CN104733413A - 一种mosfet封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种MOSFET封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括封装于包封体内的芯片，所述包封体的上表面和芯片的正面覆盖图案化的绝缘层，所述正面再布线金属层Ⅱ通过绝缘层开口分别与源极和栅极连接，所述正面再布线金属层Ⅰ位于芯片的正面的垂直区域之外，所述正面再布线金属层Ⅰ和正面再布线金属层Ⅱ的上表面的一部分分别形成焊盘，所述保护层露出焊盘；所述金属连接物Ⅰ与正面再布线金属层Ⅰ设置于芯片的同侧，所述金属连接物Ⅱ设置于芯片的下方，所述背面再布线金属层连接金属连接物Ⅰ和金属连接物Ⅱ。本发明提供了一种结构简单、封装尺寸小、双面可以散热且能承载大电流的MOSFET封装结构，以降低生产成本。

Description

一种MOSFET封装结构
技术领域
本发明涉及一种MOSFET封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术
随着电子工业的不断发展，印刷电路板（PCB）上集成的器件越来越多，因此单个器件的小型化已经成为器件封装工艺发展的必然趋势。
其中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管。由于MOSFET 具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来受到越来越多的关注。MOSFET 芯片的源极（Source）和栅极（Gate）位于芯片的正面，其漏极(Drain) 通常设置在芯片的背面。
MOSFET的封装要求是大电流的承载能力、高效的导热能力以及较小的封装尺寸。通常的封装方法是将漏极与引线框或基板直接连接，源极和栅极通过打线（粗的金属引线或宽的铝帯）与引线框或基板间接连接，但此种封装形式的MOSFET封装结构往往较大，且只能实现单面的散热，因散热满足不了需求而往往导致电流承载能力的下降。当然也有少数产品采用夹持（Clip）封装结构进行封装，可以实现双面散热，但其封装良率偏低，生产成本偏高。因此，产业在不断寻找新的封装结构技术，以期满足较小的封装结构、较高的导热与导电性能。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种结构简单、封装尺寸小、双面可以散热且能承载大电流的MOSFET封装结构，以降低生产成本。
本发明是这样实现的：
本发明一种MOSFET封装结构，其包括芯片，所述芯片的正面设有源极和栅极，背面设有漏极，
所述芯片封装于包封体内，且露出该芯片的正面，所述包封体的上表面和芯片的正面覆盖图案化的绝缘层，且于所述源极和栅极处开设绝缘层开口，
所述绝缘层的上表面选择性地设置正面再布线金属层Ⅰ和正面再布线金属层Ⅱ，所述正面再布线金属层Ⅱ通过绝缘层开口分别与源极和栅极连接，所述正面再布线金属层Ⅰ位于芯片的正面的垂直区域之外，所述正面再布线金属层Ⅰ和正面再布线金属层Ⅱ的上表面的一部分分别形成焊盘，另一部分分别形成连接部分焊盘的金属连线，所述正面再布线金属层Ⅰ和正面再布线金属层Ⅱ的表面覆盖保护层，所述保护层露出焊盘；
所述包封体还包封与芯片垂直的金属连接物Ⅰ和金属连接物Ⅱ，所述金属连接物Ⅰ与正面再布线金属层Ⅰ设置于芯片的同侧，其顶部直达正面再布线金属层Ⅰ的下表面，所述金属连接物Ⅱ设置于芯片的正下方，其顶部直达芯片的背面，所述包封体的下表面设置背面再布线金属层，所述背面再布线金属层连接金属连接物Ⅰ和金属连接物Ⅱ。
所述芯片的个数为一个或一个以上。
所述包封体于芯片下方的厚度为h，h的取值范围为10～500微米。
所述包封体于芯片下方的厚度为h，h的取值范围为30～100微米。
所述焊盘处设置连接件。
所述连接件为焊球、焊块或金属微凸块。
所述焊盘处设置顶部金属层。
所述金属连接物Ⅰ和金属连接物Ⅱ为柱状金属物。
所述金属连接物Ⅰ和金属连接物Ⅱ为再布线金属层，且与背面再布线金属层为一体结构。
本发明的有益效果是：
本发明通过采用圆片级芯片尺寸封装工艺成形的高密度再布线金属层将芯片漏极引到正面，封装成芯片漏极与源极和栅极在同一平面的MOSFET封装结构，从而使封装结构简单，缩小了封装尺寸小，分布于芯片正面和背面的高密度再布线金属层，同时实现了双面散热，增大了承载大电流的能力，提高了封装良率，降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明一种MOSFET封装结构的实施例一的剖面示意图；
图2为图1的焊盘与芯片的源极、栅极的位置关系的示意图；
图3为图1的通孔Ⅰ431、通孔Ⅱ451与芯片的源极、栅极的位置关系的示意图；
图4为图3的变形；
图5为图1的变形；
图6为图1的变形；
图7为本发明一种MOSFET封装结构的实施例二的剖面示意图；
图8为图2的变形；
图中：
芯片1
芯片本体10
源极121
源极122
源极123
栅极14
漏极16
焊盘21
金属连接线26
绝缘层3
包封体4
通孔Ⅰ431
通孔Ⅱ451
金属连接物5
保护层5
正面再布线金属层Ⅱ6
焊盘611、631、651、612、632、652
连接件71
顶部金属层72
背面再布线金属层8
背面保护层8。
具体实施方式
MOSFET的性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能，散热性能的好坏又主要取决于封装形式。现在将在下文中参照附图更加充分地描述本发明的MOSFET封装结构，在附图中示出了本发明的示例性实施例，从而本公开将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。然而，本发明可以以许多不同的形式实现，并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例。
实施例一，参见图1至图6
图1本发明一种MOSFET封装结构的剖面示意图。由图1可以看出，本发明的MOSFET封装结构的芯片1为功率MOSFET芯片，其硅基材料的芯片本体10的正面设置源极和栅极14，图中源极以源极121、源极122、源极123示意，栅极14较小，其芯片本体10的背面设置金属层作为漏极16。包封材料包封芯片1，包封材料的材质目前以环氧树脂、酚醛树脂、有机硅树脂和不饱和聚酯树脂最为常用，并在其中添加氧化硅、氧化铝等填充料，以改善包封料的强度、电性能、粘度等性能，并提升封装结构的热机械可靠性。包封材料包封、固化完成后，呈固状的包封体4，可以起到防水、防潮、防震、防尘、散热、绝缘等作用。芯片1的正面露出包封体4的上表面，且包封体4的上表面和芯片1的正面均覆盖氧化硅、氮化硅或树脂类介电材质的图案化的绝缘层3，该绝缘层3开设的绝缘层开口31露出源极121、源极122、源极123和栅极14的上表面，如图1所示。绝缘层3的表面选择性地设置采用圆片级芯片尺寸封装工艺成形的正面再布线金属层Ⅰ2和正面再布线金属层Ⅱ6，其中，正面再布线金属层Ⅱ6通过绝缘层开口31与源极121、源极122、源极123和栅极14连接，正面再布线金属层Ⅰ2选择性地分布于正面再布线金属层Ⅱ6的一侧，且位于芯片1的正面的垂直区域之外。
正面再布线金属层Ⅱ6的上表面的一部分作为焊盘611、631、651、612、632、652，如图2所示，其中焊盘611、612对应源极121，焊盘631、632对应源极122，焊盘651对应源极123，焊盘652对应栅极14，以备后续通过焊球、焊块或微金属凸块与PCB板或基板连接。
正面再布线金属层Ⅰ2的上表面的一部分作为焊盘21，如图2所示，以焊盘211、212、213示意，通过焊球、焊块或微金属凸块与PCB板或基板连接，其另一部分作为金属连接线26，将焊盘213与焊盘211、焊盘212连接。正面再布线金属层Ⅰ2和正面再布线金属层Ⅱ6的表面覆盖保护层5，并形成保护层开口图案露出焊盘611、631、651、612、632、652和焊盘211、212，焊盘213被正面保护层5覆盖。一般地，焊盘611、631、651、612、632、652和焊盘21呈阵列状排列，其露出的横截面形状根据实际需要确定，一般为矩形，且越大越好，一方面便于连接，另一方面，也是封装结构的散热通道之一。
将包封体4开设由下而上的通孔Ⅰ431，通孔Ⅰ431与正面再布线金属层Ⅰ2位于芯片1的同侧，且与芯片1垂直，如图1所示，通孔Ⅰ431的顶部直达正面再布线金属层Ⅰ2的下表面，如图2所示，示意了三个通孔Ⅰ431，其顶部直达焊盘211、212、213的下表面。
同时，将包封体4开设由下而上的通孔Ⅱ451，通孔Ⅱ451位于芯片1的背面，且与芯片1垂直，如图1所示，通孔Ⅱ451的顶部直达芯片1的下表面，如图3所示，示意了四列通孔Ⅱ451，每列又有6个通孔Ⅱ451。通孔Ⅰ431和通孔Ⅱ451采用激光开孔工艺成形。
包封体4的背面和通孔Ⅰ431、通孔Ⅱ451内均设置采用圆片级芯片尺寸封装工艺成形的背面再布线金属层8，背面再布线金属层8一般采用导电性能良好的铜Cu、铁Fe、镍Ni等金属制作。其具体层数可按照产品要求设置为一层或多层，通常的，背面再布线金属层8为高密度布线层，即线宽/线距在5um以下，以提高电学的可靠性。背面再布线金属层8通过通孔Ⅱ451与漏极16连接，再通过通孔Ⅰ431与正面再布线金属层Ⅰ2连接，从而将漏极16引到芯片1的正面，与源极和栅极14形成同侧分布，可以与源极和栅极14同时与PCB板或基板连接，实现了以简单的封装结构简化了其复杂的贴装工艺。另外，使整个封装结构设置更多个通孔Ⅰ431可以增大背面再布线金属层8的延展面积，增多散热渠道，提高散热性能，以提高MOSFET 的电流承载能力。
同样地，通孔Ⅱ451的个数也可以进一步增多，如图4所示，示意了六列通孔Ⅱ451，每列又有6个通孔Ⅱ451，同样可以增大背面再布线金属层8的延展面积，提高散热性能。
此外，焊盘61、63、65和焊盘21处还可以设置连接件71，如焊球、焊块或金属微凸块，以方便其与PCB板或基板连接，如图5所示。或者在焊盘61、63、65和焊盘21处分别设置独立的顶部金属层72，其材质为锡、铜、铁、镍等金属或它们的合金，如图6所示，以改变焊盘61、63、65和焊盘21的位置、大小等，方便与特殊基板连接。
实施例二，参见图7
实施例二与实施例一的封装结构类似。图7为本发明一种MOSFET封装结构的剖面示意图。由图7可以看出，通孔Ⅰ431、通孔Ⅱ451内的结构也可以是实心金属柱43、45，实心金属柱43生长或固定于正面再布线金属层Ⅰ2的下表面，实心金属柱45生长或固定于芯片1的背面，实心金属柱43和实心金属柱45在包封材料形成包封体4时与芯片1一同封装固定。实心金属柱43和实心金属柱45的下表面露出包封体4，设置于包封体4下表面的背面再布线金属层8将实心金属柱43和实心金属柱45连接起来，同样可以实现将芯片1的漏极16引到芯片1的正面，与源极和栅极14形成同侧分布，可以与源极和栅极14同时与PCB板或基板连接，实现了以简单的封装结构简化了其复杂的贴装工艺。
上述实施例的封装结构均可采用圆片级芯片尺寸封装（Wafer Level Chip Scale Packaging）工艺成形，基于整个晶圆进行的批量封装，不仅提升了MOSFET 性能、缩小封装尺寸，而且提高了生产效率、降低封装成本。
本发明一种MOSFET封装结构不限于上述优选实施例，其通孔Ⅰ431和正面再布线金属层Ⅰ2也可以同时设置于芯片1的两侧，如图8所示，或者通孔Ⅰ431和正面再布线金属层Ⅰ2同时设置于芯片1的四周，以满足实际设计需要，同时增大背面再布线金属层8的延展面积，增多散热渠道，提高散热性能，以提高MOSFET 的电流承载能力。另外，上述实施例中的芯片1的个数可以是一个，也可以是一个以上，根据实际需要确定，正面再布线金属层Ⅱ6的金属连接线可以通过关联焊盘将多个芯片连接起来。
因此，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化及修饰，均落入本发明权利要求所界定的保护范围内。

Claims (9)

1.一种MOSFET封装结构，其包括芯片（1），所述芯片（1）的正面设有源极和栅极，背面设有漏极，
其特征在于：所述芯片（1）封装于包封体（4）内，且露出该芯片（1）的正面，所述包封体（4）的上表面和芯片（1）的正面覆盖图案化的绝缘层（3），且于所述源极和栅极处开设绝缘层开口（31），
所述绝缘层（3）的上表面选择性地设置正面再布线金属层Ⅰ（2）和正面再布线金属层Ⅱ（6），所述正面再布线金属层Ⅱ（6）通过绝缘层开口（31）分别与源极和栅极连接，所述正面再布线金属层Ⅰ（2）位于芯片（1）的正面的垂直区域之外，所述正面再布线金属层Ⅰ（2）和正面再布线金属层Ⅱ（6）的上表面的一部分分别形成焊盘，另一部分分别形成连接部分焊盘的金属连线，所述正面再布线金属层Ⅰ（2）和正面再布线金属层Ⅱ（6）的表面覆盖保护层（5），所述保护层（5）露出焊盘；
所述包封体（4）还包封与芯片（1）垂直的金属连接物Ⅰ（43）和金属连接物Ⅱ（45），所述金属连接物Ⅰ（43）与正面再布线金属层Ⅰ（2）设置于芯片（1）的同侧，其顶部直达正面再布线金属层Ⅰ（2）的下表面，所述金属连接物Ⅱ（45）设置于芯片（1）的正下方，其顶部直达芯片（1）的背面，所述包封体（4）的下表面设置背面再布线金属层（8），所述背面再布线金属层（8）连接金属连接物Ⅰ（43）和金属连接物Ⅱ（45）。
2.根据权利要求1所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述芯片（1）的个数为一个或一个以上。
3.根据权利要求1的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述包封体（4）于芯片（1）下方的厚度为h，h的取值范围为10～500微米。
4.根据权利要求3的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述包封体（4）于芯片（1）下方的厚度为h，h的取值范围为30～100微米。
5.根据权利要求1所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述焊盘处设置连接件（71）。
6.根据权利要求5所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述连接件（71）为焊球、焊块或金属微凸块。
7.根据权利要求1所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述焊盘处设置顶部金属层（72）。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述金属连接物Ⅰ（43）和金属连接物Ⅱ（45）为柱状金属物。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的一种MOSFET封装结构，其特征在于：所述金属连接物Ⅰ（43）和金属连接物Ⅱ（45）为再布线金属层，且与背面再布线金属层（8）为一体结构。
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