CN102481116A - 倾斜磁场线圈以及磁共振成像装置 - Google Patents

Abstract

在磁共振成像装置的摄像区域中在轴方向上形成线性的磁场分布的大致螺线管状的第1线圈；和在第1线圈的外侧，配置在在摄像区域中形成均匀的磁场分布的静磁场的静磁场线圈装置的内侧，抑制从第1线圈向静磁场线圈装置的漏磁场的大致螺线管状的第2线圈，具有第1线圈与第2线圈的间隔在圆周方向上不同的第1区域A1(θ＝0，π)和比第1区域A1窄的第2区域A2(θ＝π/2)，在第1线圈中，通过第1线圈的中心且与轴方向(z轴方向)垂直的零面F0侧的布线图案17a、17b，在第1区域A1中远离零面F0，在第2区域A2中接近零面F0，在圆周方向上蜿蜒。提供一种能够不使用z轴不贯通的环状线圈地构成布线图案的倾斜磁场线圈。

Description

倾斜磁场线圈以及磁共振成像装置

技术领域

本发明涉及磁共振成像(以下，称作MRI)装置，特别涉及在所述MRI装置中使用的倾斜磁场线圈。

背景技术

作为MRI装置，提出了在摄像区域中形成水平方向的磁场的水平磁场型(隧道型)的MRI装置。在该MRI装置中，在摄像区域中生成均匀的磁场的静磁场线圈(超导线圈等)被收纳在中空圆筒型容器中，在该中空圆筒型容器的内筒壁内侧(中空圆筒型容器的外部)，配置有在摄像区域中产生用于设定位置(信息)的脉冲状的磁场(倾斜磁场)的倾斜磁场线圈、和激励核自旋的RF线圈。

在水平磁场型的MRI装置的摄像区域中，在静磁场线圈所生成的静磁场中插入被检体(通常为人体)，并照射RF线圈所生成的RF脉冲，由此来接收从被检体的生物体内产生的磁共振信号，取得医疗诊断用的被检体的断层图像。此时，倾斜磁场线圈具有：在放置了被检体的摄像区域中，在中空圆筒型容器的轴方向(z轴方向)上产生线性地变化的倾斜磁场的z方向倾斜磁场线圈；产生在与该z轴垂直且与床平行的横方向(x轴方向)上线性地变化的倾斜磁场的x方向倾斜磁场线圈；和产生在与床垂直的纵方向(y轴方向)上线性地变化的倾斜磁场的y方向倾斜磁场线圈。倾斜磁场线圈，通过对x轴方向用的倾斜磁场线圈以及y轴方向用的倾斜磁场线圈施加脉冲状的电流，来产生在各自的方向上倾斜的倾斜磁场，并对磁共振信号赋予被检体内的位置信息。

倾斜磁场线圈在摄像区域以外也形成磁场(漏磁场)，该漏磁场使配置在周围的中空圆筒型容器产生涡流。并且，该涡流所形成的磁场有时对断层图像产生不良影响，因此为了抑制漏磁场，在倾斜磁场线圈中，除了形成倾斜磁场的主线圈之外，还设置有流过与主线圈相反方向的电流的屏蔽线圈。

倾斜磁场线圈，一般按照沿着收纳静磁场线圈的中空圆筒型容器的内筒壁的方式，使与z轴垂直的剖面的形状成为圆形，但为了减小被检体、例如患者被插入内筒壁内时的压迫感，提出了使圆形的剖面的形状成为横长(例如，参照专利文献1)的技术方案。在专利文献1中，倾斜磁场线圈的主线圈以及屏蔽线圈的与z轴垂直的剖面的形状为横长的椭圆形。此外，在专利文献1中，提出了具备剖面形状为椭圆形的主线圈、和配置在该主线圈的外侧且其剖面形状为圆形的屏蔽线圈的倾斜磁场线圈。

在专利文献2中，提出了倾斜磁场线圈的剖面形状为非圆形的水平磁场型的MRI装置。该倾斜磁场线圈的主线圈，具有如下形状：与z轴垂直的剖面的形状(剖面形状)的下半部分为扁平的圆弧，上半部分为大致正圆形的圆弧。专利文献2示出了在z方向上形成线性梯度的磁场的z方向倾斜磁场线圈的布线图案的例子，示出了在主线圈与屏蔽线圈之间的间隔较狭的上侧、和间隔较宽的下侧，布线图案的绕组密度不同的样态。

(在先技术文献)

(专利文献)

专利文献1：JP特开2001-327478号公报

专利文献2：JP特开2001-170026号公报

(发明要解决的课题)

在z方向倾斜磁场线圈的主线圈和屏蔽线圈的剖面形状都为同心圆的圆形的情况下，主线圈和屏蔽线圈的布线图案，成为按照z轴贯通的方式配置的螺线管状线圈的布线图案。

另一方面，如专利文献2那样，在z方向倾斜磁场线圈的主线圈的剖面形状为非圆形，屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况下，主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域。在较窄的区域中，与较宽的区域相比，主线圈和屏蔽线圈的一方的线圈在配置了另一方的线圈的区域中形成的磁场变大。因此，仅用螺线管状线圈的布线图案无法形成主线圈和屏蔽线圈，还追加形成通过收纳静磁场线圈的中空圆筒型容器的中心(装置中心)，跨越与z轴垂直的剖面，且z轴不贯通的环状线圈。像这样，若螺线管状线圈和环状线圈混合存在，则由连接螺线管状线圈和环状线圈的布线图案的渡线产生多余的磁场。该渡线所产生的磁场随时间而变动，因此在周围的中空圆筒型容器中引起涡流，可以认为该涡流所形成的磁场对MRI装置的断层图像产生不良影响。此外，若螺线管状线圈和环状线圈混合存在，则它们的连接部分的制作性恶化。并且，若仅着眼于螺线管状线圈部分，则存在一周的电流路径不在同一平面上的情况，必须设置用于确保加工精度的机构。

发明内容

因此，本发明的第1目的在于，提供一种即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域，也能够不使用z轴不贯通的环状线圈地用螺线管状线圈构成布线图案的倾斜磁场线圈以及具备这样的倾斜磁场线圈的MRI装置。

此外，本发明的第2目的在于，提供一种即使在z方向倾斜磁场线圈的主线圈的剖面形状为非圆形，屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况下(即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在较窄的区域和较宽的区域)，也具有主线圈在制造上容易且螺线管状线圈与环状线圈不混合存在的线圈图案的倾斜磁场线圈以及具备这样的倾斜磁场线圈的MRI装置。

(解决课题的手段)

达成前述第1目的的本发明的特征在于，

一种倾斜磁场线圈，具备：

大致螺线管状的第1线圈(主线圈)，其在磁共振成像装置的摄像区域中在轴方向上形成线性的磁场分布；和

大致螺线管状的第2线圈(屏蔽线圈)，其在所述第1线圈(主线圈)的外侧，配置于在所述摄像区域中形成均匀的磁场分布的静磁场的静磁场线圈装置的内侧，抑制从所述第1线圈(主线圈)向所述静磁场线圈装置的漏磁场，

所述第1线圈(主线圈)与所述第2线圈(屏蔽线圈)的间隔，在圆周方向上不同，具有第1区域(宽区域)和与所述第1区域相比所述间隔较窄的第2区域(窄区域)，

在所述第1线圈(主线圈)中，通过所述第1线圈(主线圈)的中心且与所述轴方向垂直的零面侧的布线图案，在所述宽区域中远离所述零面，在所述窄区域中接近所述零面，在所述圆周方向上蜿蜒。

此外，本发明的特征在于，一种具有本发明所涉及的倾斜磁场线圈、和与所述倾斜磁场线圈接近地配置的所述静磁场线圈装置的MRI装置。

此外，达成前述第2目的的本发明的特征在于，

一种水平磁场型的MRI装置，其具备：

产生静磁场的环形的静磁场线圈；

在静磁场线圈的环形的开口部中移动的床装置；和

生成磁场强度形成倾斜梯度的倾斜磁场的倾斜磁场线圈，

倾斜磁场线圈具有：在摄像区域中生成倾斜磁场的倾斜磁场主线圈(主线圈)；和抑制所生成的倾斜磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部的倾斜磁场屏蔽线圈(屏蔽线圈)，倾斜磁场主线圈与所述倾斜磁场屏蔽线圈的间隔，被配置为在圆周方向上不同，在作为床装置的行进方向的z轴方向上生成倾斜磁场的z倾斜磁场主线圈，在与z轴垂直的平面上具有其电流流路，是将该电流流路在z轴方向上堆积而成的螺线管状线圈。

(发明的效果)

根据本发明的第1特征，能够提供一种即使主线圈与屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同，存在窄区域和宽区域，也能够不使用z轴不贯通的环状线圈地构成布线图案的倾斜磁场线圈，并且，能够提供搭载了该倾斜磁场线圈的MRI装置。

此外，根据本发明的第2特征，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

附图说明

图1A是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图1B是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图2是本发明的第1实施方式所涉及的磁共振成像装置的立体图。

图3是将本发明的第1实施方式所涉及的磁共振成像装置在包含y轴和z轴的平面上切断后的剖面图。

图4是将本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图5A是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的x主线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图5B是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的x屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图6A是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y主线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图6B是表示本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图7是对比较例1的倾斜磁场线圈的z主线圈和z屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。

图8A是表示比较例1的倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图8B是表示比较例1的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图9A是表示比较例2的倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图9B是表示比较例2的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈的布线图案的展开图的一半的图。

图10A是对比较例2的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈进行透视而记载的立体图(其1：用z坐标的正负来分割环状线圈)。

图10B是对比较例2的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈进行透视而记载的立体图(其2：将环状线圈与螺线管线圈连接)。

图11A是对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)进行透视而记载的立体图。

图11B是对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)进行透视而记载的立体图。

图12A是将本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图12B是表示本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图12C是表示本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图13A是将本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图13B是表示本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图13C是表示本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图14A是将本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图14B是表示本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图14C是表示本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图15A是将本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图15B是表示本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图15C是表示本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)的布线图案的展开图的一半的图。

图16A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图16B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图17是表示将本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

图18A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的x主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图18B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的x屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图19A是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y主线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图19B是表示本发明的第6实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的y屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图20是表示z倾斜磁场线圈所形成的磁通密度z分量的图，(a)是本发明的第6实施方式的z倾斜磁场线圈的情况，(b)是比较例2的z倾斜磁场线圈的情况，(c)是绘制了从摄像区域的中心部分向轴方向延伸的线段上的磁通密度的z分量的图。

图21表示本发明的第6实施方式的z主线圈的布线图案的一部分，(a)是显示了在z方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部的布线图案，(b)是表示z主线圈的导体的一部分的图。

图22表示本发明的第6实施方式的z屏蔽线圈的布线图案的一部分，(a)是显示了在z方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部的布线图案，(b)是表示z主线圈的导体的一部分的图。

图23表示本发明的第7实施方式的z倾斜磁场线圈，(a)是z倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示z倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示z屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图24表示本发明的第8实施方式的z倾斜磁场线圈，(a)是z倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示z倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示z屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图25表示本发明的第9实施方式的z倾斜磁场线圈，(a)是z倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示z倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示z屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

图26表示本发明的第10的实施方式的z倾斜磁场线圈，(a)是z倾斜磁场线圈的剖面图，(b)是表示z倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图的1/2的图，(c)是表示z屏蔽线圈的布线图案的展开图的1/2的图。

具体实施方式

接下来，适当参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，在各图中，对共同的部分赋予相同符号并省略重复的说明。

(第1实施方式)

在图2中，示出本发明的第1实施方式所涉及的磁共振成像(MRI)装置100的立体图。MRI装置100具有：在躺在床41上的状态下插入被检体40的摄像区域(摄像空间)7中生成均匀的静磁场的静磁场线圈装置1；为了对摄像区域7赋予位置信息而在空间上脉冲状地产生磁场强度产生了倾斜梯度的倾斜磁场的倾斜磁场线圈2；对被检体40照射高频脉冲的RF线圈3；接收来自被检体40的磁共振信号的接收线圈(省略图示)；和对接收到的磁共振信号进行处理并显示所述断层图像的计算机系统(省略图示)。并且，根据MRI装置100，利用对放置在均匀的静磁场中的被检体40照射了高频脉冲时所产生的核磁共振现象，能够得到表示被检体40的物理的、化学的性质的断层图像，该断层图像特别被用作医疗用。静磁场线圈装置1、倾斜磁场线圈2、RF线圈3为筒状，筒状的中心轴相互大体一致，向着z轴方向。在此，将与床41向所述筒状内部的进入方向平行的方向(静磁场的方向)作为z轴。另外，y轴方向被设定为垂直方向向上。x轴方向被设定为水平方向，并且，被设定为将螺丝从z轴方向向y轴方向转动时螺丝的前进方向。静磁场线圈装置1的外周由作为中空圆筒型容器的真空容器6构成。在作为中空圆筒型容器的真空容器6的内筒壁内侧(中空圆筒型容器的外部)配置有倾斜磁场线圈2和RF线圈3。

倾斜磁场线圈2具有：配置在摄像区域7侧的主线圈2a、和配置在真空容器6侧的屏蔽线圈2b。主线圈2a在摄像区域7中产生倾斜磁场，但在作为中空圆筒型容器的真空容器6中，也产生所谓的漏磁场。为了抑制向该作为中空圆筒型容器的真空容器6的漏磁场，在屏蔽线圈2b中，流过与主线圈2a相反方向的电流。

主线圈2a具有：产生在z轴方向上线性地变化的倾斜磁场的z主线圈9z；产生在x轴方向上线性地变化的倾斜磁场的x主线圈9x；和产生在y轴方向上线性地变化的倾斜磁场的y主线圈9y。通过对z主线圈9z、x主线圈9x、和y主线圈9y分别施加脉冲状的电流，能够产生在相对应的各自的方向上倾斜的倾斜磁场，并对磁共振信号赋予被检体40内的位置信息。

屏蔽线圈2b具有：抑制z主线圈9z所产生的漏磁场的z屏蔽线圈10z；抑制x主线圈9x所产生的漏磁场的x屏蔽线圈10x；和抑制y主线圈9y所产生的漏磁场的y屏蔽线圈10y。

在图3中，示出将本发明的第1实施方式所涉及的MRI装置100在包含y轴和z轴的平面上切断后的剖面图。MRI装置100是在摄像区域7中形成的静磁场8的方向为水平方向(z轴方向)的水平磁场型MRI装置。此外，如前述那样，按照相互成为直角的方式设定x轴、y轴、和z轴，原点设定在摄像区域7的中心即作为中空圆筒型容器的真空容器6的中心附近。在静磁场线圈装置1中，按照相对于z＝0面左右(z＜0和z＞0的部分)成对的方式，设置有静磁场主线圈1a、和抑制静磁场向周围的泄露的静磁场屏蔽线圈1b。这些线圈1a、1b分别为以z轴为共同的中心轴的圆环形状。与静磁场主线圈1a的外径相比，静磁场屏蔽线圈1b的内径更大。此外，在这些线圈1a、1b中，多利用超导线圈，在此情况下，线圈1a、1b被收纳在3层构造的容器内。首先，线圈1a、1b与制冷剂的液体氦(He)一起收纳在氦容器4内。氦容器4内含在阻断向内部的热辐射的辐射屏蔽5中。然后，作为中空圆筒型容器的真空容器6收纳氦容器4以及辐射屏蔽5，同时将内部保持为真空。真空容器6即使配置在普通室温的室内，也由于真空容器6内为真空，因此室内的热不会通过传导或对流而传递给氦容器4。此外，辐射屏蔽5抑制了室内的热通过辐射而从真空容器6传递给氦容器4。因此，线圈1a、1b能够稳定地设定为作为液体氦的温度的极低温，能够发挥超导电磁石的功能。在氦容器4、辐射屏蔽5、和真空容器6中，为了不产生不必要的磁场而使用非磁性的部件，并且，出于容易保持真空保持的目的而使用非磁性的金属。因此，在氦容器4和辐射屏蔽5中，特别是配置在最外周的真空容器6中，处于容易产生所述涡流的状况。

倾斜磁场线圈2具有筒状的形状，按照内置RF线圈3和摄像区域7的方式配置。倾斜磁场线圈2的外筒壁按照沿着作为中空圆筒型容器的真空容器6的内筒壁而对置的方式形成。

RF线圈3也具有筒状的形状，按照内置摄像区域7的方式配置。RF线圈3的外筒壁按照沿着倾斜磁场线圈2的内筒壁而对置的方式形成。RF线圈3对摄像区域7照射高频脉冲。接收线圈(省略图示)接收来自被检体40的磁共振信号，并发送到计算机系统(省略图示)。计算机系统接受来自接收线圈的磁共振信号后，对该磁共振信号进行处理来制作被检体40的断层图像，并显示在显示装置(未图示)中。

在图4中，示出将本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。在(倾斜磁场)主线圈2a的外侧，配置有(倾斜磁场)屏蔽线圈2b。(倾斜磁场)主线圈2a的剖面形状为椭圆形，(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的剖面形状为(正)圆形。(倾斜磁场)主线圈2a的中心轴和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴为z轴方向，且相一致。在(倾斜磁场)主线圈2a中，x轴方向为长轴，y轴方向为短轴。因此，主线圈2a与屏蔽线圈2b的间隔，在圆周方向(θ方向)上不同，具有第1区域(宽区域)A1、和与该宽区域A1相比，主线圈2a与屏蔽线圈2b的间隔较窄的第2区域(窄区域)A2。在(倾斜磁场)主线圈2a的椭圆形的短轴的延长线上产生第1区域(宽区域)A1，在(倾斜磁场)主线圈2a的椭圆形的长轴的延长线上产生第2区域(窄区域)A2。另外，θ是绕z轴的角度。从坐标原点起将y轴负方向作为零弧度(θ＝0rad)。同样，将x轴正方向作为π/2弧度(θ＝π/2rad)。将y轴正方向作为π弧度(θ＝πrad)。将x轴负方向作为3π/2弧度(θ＝3π/2弧度)。由此，宽区域A1在θ为零弧度(θ＝0rad)和π弧度(θ＝πrad)以及它们的附近产生。反之，窄区域A2在θ为π/2弧度(θ＝π/2rad)和3π/2弧度(θ＝3π/2弧度)以及它们的附近产生。

并且，在主线圈2a与屏蔽线圈2b的间隔较宽的区域A1内的、θ为π弧度(θ＝πrad)的一侧的区域中，设置有将外部电源和主线圈2a相连接的连接布线24、25。此外，在该相同的宽区域A1中设置有将外部电源和屏蔽线圈2b相连接的连接布线26、27。若为宽区域A1，则能够容易地配设连接布线24～27。

主线圈2a的x主线圈9x、y主线圈9y、和z主线圈9z，夹持着省略了图示的绝缘层而层叠。屏蔽线圈2b的x屏蔽线圈10x、y屏蔽线圈10y、和z屏蔽线圈10z，也夹持着省略了图示的绝缘层而层叠。

在图5A中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈2a的x主线圈9x的布线图案的θ方向的展开图的一半。即，在图5A中，示出了θ为0～π弧度的范围，但省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的x主线圈9x的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的x主线圈9x的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，x主线圈9x具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。

在图5B中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b的x屏蔽线圈10x的布线图案的θ方向的展开图的一半。即，在图5B中，示出了θ为0～π弧度的范围，但省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的x屏蔽线圈10x的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的x屏蔽线圈10x的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，x屏蔽线圈10x具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。

在图6A中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈2a的y主线圈9y的布线图案的θ方向的展开图的一半。在图6A中，也示出了θ为0～π弧度的范围，而省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的y主线圈9y的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的y主线圈9y的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，y主线圈9y具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。y主线圈9y与将x主线圈9x在z轴的周围旋转了90度后的线圈大体一致。

在图6B中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b的y屏蔽线圈10y的布线图案的θ方向的展开图的一半。在图6B中，也示出了θ为0～π弧度的范围，而省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的y屏蔽线圈10y的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的y屏蔽线圈10y的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，y屏蔽线圈10y具有4个漩涡状的鞍型环状线圈。y屏蔽线圈10y与将x屏蔽线圈10x在z轴的周围旋转90度后的线圈大体一致。

像这样，x主线圈9x、x屏蔽线圈10x、y主线圈9y、y屏蔽线圈10y分别能够由4个所构成的漩涡状的鞍型环状线圈来构成。另外，在构成漩涡状的环状线圈的多重环状线圈中，连接相邻的环状线圈间的渡线省略了图示。

在图1A中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的主线圈2a的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案的θ方向的展开图的一半。即，在图1A中，示出了θ为0～π弧度的范围，但省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。由此可知，z主线圈(第1线圈)9z是z轴贯通的大致螺线管状线圈。z主线圈(第1线圈)9z，在MRI装置100的摄像区域7中，形成强度在轴方向(z轴方向)上线性地倾斜的磁场分布。

在z主线圈(第1线圈)9z中，通过z主线圈(第1线圈)9z的中心且与轴方向(z轴方向)垂直的零面F0(z＝0面)侧的布线图案17a、17b(在图1A中由6条构成的布线图案)在宽区域A1(θ＝0，π附近)中远离零面F0(z＝0面)，在窄区域A2(θ＝π/2附近)中接近零面F0(z＝0面)，在圆周方向(θ方向)上蜿蜒。

布线图案17a、17b的6条布线图案内、最接近零面F0(z＝0面)的零面F0(z＝0面)的两侧的2条布线图案，在宽区域A1(θ＝0，π附近)以外的、包含窄区域A2(θ＝π/2附近)在内的圆周方向(θ方向)的大部分区域中，接近零面F0(z＝0面)。因此，该2条布线图案，在宽区域A1(θ＝0，π附近)中，在z轴方向发生了位移。

布线图案17a、17b的6条布线图案内、最远离零面F0(z＝0面)的零面F0(z＝0面)的两侧的2条布线图案，在包含宽区域A1(θ＝0，π附近)在内的圆周方向(θ方向)的大部分区域中，远离零面F0(z＝0面)而接近布线图案18a、18b，仅在窄区域A2(θ＝π/2附近)中，接近零面F0(z＝0面)。因此，该2条布线图案，在窄区域A2(θ＝π/2附近)中，在z轴方向上发生了位移。

布线图案17a、17b的6条布线图案内、最接近零面F0(z＝0面)的零面F0(z＝0面)的两侧的2条布线图案、和最远离零面F0(z＝0面)的零面F0(z＝0面)的两侧的2条布线图案所夹着的2条布线图案，在包含宽区域A1(θ＝0，π附近)在内的周边的区域中，远离零面F0(z＝0面)而接近布线图案18a、18b，在包含窄区域A2(θ＝π/2附近)在内的周边的区域中，接近零面F0(z＝0面)。因此，该2条布线图案，在宽区域A1(θ＝0，π附近)和窄区域A2(θ＝π/2附近)之间的区域中，在z轴方向上发生了位移。

z主线圈(第1线圈)9z还具有远离零面F0(z＝0面)的外侧的布线图案18a、18b。布线图案18a、18b是由在圆周方向(θ方向)上大致直线状的、多条图案构成的布线图案。

另外，z轴为正的一侧的布线图案17a、18a中流过的电流的方向，是θ方向的正方向，z轴为负的一侧的布线图案17b、18b中流过的电流的方向，是θ方向的负方向。此外，连接相邻的布线图案17a、17b、18a、18b的渡线省略了的记载。

在图1B中，示出本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2的屏蔽线圈2b的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案的θ方向的展开图的一半。即，在图1B中，示出了θ为0～π弧度的范围，但省略了π～2π弧度的范围的记载。θ为π～2π弧度的范围的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案，是将θ为0～π弧度的范围的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案，以与θ为π弧度(θ＝π)的z轴平行的直线为对称线而折叠后的线对称的布线图案。可知，z屏蔽线圈(第2线圈)10z是z轴贯通的大致螺线管状线圈。z屏蔽线圈(第2线圈)10z，在z主线圈(第1线圈)9z的外侧，抑制从z主线圈(第1线圈)9z向静磁场线圈装置1的漏磁场。

在z屏蔽线圈(第2线圈)10z中，布线图案19内的、轴方向(z轴方向)的外侧和零面F0(z＝0面)侧的布线图案，平滑地蜿蜒。布线图案19内的、轴方向(z轴方向)的外侧的布线图案的包含窄区域A2(θ＝π/2附近)在内的圆周方向(θ方向)的周边区域，与其他区域相比，靠近零面F0(z＝0面)方向。布线图案19内的、零面F0(z＝0面)侧的布线图案的包含宽区域A1(θ＝0，π附近)在内的圆周方向(θ方向)的周边区域，与其他区域相比，靠近零面F0(z＝0面)方向。另外，z轴为正的一侧的布线图案19中流过的电流的方向，是θ方向的负方向，z轴为负的一侧的布线图案19中流过的电流的方向，是θ方向的正方向。

在图7中，示出对比较例1的倾斜磁场线圈的z主线圈11和z屏蔽线圈12进行透视而记载的立体图。在比较例1中，使用以z轴为共同的中心轴的z主线圈11和z屏蔽线圈12，z主线圈11和z屏蔽线圈12的与z轴垂直的面上的剖面形状为圆形。因此，z主线圈11与z屏蔽线圈12的间隔，在圆周方向上固定，不具有宽区域A1和窄区域A2。

在图8A中，示出比较例1的倾斜磁场线圈的z主线圈11的布线图案的展开图的一半，在图8B中，示出z屏蔽线圈12的布线图案的展开图的一半。在比较例1中，z主线圈11、z屏蔽线圈12的剖面形状都为圆形，z主线圈11与z屏蔽线圈12的间隔在圆周方向上一样(固定)，因此布线图案也成为在圆周方向(θ方向)上固定的图案，成为由在圆周方向(θ方向)上大致直线状的、多条图案构成的布线图案。

在图9A中，示出比较例2的倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案13、14的展开图的一半，在图9B中，示出比较例2的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈的布线图案15、16的展开图的一半。在比较例2中，与第1实施方式的图4的z主线圈9z和z屏蔽线圈10z同样，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔在圆周方向上不同，具有宽区域A1和窄区域A2。在窄区域A2中，与宽区域A1相比，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z的一方的线圈，在配置有另一方的线圈的场所所产生的磁场变强。因此，按照用该另一方的线圈来抵消该磁场(重现其强度(不过，方向相反))的方式，若为z主线圈9z则如布线图案14那样，若为z屏蔽线圈10z则如布线图案16那样，形成跨越零面F0(z＝0面)的环状线圈。布线图案14和16的环状线圈，是z轴不贯通的环状线圈。另外，布线图案14以外的z主线圈9z的布线图案13、和布线图案16以外的z屏蔽线圈10z的布线图案15，在圆筒面上或者椭圆筒面上形成在圆周方向(θ方向)上蜿蜒的大致螺线管状线圈。

在比较例2中，如图9A的布线图案14和图9B的布线图案16那样，形成了环状线圈，但在第1实施方式中，如图1A的z主线圈9z、和图1B的z屏蔽线圈10z所示那样，没有形成不贯通z轴的环状线圈。像这样，在第1实施方式中，在图1A的z主线圈9z、和图1B的z屏蔽线圈10z中不形成不贯通z轴的环状线圈方面取得了成功。

首先，针对图1A的z主线圈9z的布线图案17a、17b、18a、18b所形成的磁场在以下进行详述。在z坐标为正(z＞0)的区域中，布线图案17a以及布线图案18a的电流的方向，为θ方向的正方向，在z坐标为负(z＜0)的区域中，布线图案17b以及布线图案18b的电流的方向，为θ方向的负方向。因此，在零面F0(z＝0面)上，磁通密度的z分量成为零(0)(T)。并且，形成越远离零面F0(z＝0面)则磁通密度的z分量越大的倾斜磁场。

在宽区域A1(θ＝0，π附近)中，蜿蜒的布线图案17a通过布线图案18a的附近，蜿蜒的布线图案17b通过布线图案18b的附近，因此布线图案17a和布线图案17b远离。因此，布线图案17a和布线图案17b所形成的磁场不相互抵消，起到增强布线图案17a、18a和布线图案17b、18b所形成的磁场(倾斜磁场和漏磁场)的作用。

另一方面，在窄区域A2(θ＝π/2附近)中，蜿蜒的布线图案17a和布线图案17b接近。因此，布线图案17a和布线图案17b所形成的磁场相互抵消，不会增强布线图案17a、18a和布线图案17b、18b所形成的磁场(倾斜磁场和漏磁场)。

因此，从z主线圈9z向外侧的z屏蔽线圈10z的方向离开一定距离的位置上的θ方向的磁场的轮廓，宽区域A1(θ＝0，π附近)比窄区域A2(θ＝π/2附近)大。换言之，相对于离窄区域A2(θ＝π/2附近)中的z主线圈9z某距离上的磁场(漏磁场)，在宽区域A1(θ＝0，π附近)中，在比该距离更远(大)的距离的位置上，存在形成与该磁场(漏磁场)大小相等的磁场(漏磁场)的位置。即，在远离z主线圈9z的外侧的z主线圈9z的区域中，存在z主线圈9z所生成的磁场(漏磁场)的圆周方向(θ方向)的分布大致均匀的环状的区域。并且，在该环状的区域中，配置有z屏蔽线圈10z。z屏蔽线圈10z只要抑制(屏蔽)圆周方向(θ方向)的分布大致均匀的磁场(漏磁场)即可，因此能够用大致螺线管线圈容易地形成。即，在窄区域A2(θ＝π/2附近)和宽区域A1(θ＝0，π附近)中，根据z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔的大小，来调节布线图案17a和布线图案17b的蜿蜒的程度和条数，由此能够将z屏蔽线圈10z形成为剖面形状为大致圆形的螺线管线圈形状。例如，在图1A中，布线图案17a和布线图案17b各为3圈(条)，但只要z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的最大间隔和最小间隔的差(窄区域A2(θ＝π/2附近)和宽区域A1(θ＝0，π附近)的间隔的差)越大，则越增加蜿蜒的圈数即可。根据第1实施方式，由于z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不具有环状线圈，因此能够将连接布线图案间的渡线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的多余的涡流，而且，制造也变得容易。

因此，在后述中，对连接布线图案间的渡线等的连接布线进行说明。首先，为了与第1实施方式进行比较，针对图9B所示的比较例2的z屏蔽线圈，对连接相邻的布线图案15、16间的渡线等的连接布线进行说明。

在图10A中，示出对比较例2的z屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。在图10A中，用z坐标的正负(用零面F0(z＝0面))对布线图案16(16a、16b)的环状线圈进行了分割。比较例2的z屏蔽线圈，在宽区域A1(θ＝π附近)中，用连接布线20、21与外部连接。从连接布线20流入电流，从连接布线21流出电流。从连接布线20流入的电流，首先，流过布线图案15a(15)。多个布线图案15a(15)的相互间，由渡线28来连接。电流在流过布线图案15a(15)之后，经由与布线图案15a(15)大致平行的引绕线(连接布线)22，而流过环状线圈的上侧的布线图案16a(16)。然后，将电流的方向从θ方向的负的方向变为正的方向，流过环状线圈的下侧的布线图案16b(16)。接着，电流流过引绕线22，并流入到布线图案15b(15)。多个布线图案15b(15)的相互间，由渡线28来连接。布线图案15b(15)与连接布线21连接，电流从布线图案15b(15)流出到连接布线21。

如图10A所示，引绕线22每4条接近地配置，每2条中各自的电流的方向相反，因此几乎不由它们生成磁场，但由于以导体宽度的间隔而相互分离，因此生成微弱的磁场。该微弱的磁场与在摄像区域7中形成的磁场(倾斜磁场)相比可以无视，但相对于z屏蔽线圈10z的径方向外侧的原本磁场被遮蔽的区域的磁场(漏磁场)则无法无视。因此，该磁场所产生的对周围的构造物的涡流影响，与不考虑圈间的连接的情况相比，变大为无法无视的程度。

在图10B中，也示出对比较例2的z屏蔽线圈进行透视而记载的立体图。在图10B中，布线图案16的环状线圈，与相邻的布线图案15(15a、15b)，在相互最接近的位置经由连接布线23a、23b而连接。图10B所示的z屏蔽线圈，也在宽区域A1(θ＝π附近)中，通过连接布线20、21与外部连接。从连接布线20流入电流，从连接布线21流出电流。从连接布线20流入的电流，首先，流过布线图案15a(15)。多个布线图案15a(15)的相互间通过渡线28而连接。电流在流过与布线图案16的环状线圈接近的布线图案15a(15)的途中，经由与布线图案15a(15)大致垂直的连接布线23a，流过环状线圈的布线图案16，并返回到布线图案15a(15)。然后，流过布线图案15a(15)之后，电流将方向从θ方向的负的方向变为正的方向，并流过布线图案15b(15)。电流在流过与布线图案16的环状线圈接近的布线图案15b(15)的途中，经由与布线图案15b(15)大致垂直的连接布线23b，流过环状线圈的布线图案16，并返回到布线图案15b(15)。电流流过布线图案15b(15)。多个布线图案15b(15)的相互间通过渡线28而连接。布线图案15b(15)与连接布线21连接，电流从布线图案15b(15)流出到连接布线21。

如图10B所示，连接布线23a、23b，由于能够缩短布线长度，故而能将涡流的影响抑制在最小限度，但若环状线圈的布线图案16成为2圈(2圈)以上，则2条连接布线23a中的1条、和2条连接布线23b中的1条，与环状线圈的布线图案16交叉。该交叉在窄区域A2(θ＝π/2，3π/2附近)中产生，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔变得最窄，只要使用一条线圈绞线用一个绕组来形成，则在空间上没有使布线交叉的空余。

接下来，针对图1A所示的第1实施方式的z主线圈9z，对连接相邻的布线图案17(17a、17b)、18(18a、18b)间的渡线等的连接布线进行说明。

在图11A中，示出对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z主线圈(第1线圈)9z进行透视而记载的立体图。第1实施方式的z主线圈9z，在宽区域A1(θ＝π附近)中，通过连接布线24、25与外部连接。从连接布线24流入电流，从连接布线25流出电流。从连接布线24流入的电流，首先，流过布线图案18b。多个布线图案18b的相互间，通过渡线28而连接。电流在流过布线图案18b之后，经由渡线28，流过蜿蜒的布线图案17b。然后，电流流过渡线28，将方向从θ方向的负的方向，变为正的方向，并流过蜿蜒的布线图案17a。接着，电流流过渡线28，流入到布线图案18a。多个布线图案18a的相互间通过渡线28而连接。布线图案18a与连接布线25连接，电流从布线图案18a流出到连接布线25。

如图11A所示，所有的渡线28能够设置在宽区域A1(θ＝π附近)中，并能够与连接布线24接近地配置为大致平行。流过渡线28的电流的方向，大体朝向z轴方向的正的方向，因此与流过连接布线24的电流的方向相反，几乎不由它们产生磁场。此外，连接布线24虽然与布线图案17a、17b、18a、18b以及渡线28交叉，但该交叉在宽区域A1(θ＝π附近)中产生，因此z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔变得最宽，能够容易地确保使布线交叉的空间上的余地。

接下来，针对图1B所示的第1实施方式的z屏蔽线圈10z，对连接相邻的布线图案19间的渡线等的连接布线进行说明。

在图11B中，示出对本发明的第1实施方式所涉及的倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈(第2线圈)10z进行透视而记载的立体图。第1实施方式的z屏蔽线圈10z，在宽区域A1(θ＝π附近)中，通过连接布线26、27与外部连接。从连接布线26流入电流，从连接布线27流出电流。从连接布线26流入的电流，首先流过布线图案19a(19)。多个布线图案19a的相互间，通过渡线28而连接。然后，在流过布线图案19a(19)之后，电流流过渡线28，将方向从θ方向的负的方向变为正的方向，并流过布线图案19b(19)。多个布线图案19b(19)的相互间，通过渡线28而连接。布线图案19b(19)与连接布线27连接，电流从布线图案19b流出到连接布线27。

如图11B所示，所有的渡线28能够设置在宽区域A1(θ＝π附近)中，并能够与连接布线27接近地配置为大致平行。流过渡线28的电流的方向，大体朝向z轴方向的负的方向，因此与流过连接布线27的电流的方向相反，几乎不由它们产生磁场。此外，连接布线27虽然与布线图案19(19a、19b)以及渡线28交叉，但由于该交叉在宽区域A1(θ＝π附近)中产生，因此z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔变得最宽，能够容易地确保空间上使布线交叉的余地。

如前述那样，根据第1实施方式，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不生成不贯通z轴的环状线圈，从而能够将连接圈间的连接布线的引绕距离抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的多余的涡流，也能够容易地制造。

通过如本实施方式那样配置倾斜磁场屏蔽线圈2b(10x、10y、10z)，能够抑制倾斜磁场主线圈2a(9x、9y、9z)所生成的脉冲状的磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部的情况，能够抑制在覆盖静磁场线圈装置1的容器(氦容器、辐射屏蔽、真空容器)中产生涡流，并能够得到希望的倾斜磁场分布。此外，通过在倾斜磁场主线圈与静磁场线圈装置1之间配置倾斜磁场屏蔽线圈2b，能够抑制静磁场线圈装置1中流过的电流和从倾斜磁场主线圈2a泄露的磁场所产生的振动电磁力导致的静磁场线圈装置1的振动，能够防止在摄像区域中形成的均匀磁场随时间而变动。

(第2实施方式)

在图12A中，示出将本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2A在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第2实施方式的倾斜磁场线圈2A与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈2a、特别是z主线圈9z的剖面形状成为跑道形状。不过，z主线圈9z的剖面形状与第1实施方式同样，x轴方向(水平方向)的宽度成为最大宽度，因此在被检体40(参照图2)仰卧的情况下，能够在肩宽方向上具有余地地插入，因此能够提高被检体40对MRI装置100(参照图2)所感到的宽敞感。(倾斜磁场)主线圈2a的中心轴与(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴成为z轴方向，且相一致。在(倾斜磁场)主线圈2a的所述跑道形状的短轴的延长线上产生第1区域(宽区域)A1，在(倾斜磁场)主线圈2a的跑道形状的长轴的延长上线上产生第2区域(窄区域)A2。此外，与第1实施方式同样，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z之间的间隔根据圆周方向(θ方向)而不同，x轴上(θ＝π/2，3π/2(窄区域A2))的z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔，比y轴上(θ＝0，π(宽区域A1))的间隔窄。

在图12B中，示出本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2A的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第2实施方式中，也与第1实施方式同样，在宽区域A1(θ＝0，π附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域A2(θ＝π/2附近)中，接近零面F0(z＝0面)，形成绕z轴向θ方向前进且在z轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。

在图12C中，示出本发明的第2实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2A的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案19的展开图的一半。在第2实施方式中，也第1实施方式同样，z屏蔽线圈10z形成不生成z轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。

根据第2实施方式，与第1实施方式同样，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不生成环状线圈，从而能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。

(第3实施方式)

在图13A中，示出将本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2B在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第3实施方式的倾斜磁场线圈2B与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，在主线圈2a、特别是z主线圈9z的剖面形状中，成为使短轴所通过的周边的圆弧部分为椭圆形状，并使该椭圆形状的长轴所通过的周边的圆弧部分成为使该椭圆形状向y轴方向膨胀那样的曲率不同的圆弧的、组合了多个具有不同的曲率的圆弧的形状。即，在与(倾斜磁场)主线圈2a的轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，以椭圆形为基础，使该椭圆形的长轴的两端周边的圆弧部分，成为向该椭圆形的短轴方向膨胀那样的圆弧。(倾斜磁场)主线圈2a的中心轴、和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴，成为z轴方向，且相一致。在(倾斜磁场)主线圈2a的椭圆形的短轴的延长线上产生第1区域(宽区域)A1，在(倾斜磁场)主线圈2a的椭圆形的长轴的延长上产生第2区域(窄区域)A2。不过，z主线圈9z的剖面形状，与第1实施方式同样，x轴方向(水平方向)的宽度为最大宽度，因此在被检体40(图2参照)仰卧的情况下，由于能够在肩宽方向上留有余地地插入，因此能够提高被检体40对MRI装置100(参照图2)所感到的宽敞感。此外，与第1实施方式同样，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z之间的间隔根据圆周方向(θ方向)而不同，x轴上(θ＝π/2，3π/2(窄区域A2))的z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔，比y轴上(θ＝0，π(宽区域A1))上的间隔窄。

在图13B中，示出本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2B的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第3实施方式中，也第1实施方式同样，在宽区域A1(θ＝0，π附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域A2(θ＝π/2附近)中，接近零面F0(z＝0面)，形成绕z轴向θ方向前进且在z轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。

在图13C中，示出本发明的第3实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2B的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案19的展开图的一半。在第3实施方式中，也与第1实施方式同样，z屏蔽线圈10z形成不生成z轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。

根据第3实施方式，与第1实施方式同样，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。

(第4实施方式)

在图14A中，示出将本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第4实施方式的倾斜磁场线圈2C与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈2a、特别是z主线圈9z的剖面形状为圆形形状，z主线圈9z的圆形形状的中心与z屏蔽线圈10z的圆形形状的中心不一致，不是同心圆，成为各自的圆形形状的中心在y轴方向上偏离(圆形的中心位置不同)的形状。不过，与第1实施方式同样，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z之间的间隔根据圆周方向(θ方向)而不同，y轴上(θ＝π(窄区域A2))的z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔，比y轴上(θ＝0(宽区域A1))的间隔窄。即，在(倾斜磁场)主线圈2a和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的中心轴偏离的方向的进退两个方向中的一方产生了第1区域(宽区域)A1，在另一方产生了第2区域(窄区域)A2。

在图14B中，示出本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第4实施方式中，也与第1实施方式同样，在宽区域A1(θ＝0附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域A2(θ＝π附近)中，接近零面F0(z＝0面)，形成绕z轴向θ方向前进且在z轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。

在第1～第3实施方式中，z主线圈9z的剖面形状相对于yz面、xz面为面对称，因此与z屏蔽线圈10z之间的间隔为最大间隔的区域(宽区域)A1存在于θ＝0、θ＝π这2处，在各个宽区域A1中，蜿蜒的布线图案17a、17b接近于大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b，而在第4实施方式中，与z屏蔽线圈10z之间的间隔成为最大间隔的区域(宽区域)A1为θ＝0这1处，因此该宽区域A1仅在一处，蜿蜒的布线图案17a、17b接近大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b。

在图14C中，示出本发明的第4实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2C的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案19的展开图的一半。在第4实施方式中，也与第1实施方式同样，z屏蔽线圈10z形成不生成z轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。

根据第4实施方式，与第1实施方式同样，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。

(第5实施方式)

在图15A中，示出将本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。第5实施方式的倾斜磁场线圈2D与第1实施方式的倾斜磁场线圈2的不同点在于，主线圈2a、特别是z主线圈9z的剖面形状，在上部和下部组合了曲率不同的圆弧。使下部的圆弧的(曲率)半径比上部的圆弧大。并且，使y轴的正的区域的开口面积比负的区域的开口面积大。即，在与(倾斜磁场)主线圈2a的轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，以圆形为基础，使该圆形的大致下半部分的圆弧部分，成为比该圆形的半径大的半径的圆弧。(倾斜磁场)主线圈2a的剖面形状的基础圆形和(倾斜磁场)屏蔽线圈2b的剖面形状的圆形的中心一致。在(倾斜磁场)主线圈2a的基础圆形一侧产生第2区域(窄区域)A2，在比(倾斜磁场)主线圈2a的基础圆形的半径大的半径的圆弧一侧产生第1区域(宽区域)A1。由此，在被检体40仰卧的情况下，能够使下部的圆弧与被检体40的后背相吻合，并且，在被检体40的脸部的前方能够确保充分的空间。此外，与第1实施方式同样，z主线圈9z与z屏蔽线圈10z之间的间隔根据圆周方向(θ方向)而不同，y轴上(θ＝π(窄区域A2))的z主线圈9z与z屏蔽线圈10z的间隔比y轴上(θ＝0(宽区域A1))的间隔窄。

在图15B中，示出本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D的z主线圈(第1线圈)9z的布线图案17a、17b、18a、18b的展开图的一半。在第5实施方式中，也与第1实施方式同样，在宽区域A1(θ＝0附近)中，接近外侧的大致螺线管线圈形状的布线图案18a和18b，在窄区域A2(θ＝π附近)中，接近零面F0(z＝0面)，形成绕z轴向θ方向前进且在z轴方向上蜿蜒的大致螺线管状线圈的布线图案17a、17b。

在第5实施方式中，与第4实施方式同样，与z屏蔽线圈10z之间的间隔成为最大间隔的区域(宽区域)A1为θ＝0这1处，因此该宽区域A1，仅在一处，蜿蜒的布线图案17a、17b接近大致螺线管线圈状的布线图案18a、18b。

在图15C中示出本发明的第5实施方式所涉及的倾斜磁场线圈2D的z屏蔽线圈(第2线圈)10z的布线图案19的展开图的一半。在第5实施方式中，也与第1实施方式同样，z屏蔽线圈10z形成不生成z轴不贯通的环状线圈的大致螺线管状线圈的布线图案19。

根据第5实施方式，与第1实施方式同样地，z主线圈9z和z屏蔽线圈10z都不生成环状线圈，从而由于能够将连接圈间的连接布线的引绕抑制在最小限度，因此能够减小在周围的构造物中生成的涡流，并且，制造变得容易。

(第6实施方式)

以下，利用图16A、图16B、图17、图18A、图18B、图19A以及图19B，对本发明的其他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。

本实施方式的MRI装置，具有将第1实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2替换为倾斜磁场线圈2E的构成。对于本实施方式的倾斜磁场线圈2E，利用图17进行说明。图17是将本实施方式的倾斜磁场线圈2E在包含x轴和y轴的平面上切断后的剖面图。

倾斜磁场线圈2E配置在真空容器6的外部且比真空容器6更接近摄像区域7的位置。该倾斜磁场线圈2E，从接近摄像空间7的一侧开始依次具有倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)、倾斜磁场屏蔽线圈10(10x、10y、10z)。本实施方式所示的倾斜磁场线圈2E的剖面形状，是倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)为椭圆形、倾斜磁场屏蔽线圈10(10x、10y、10z)为圆形的情况。倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)具有x轴方向为长轴、y轴方向为短轴的椭圆形状。倾斜磁场线圈2E形成相对于与静磁场8平行的磁场分量，分别在x轴方向、y轴方向、z轴方向上线性地变化的倾斜磁场。具体来说，倾斜磁场主线圈9由在x轴方向生成倾斜磁场的x倾斜磁场主线圈(x主线圈)9x、在y轴方向生成倾斜磁场的y倾斜磁场主线圈(y主线圈)9y、在z轴方向生成倾斜磁场的z倾斜磁场主线圈(z主线圈)9z构成，在各自的剖面方向上隔着绝缘层而层叠。倾斜磁场屏蔽线圈10由抑制倾斜磁场主线圈9所生成的磁场泄露到倾斜磁场线圈2E的外部的x倾斜磁场屏蔽线圈(x屏蔽线圈)10x、y倾斜磁场屏蔽线圈(y屏蔽线圈)10y、z倾斜磁场屏蔽线圈(z屏蔽线圈)10z构成，分别在剖面方向上夹持绝缘层而层叠。

x倾斜磁场线圈的x主线圈9x以及x屏蔽线圈10x分别在相对于z＝0对称面、x＝0对称面分别对称的位置配置4个具有漩涡状鞍型的形状的线圈(漩涡状鞍型线圈)。y倾斜磁场线圈的y主线圈9y以及y屏蔽线圈10y，与x倾斜磁场线圈形状不同，是将x倾斜磁场线圈相对于z轴旋转了90度的形状。

接着，利用图16A、图16B、图18A、图18B、图19A以及图19B，对本实施方式的倾斜磁场线圈2E的布线图案进行说明。x倾斜磁场线圈的x主线圈9x(图18A)、x屏蔽线圈10x(图18B)分别是具有漩涡状的鞍型的形状的线圈(鞍型线圈)。此外，y倾斜磁场线圈的y主线圈9y(图19A)、y屏蔽线圈10y(图19B)也分别是漩涡状的鞍型线圈。以上的x倾斜磁场线圈以及y倾斜磁场线圈的布线图案，虽然圈数与倾斜磁场主线圈以及倾斜磁场屏蔽线圈的剖面形状为圆形的情况不同，但成为几乎相同的漩涡状鞍型线圈。在此，没有显示连接各自的电流回路的连接部。

另一方面，本实施方式的z倾斜磁场线圈10的布线图案，与倾斜磁场线圈的剖面形状为圆形的现有技术的z主线圈以及z屏蔽线圈的布线图案相比有很大不同。在描述其差别时，作为本实施方式的倾斜磁场线圈与比较例1(图7、图8A、图8B)以及比较例2(图9A以及图9B)的差别在以下进行说明。

比较例1，如图7所示，z主线圈、z屏蔽线圈的剖面形状都为圆形，因此z主线圈的布线图案11(图8A)和z屏蔽线圈的布线图案12(图8B)所形成的磁场分布在圆周方向上一样。因此，比较例1的这两个布线图案在与z轴垂直的面内具有圆形的电流流路，形成将该电流流路在z方向堆积而成的螺线管状线圈。在图7、图8A、图8B中，没有显示连接相邻的圆形的电流流路的连接部。

接着，作为比较例2，针对作为x-y平面的剖面形状中的z倾斜磁场线圈的布线图案，利用图9A、图9B来进行说明。在图9A中示出比较例2的z主线圈的布线图案13、14的展开图，在图9B中示出比较例2的z屏蔽线圈的布线图案15、16的展开图。这是如专利文献2所记载的那样的、存在主线圈与屏蔽线圈的间隔较窄的部分和较宽的部分的情况，在间隔较窄的x方向上，各个线圈所形成的磁场变强。因此，在比较例2中，按照重现该磁场的方式，若为z主线圈则如布线图案14那样，若为z屏蔽线圈则为布线图案16那样，形成跨越z＝0面的环。此外，除此之外的z主线圈的布线图案13、z屏蔽线圈的布线图案15，在圆筒面上或者椭圆筒面上形成绕z轴蜿蜒的大致螺线管状线圈。在图9A，图9B中，与图7、图8A、图8B同样，没有显示连接相邻的电流流路的连接部。

利用图16A、图16B、图21以及图22对本实施方式的倾斜磁场线圈的z主线圈进行说明。在图16A中示出本实施方式的倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的展开图，在图16B中示出z屏蔽线圈的布线图案的展开图。本实施方式是图17所示的剖面形状(x-y平面上的剖面形状)中的z倾斜磁场线圈的布线图案。z主线圈的布线图案117，如图16A所示，在与z轴垂直的面内具有在x方向上横长的椭圆形的电流流路，形成将该电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状线圈。另一方面，z屏蔽线圈的布线图案118，如图16B所示，在圆筒面上形成绕z轴蜿蜒的大致螺线管状线圈，布线图案119形成跨越z＝0面的环。像这样，z屏蔽线圈，具有在z轴方向上在磁共振成像装置的中心附近形成为鞍状(形成环)，在形成为鞍状的区域外在圆筒面上形成为绕z轴蜿蜒的大致螺线管状的布线图案。换言之，z屏蔽线圈，如图22(a)所示，沿着床装置41的行进方向依次具有：在圆筒面上形成为绕z轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部；形成为鞍状的布线部；在圆筒面上形成为绕z轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部。在本实施方式的图16A、图16B中也没有显示连接相邻的电流流路的连接部。

根据本实施方式，z主线圈在与z轴垂直的面内具有在x方向上横长的椭圆形的电流流路，通过采用将该电流流路在z方向上堆积而成螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于z主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

以下，通过比较z倾斜磁场线圈所形成的磁通密度来确认该效果。图20(a)示出了xz面上的比较例2的z倾斜磁场线圈所形成的磁通密度的z分量的等高线。等高线的宽度在1(mT)以上、-1(mT)以下为1(mT)间隔，除此之外为0.1(mT)间隔。图20(b)是本实施方式中的磁通密度z分量的等高线。这两者几乎为相同的分布，为了更详细地比较，如图20(c)那样示出对从摄像区域的中心部向轴方向延伸的线段上的磁通密度z分量进行了绘制而得到的图。在图20(c)中，用菱形绘制的是比较例2的分布，用正方形绘制的是本实施方式的分布，用三角形绘制的是理想分布。从轴方向的某位置zm上的理想分布可知，本实施方式的值小于比较例2的值，本实施方式的z倾斜磁场线圈形成高精度的磁场分布。

关于以上说明了的本实施方式的z倾斜磁场线圈的构造在以下进行说明。图21(a)是标注了在z方向上堆积的椭圆形电流流路的连接部来显示了本实施方式的z倾斜磁场线圈的z主线圈的布线图案的图。电流流过与z轴平行且设置在y方向上的连接布线120，从z＜0的区域的椭圆形流路的布线流过z＞0的椭圆形流路的布线121，到达连接布线122。在此，连接部设置在x方向、y方向的哪一个方向上都可以，但由于比起z主线圈与z屏蔽线圈的间隔较窄x方向，间隔较宽的y方向在设置空间上更充裕，因此设置在y方向上最为理想。图21(b)示出了本实施方式的z主线圈的导体的一部分。导体123采用在内部流动制冷剂124的构造最为理想。其理由在以下说明。在摄像时，在倾斜磁场线圈的导体中流动的电流的振幅为数100(A)，对其进行驱动的电压为1000(V)程度，由于这样的高电力，因此无法无视导体内部的发热量，必须设置对导体进行冷却的机构。另一方面，配置在收纳超导线圈的中空圆筒容器与摄像区域之间的倾斜磁场线圈的设置空间有限。因此，优选采用不需要另外设置冷却管的本实施方式的构造。以后，假设z倾斜磁场线圈由该导体构成。

z主线圈，如图21(a)所示，除了连接布线120之外，能够使布线一次也不交叉地形成。另外，由于连接布线120被设置在设置空间充裕的y方向，因此设置空间上不成问题。另一方面，z屏蔽线圈由于大致上螺线管状布线与环状布线混合存在，故而布线交叉。因此，产生无法收纳在设置空间中的部分。以下，对其解决方法进行说明。

图22(a)是标注了连接部地显示了本实施方式的z倾斜磁场线圈的z屏蔽线圈的布线图案的图。电流流过与z轴平行且设置在y方向上的连接布线125，从z＞0的区域的大致螺线管状布线126经由环状布线127a，流过z＜0的大致螺线管状布线以及环状布线127b，到达连接布线128。在此，与z主线圈同样，连接部设置在x方向、y方向的哪一个方向都可以，但由于比起z主线圈与z屏蔽线圈的间隔较窄的x方向，间隔较宽的y方向在设置空间上更充裕，因此设置在y方向最为理想。此外，在本实施方式中，环状布线127a与z＞0的区域的大致螺线管状布线连接，环状布线127b与z＜0的区域的大致螺线管状布线连接，但也可以将环状布线127a与z＜0的区域的大致螺线管状布线连接，将环状布线127b与z＞0的区域的大致螺线管状布线连接。图22(b)示出了本实施方式的z屏蔽线圈的导体形状的一部分。z屏蔽线圈如图22(a)所示，通过大致螺线管状线圈与环状线圈的组合而形成。大致螺线管状的部分，能够采用像导体129那样在导体内部流动制冷剂124的构造，但若想要在环状导体130的部分使用导体129的构造，则在从外侧漩涡状地卷绕导体并到达中心之后朝向外侧时，布线会发生交叉，因此无法收纳在倾斜磁场线圈的设置空间中。因此，由切掉了作为不流过电流的区域的槽之后的薄板状的导体来形成环状线圈。将该环状线圈与螺线管状线圈电接合来形成z屏蔽线圈。此时，按照电流从导体129流入到导体130的方式，在导体130的附近设置绝缘层131。像这样，在z屏蔽线圈内，对于成为大致螺线管状的部分，在内部流动制冷剂来使其具有冷却功能，对于成为环的部分，通过使用薄的导体，能够使倾斜磁场线圈的设置空间充裕。

根据本实施方式，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向堆积而成的螺线管状，能够使导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

根据本实施方式，因为与实施方式1同样地具备倾斜磁场屏蔽线圈10x、10y、10z，所以能够抑制倾斜磁场主线圈9x、9y、9z所生成的脉冲状的磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部的情况，能够抑制在覆盖静磁场线圈装置1的容器(氦容器、辐射屏蔽、真空容器)中产生涡流，并能够得到希望的倾斜磁场分布。此外，通过在倾斜磁场主线圈与静磁场线圈装置1之间配置倾斜磁场屏蔽线圈，能够抑制在静磁场线圈装置1中流过的电流和从倾斜磁场主线圈泄露的磁场所产生的振动电磁力导致的静磁场线圈装置1的振动，能够防止在摄像区域中形成的均匀磁场随时间而变动。

(第7实施方式)

以下，利用图23对本发明的其他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。

本实施方式的MRI装置具有将第6实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2E替换为倾斜磁场线圈2F的构成。即，在第6实施方式中，说明了倾斜磁场线圈2E之中倾斜磁场主线圈9的剖面形状为椭圆形、倾斜磁场屏蔽线圈10的剖面形状为圆形的情况，但本实施方式的倾斜磁场线圈2F，如图23(a)所示，具有倾斜磁场主线圈9为跑道形状，倾斜磁场屏蔽线圈10为圆形形状的构成。该倾斜磁场主线圈9具有x轴方向为长轴、y轴方向为短轴的跑道形状，因此进一步提高了MRI装置的宽敞度。本实施方式的倾斜磁场线圈2F，倾斜磁场主线圈9与倾斜磁场屏蔽线圈10之间的间隔也根据圆周方向而不同，是x轴上的倾斜磁场主线圈9与倾斜磁场屏蔽线圈10的间隔比y轴上的间隔窄的构成。同样，z主线圈与z屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同。

在图23(a)中示出本实施方式的倾斜磁场线圈2F的剖面形状，关于该剖面形状所能得到的z倾斜磁场线圈，z主线圈具有图23(b)所示的布线图案，z屏蔽线圈具有图23(c)所示的布线图案。本实施方式，与第6实施方式同样，z主线圈的布线图案117能够形成为将与z轴垂直的面内的电流流路在z方向堆积而成的螺线管状。此外，z屏蔽线圈与第6实施方式同样，由成为大致螺线管状的布线图案118、和形成环的布线图案119构成。

根据本实施方式，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

根据本实施方式，能够获得与第6实施方式同样的效果。

(第8实施方式)

以下，利用图24对本发明的其他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。

本实施方式的MRI装置，具有将第6实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2E替换为倾斜磁场线圈2G的构成。本实施方式的倾斜磁场线圈2G，如图24(a)所示，具有如下构成：倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)是对圆弧进行了组合的形状，倾斜磁场屏蔽线圈10(10x、10y、10z)是圆形形状。该倾斜磁场主线圈9的剖面形状，具有椭圆形状和对该椭圆形状的长轴部分进一步组合了圆弧的形状(组合了多个具有不同的曲率的圆弧的形状)。像这样，关于本实施方式的倾斜磁场线圈2G，倾斜磁场主线圈9与倾斜磁场屏蔽线圈10之间的间隔也根据圆周方向而不同，是x轴上的倾斜磁场主线圈9与倾斜磁场屏蔽线圈10的间隔比y轴上的间隔窄的构成。同样，具有z主线圈与z屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同的形状。

在图24(a)中示出本实施方式的倾斜磁场线圈2G的剖面形状，关于以该剖面形状所能得到的z倾斜磁场线圈，z主线圈具有图24(b)所示的布线图案，z屏蔽线圈具有如图24(b)所示的布线图案。本实施方式，与第6实施方式同样，z主线圈的布线图案117能够形成为将与z轴垂直的面内的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状。此外，z屏蔽线圈与第6实施方式同样，由成为大致螺线管状的布线图案118、和形成环的布线图案119构成。

根据本实施方式，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

根据本实施方式，能够获得与第6实施方式同样的效果。

(第9实施方式)

以下，利用图25对本实施方式的其他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。

本实施方式的MRI装置具有将第6实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2E替换为倾斜磁场线圈2H的构成。本实施方式的倾斜磁场线圈2H，如图25所示，倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)以及倾斜磁场屏蔽线圈10(10x、10y、10z)的剖面形状虽然都具有圆形形状，但这些圆形不是同心圆，具有各个圆形的中心在y轴方向上偏离(圆形的中心位置不同)的形状。本实施方式的倾斜磁场线圈2H也是倾斜磁场主线圈9与倾斜磁场屏蔽线圈10之间的间隔根据圆周方向而不同的构成。同样，本实施方式的z主线圈、z屏蔽线圈的剖面形状虽然都为圆形但不是同心圆，因此具有z主线圈与z屏蔽线圈的间隔在圆周方向上不同的形状。

在图25(a)中示出本实施方式的倾斜磁场线圈2H的剖面形状，关于该剖面形状所能得到的z倾斜磁场线圈，z主线圈具有图25(b)所示的布线图案，z屏蔽线圈具有图25(b)所示的布线图案。本实施方式，与第6实施方式同样，z主线圈的布线图案117能够形成为将与z轴垂直的面内的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状。此外，z屏蔽线圈由成为大致螺线管状的布线图案118和形成环的布线图案119构成。

在第6、7、8的实施方式中，z主线圈剖面形状相对于yz面、xz面对称，因此与z屏蔽线圈最近的区域存在+x方向、-x方向这两处，在各自的区域中形成了1个或者多个布线图案119，但在本实施方式中，z主线圈与z屏蔽线圈最近的区域为+y方向1处，因此仅在该区域中形成布线图案119。

根据本实施方式，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外，在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

根据本实施方式，能够获得与第6实施方式同样的效果。

(第10实施方式)

以下，利用图26对本发明的其他实施方式的水平磁场型的MRI装置进行说明。

本实施方式的MRI装置，具有将第6实施方式的MRI装置中的倾斜磁场线圈2E替换为倾斜磁场线圈2I的构成。本实施方式的倾斜磁场线圈2I，如图26(a)所示，具有如下构成：倾斜磁场主线圈9(9x、9y、9z)的剖面形状具有对椭圆弧进行了组合的形状，倾斜磁场屏蔽线圈10(10x、10y、10z)为圆形形状。该倾斜磁场主线圈9的剖面形状，具有上部的椭圆和下部的椭圆不同的形状。如本实施方式这样，通过使上部的椭圆形状比下部的椭圆形状大(在图26(a)所示的剖面形状中，使y轴的正的区域的开口面积比负的区域的开口面积大)，能够较宽地获得被检体40所能够通过的区域。

在图26(a)中示出本实施方式的倾斜磁场线圈2I的剖面形状，关于该剖面形状所能得到的z倾斜磁场线圈，z主线圈具有图26(b)所示的布线图案，z屏蔽线圈具有图26(c)所示的布线图案。本实施方式，与第6实施方式同样，z主线圈的布线图案117能够形成为将与z轴垂直的面内的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状。此外，z屏蔽线圈与第9实施方式同样，由成为大致螺线管状的布线图案118和形成环的布线图案119构成。另外，布线图案119仅在+y方向1处形成。

根据本实施方式，通过使z倾斜磁场线圈的主线圈成为将在与z轴垂直的面内形成的电流流路在z方向上堆积而成的螺线管状，能够将导体的布线简单化。此外，螺线管状线圈除了与相邻的布线图案的连接部之外在圆周方向上导体的z位置固定，因此制造上变得容易。并且，由于主线圈在摄像区域中形成的磁场分布的变形变小，因此在摄像时能够高精度地获得剖面信息。

根据本实施方式，能够获得与第6实施方式同样的效果。

【符号说明】

1    静磁场线圈装置

2   倾斜磁场线圈

2a  倾斜磁场主线圈

2b  倾斜磁场屏蔽线圈

3   RF线圈

4   氦容器

5   辐射屏蔽

6   真空容器

7   摄像区域

8   静磁场

9x  x主线圈

9y  y主线圈

9z  z主线圈(第1线圈)

10x x屏蔽线圈

10y y屏蔽线圈

10z z屏蔽线圈(第2线圈)

17～19、117～119 布线图案

20～27、120、122、125、128 连接布线

28  渡线

40  患者(被检体)

41  床(装置)

100 磁共振成像(MRI)装置

121 椭圆形流路的布线

123 导体

124 制冷剂

126 大致螺线管状布线

127a、127b 环状布线

129 导体

130 环状导体

131 绝缘层

A1  宽区域(第1区域)

A2 窄区域(第2区域)

F0 零面

Claims (19)

1.一种倾斜磁场线圈，其特征在于，具备：

大致螺线管状的第1线圈，其在磁共振成像装置的摄像区域中在轴方向上形成线性的磁场分布；和

大致螺线管状的第2线圈，其在所述第1线圈的外侧，配置于在所述摄像区域中形成均匀的磁场分布的静磁场的静磁场线圈装置的内侧，抑制从所述第1线圈向所述静磁场线圈装置的漏磁场，

所述第1线圈与所述第2线圈的间隔在圆周方向上不同，具有第1区域和与所述第1区域相比所述间隔较窄的第2区域，

在所述第1线圈中，通过所述第1线圈的中心且与所述轴方向垂直的零面侧的布线图案，在所述第1区域中远离所述零面，在所述第2区域中接近所述零面，在所述圆周方向上蜿蜒。

2.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈在配置所述第2线圈的区域中生成的磁场在所述圆周方向的分布呈大致均匀。

3.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

在所述第2线圈中，所述轴方向的外侧和所述零面侧的布线图案平滑地蜿蜒。

4.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

关于所述第1线圈和所述第2线圈，在所述第1区域中相邻的布线图案通过渡线而连接。

5.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为椭圆形，

所述第2线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第1线圈与所述第2线圈的中心轴相一致，

在所述第1线圈的所述椭圆形的短轴的延长线上产生所述第1区域，

在所述第1线圈的所述椭圆形的长轴的延长线上产生所述第2区域。

6.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为跑道形状，

所述第2线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第1线圈与所述第2线圈中心轴相一致，

在所述第1线圈的所述跑道形状的短轴的延长线上产生所述第1区域，

在所述第1线圈的所述跑道形状的长轴的延长线上产生所述第2区域。

7.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，采用了以椭圆形为基础，使该椭圆形的长轴的两端周边的圆弧部分向所述椭圆形的短轴方向膨胀的圆弧，

所述第2线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第1线圈与所述第2线圈的中心轴相一致，

在所述第1线圈的所述椭圆形的短轴的延长线上产生所述第1区域，

在所述第1线圈的所述椭圆形的长轴的延长线上产生所述第2区域。

8.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第2线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第1线圈与所述第2线圈的中心轴偏离，

在所述第1线圈与所述第2线圈的中心轴偏离的方向的进退两个方向上产生所述第1区域和所述第2区域。

9.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于，

所述第1线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状，以圆形为基础，使该圆形的大致下半部分的圆弧部分成为比该圆形的半径大的半径的圆弧，

所述第2线圈的在与轴方向垂直的平面上切断后的剖面形状为圆形，

所述第1线圈的剖面形状的基础圆形和所述第2线圈的剖面形状的圆形的中心相一致，

在所述第1线圈的所述圆形的一侧产生所述第2区域，

在所述第1线圈的比所述圆形的半径大的半径的圆弧的一侧产生所述第1区域。

10.一种磁共振成像装置，是水平磁场型的磁共振成像装置，

该磁共振成像装置具备：

产生静磁场的环形的静磁场线圈；

在所述静磁场线圈的环形的开口部中移动的床装置；和

产生磁场强度形成倾斜梯度的倾斜磁场的倾斜磁场线圈，

所述磁共振成像装置的特征在于，

所述倾斜磁场线圈具有：

在摄像空间中生成所述倾斜磁场的倾斜磁场主线圈；和

抑制所生成的所述倾斜磁场泄露到所述倾斜磁场线圈的外部的倾斜磁场屏蔽线圈，

所述倾斜磁场主线圈与所述倾斜磁场屏蔽线圈的间隔被配置为在圆周方向上不同，

在作为所述床装置的行进方向的z轴方向上生成所述倾斜磁场的z倾斜磁场主线圈，在与所述z轴垂直的平面上具有该z倾斜磁场主线圈的电流流路，该z倾斜磁场主线圈是将该电流流路在z轴方向上堆积而成的螺线管状线圈。

11.根据权利要求10所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述倾斜磁场屏蔽线圈具有z倾斜磁场屏蔽线圈，该z倾斜磁场屏蔽线圈抑制所述z倾斜磁场线圈所生成的倾斜磁场泄露到倾斜磁场线圈的外部。

12.根据权利要求11所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场屏蔽线圈具有如下布线图案：在所述z轴方向上在所述磁共振成像装置的中心附近形成为鞍状，在形成为所述鞍状的区域外在圆筒面上形成为绕z轴蜿蜒的大致螺线管状。

13.根据权利要求11所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场屏蔽线圈沿着所述床装置的行进方向依次具有：在圆筒面上形成为绕所述z轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部；形成为鞍状的布线部；以及在所述圆筒面上形成为绕所述z轴蜿蜒的大致螺线管状的布线部。

14.根据权利要求10所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场主线圈由在内部具有流动制冷剂的流路的中空筒状的导体构成。

15.根据权利要求13所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场屏蔽线圈的大致螺线管状的布线部由在内部具备流动制冷剂的流路的中空筒状的导体构成。

16.根据权利要求13所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场屏蔽线圈的鞍状的布线部由板状导体构成，将所述大致螺线管状的布线部以及鞍状的布线部电接合。

17.根据权利要求13所述的磁共振成像装置，其特征在于，

所述z倾斜磁场主线圈由在内部具有流动制冷剂的流路的中空筒状的导体构成。

18.一种磁共振成像装置，其特征在于，具有：

权利要求1所述的倾斜磁场线圈；和

与所述倾斜磁场线圈接近地配置的所述静磁场线圈装置。

19.一种磁共振成像装置，其特征在于，具有：

权利要求5所述的倾斜磁场线圈；和

与所述倾斜磁场线圈接近地配置的所述静磁场线圈装置。

Images