却容器２ｅ）に生じるローレンツ力が減少し、静磁場発生装置２の振動が低減する。振動の低減により、静磁場によって生じる渦電流が減少し、画像の劣化が抑制され、騒音が低減する。また、傾斜磁場と静磁場による渦電流が減少したことで、ジュール発熱が低減し、超電導コイルであるメインコイル２ａとシールドコイル２ｂを冷却するために冷却容器２ｅに入れられる冷媒、例えば、液体ヘリウムや冷却水の量を少なくしたり、冷凍機で再生（再冷凍）する量を少なくしたりすることができる。

内側リング５ａと外側リング５ｂのどちらか一方のスリット状領域（例えば、内側リング５ａのスリット状領域５１ａ、５２ａ）は、もう一方の導体リング５（例えば、外側リング５ｂ）によって被覆されている。これを、内側リング５ａと外側リング５ｂを有する導体リング５の径方向の厚さとしてみると、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂのある場所は、導体リング５の他の場所に比べて薄くなっていると考えることができる。スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂのある場所は、導体リング５の他の場所に比べて、漏れ磁場が透過し易い。傾斜磁場発生装置３において、強い漏れ磁場を発生させているのは、一般的に傾斜磁場発生装置３のｚ方向の端部である。このため、周方向に略平行に設けられたスリット状領域５１ａ、５１ｂは、ｚ軸方向位置（ｚ座標）において、傾斜磁場発生装置３のｚ方向の端部のｚ軸方向位置（ｚ座標）から、離れていることが望ましい。同様に、ｚ軸方向に略平行に設けられたスリット状領域５２ａ、５２ｂは、周方向位置において、傾斜磁場発生装置３からの漏れ磁場が一般的に大きくなるｘ軸方向とｙ軸方向（鉛直方向）とそれらの付近（±１５°程度の範囲）の周方向位置から離れていることが望ましい。このため、図３Ａの右側図に示すように、スリット状領域５２ａ、５２ｂは、周方向位置（角座標上の位置）における、ｘ軸方向から略１５°以上離れ、かつ、ｙ軸方向からも略１５°以上離れた周方向位置（角座標上の位置）に配置されていることが望ましい。

スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂが空隙で構成される場合は、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂは導体リング５（５ａ、５ｂ）が設置されない空き空間であると考えることができる。このスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂには、振動減衰材や吸音材といった機械的な振動抑制手段や、傾斜磁場発生装置３に含まれる複数のコイル間を結線する配線部材や、傾斜磁場発生装置３を静磁場発生装置２に取り付ける取付部といった構造物等を配置することができる。また、スリット状領域５１ｂの幅を、静磁場発生装置２のメインコイル２ａの幅より大きくし、そのスリット状領域５１ｂをそのメインコイル２ａに対向するように配置することもできる。そして、このスリット状領域５１ｂの中に、静磁場発生装置２の真空容器２ｃ等の一部を入れ、その一部をｚ軸（撮像空間８）に近づける。これらにより、スリット状領域５１ｂに対向するメインコイル２ａを、ｚ軸（撮像空間８）に近づけることができる。メインコイル２ａの磁気エネルギー低減やコイル線材の短縮ができる。また、これにより、シールドコイル２ｂも、ｚ軸に近づけられ、磁気エネルギー低減やコイル線材の短縮ができる。そして、静磁場発生装置２、さらには、ＭＲＩ装置１を小型化できる。

導体リング５（５ａ、５ｂ）は、傾斜磁場発生装置３と構造的に一体となっていても良い。これによれば、導体リング５（５ａ、５ｂ）には、自身を流れる渦電流によって静磁場から受けるローレンツ力が作用するが、このローレンツ力を一体化した傾斜磁場発生装置３に伝達できることで、傾斜磁場発生装置３の振動を抑制することができる。そして、傾斜磁場発生装置３からの放射音を低減できる。また、一体化により、傾斜磁場発生装置３の剛性が高まり、傾斜磁場発生装置３の変形が抑制されることでも、振動を抑制することができる。導体リング５（５ａ、５ｂ）は、傾斜磁場発生装置３の表面に露出していても、傾斜磁場発生装置３の表面とシールドコイル３ｂとの間でレジン３ｃに埋め込まれていても良い。導体リング５（５ａ、５ｂ）が、傾斜磁場発生装置３の表面に露出している場合は、渦電流発熱に対する導体リング５（５ａ、５ｂ）の放熱効率を高めることができる。また、導体リング５（５ａ、５ｂ）のスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂが存在することで、導体リング５の径方向の厚さとしてみると、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂのある場所は、導体リング５の他の場所に比べて薄くなっていると考えることができる。スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂのある場所は、導体リング５の他の場所に比べて、放熱効率を高めることができる。

また、導体リング５（５ａ、５ｂ）は、静磁場発生装置２（真空容器２ｃ）と構造的に一体となっていても良い。これによれば、真空容器２ｃが振動すると一体化している導体リング５（５ａ、５ｂ）も振動する。この振動時に静磁場によって導体リング５（５ａ、５ｂ）に生じる渦電流により、磁気減衰効果が高まり、導体リング５（５ａ、５ｂ）の振動、さらには、真空容器２ｃの振動を抑制することができる。そして、真空容器２ｃの振動に伴う画像劣化を抑制でき、真空容器２ｃからの放射音も低減できる。

また、導体リング５（５ａ、５ｂ）は、傾斜磁場発生装置３と静磁場発生装置２とから機械的に独立して設置されていても良い。導体リング５（５ａ、５ｂ）同士も機械的に独立して設置されていても良い。また、内側リング５ａが傾斜磁場発生装置３と構造的に一体になり、外側リング５ｂが静磁場発生装置２と構造的に一体となっていても良い。これによれば、導体リング５ａと５ｂの間に相対変位が生じると、双方に流れる渦電流同士に作用するローレンツ力が相対変位を打ち消す方向に作用し、傾斜磁場発生装置３と静磁場発生装置２との相対変位が抑制できる。これにより、傾斜磁場発生装置３と静磁場発生装置２双方の振動が低減でき、画像劣化の抑制と放射音の低減が可能となる。

導体リング５（５ａ、５ｂ）には、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等の非磁性の良導体を用いることができる。導体リング５（５ａ、５ｂ）の製造方法としては、まず、ロール曲げ、エッチング、ウォータージェット、パンチング等により非磁性の良導体を所望の大きさに切断する。次に、内側リング５ａと外側リング５ｂを、互いに積層して固定する。固定の方法としては、溶接、接着、リベットやボルト締結等を用いることができる。積層される内側リング５ａと外側リング５ｂの層間は、絶縁されていてもいなくても良い。その層間が絶縁された場合は、傾斜磁場９の周波数が高くなったときも含め、漏れ磁場の高周波成分の遮蔽効果を、表皮効果によって高めることができる。一方、前記層間が絶縁されない場合は、渦電流は、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂにおいて、隣の導体リング５（５ａ、５ｂ）を迂回して流れるが、層間に生じる接触抵抗によりジュール発熱が起こるので、渦電流を迅速に減衰させることができる。また、層間の絶縁処理が不要となるため、絶縁層の厚み分の径方向の小型化ができ、絶縁層の材料費や施工コストの低減ができる。

なお、図３Ａの左側図では、ｚ軸から上方部分を図示したが、ｚ軸から下方部分の導体リング５（５ａ、５ｂ）の構造は、ｚｘ平面に対して（鏡）対称でも、ｚ軸に対して（線）対称であっても、更には対称でなくてもよい。また、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂの方向は、前記周方向と前記ｚ軸方向に略平行となることに限られない。スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂの方向は、前記周方向と前記ｚ軸方向に対して傾き、平行でなくてよく、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂは、螺旋状に配置されてもよい。また、図３Ａと図３Ｂでは導体リング５（５ａ、５ｂ）は前記スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂによって前記周方向と前記ｚ軸方向に分割されているが、導体リング５（５ａ、５ｂ）は完全に分割されている必要はない。

（第２の実施形態）
図４に、本発明の第２の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１のｙｚ平面で切断した縦断面（左側図）及びｘｙ平面で切断した横断面（右側図）の、ｚｘ平面から上方部分の概略図を示す。第２の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃを有する導体リング５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が、３層以上（図４の例では３層）に多層化されている点である。

導体リング５ａ、５ｂ、５ｃには、周方向に略平行なスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃが設けられている。スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃの内の少なくとも１つの、例えば図４の左側図の例ではスリット状領域５１ｂが、その他のスリット状領域５１ａと５１ｃと、傾斜磁場発生装置３の径方向から傾斜磁場発生装置３の外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように、配置される。スリット状領域５１ａとスリット状領域５１ｃとは、前記外周面上の投影像が互いに重ならないのが望ましいが、図４の左側図に示すように、重なってもよい。周方向に略平行に設けられたスリット状領域５１ａとスリット状領域５１ｃが前記外周面上の投影像が互いに重なって配置されうる点で、第２の実施形態は第１の実施形態と異なっている。周方向に略平行に設けられた全てのスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃが、前記外周面上の投影像が互いに重ならないように設置する必要がない点で、第２の実施形態は第１の実施形態と異なっている。

また、導体リング５ａ、５ｂ、５ｃには、中心軸（ｚ軸）方向に略平行なスリット状領域５２ａ、５２ｂ、５２ｃが設けられている。スリット状領域５２ａ、５２ｂ、５２ｃの内の少なくとも１つの、例えば図４の右側図の例ではスリット状領域５２ｂが、その他のスリット状領域５２ａと５２ｃと、前記外周面上の投影像が互いに重ならないよう配置される。スリット状領域５２ａとスリット状領域５２ｃとは、前記外周面上の投影像が重ならないのが望ましいが、図４の右側図に示すように、重なってもよい。中心軸方向に略平行に設けられたスリット状領域５２ａとスリット状領域５２ｃが前記外周面上の投影像が互いに重なって配置されうる点で、第２の実施形態は第１の実施形態と異なっている。中心軸方向に略平行に設けられた全てのスリット状領域５２ａ、５２ｂ、５２ｃが、前記外周面上の投影像が互いに重ならないように設置する必要がない点で、第２の実施形態は第１の実施形態と異なっている。

導体リング５（５ａ、５ｂ、５ｃ）を多層化することにより、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ同士の前記外周面上の投影像の重なりの有無の組み合わせが増え、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃに生じる前記空間の利用の自由度を高めることができる。例えば、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃに配線を配置することで、あたかも、多層配線のように、複数の配線をショートさせることなく敷設することができる。

第２の実施形態の導体リング５の製作方法としては、第１の実施形態で挙げた方法以外に、次の方法を挙げることができる。複数枚の箔状導体を、傾斜磁場発生装置３や静磁場発生装置２に、貼り付けて積層化する。また、予め箔状導体が多数積層されたシート状導体を用いてもよい。箔状導体を用いる利点は、傾斜磁場発生装置３や静磁場発生装置２の円筒形状に沿わせるのが容易な点である。

（第３の実施形態）
図５に、本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１のｙｚ平面で切断した縦断面（左側図）及びｘｙ平面で切断した横断面（右側図）の、ｚｘ平面から上方部分の概略図を示す。第３の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１と２の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、中心軸（ｚ軸）方向に略平行なスリット状領域が設けられていない点である。導体リング５（５ａ、５ｂ）には、周方向に略平行なスリット状領域５１ａ、５１ｂが設けられている。導体リング５ａと５ｂは、スリット状領域５１ａ、５１ｂによって中心軸方向に分割され、周方向には連続している。これによれば、導体リング５（５ａ、５ｂ）の周方向の剛性が高まり、周方向に腹と節が現れる変形モードによる変形を抑制することができる。また、ｚ軸方向に勾配を持つ傾斜磁場発生源３ａ、３ｂは、一般に周方向に連続した構造をしているため、ｚ軸方向に勾配を持つ傾斜磁場の漏れ磁場の遮蔽効果を高めることができる。第３の実施形態では、第１の実施形態のように、導体リング５ａと５ｂが２層であってもよいし、第２の実施形態のように、導体リング５ａと５ｂが３層以上に多層化されていてもよい。

（第４の実施形態）
図６に、本発明の第４の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１のｙｚ平面で切断した縦断面（左側図）及びｘｙ平面で切断した横断面（右側図）の、ｚｘ平面から上方部分の概略図を示す。第４の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１と２の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、周方向に略平行なスリット状領域が設けられていない点である。導体リング５（５ａ、５ｂ）には、中心（ｚ）軸方向に略平行なスリット状領域５２ａ、５２ｂが設けられている。導体リング５ａと５ｂは、スリット状領域５２ａ、５２ｂによって周方向に分割され、ｚ軸方向には連続している。これによれば、導体リング５（５ａ、５ｂ）のｚ軸方向の剛性が高まり、ｚ軸方向に腹と節が現れる曲げの変形モードによる変形を抑制することができる。

また、スリット状領域５２ａ、５２ｂがｚ軸方向に導体リング５（５ａ、５ｂ）を貫通（横断）している場合は、スリット状領域５２ａ、５２ｂを流路にすることができる。この流路は、ｚ軸方向の片側端部からもう片側の端部まで、蛇行や分岐することなしに通じており、流路抵抗が小さくなっている。このため、ファン等にて空気等の流体を容易に流すことができる。第４の実施形態では、第１の実施形態のように、導体リング５ａと５ｂが２層であってもよいし、第２の実施形態のように、導体リング５ａと５ｂが３層以上に多層化されていてもよい。

（第５の実施形態）
図７に、本発明の第５の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１のｘｙ平面で切断した横断面の、ｘ軸から上方部分の概略図を示す。第５の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１〜４の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、傾斜磁場発生装置３のメインコイル３ａとシールドコイル３ｂの径方向のギャップ（間隔）が周方向において均一でない点である。図７では、ギャップが不均一でない場合の例として、メインコイル３ａのｘｙ平面で切断した縦断形状が、長径がｘ軸方向に一致し、短径がｙ軸方向に一致する楕円形になっている。横たわった被検体１０（図１参照）の肩幅の方向を、長径のｘ軸方向に合わせることで、被検体１０はゆったりと体を横たえることができる。一方、シールドコイル３ｂのｘｙ平面で切断した縦断形状は、円形であるので、メインコイル３ａとシールドコイル３ｂの径方向のギャップ（間隔）は、周方向の、ｘ軸（方向）上とその付近で最も狭くなり、ｙ軸（方向）上とその付近で最も広くなっている。ギャップが最も広い領域は、ｙ軸（方向）から周方向に±１５°程度の範囲に入っている。ギャップが最も狭い領域は、ｘ軸（方向）から周方向に±１５°程度の範囲に入っている。前記ギャップが最も広い領域は、メインコイル３ａとシールドコイル３ｂの間隔が広いため、漏れ磁場が大きくなり易い。このため、スリット状領域５２ａ、５２ｂは、前記ギャップが最も広い領域（ｙ軸から周方向に±１５°程度の範囲）に、配置しないことが望ましい。一方、前記ギャップが最も狭い領域は、メインコイル３ａとシールドコイル３ｂの間隔が狭いため漏れ磁場は小さいが、メインコイル３ａとシールドコイル３ｂとの相対的な位置ずれにより漏れ磁場が増加する感度が高い領域である。位置ずれによっては、漏れ磁場が大きくなると考えられる。このため、スリット状領域５２ａ、５２ｂは、前記ギャップが最も狭い領域（ｘ軸から周方向に±１５°程度の範囲）に、配置しないことが望ましい。前記より、スリット状領域５２ａ、５２ｂは、ｙ軸から周方向に略１５°以上離れ、かつ、ｘ軸からも周方向に略１５°以上離れていることが望ましい。

（第６の実施形態）
図８に、本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１の斜視図を示す。第６の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１〜５の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、均一磁場の向き７が垂直方向（ｚ方向）である垂直磁場型（オープン型）のＭＲＩ装置となっている点である。第６の実施形態のＭＲＩ装置１では、撮像空間８を挟むように上下一対の静磁場発生装置２を対向配置することで、被検体１０がベッド１１に仰臥して撮像空間８に置かれても、検査者からアクセスされるための十分なガントリーギャップを確保している。連結柱１７は、上下一対の静磁場発生装置２の間に設けられ、上下一対の静磁場発生装置２それぞれに連結して、上下１対の静磁場発生装置２を互いに離して保持している。上下一対の静磁場発生装置２は、撮像空間８に、向きが垂直方向（ｚ方向）で磁場強度が均一の静磁場（均一磁場７）を発生させる。

傾斜磁場発生装置３は、一対の円板形状であり、一対の静磁場発生装置２の対それぞれの撮像空間８の側に配置されている。傾斜磁場発生装置３は、撮像空間８に、互いに直交する３方向、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向それぞれに沿って磁場強度が線形的に変化する傾斜磁場を発生させ、計測されるＮＭＲ信号に位置情報を持たせている。ＭＲＩ装置１は、この位置情報に基づいて、被検体１０の検査画像を作成している。

また、照射コイル４も、一対の円板形状であり、一対の傾斜磁場発生装置３の対それぞれの撮像空間８の側に配置されている。照射コイル４は、撮像空間８に仰臥した被検体１０に、高周波の電磁波を照射し、被検体１０からＮＭＲ信号を発生させている。

なお、第６の実施形態でも、ＭＲＩ装置１に対して撮像空間８の中に原点を有するｘｙｚ座標系を設定している。座標系の定義は実施例１で記したのと同じく、ｚ軸の方向は均一磁場７の向きに一致する方向、ｘ軸の方向は被検体１０が仰臥した時の左右方向に一致する方向、ｙ軸の方向はｚ軸とｘ軸に直交する方向に定義している。

図９に、本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１の縦断面図（切断面：ｙｚ平面）を示す。上下一対の静磁場発生装置２は、撮像空間８の上下に対向配置された１対のメインコイル（超電導コイル）２ａと、一対のメインコイル２ａのｚ軸方向外側に配置された上下１対のシールドコイル（超電導コイル）２ｂを有している。冷却容器２ｅは、上下一対のメインコイル２ａと、上下一対のシールドコイル２ｂとを、液体ヘリウム（Ｈｅ）のような冷媒と共に収納して、冷却することができる。冷却されたメインコイル２ａとシールドコイル２ｂは、超電導コイルとして機能することができる。真空容器２ｃは、冷却容器２ｅを収納し、真空容器２ｃと冷却容器２ｅとの間の空間を真空に保持することができる。冷却容器２ｅを外気（外部）から断熱することができ、冷却容器２ｅを低温に保持することができる。輻射シールド２ｄは、冷却容器２ｅと真空容器２ｃとの間の真空の空間に設けられ、真空容器２ｃから冷却容器２ｅへの輻射熱を低減し、冷却容器２ｅを低温に保持することができる。また、上下一対のシムコイル（図示せず）が、上下一対の静磁場発生装置２のｚ軸方向の内側に、撮像空間８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対のシムコイルは、上下一対の傾斜磁場発生装置３の近傍に配置されている。各シムコイルの起磁力を調整することにより、撮像空間８に静磁場発生装置２が発生させた静磁場の磁場均一度を向上させることができる。また、上下一対の傾斜磁場発生装置３が、上下一対の静磁場発生装置２のｚ軸方向の内側に、撮像空間８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対の傾斜磁場発生装置３は、例えば、図９に示すように、ｙ軸方向に磁場強度が傾斜した傾斜磁場９を発生させている。上下一対の照射コイル４が、上下一対の静磁場発生装置２のｚ軸方向の内側に、撮像空間８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対の照射コイル４は、上下一対の傾斜磁場発生装置３の近傍に配置されている。

上下の片側ずつに設けられた一対の導体リング５（５ａ、５ｂ）は、上下一対の静磁場発生装置２の静磁場発生源２ａと上下一対の傾斜磁場発生装置３の傾斜磁場発生源３ｂとの間の径方向の隙間に配置されている。導体リング５の内側リング５ａと外側リング５ｂは、径方向に積層されている。

図１０に、本発明の第６の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１のｚｘ平面で切断した縦断面（上側図）のｘ軸から上方部分、及び、ｘｙ平面に平行な平面で切断した横断面（下側図）のｚｘ平面からベッド側の概略図を示す。図９と図１０の上側図に示すように、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）には、周方向に略平行なスリット状領域５１ａと５１ｂが設けられている。内側リング５ａのスリット状領域５１ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５１ｂとは、それらを傾斜磁場発生装置３の径方向から傾斜磁場発生装置３の外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように、配置される。スリット状領域５１ａと５１ｂは、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）を、中心軸（ｚ軸）方向に分割（分断）している。

図１０の下側図に示すように、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）には、中心軸方向（ｚ軸方向）に略平行なスリット状領域５２ａと５２ｂが設けられている。内側リング５ａのスリット状領域５２ａと、外側リング５ｂのスリット状領域５２ｂとは、前記外周面上の投影像が互いに重ならないように配置される。スリット状領域５２ａと５２ｂは、内側リング５ａ（５）と外側リング５ｂ（５）を、周方向に分割（分断）している。

第６の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。即ち、傾斜磁場発生装置３より隣接する静磁場発生装置２の側に生じた漏れ磁場を、導体リング５で遮蔽することができ、静磁場発生装置２に生じる渦電流を抑制し、ローレンツ力による静磁場発生装置２の振動を抑制し、また、ジュール発熱を抑制できるので冷媒の消費を低減できる。
なお、第６の実施形態では、導体リング５が２層からなる場合について説明したが、第２の実施形態のように導体リング５が３層以上積層されていても良い。また、第３と４の実施形態で記したように、導体リング５のスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂは、ｚ軸方向のみでも、周方向のみでも良い。そして、これらの実施形態と同様の効果を得ることができる。また、導体リング５のスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂは、ｚ軸方向や周方向に導体リング５を貫通（横断したり、ループに閉じたり）してもしていなくても良い。

（第７の実施形態）
図１１に、本発明の第７の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１のｚｘ平面で切断した縦断面（上側図）のｘ軸から上方部分、及び、ｘｙ平面に平行な平面で切断した横断面（下側図）のｚｘ平面からベッド側の概略図を示す。第７の実施形態のＭＲＩ装置１が、第６の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、上下の片側ずつに設けられた一対の導体リング５（５ａ、５ｂ）の替わりに、上下の片側ずつに一対の導体円板（円板、導電性部材）６が設けられている点である。上下の片側ずつに設けられた一対の導体円板（円板）６は、上下一対の静磁場発生装置２と上下一対の傾斜磁場発生装置３の傾斜磁場発生源３ｂとの間の中心（ｚ）軸方向の隙間に配置されている。導体円板６の内側円板６ａと外側円板６ｂは、ｚ軸方向に積層されている。

内側円板６ａと外側円板６ｂには、周方向に略平行なスリット状領域６１ａと６１ｂが設けられている。内側円板６ａのスリット状領域６１ａと、外側円板６ｂのスリット状領域６１ｂとは、径方向の位置が異なることで、それらを均一磁場７の方向から均一磁場７の方向と直交する平面上へ投影した投影像が互いに重ならないように、配置される。スリット状領域６１ａと、スリット状領域６１ｂとは、外径と内径の異なる同心円形状となり、前記平面上への投影像が互いに重ならないよう配置される。スリット状領域６１ａと６１ｂは、内側円板６ａと外側円板６ｂを、径方向に分割（分断）している。

内側円板６ａと外側円板６ｂには、径方向に略平行なスリット状領域６２ａと６２ｂが設けられている。内側円板６ａのスリット状領域６２ａと、外側円板６ｂのスリット状領域６２ｂとは、周方向の位置が異なることで、前記平面上への投影像が互いに重ならないよう配置される。スリット状領域６２ａと６２ｂは、内側円板６ａと外側円板６ｂを、周方向に分割（分断）している。

第７の実施形態によっても、第６の実施形態と同様の効果を得ることができる。そして、傾斜磁場発生装置３からの漏れ磁場は、その径方向外側よりもそのｚ方向外側の方が大きくなり、第７の実施形態によれば、そのｚ方向外側の漏れ磁場を遮蔽し低減することができる。導体円板６のスリット状領域６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂは、第６の実施形態の導体リング５のスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂと同様に、周方向や径方向に導体円板６を貫通（横断したり、ループに閉じたり）してもしていなくても良い。

なお、前記した第１から第７の実施形態では、静磁場発生源２ａと２ｂとして超電導コイルを取り上げたが、本発明の適用対象はこれに限らない。静磁場発生源２ａと２ｂとして常電導コイルや永久磁石を用いてもよい。また、第１から第７の実施形態の導体リング５（５ａ、５ｂ）の構造は、ｘｙ平面、ｙｚ平面又はｚｘ平面に対して（鏡）対称でも、ｚ軸に対して（線）対称であっても、更には対称でなくてもよい。また、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂの方向は、周方向と径方向とｚ軸方向に略平行となることに限られない。スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂの方向は、周方向と径方向とｚ軸方向に対して傾き、平行でなくてよく、スリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂは、螺旋状に配置されてもよい。また、第１から第７の実施形態では導体リング５（５ａ、５ｂ）と導体円板６（６ａ、６ｂ）はスリット状領域５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、６１ａ、６１ｂ、６２ａ、６２ｂによって周方向と径方向とｚ軸方向に分割されているが、導体リング５（５ａ、５ｂ）と導体円板６（６ａ、６ｂ）は完全に分割されている必要はない。

１ 磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置
２ 静磁場発生装置
２ａ 静磁場発生源（メインコイル）
２ｂ 静磁場発生源（シールドコイル）
２ｃ 真空容器（静磁場発生装置の外壁）
２ｄ 輻射シールド
２ｅ 冷却容器
２ｆ 真空容器支持脚
３ 傾斜磁場発生装置
３ａ 傾斜磁場発生源（メインコイル）
３ｂ 傾斜磁場発生源（シールドコイル）
３ｃ レジン
４ 照射コイル
５ 導体リング（リング、導電性部材）
５ａ 内側リング
５ｂ 外側リング
５１ａ 内側リングの周方向に設けられたスリット状領域
５１ｂ 外側リングの周方向に設けられたスリット状領域
５２ａ 内側リングのｚ軸方向（中心軸方向）に設けられたスリット状領域
５２ｂ 外側リングのｚ軸方向に設けられたスリット状領域
６ （導体）円板（導電性部材）
６ａ 内側円板
６ｂ 外側円板
６１ａ 内側円板の周方向に設けられたスリット状領域
６１ｂ 外側円板の周方向に設けられたスリット状領域
６２ａ 内側円板の径方向（ｘ軸ｙ軸方向）に設けられたスリット状領域
６２ｂ 外側円板の径方向に設けられたスリット状領域
７ 均一磁場
８ 撮像空間
９ 傾斜磁場
１０ 被検体
１１ ベッド
１２ 設置床面（床面）
２２ 受信コイル

Claims (3)

1. 空間に均一磁場を発生させる円環状の静磁場発生源を有する静磁場発生装置と、
   前記均一磁場に傾斜磁場を重畳させる傾斜磁場発生源を有する傾斜磁場発生装置と、
   前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、電気抵抗が周囲より高いスリット状領域を有し、隣と隣接して積層される複数層の導電性部材とを有し、
   前記導電性部材は、
   前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、互いに隣と径方向に隣接して積層され、前記静磁場発生源の円環状の周方向に略平行である前記スリット状領域を有する導電性の複数のリングを有し、
   前記スリット状領域の内の少なくとも１つと、その他の前記スリット状領域とは、前記傾斜磁場発生装置の前記径方向からその外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように配置され、
   前記リングは、前記スリット状領域によって前記静磁場発生源の円環状の中心軸方向に分割され、前記周方向には連続していることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 空間に均一磁場を発生させる円環状の静磁場発生源を有する静磁場発生装置と、
   前記均一磁場に傾斜磁場を重畳させる傾斜磁場発生源を有する傾斜磁場発生装置と、
   前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、電気抵抗が周囲より高いスリット状領域を有し、隣と隣接して積層される複数層の導電性部材とを有し、
   前記導電性部材は、
   前記静磁場発生装置と前記傾斜磁場発生源の間に設けられ、互いに隣と径方向に隣接して積層され、前記静磁場発生源の円環状の中心軸方向に略平行である前記スリット状領域を有する導電性の複数のリングを有し、
   前記スリット状領域の内の少なくとも１つと、その他の前記スリット状領域とは、前記傾斜磁場発生装置の前記径方向からその外周面上へ投影した投影像が互いに重ならないように配置され、
   前記リングは、前記スリット状領域によって前記静磁場発生源の円環状の周方向に分割され、前記中心軸方向には連続していることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
3. 前記傾斜磁場発生源は、
   前記均一磁場に前記傾斜磁場を重畳させるメインコイルと、
   前記メインコイルが前記静磁場発生装置の側に形成する磁場を遮蔽するシールドコイルとを有し、
   前記メインコイルと前記シールドコイルの間隔が前記周方向で均一でないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。

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