CN101556855B

CN101556855B - 倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法

Info

Publication number: CN101556855B
Application number: CN2009100050955A
Authority: CN
Inventors: 坂仓良知
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Medical Systems Corp
Current assignee: Canon Medical Systems Corp
Priority date: 2008-01-30
Filing date: 2009-01-23
Publication date: 2012-04-25
Anticipated expiration: 2029-01-23
Also published as: CN101556855A

Abstract

本发明提供一种在确保导线卷绕的操作容易性的同时，还能够抑制不需要磁场分量的产生的倾斜磁场线圈。本发明的倾斜磁场线圈的特征在于包括：卷绕导体的圆筒状的线圈架；将导体卷绕在线圈架上多匝而形成的绕组部分，其中，绕组部分包括：在线圈架的圆周方向上将导体相对于线圈架的轴垂直卷绕的第一绕组部分；在线圈架的圆周方向上将导体相对于线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状的第二绕组部分。

Description

倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法

技术领域

本发明涉及倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法，特别涉及在主磁场方向形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈、具备该倾斜磁场线圈的磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法。

背景技术

在医用的磁共振成像装置(MRI(Magnetic Resonance Imaging)装置)中，使用了相对于用超导磁铁等形成的主磁场的方向而形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈(Z轴)、相对于与主磁场的方向正交的X轴方向、Y轴方向分别形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈(X轴)、倾斜磁场线圈(Y轴)。

本发明涉及其中的倾斜磁场线圈(Z轴)，在以下简称为“倾斜磁场线圈”时，是指Z轴方向的倾斜磁场线圈(Z轴)。

磁共振成像装置具有与搬入被检者的圆筒状空间大致相似的圆筒形状的线圈架(bobbin)，将导线在该线圈架的圆周方向上卷绕多匝(turn)而形成倾斜磁场线圈。各匝的间距(导线的间隔)通常是不等间隔，例如线圈架轴的中央最疏，从线圈架轴的中央向一端逐渐变密。从线圈架轴中央以规定的距离间距变得最密，此后相反而逐渐变疏。从线圈架轴的中央向另一端同样从疏变密、从密变疏地进行卷绕。

导线的卷绕方法可以是相对于线圈架轴中央卷绕为对称形状，使从线圈架轴中央向一端流过的电流与向另一端流过的电流的方向相反，由此能够形成以线圈架中央为原点的正方向的磁场和负方向的磁场，作为全体形成与线圈架轴的方向倾斜的磁场。

使导线匝的间距为不等间隔是为了提高倾斜磁场的线性，预先分析地求出各匝的位置。

作为导线的卷绕方法，如专利文献1所揭示的那样，已知被称为螺旋卷绕的方法和被称为路线变换(lane change)卷绕的2种卷绕方法。

螺旋卷绕如其字面那样是将导线卷绕为螺旋状的方法，被卷绕为在线圈架圆周上的规定的点上与分析地求出的匝的位置一致。在螺旋卷绕时，在一匝中，导线在线圈架圆周面上与轴方向倾斜，导线的位置相对于Z轴方向连续地变化。

另一方面，在线路变换卷绕时，在一匝中，导线的位置在Z轴方向上不变化而是固定的。在使导线从某匝移动到下一匝时，在线圈架圆周上的特定位置使导线在Z轴方向变化为阶梯状(使其路线变换)。在路线变换卷绕时，导线的位置相对于Z轴方向离散地变化。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平10-172821号公报

如专利文献1所揭示的那样，一般路线变换卷绕的操作性与螺旋卷绕相比差。这是因为在使导线线路变换的部位处的操作要熟练，特别地在匝的间距密的区域中的操作性差。

与此相对，螺旋卷绕是操作性优越的方法，与路线变换卷绕相比，能够在短时间内卷绕导线，因此其结果是能够提供低价格的倾斜磁场线圈。专利文献1提供一种操作性优越的螺旋卷绕，并且揭示了与现有的螺旋卷绕的方法相比性能优越，即能够根据设计值实现相近的性能的线圈磁场线圈相关的技术。

但是，Z轴用的倾斜磁场线圈是以只针对Z轴方向形成倾斜磁场为目的的，通过该倾斜磁场线圈在X轴方向和Y轴方向产生磁场分量是不理想的。以下，将由Z轴用的倾斜磁场线圈产生的X轴方向或Y轴方向的磁场分量称为不需要磁场分量。

在上述路线变换卷绕中，在1匝中，导线的位置在Z轴方向上没有变化，因此导线相对于Z轴始终正交。因此，由流过导线的电流感应出的磁场的方向始终为Z轴方向，在原理上并不产生X轴方向和Y轴方向的磁场分量。即，已知在路线变换卷绕时，在原理上不产生不需要磁场分量，实际上不需要磁场分量也几乎为0。

另一方面，在螺旋卷绕时，在1匝中，导线相对于Z轴方向倾斜地在线圈架圆周面上行进，会少量地产生X轴方向和Y轴方向的磁场分量，即不需要磁场分量。

最近，磁共振成像装置中的圆筒状空间的直径正在被扩大，与此相伴，倾斜磁场线圈的直径也扩大，所产生的磁场的大小也增加了。与此相伴，螺旋卷绕中的不需要磁场分量的大小也增加了。因此，在使用了螺旋卷绕的倾斜磁场线圈中，达到了无法忽视在现有技术中几乎不受影响的不需要分量的程度。

发明内容

本发明就是鉴于以上问题而提出的，其目的在于：提供一种在确保导线卷绕的操作容易性的同时，还能够抑制不需要磁场分量的产生的倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法。

为了解决上述问题，本发明的线圈磁场线圈如方面1所记载的那样，其特征在于具备：圆筒状的线圈架；将上述导体卷绕在上述线圈架上多匝而形成的绕组部分，其中，上述绕组部件包括：在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂直卷绕了的第一绕组部分；在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状的第二绕组部分。

另外，本发明的磁共振成像装置如方面7所记载的那样，其特征在于具备：向被检体施加静磁场的静磁场线圈；在与上述静磁场的方向相同的方向上形成倾斜磁场，向上述被检体施加上述倾斜磁场的倾斜磁场线圈；接收从上述被检体放射的磁共振信号的高频线圈；对接收到的上述磁共振信号进行信号处理，输出上述被检体内部的图像的信号图像处理部件，其中，上述倾斜磁场线圈包括：圆筒状的线圈架；将上述导体卷绕在上述线圈架上多匝而形成的绕组部分，上述绕组部件包括：在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂直卷绕了的第一绕组部分；在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状的第二绕组部分。

另外，本发明的倾斜磁场线圈的制造方法如方面13所记载的那样，是将导体卷绕在圆筒状的线圈架上多匝而形成绕组部分的倾斜磁场线圈的制造方法，其特征在于具备：在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂直卷绕而形成第一绕组部分；在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状而形成第二绕组部分。

根据本发明的倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法，能够在确保导线卷绕的操作容易性的同时，也抑制不需要磁场分量的产生。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施例的磁共振成像装置的结构例子的图。

图2是表示倾斜磁场线圈单元的构造例子的截面图。

图3是模式地表示倾斜磁场线圈的构造的图。

图4是模式地表示现有的线圈磁场线圈的卷绕方法(全部区域线路变换卷绕)的例子的图。

图5是模式地表示现有的倾斜磁场线圈的卷绕方法(全部区域螺旋卷绕)的图。

图6是表示全部区域线路变换卷绕和全部区域螺旋卷绕时的漏磁分布和涡电流的情况的图，其中(a)示出路线变换卷绕的情况，(b)示出(a)所示的情况的漏磁分布和涡电流的方向，此时，涡电流的方向与圆周方向相同，不产生不需要的磁场(ZX磁场)，导体的卷绕操作性差，特别是在导体间隔密的区域中；(c)示出螺旋卷绕的情况，(d)示出(c)所示的情况的漏磁分布和涡电流的方向，此时，涡电流的方向与圆周方向相反，产生不需要的磁场(ZX磁场)，导体的卷绕操作性良好。

图7是说明全部区域螺旋卷绕时的不需要磁场(ZX磁场、ZY磁场)产生的机制的图，其中(a)示出产生ZX磁场的电流分布；(b)是将(a)展开后看到的图，产生这样的电流分布，生成ZX分量的磁场；(c)示出因螺旋卷绕产生的漏磁的分布，它是相对于圆周方向倾斜了的分布。

图8是模式地表示本实施例的倾斜磁场线圈的构造的图。

图9是表示本实施例的倾斜磁场线圈的卷绕构造的具体例子的图。

图10是作为本实施例的比较例子，表示现有的全部区域螺旋卷绕的卷绕构造的图。

图11是表示分析地求出本实施例的倾斜磁场线圈的不需要磁场(ZX磁场、ZY磁场)的抑制效果的结果的一个例子的表。

具体实施方式

参考附图，说明本发明的倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法的实施例。

图1是表示本实施例的磁共振成像装置(MRI装置)1的结构例子的图。磁共振成像装置1具备架台2、信号图像处理部件3、以及显示部件4等。特别地，在图1中，作为截面图表示了架台2的详细结构。

架台2的整体被形成为圆筒状，中心部分的腔(bore)作为诊断用空间而发挥功能，在诊断时，可以将被检体P插入到该腔内。

架台2具备：大致圆筒状的静磁场线圈单元11；配置在该静磁场线圈单元11的腔内的大致圆筒状的倾斜磁场线圈单元12；被安装在该倾斜磁场线圈单元12的例如外周面上的匀场线圈单元13；以及被配置在倾斜磁场线圈单元12的腔内的RF线圈14。被检体P被承载在未图示的卧台顶板上，插入到RF线圈14所形成的腔(诊断用空间)内。

静磁场线圈单元11例如由超导磁铁形成，在外侧的真空容器中，容纳有多个热辐射屏蔽容器和单独的液氦容器，将超导线圈卷装、设置在液氦容器的内部。

倾斜磁场线圈单元12被作为能动(自己)屏蔽型倾斜磁场线圈(ASGC：Actively Shielded Gradient Coil)而形成。该倾斜磁场线圈单元12由于在每个X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上产生脉冲状的倾斜磁场，所以对于X、Y、Z信道分别具有线圈组件(assembly)，各线圈组件对每个信道成为大致不向外界泄漏倾斜磁场的屏蔽构造。

该能动屏蔽型倾斜磁场线圈(ASGC)单元12如图2所示那样，在X轴方向形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈(X轴)12X、在Y轴方向形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈(Y轴)12Y、在Z轴方向形成倾斜磁场的倾斜磁场线圈(Z轴)12Z在每个线圈层在被绝缘的同时被层叠，作为整体成为大致圆筒状。

倾斜磁场线圈(X轴)12X、倾斜磁场线圈(Y轴)12Y、倾斜磁场线圈(Z轴)12Z分别具有主线圈和屏蔽线圈。屏蔽线圈形成为大致与对应的主线圈相似的形状，并被配设在主线圈的外侧。屏蔽线圈在外侧抵消了由各主线圈产生的倾斜磁场，极大地抑制了对倾斜磁场线圈单元12的外部产生的泄漏磁场。

本发明主要涉及Z轴方向的倾斜磁场线圈12Z，以下，以倾斜磁场线圈12Z为中心进行说明。

图3是模式地表示倾斜磁场线圈12Z的构造的图。倾斜磁场线圈12Z具有大致圆筒形状的线圈架B、绕组部分CU。绕组部分CU将一根导体C卷绕在多匝线圈架B上形成1层绕组线圈。导体C由具有规定的宽度的带状的铜板形成，能够在抑制直径方向的厚度的同时流过大的电流。

导体的卷绕方向在线圈架中心BC反转，流过导体电流的方向也在线圈架中心BC反转。其结果是例如在图3中从导体C的最侧的端向右侧的端流过电流的情况下，在线圈架中心BC的右侧产生Z轴正方向的磁场，在线圈架中心BC的左侧产生Z轴负方向的磁场。其结果是作为倾斜磁场线圈12Z整体，形成以线圈架中心BC为原点的倾斜磁场。

另外，如上述那样，倾斜磁场线圈12Z具有主线圈和屏蔽线圈，但都基本上为图3所示的构造。其中，屏蔽线圈的线圈架直径比主线圈的线圈架直径大，被形成为屏蔽线圈覆盖主线圈的外周。另外，线圈的卷绕形状对于主线圈和屏蔽线圈大致相似，但为了有效地抑制漏磁，两者的各匝的间隔(间距)、位置、匝数不完全一致。另外，同样从抑制漏磁的观点出发，Z轴方向的长度被形成为屏蔽线圈比主线圈稍长。

作为倾斜磁场线圈12Z的导体C的卷绕方法，如上所述，以前提出了2种方法。一个是被成为路线变换卷绕的方法，另一个是被成为螺旋卷绕的方法。

图4是模式地表示以前提出的路线变换卷绕的一个例子的图。倾斜磁场线圈12Z的卷绕形状是相对于线圈架中心BC对称，因此在图4中，相对于线圈架中心BC只图示了一个方向(以后的图也一样)。

在路线变换卷绕中，除了在圆周上的大部分(线路变换部分)，导体C被卷绕为始终与Z轴完全垂直。然后，只在线路变换部分中进行导体的Z轴方向的移动(线路变换)。

各匝通常为不等间隔，线圈架中心BC的近旁最疏(匝的间隔宽)，从线圈架中心BC向一端逐渐变密。从线圈架轴中央开始在规定的距离，间距变得最密，此后相反逐渐变疏。

使各匝的间距成为不等间隔是为了提高倾斜磁场的线性。预先分析地求出各匝的位置，在图4中用黑圆圈示例了其位置。

另一方面，图5是模式地表示以前提出的螺旋卷绕的一个例子的图。在绕组部分CU的全部区域中，导体C如其字面所示那样被卷绕为螺旋状。在螺旋卷绕中，导体C并不与Z轴方向垂直，而是一边斜行一边卷绕为螺旋状。

但是，倾斜磁场线圈12Z由于被施加脉冲状的电流，所以在有了漏磁的情况下，由于漏磁而在倾斜磁场线圈12Z的外部的导电体上产生涡电流。另外，由于该涡电流而产生不希望的不需要的磁场。为了消除因涡电流产生的不希望的不需要磁场的产生，只要消除漏磁即可，为此而设置屏蔽线圈。

但是，通过屏蔽线圈完全消除漏磁也是困难的，已知由于漏磁的分布形状和大小而因涡电流产生无法忽视的不需要磁场。

图6(b)是表示因路线变换卷绕(图6(a))产生的漏磁的分布及其涡电流产生的一个例子的图。另外，图6(d)是表示螺旋卷绕(图6(c))的漏磁分布和由此的涡电流产生的一个例子的图。

从这些图可知，在线路变换卷绕和螺旋卷绕的任意一个下，在导体的各匝的间隔(间距)密的区域中，几乎不产生漏磁。其理由是，在主线圈的匝的间隔密的区域中屏蔽线圈的匝的间隔也密，因此因屏蔽线圈产生的漏磁的屏蔽效果充分高。

另一方面，在各匝的间隔疏的区域中，屏蔽线圈的匝的间隔也疏，因此无法完全抑制漏磁。这样，在线路变换卷绕和螺旋卷绕的任意一个的情况下，在匝的间距疏的区域中，漏磁比较大。但是，如果以漏磁的分布的观点看，两者的漏磁的分布的情况在线路变换卷绕和螺旋卷绕时显著地不同。

在线路变换卷绕中，漏磁的分布(磁场的等高线的分布)与Z轴方向正交。因此，由于该漏磁产生的涡电流的方向如图6(b)的箭头所示那样，相对于圆周为同一方向，不产生不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)。

与此相对，在螺旋卷绕中，漏磁的分布为相对于Z轴方向倾斜的分布。因具有倾斜分布的漏磁，而产生相对于圆周方向相反方向的涡电流。因该相反方向的涡电流，在X轴方向(或Y轴方向)上，产生本来不希望的不均匀的不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)。

图7是说明螺旋卷绕时的不需要磁场产生的机制的图。图7(c)是与图6(d)相同的图。由于因螺旋卷绕产生的相反方向的涡电流，在圆周上的不同位置(例如0度的位置和180度的位置)，产生方向不同的涡电流(参考图7(b))。

其结果是，如图7(a)所示那样，在倾斜磁场线圈12Z的内部产生方向不同的寄生磁场，产生相对于X轴方向(或Y轴方向)倾斜了的不需要磁场。

该不需要磁场是本来不希望的，具有相对于X轴方向(Y轴方向)的磁场不希望的不均匀性。其结果是，在X轴方向(或Y轴方向)的截面图像中，产生不希望的不均匀的浓度分布。

为了解决这样的问题，在本实施例的倾斜磁场线圈12Z中，为组合了路线变换卷绕和螺旋卷绕的形态，实现了补偿两者的短处并且活用了两者的长处的倾斜磁场线圈12Z。

图8是模式地表示本实施例的倾斜磁场线圈12Z的卷绕方法的图。在本实施例的倾斜磁场线圈12Z中，由第一绕组部分CU1和第二绕组部分CU2构成绕组部分CU。在第一绕组部分CU1中，通过线路变换卷绕来卷绕导体C，在第二绕组部分CU2中，通过螺旋卷绕来卷绕导体C。

另外，在导体C的匝的间隔宽(间距疏)的区域中设置第一绕组部分CU1，在导体C的匝的间隔窄(间距密)的区域中设置第二绕组部分CU2。

如上所述，在匝的间距疏的区域中，有漏磁变大的倾向，但通过将该区域的卷绕方法设置为线路变换卷绕，能够防止不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)的产生。另外，由于匝的间距间隔宽，即使进行线路变换卷绕，导体的卷绕操作的操作性也不会怎样变差。

另一方面，在匝的间距密的区域中，由于线路变换卷绕和螺旋卷绕时漏磁都小，所以操作性优越的螺旋卷绕的方法有利。

这样，根据本实施例，通过组合线路变换卷绕和螺旋卷绕，能够提供导体的卷绕操作的操作性优越(即卷绕操作所需要的时间短)、并且不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)的产生少的倾斜磁场线圈12Z。其结果是能够实现低成本地生成高质量图像的磁共振成像装置1。

在以上的说明中，将匝的间距疏(比规定的间距阈值宽)的区域作为第一绕组部分CU1的区域，将匝的间距密(比上述规定的间距阈值窄)的区域作为第二绕组部分CU2的区域。

另外，也可以如图6(d)等那样，预先通过分析等求出漏磁的大小，将漏磁比规定的阈值大的区域设定为第一绕组部分CU1的区域，将漏磁比规定的阈值小的区域设定为第二绕组部分CU2的区域。

图9～图11是表示本实施例的倾斜磁场线圈12Z的更具体的卷绕例子及其效果的图。

图9(a)是将本实施例倾斜磁场线圈12Z适用于主线圈的情况的具体例子。将从Z轴方向的线圈架中心开始约40％的区域(按照图中的刻度为约0.2)作为第一绕组部分CU1(即线路变换卷绕)，将其外侧作为第二绕组部分CU2(即螺旋卷绕)。各匝的位置是能够得到希望的Z轴线圈磁场那样分析地求出的位置。

图9(b)是将本实施例的倾斜磁场线圈12Z使用于屏蔽线圈的情况的具体例子。相对于主线圈在Z轴方向稍长。屏蔽线圈的各匝的位置是使漏磁最小那样地分析地求出的位置。

从图9(a)、(b)可知那样，对于第二绕组部分C2(螺旋卷绕)的线圈架轴方向的长度，屏蔽线圈比主线圈长，抑制了来自主线圈的第二卷绕部分C2的漏磁。另外，对于第二卷绕部分C2的各绕组的间距，屏蔽线圈比主线圈长，同样抑制了来自主线圈的第二绕组部分C2的漏磁。

另一方面，在第一绕组部分CU1(路线变换卷绕)中，屏蔽线圈的匝数和主线圈的匝数相互对应地为相同数目或主线圈的匝数多，并且屏蔽线圈各自的位置与对应的主线圈的各绕组的位置相比，相对于线圈架的中心被设置在外侧。通过这样的绕组的配置，能够抑制来自主线圈的第一绕组部分C1的漏磁。

图10为了与本实施例的倾斜磁场线圈12Z(图9)进行比较，而表示了用于得到大致相同的Z轴倾斜磁场的现有的卷绕方法(全部区域为螺旋卷绕)。

图11是分析地求出本实施例的倾斜磁场线圈12Z的不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)的降低效果的表。编号1表示了现有的卷绕方法的(全部区域为螺旋卷绕)的Z轴磁场分量和不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)，编号2表示本实施例的倾斜磁场线圈12Z的Z轴磁场分量和不需要磁场(ZX磁场、或ZY磁场)。

另外，作为现有的卷绕方法，理论上也存在全部区域为路线变换卷绕的线圈，但间距密的区域中的操作性极差，根据情况，由于无法作为产品实现，所以从比较对象中除外。

在图11所示的本分析结果中，本实施例的倾斜磁场线圈12Z与现有例子相比，在ZX磁场中大致减半，在ZY磁场中，大致降低为0。

如以上说明的那样，根据本实施例的倾斜磁场线圈12Z、磁共振成像装置1、以及倾斜磁场线圈的制造方法，能够在确保导体卷绕的操作容易性的同时，抑制不需要磁场分量的产生。

另外，本发明并不只限于上述实施例，在实施阶段，在不脱离宗旨的范围内可以对构成要素进行变形而具体化。另外，通过适当地组合上述实施例所揭示的多个构成要素，可以形成各种发明。例如，也可以从实施例所示的全部构成要素中删除若干个构成要素。进而，也可以适当地组合不同的实施例中的构成要素。

Claims

1.一种倾斜磁场线圈，其特征在于包括：

圆筒状的线圈架；

将导体以多匝卷绕在上述线圈架上而形成的绕组部分，其中

上述绕组部分包括：

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂直卷绕的第一绕组部分；

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状的第二绕组部分。

2.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述第一绕组部分被设置在按照比规定值疏的间隔卷绕上述导体的各匝的区域中，

上述第二绕组部分被设置在按照比上述规定值密的间隔卷绕上述导体的各匝的区域中。

3.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述倾斜磁场线圈是构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线圈和屏蔽线圈的至少一个。

4.根据权利要求2所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

在上述倾斜磁场线圈被用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线圈和屏蔽线圈的至少一个的情况下，

上述第一绕组部分被设置在漏磁比规定的值大的区域中，

上述第二绕组部分被设置在漏磁比上述规定的值小的区域中。

6.根据权利要求2所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述第一绕组部分被设置在漏磁比规定的值大的区域中，

7.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述第一绕组部分被设置在上述线圈架的中央部分，

上述第二绕组部分与上述第一绕组部分的两端连续地被设置在上述第一绕组部分的外侧，

按照相对于上述线圈架的轴方向的中心对称的卷绕形状，卷绕上述第一绕组部分和上述第二绕组部分的绕组。

8.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

在将上述倾斜磁场线圈用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线圈和屏蔽线圈的双方的情况下，

对于上述第二绕组部分的上述线圈架的轴方向的长度，上述屏蔽线圈比上述主线圈长。

9.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

对于上述第二绕组部分的各绕组的间距，上述屏蔽线圈比上述主线圈宽。

10.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述屏蔽线圈的上述第一绕组部分的各绕组的匝数与上述主线圈的上述第一绕组部分的各绕组的匝数相互对应地是相同数目，

上述屏蔽线圈的上述第一绕组部分的各绕组的位置与对应的上述主线圈的上述第一绕组部分的各绕组的位置相比，相对于上述线圈架的中心被设置在外侧。

11.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈，其特征在于：

上述第一绕组部分的上述线圈架的轴方向的长度是上述导体以多匝卷绕在上述线圈架上而形成的绕组部分的上述线圈架的轴方向的长度的大致40％的长度。

12.一种磁共振成像装置，其特征在于具备：

向被检体施加静磁场的静磁场线圈；

在与上述静磁场的方向相同的方向上形成倾斜磁场，向上述被检体施加上述倾斜磁场的倾斜磁场线圈；

接收从上述被检体放射的磁共振信号的高频线圈；

对接收到的上述磁共振信号进行信号处理，生成上述被检体内部的图像的信号图像处理部件，其中

上述倾斜磁场线圈包括：

圆筒状的线圈架；

将导体以多匝卷绕在上述线圈架上而形成的绕组部分，

上述绕组部分包括：

13.根据权利要求12所述的磁共振成像装置，其特征在于：

14.根据权利要求12所述的磁共振成像装置，其特征在于：

15.根据权利要求13所述的磁共振成像装置，其特征在于：

16.根据权利要求12所述的磁共振成像装置，其特征在于：

上述第一绕组部分被设置在漏磁比规定的值大的区域中，

17.根据权利要求12所述的磁共振成像装置，其特征在于：

上述第一绕组部分被设置在上述线圈架的中央部分，

18.根据权利要求17所述的磁共振成像装置，其特征在于：

19.根据权利要求17所述的磁共振成像装置，其特征在于：

20.一种倾斜磁场线圈的制造方法，是将导体卷绕在圆筒状的线圈架上多匝而形成绕组部分的倾斜磁场线圈的制造方法，其特征在于包括以下的步骤：

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂直卷绕而形成第一绕组部分；

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾斜地卷绕为螺旋状而形成第二绕组部分。