JPH08103426A - 磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シート - Google Patents
磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シートInfo
- Publication number
- JPH08103426A JPH08103426A JP6243062A JP24306294A JPH08103426A JP H08103426 A JPH08103426 A JP H08103426A JP 6243062 A JP6243062 A JP 6243062A JP 24306294 A JP24306294 A JP 24306294A JP H08103426 A JPH08103426 A JP H08103426A
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- Japan
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- magnetic resonance
- shielding sheet
- resonance imaging
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、勾配磁場を歪ませることな
く、しかもＲＦコイルのＱ値を低下させない磁気共鳴イ
メージング装置の遮蔽シートを提供することである。 【構成】本発明による磁気共鳴イメージング装置の遮蔽
シートは、誘電体シート１の表裏面に導電体層２，４が
蒸着又はめっきにより被膜され、且つ導電体層２，４は
表裏各面においてスリット３，５により縦横に分離され
ることを特徴とする。
く、しかもＲＦコイルのＱ値を低下させない磁気共鳴イ
メージング装置の遮蔽シートを提供することである。 【構成】本発明による磁気共鳴イメージング装置の遮蔽
シートは、誘電体シート１の表裏面に導電体層２，４が
蒸着又はめっきにより被膜され、且つ導電体層２，４は
表裏各面においてスリット３，５により縦横に分離され
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＲＦコイルに対して磁
気共鳴信号を局部的に遮蔽するための磁気共鳴イメージ
ング装置の遮蔽シートに関する。
気共鳴信号を局部的に遮蔽するための磁気共鳴イメージ
ング装置の遮蔽シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】スライス選択励起法は、磁場強度に応じ
て磁化スピンの共鳴周波数が若干変化することを利用し
て、スライス方向（Ｚ軸方向）に磁場強度が変化する勾
配磁場の存在下で、周波数調整した高周波磁場（ＲＦパ
ルス）を極短時間印加することにより目的スライス領域
内の磁化スピンだけを選択的に励起する技法である。図
５に示すように、勾配磁場強度０の位置を中心とした線
形領域Ｈより外側では勾配磁場強度の勾配係数の極性が
反転している。したがって、目的スライス領域と同じ勾
配強度の部分が目的スライス領域外にも存在することに
なり、この目的スライス領域外の部分の磁化スピンも励
起されて不要な磁気共鳴信号が混入してしまい、再構成
画像上にアーチファクトとして顕在化してしまう。
て磁化スピンの共鳴周波数が若干変化することを利用し
て、スライス方向（Ｚ軸方向）に磁場強度が変化する勾
配磁場の存在下で、周波数調整した高周波磁場（ＲＦパ
ルス）を極短時間印加することにより目的スライス領域
内の磁化スピンだけを選択的に励起する技法である。図
５に示すように、勾配磁場強度０の位置を中心とした線
形領域Ｈより外側では勾配磁場強度の勾配係数の極性が
反転している。したがって、目的スライス領域と同じ勾
配強度の部分が目的スライス領域外にも存在することに
なり、この目的スライス領域外の部分の磁化スピンも励
起されて不要な磁気共鳴信号が混入してしまい、再構成
画像上にアーチファクトとして顕在化してしまう。
【０００３】これを回避するために、アルミホイル等の
導電体シートで目的スライス領域外からの磁気共鳴信号
を遮蔽して不要な磁気共鳴信号の混入を防ぐ措置がとら
れていた。
導電体シートで目的スライス領域外からの磁気共鳴信号
を遮蔽して不要な磁気共鳴信号の混入を防ぐ措置がとら
れていた。
【０００４】しかしこの措置では、導電体シートに流れ
る渦電流の影響で勾配磁場が歪んでしまうという不具合
があった。また、導電体シートが高周波（共鳴周波数）
での導電性が低いと、その影響でＲＦコイルのＱ値が低
くなり、周波数特性の尖鋭さが失われて、目的スライス
領域の厚さが増加してしまうという不具合もあった。
る渦電流の影響で勾配磁場が歪んでしまうという不具合
があった。また、導電体シートが高周波（共鳴周波数）
での導電性が低いと、その影響でＲＦコイルのＱ値が低
くなり、周波数特性の尖鋭さが失われて、目的スライス
領域の厚さが増加してしまうという不具合もあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、勾配
磁場を歪ませることなく、しかもＲＦコイルのＱ値を低
下させない磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シートを提
供することである。
磁場を歪ませることなく、しかもＲＦコイルのＱ値を低
下させない磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シートを提
供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気共鳴イ
メージング装置の遮蔽シートは、誘電体シートの表裏面
に導電体層が蒸着又はめっきにより被膜され、且つ前記
導電体層は表裏各面においてスリットにより縦横に分離
されることを特徴とする。
メージング装置の遮蔽シートは、誘電体シートの表裏面
に導電体層が蒸着又はめっきにより被膜され、且つ前記
導電体層は表裏各面においてスリットにより縦横に分離
されることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によれば、誘電体損失の大きな接着剤を
使わずに、導電体層を蒸着又はめっきにより誘電体シー
トに被膜しているので、高周波帯域（共鳴周波数帯域）
における遮蔽シートの導電性の低下が最小限に抑えら
れ、ＲＦコイルのＱ値の低下を軽減することができる。
また、導電体層が表裏各面においてスリットにより縦横
に分離されているので、渦電流の発生を抑えて、勾配磁
場の歪みを軽減することができる。
使わずに、導電体層を蒸着又はめっきにより誘電体シー
トに被膜しているので、高周波帯域（共鳴周波数帯域）
における遮蔽シートの導電性の低下が最小限に抑えら
れ、ＲＦコイルのＱ値の低下を軽減することができる。
また、導電体層が表裏各面においてスリットにより縦横
に分離されているので、渦電流の発生を抑えて、勾配磁
場の歪みを軽減することができる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による磁気共鳴
イメージング装置の遮蔽シートの一実施例を説明する。
図１（ａ）にこの実施例に係る遮蔽シートの外観を示
す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´断面である。図
６（ａ），（ｂ）に示すように、遮蔽シートは、ＲＦコ
イルに対して不要な磁気共鳴信号を高周波うず電流によ
り遮蔽するために、例えば頭部撮影であれば首部や胸部
等の不要な磁気共鳴信号を発生する部分に掛けたり、巻
き付けたりするためのものである。この遮蔽シートは安
全のため、さらに外側に絶縁シートを外被としているも
のであるが、図ではこの絶縁シートを取り外した状態で
示している。誘電体シート（絶縁体シート）１は、テフ
ロン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ノリル等の絶縁性と、体表の応じて巻き付けたり変形で
きるように可撓性とを兼ね備えた材質で形成される。誘
電体シート１の表面には、銅、銀、金、アルミ、又はそ
れらを任意の組み合わせで重ねたものを代表例とする導
電体層２が蒸着又は無電解めっきにより被膜される。こ
の導電体層２は、複数のスリット３により縦横に分離さ
れる。誘電体シート１の裏面にも、表面と同様に、導電
体層４が蒸着又は無電解めっきにより被膜され、複数の
スリット５により縦のみ又は縦横に分離される。
イメージング装置の遮蔽シートの一実施例を説明する。
図１（ａ）にこの実施例に係る遮蔽シートの外観を示
す。図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´断面である。図
６（ａ），（ｂ）に示すように、遮蔽シートは、ＲＦコ
イルに対して不要な磁気共鳴信号を高周波うず電流によ
り遮蔽するために、例えば頭部撮影であれば首部や胸部
等の不要な磁気共鳴信号を発生する部分に掛けたり、巻
き付けたりするためのものである。この遮蔽シートは安
全のため、さらに外側に絶縁シートを外被としているも
のであるが、図ではこの絶縁シートを取り外した状態で
示している。誘電体シート（絶縁体シート）１は、テフ
ロン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ノリル等の絶縁性と、体表の応じて巻き付けたり変形で
きるように可撓性とを兼ね備えた材質で形成される。誘
電体シート１の表面には、銅、銀、金、アルミ、又はそ
れらを任意の組み合わせで重ねたものを代表例とする導
電体層２が蒸着又は無電解めっきにより被膜される。こ
の導電体層２は、複数のスリット３により縦横に分離さ
れる。誘電体シート１の裏面にも、表面と同様に、導電
体層４が蒸着又は無電解めっきにより被膜され、複数の
スリット５により縦のみ又は縦横に分離される。
【０００９】図２はこの遮蔽シートの平面図であり、裏
面の導電体層４及びスリット５を点線で示している。表
面のスリット３は、所定の間隔△ｄ1 で横方向に平行
に、また縦方向に所定の間隔△ｄ2 で平行に例えばエッ
チング技術又は機械的な切削により形成される。裏面の
スリット５も、表面と同様に、所定の間隔△ｄ1 で横方
向に平行に、また縦方向に所定の間隔△ｄ2 で平行に例
えばエッチング技術又は機械的な切削により形成され
る。裏面のスリット５は、表面のスリット３に対して、
例えば横方向に△ｄ1 ／２だけずらされ、また縦方向に
△ｄ2 ／２だけずらされる。このずれにより、表面の導
電体層２の分離領域と、裏面の導電体層４の分離領域と
は、誘電体シート１を挟んで一部において重なり合い
（オーバラップ）、結果的にオーバラップ部分にコンデ
ンサ要素が構成され、しかも遮蔽シート全体で見ると複
数のコンデンサ要素が縦横に直列接続されることにな
る。
面の導電体層４及びスリット５を点線で示している。表
面のスリット３は、所定の間隔△ｄ1 で横方向に平行
に、また縦方向に所定の間隔△ｄ2 で平行に例えばエッ
チング技術又は機械的な切削により形成される。裏面の
スリット５も、表面と同様に、所定の間隔△ｄ1 で横方
向に平行に、また縦方向に所定の間隔△ｄ2 で平行に例
えばエッチング技術又は機械的な切削により形成され
る。裏面のスリット５は、表面のスリット３に対して、
例えば横方向に△ｄ1 ／２だけずらされ、また縦方向に
△ｄ2 ／２だけずらされる。このずれにより、表面の導
電体層２の分離領域と、裏面の導電体層４の分離領域と
は、誘電体シート１を挟んで一部において重なり合い
（オーバラップ）、結果的にオーバラップ部分にコンデ
ンサ要素が構成され、しかも遮蔽シート全体で見ると複
数のコンデンサ要素が縦横に直列接続されることにな
る。
【００１０】図３にはＲＦコイルと遮蔽シートに形成さ
れるＲＦコイルから出る磁束により誘起される高周波う
ず電流に関する等価回路を示している。この図に示すよ
うに、遮蔽シートは、ＲＦコイルと同様に、等価的に抵
抗を含む共振回路を構成している。なお、遮蔽シート上
に共振回路が形成されない場合は、等価回路内のコンデ
ンサ容量が無限大とみなされる。ＲＦコイルの共振回路
は、コイルＬ1 のインダクタンスとコンデンサＣ1 の静
電容量の少なくとも一方を調整することにより、対象と
する原子核に固有の共鳴周波数ｆ0 と同じ共振周波数に
設定されている。このＲＦコイルの共振回路の周波数特
性を図４（ａ）に示している。この周波数特性の尖鋭度
を表すＱ値はｆ0 ／△ｆで与えられ、Ｑ1/2 に比例して
Ｓ／Ｎが向上することが知られている。また、遮蔽シー
トの抵抗Ｒ2 は誘電体シート１の誘電体損失及び導電体
層２，４の抵抗などを含めた全損失を表しており、ＲＦ
コイルのＱ値に影響を与え、この抵抗Ｒ2 の抵抗値の増
大に伴って図４（ａ）に一点鎖線で示すようにＲＦコイ
ルのＱ値が低下する性質がある。本発明では、誘電体シ
ート１に導電体層２を誘電体損失の大きな接着剤による
のではなく、蒸着又は無電解めっきにより直接被膜する
ことで、抵抗値の増大を最小限に抑えて、ＲＦコイルの
Ｑ値の低下を最小限に抑えることができる。
れるＲＦコイルから出る磁束により誘起される高周波う
ず電流に関する等価回路を示している。この図に示すよ
うに、遮蔽シートは、ＲＦコイルと同様に、等価的に抵
抗を含む共振回路を構成している。なお、遮蔽シート上
に共振回路が形成されない場合は、等価回路内のコンデ
ンサ容量が無限大とみなされる。ＲＦコイルの共振回路
は、コイルＬ1 のインダクタンスとコンデンサＣ1 の静
電容量の少なくとも一方を調整することにより、対象と
する原子核に固有の共鳴周波数ｆ0 と同じ共振周波数に
設定されている。このＲＦコイルの共振回路の周波数特
性を図４（ａ）に示している。この周波数特性の尖鋭度
を表すＱ値はｆ0 ／△ｆで与えられ、Ｑ1/2 に比例して
Ｓ／Ｎが向上することが知られている。また、遮蔽シー
トの抵抗Ｒ2 は誘電体シート１の誘電体損失及び導電体
層２，４の抵抗などを含めた全損失を表しており、ＲＦ
コイルのＱ値に影響を与え、この抵抗Ｒ2 の抵抗値の増
大に伴って図４（ａ）に一点鎖線で示すようにＲＦコイ
ルのＱ値が低下する性質がある。本発明では、誘電体シ
ート１に導電体層２を誘電体損失の大きな接着剤による
のではなく、蒸着又は無電解めっきにより直接被膜する
ことで、抵抗値の増大を最小限に抑えて、ＲＦコイルの
Ｑ値の低下を最小限に抑えることができる。
【００１１】スリット３，５の間隔△ｄ1 ，△ｄ2 、位
置、誘電体シート１の誘電率、誘電体シート１の厚みの
少なくとも１つを調整することで、遮蔽シートの共振回
路のコンデンサＣ2 の全体静電容量が変化する。これに
より、遮蔽シートの共振周波数を調整することができ
る。図４（ｂ）に実線でＲＦコイルの周波数特性を示
し、一点鎖線で遮蔽シートの周波数特性の一部分を示し
ている。本発明では、遮蔽シートの共振周波数ｆ1 が、
ＲＦコイルの共振周波数（目的原子核の共鳴周波数）ｆ
0 と異なる、換言すると所定の周波数差Ｆだけ離間する
ように、スリット３，５の間隔△ｄ1 ，△ｄ2 、位置、
誘電体シート１の誘電率、誘電体シート１の厚みの少な
くとも１つが調整されている。遮蔽シートの共振周波数
ｆ1 がＲＦコイルの共振周波数ｆ0 と異なっていると、
その周波数差Ｆが大きいほど、遮蔽シートによるＱ値の
低下の度合が小さくなる。また勾配磁場により誘導され
るうず電流の影響による勾配磁場の歪みを小さすること
ができる。また、遮蔽シートはそのサイズを大きくし
て、勾配磁場コイルの内壁に貼付して、従来のＲＦシー
ルドとしても応用可能である。本発明は上述した実施例
に限定されず種々変形して実施可能である。
置、誘電体シート１の誘電率、誘電体シート１の厚みの
少なくとも１つを調整することで、遮蔽シートの共振回
路のコンデンサＣ2 の全体静電容量が変化する。これに
より、遮蔽シートの共振周波数を調整することができ
る。図４（ｂ）に実線でＲＦコイルの周波数特性を示
し、一点鎖線で遮蔽シートの周波数特性の一部分を示し
ている。本発明では、遮蔽シートの共振周波数ｆ1 が、
ＲＦコイルの共振周波数（目的原子核の共鳴周波数）ｆ
0 と異なる、換言すると所定の周波数差Ｆだけ離間する
ように、スリット３，５の間隔△ｄ1 ，△ｄ2 、位置、
誘電体シート１の誘電率、誘電体シート１の厚みの少な
くとも１つが調整されている。遮蔽シートの共振周波数
ｆ1 がＲＦコイルの共振周波数ｆ0 と異なっていると、
その周波数差Ｆが大きいほど、遮蔽シートによるＱ値の
低下の度合が小さくなる。また勾配磁場により誘導され
るうず電流の影響による勾配磁場の歪みを小さすること
ができる。また、遮蔽シートはそのサイズを大きくし
て、勾配磁場コイルの内壁に貼付して、従来のＲＦシー
ルドとしても応用可能である。本発明は上述した実施例
に限定されず種々変形して実施可能である。
【００１２】
【発明の効果】本発明による磁気共鳴イメージング装置
の遮蔽シートは、誘電体シートの表裏面に導電体層が蒸
着又はめっきにより被膜され、且つ前記導電体層は表裏
各面においてスリットにより縦横に分離されることを特
徴とする。したがって、本発明によれば、誘電率損失の
大きな接着剤を使わずに、導電体層を蒸着又はめっきに
より誘電体シートに被膜しているので、高周波帯域（共
鳴周波数帯域）における遮蔽シートの導電性の低下が最
小限に抑えられ、ＲＦコイルのＱ値の低下を軽減するこ
とができる。また、導電体層が表裏各面においてスリッ
トにより縦横に分離されているので、渦電流の発生を抑
えて、勾配磁場の歪みを軽減することができる。
の遮蔽シートは、誘電体シートの表裏面に導電体層が蒸
着又はめっきにより被膜され、且つ前記導電体層は表裏
各面においてスリットにより縦横に分離されることを特
徴とする。したがって、本発明によれば、誘電率損失の
大きな接着剤を使わずに、導電体層を蒸着又はめっきに
より誘電体シートに被膜しているので、高周波帯域（共
鳴周波数帯域）における遮蔽シートの導電性の低下が最
小限に抑えられ、ＲＦコイルのＱ値の低下を軽減するこ
とができる。また、導電体層が表裏各面においてスリッ
トにより縦横に分離されているので、渦電流の発生を抑
えて、勾配磁場の歪みを軽減することができる。
【図１】本発明による磁気共鳴イメージング装置の遮蔽
シートの一実施例の構造を示す図。
シートの一実施例の構造を示す図。
【図２】図１の遮蔽シートの平面図。
【図３】図１の遮蔽シートの等価回路図。
【図４】ＲＦコイルと遮蔽シートの周波数特性を示す
図。
図。
【図５】勾配磁場の強度分布を示す図。
【図６】遮蔽シートの使用例を示す図。
１…誘電体シート、２，４…導電体層、３，５…スリッ
ト。
ト。
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体シートの表裏面に導電体層が蒸着
又はめっきにより被膜され、且つ前記導電体層は表裏各
面においてスリットにより縦横に分離されることを特徴
とする磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シート。 - 【請求項２】 前記導電体層が前記誘電体シートを挟ん
で表裏面間で一部重なり合うように前記スリットの位置
が表面と裏面との間でずらされていることを特徴とする
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シー
ト。 - 【請求項３】 前記遮蔽シートが目的原子核の共鳴周波
数と異なる共振周波数の共振回路を等価的に構成するよ
うに前記スリットの間隔、位置、前記誘電体シートの誘
電率、前記誘電体シートの厚みの少なくとも１が設定さ
れていることを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴イメ
ージング装置の遮蔽シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243062A JPH08103426A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243062A JPH08103426A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08103426A true JPH08103426A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17098235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6243062A Pending JPH08103426A (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 磁気共鳴イメージング装置の遮蔽シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08103426A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846396B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
| JP2013513410A (ja) * | 2009-12-10 | 2013-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高周波遮蔽若しくはエンクロージャを持つ磁気共鳴対応電気機器 |
| JP2014012090A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Hitachi Medical Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
| JP2015518660A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 冷却構造を備える一体型電子モジュール |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP6243062A patent/JPH08103426A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6846396B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Active magnetic shielding |
| JP2013513410A (ja) * | 2009-12-10 | 2013-04-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 高周波遮蔽若しくはエンクロージャを持つ磁気共鳴対応電気機器 |
| JP2015518660A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 冷却構造を備える一体型電子モジュール |
| JP2014012090A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-01-23 | Hitachi Medical Corp | 磁気共鳴イメージング装置 |
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