CN104698704B - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，应对在用于连接像素电极与源电极的贯通孔的直径变小时取向膜材料变得难以流入到贯通孔内的现象。TFT衬底(100)具有如下结构的像素：有机钝化膜(104)上形成有公共电极(105)，在其上形成有层间绝缘膜(106)，在其上形成有具有狭缝的像素电极(107)，经由贯通孔(109)将TFT的源电极(102)与像素电极导通，在TFT衬底中，贯通孔的深度为D/2的位置的锥角为50度以上，像素电极将贯通孔的侧壁的一部分覆盖，贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。因此，取向膜材料(108)容易流入到贯通孔内，从而消除贯通孔附近的取向膜的膜厚不均。

Description

液晶显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，尤其是涉及即使是高精细画面中透过率的减少较小，且像素缺陷较少的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置中，配置有TFT衬底和对置衬底，在TFT衬底与对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素形成为矩阵状，所述对置衬底与所述TFT衬底相对，在与TFT衬底的像素电极对应的位置上形成有彩色滤光片等。然后按每个像素控制基于液晶分子的光的透过率，从而形成图像。
由于液晶显示装置为平板式(flat)且轻量，所以在各式各样的领域中用途广泛。在移动电话或智能手机、DSC(Digital Still Camera:数码照相机)等便携信息终端中，小型液晶显示装置被广泛使用。在液晶显示装置中视场角特性成为问题。视场角特性是在从正面观察画面的情况和从斜方向观察的情况下，亮度发生变化或色度发生变化的现象。使液晶分子通过水平方向的电场而发生动作的IPS(In Plane Switching:共面转换)方式具有良好的视场角特性。
IPS方式也存在各种各样，例如，以整个平面形成公共电极，在其上夹着绝缘膜地配置梳齿状的像素电极，由于通过在像素电极和公共电极之间产生的电场使液晶分子旋转的方式能够增大透过率，所以成为现在的主流。公共电极与层间绝缘膜形成于兼作为平坦化膜的有机钝化膜上。
另一方面，在液晶显示装置中，作为高精细画面，如果像素的尺寸减小，则连接像素电极和TFT的源电极的贯通孔的直径所占的比例变大。
在上述那样的IPS方式的液晶显示装置中，如果贯通孔的直径在像素中所占的比例变大，则有机钝化膜与形成于其上的层间绝缘膜的粘合强度变弱，会产生层间绝缘膜剥离的问题。在专利文献1中，记载了如下结构：不在贯通孔内形成层间绝缘膜，仅在有机钝化膜上形成层间绝缘膜，从而减少相对于层间绝缘膜的应力，防止层间绝缘膜的剥离。
随着成为高精细画面，像素变小，当想要贯通孔的直径也缩小时，必须增大贯通孔的壁部的锥角(以下有时也称为贯通孔的锥角)。另一方面，虽然为了使液晶初始取向而使用了取向膜，但该取向膜材料是最初通过柔性版印刷或者喷墨等涂敷液体状态的材料。
当贯通孔的锥角增大时，在涂敷了取向膜材料的情况下，由于表面张力，会产生取向膜材料不进入到贯通孔内的现象。如果是这样，会产生由贯通孔内不存在取向膜所导致的、或者由在贯通孔周边的取向膜的膜厚不均所导致的亮度不均等显示缺陷。“专利文献2”记载了使贯通孔的上边缘的周边高度变化，从而取向膜容易流入到贯通孔内的结构。
当像素的大小变小时，像素中像素电极所占的比例相对变小，像素的透过率变小。在使液晶初始取向的取向膜的光取向中，由于贯通孔的内壁部也能够进行取向处理，所以贯通孔内壁也能够作为显示区域而使用。专利文献3中记载了利用光取向，贯通孔内也利用于显示，从而提高像素的透过率的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-59314号公报
专利文献2：日本特开2007-322563号公报
专利文献3：日本特开2013-140386号公报
发明内容
最近，即使在小型液晶显示装置中，也要求VGA(Video GraphicsArray:视频图形阵列，640×480点(dot))那样的高精细画面。在此，由于点是指红色像素、绿色像素、蓝色像素三个像素成组设置的部位，所以用像素数表示是1920×480。若要能够在3英寸的画面中实现VGA，则像素的短径为32μm那样的非常小的值。进而，也开发了像素的短径低于30μm的高精细的显示装置。
即使像素变小，为了维持规定的透过率，在较小的面积上配置TFT、贯通孔等，需要尽可能增大像素电极面积所占的比例。如果想要减小贯通孔所占的面积，则贯通孔的锥角变大，取向膜材料难以流入到贯通孔内，会产生亮度不均等的显示缺陷。
像专利文献2中记载的结构那样，如果在贯通孔的上部周围预先设置层差，则成为不能使用所谓有机钝化膜。由于有机钝化膜形成得较厚为2μm至4μm，所以表面变得平坦，变得难以在贯通孔的周围形成层差。
另一方面，根据液晶显示装置的种类，由于想要固定液晶层的层厚等的要求，所以有必要使用有机钝化膜。另外，由于有机钝化膜的膜厚形成得较厚为2μm至4μm，所以当在有机钝化膜中形成贯通孔时，贯通孔所占面积变大的问题变得更严重。
图14是表示在IPS方式的液晶显示装置中的上述问题点的立体图，图15是图14的I-I剖视图。在图14中，在内侧具有狭缝1071的像素电极107经由贯通孔与源电极102连接。在像素电极107之下存在未图示的层间绝缘膜，在其下存在未图示的公共电极。
图15是贯通孔109及其附近的剖视图。在图15中，在TFT衬底100之上形成有栅极绝缘膜101，在栅极绝缘膜101之上形成有来自TFT的源电极102。在源电极102及栅极绝缘膜101之上形成有无机钝化膜103，在无机钝化膜103之上形成有有机钝化膜104。在有机钝化膜104之上形成有公共电极105。进而形成有将公共电极105覆盖的层间绝缘膜106，在层间绝缘膜106之上形成有具有狭缝的像素电极107。也可以是在有机钝化膜之下未设置无机钝化膜的构造。
在图15中，与TFT衬底100相对配置有对置衬底200，液晶层300被夹持在TFT衬底100与对置衬底200之间。在对置衬底200中，在与贯通孔109对应的部分形成有黑矩阵202，在与像素电极107对应的部分形成有彩色滤光片201。形成有覆盖黑矩阵202及彩色滤光片201的保护膜203，在保护膜203之上形成有取向膜108。
在TFT衬底100侧，像素电极107经由形成于无机钝化膜103、有机钝化膜104及层间绝缘膜106上的贯通孔109与源电极102连接。当画面成为高精细，像素的面积变小时，为了确保像素的透过率，有必要增大贯通孔109的内壁的锥角，从而减小贯通孔所占的面积。
但是，如图15所示那样，如果贯通孔109的锥角较大，则最初为液体的取向膜材料108变得难以从贯通孔109的上底1091流入到贯通孔109的内部。如果是这样，则会产生在贯通孔109的内部不形成取向膜的问题。而且，在贯通孔109的周边也会产生取向膜108的厚度变大，取向膜108的膜厚不均的问题。如果是这样，则会产生由在贯通孔109内不存在取向膜所导致的，或者由在贯通孔周边的取向膜的膜厚不均所导致的亮度不均等的显示缺陷。
像这样认为取向膜不流入到贯通孔109内的理由如下。图16是表示作为液体的取向膜材料108的接触角。图16的(a)是取向膜材料108滴到以ITO形成的平面状的像素电极107上的情况，在这种情况下的接触角为θ。图16的(b)是在具有锥角α的贯通孔108的上底附近存在作为液体的取向膜材料108的情况下的接触角。
在图16的(b)中，在贯通孔109的上底附近的接触角为β，与θ相比较大。即可以说，取向膜材料108在贯通孔109的上底上，与在平面的像素上相比，难以湿润扩展(wetspreading)。在此，当将贯通孔109的锥角设为α，将在贯通孔上底的取向膜材料108的接触角设为β，将图16的(a)中的平面的像素电极107上的取向膜材料108的接触角设为θ时，
成为θ≦β≦α+θ的关系。
由此，取向膜材料108不进入到贯通孔的内部，如图17的箭头所示那样，在贯通孔周边的以ITO形成的像素电极107上漫延。即，如图15所示那样，在贯通孔109的周边，取向膜材料形成得较厚。
本发明的课题是，实现一种液晶显示装置，在TFT衬底上使用了有机钝化膜的液晶显示装置中，在作为高精细画面，减小了像素的面积的情况下限定贯通孔所占的面积的情况下，取向膜材料也容易进入到贯通孔内。
用于解决课题的装置
本发明是克服上述问题的液晶显示装置，具体装置如下。
(1)一种液晶显示装置，具有TFT衬底和对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述对置衬底在与所述像素对应的部分具有彩色滤光片，在所述彩色滤光片与所述彩色滤光片之间形成有黑矩阵，所述液晶显示装置的特征在于，形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，所述像素电极将所述贯通孔的侧壁的一部分覆盖，所述贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。
(2)一种液晶显示装置，具有TFT衬底和对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述对置衬底在与所述像素对应的部分具有彩色滤光片，在所述彩色滤光片与所述彩色滤光片之间形成有黑矩阵，所述液晶显示装置的特征在于，形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，所述像素电极的所述狭缝从所述贯通孔的上表面延伸1μm以上，或者从所述贯通孔的上表面延伸到D/4以上的深度。
发明效果
根据本发明，是作为高精细画面，缩小像素的面积，在TFT衬底上使用有机钝化膜的液晶显示装置，即使缩小贯通孔直径也能够将液晶取向膜材料稳定地形成于贯通孔内。由此，能够防止由在贯通孔内不存在取向膜所导致的、或者由在贯通孔周边的取向膜的膜厚不均所导致的亮度不均等的显示缺陷。
附图说明
图1是本发明所适用的液晶显示装置的像素的俯视图。
图2是实施例1的像素电极和贯通孔的立体图。
图3是图2的A-A剖视图。
图4是贯通孔的锥角的定义。
图5是贯通孔的平面形状的例子。
图6是实施例2的像素电极与贯通孔的立体图。
图7是图6的E-E剖视图。
图8是实施例2的其他形态的像素电极和贯通孔的立体图。
图9是图8的F-F剖视图。
图10是实施例3的公共电极和贯通孔的立体图。
图11是图10的G-G剖视图。
图12是实施例4的其他形态的公共电极和贯通孔的立体图。
图13是图12的H-H剖视图。
图14是以往例的像素电极和贯通孔的立体图。
图15是图14的I-I剖视图。
图16是接触角的定义。
图17是表示以往例中的取向膜材料的移动方向的立体图。
附图标记说明
10：扫描线，11：栅电极，20：影像信号线，21：漏电极，30：半导体层，100：TFT衬底，101：栅极绝缘膜，102：源电极，103：无机钝化膜，104：有机钝化膜，105：公共电极，106：层间绝缘膜，107：像素电极，108：取向膜，取向膜材料，109：贯通孔，200：对置衬底，201：彩色滤光片，202：黑矩阵，203：保护膜，300：液晶层，1051：公共电极的狭缝，1071：像素电极的狭缝，1091：贯通孔上底，1092：贯通孔下底
具体实施方式
以下使用实施例详细地说明本发明的内容。
实施例1
图1是本发明所适用的液晶显示装置的TFT衬底中的像素俯视图。图1是IPS方式的液晶显示装置的例子。在图1中，扫描线10在横方向上延伸，以规定的间距PY在纵方向上排列。另外，影像信号线20在纵方向上延伸，以规定的间距PX在横方向上排列。由扫描线10与影像信号线20所包围的区域为像素。
在图1中，栅电极11从扫描线10分支，在栅电极11之上形成有半导体层30。从影像信号线20分支的漏电极21形成在半导体层30之上。另一方面，源电极102形成在半导体层30之上，源电极102在像素电极107方向上延伸，在与像素电极106重叠(overlap)的部分，且在贯通孔109的下侧，宽度扩大。源电极102兼作为防止贯通孔109中的漏光的遮光膜。
在图1中，具有狭缝1071的像素电极107形成为长方形。在像素电极107之下形成有层间绝缘膜，在层间绝缘膜之下形成有平面状的公共电极。来自像素电极107的电力线通过狭缝1071部分朝向公共电极而形成。
在图1中，像素电极107通过贯通孔109与源电极102连接。由于贯通孔109形成在膜厚较大的有机钝化膜上，具有锥形且具有直径较大的上底1091和直径较小的下底1092。在本实施方式中，源电极102形成得比贯通孔109稍大，同时起到相对于贯通孔109的遮光膜的作用。源电极也可以是与贯通孔109的形状相配合的圆形状。另外，为了得到透过率，也可以是贯通孔的上底或者下底的一部分超出源电极的构造。
图2是表示实施例1的像素电极107和贯通孔109的关系的立体图。在图2中，具有狭缝1071的像素电极107将贯通孔109覆盖，与源电极102导通。但是，在本实施例中，像素电极107不将贯通孔109的内壁整体覆盖，在像素电极107的外侧方向上，不将贯通孔内壁及上底附近覆盖。
在图2那样的结构中，当涂敷作为液体的取向膜材料时，取向膜材料从构成像素电极107的ITO漫延到构成层间绝缘膜106的SiN上。于是，变成将约50nm左右的ITO膜的层差的边界部分作为起点，取向膜材料流入到贯通孔109内。进而，与ITO膜上相比，取向膜材料108在SiN膜上更容易湿润扩展，所以取向膜材料108能够从由SiN构成的层间绝缘膜106流入到贯通孔109内。
其结果是，如图3所示那样，取向膜108流入到贯通孔109内，即使在贯通孔109周边，也能够均匀地形成取向膜108的膜厚。图3是与图2的A-A截面对应的液晶显示装置的剖视图。在图3中，TFT衬底100的结构及对置衬底200的结构由于在图15中已经说明，所以省略说明。
图3与图15的较大的不同点是在贯通孔109整体中未形成像素电极107这一点。像素电极107形成于图3的贯通孔109的左侧周边及内壁上，但未形成于图3的贯通孔109的右侧周边及内壁上。即，图3中的取向膜材料108从图3的贯通孔109右侧流入到贯通孔内。通过设为这样的结构，即使贯通孔109的锥角变大，也能够使取向膜材料108稳定地流入到贯通孔109内。
然而在以往结构中，当贯通孔109的锥角为50度左右时，会产生在某一频率下取向膜材料108到贯通孔109内的现象。另外，当贯通孔109的锥角为60度以上时，取向膜材料108基本上不流入到贯通孔109内。由此，在画面的广泛范围内产生显示不均。
然而，如图3所示那样，由于有机钝化膜104具有作为平坦化膜的作用，所以形成得较厚为2至4μm左右。即，由于有机钝化膜104与其他膜相比非常厚，所以可以认为贯通孔109的形状是由有机钝化膜104的贯通孔形状来决定的。即，贯通孔109的内壁的锥角可以认为是有机钝化膜104的贯通孔的锥角。
图4是定义贯通孔109的锥角的剖视图。在这种情况下的贯通孔109是形成于有机钝化膜104上的贯通孔109。如图4所示那样，贯通孔109的锥角α是指在将有机钝化膜104的贯通孔109的深度设为D的情况下，贯通孔109的D/2深度的壁的切线与连结该深度处的有机钝化膜104的上表面的连接线所形成的角。
贯通孔109的截面根据贯通孔109的平面形状，或者根据为贯通孔109的哪个部分的截面而不同。图5是各种各样情况下的贯通孔109的平面形状中的截面的定义。图5的(a)是贯通孔109的平面形状为圆的情况，在这种情况下，穿过圆的中心的B-B截面相当于图4。图5的(b)是贯通孔109的平面形状为正方形的情况，在这种情况下，正方形的轴上的剖面C-C截面相当于图4。图5的(c)是贯通孔109的上底的平面形状为长方形的情况，在这种情况下，贯通孔109的短轴上的剖面D-D截面相当于图4。即，在贯通孔109的上底的俯视图具有长轴和短轴的情况下，在短轴截面中，根据如图4所示的锥角α来对锥角进行定义。
在现有构造中，当图4中的α为50度左右时，会产生在某一频率下取向膜108不流入到贯通孔109内的现象，在α为60度以上时，取向膜材料108基本上不流入到贯通孔109内。但是，根据本实施例，即使锥角α为50度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。进而，根据本实施例，即使锥角α为60度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。由此，根据本实施例，能够消除由取向膜的膜厚不良导致的显示不均。
实施例2
图6是表示本发明的第二实施例的像素电极107与贯通孔109的关系的立体图。在图6中，形成于像素电极107上的狭缝1071延伸到贯通孔109内。在狭缝部1071中，表面不是由ITO，而是由构成层间绝缘膜106的SiN形成。由此，作为液体的取向膜材料108能够在像素电极107内的狭缝1071中，将ITO膜的层差边界作为起点流入到贯通孔109内。另外，在狭缝1071内，由于表面是由SiN膜构成的，由于取向膜材料108与ITO的情况相比容易湿润扩展，所以从这一点来看，取向膜材料108也容易流入到贯通孔109内。
图7是与图6的E-E截面对应的液晶显示装置的剖视图。图7除了像素电极107的结构以外，与实施例1的图3是相同的。在图7中，像素电极107从贯通孔109的右侧延伸到贯通孔109内，并与源电极102连接。另一方面，在图7中的贯通孔109的左侧，由于成为了狭缝1071，所以像素电极107不存在，贯通孔109的内壁及上底周边的表面由构成层间绝缘膜106的SiN形成。由此，取向膜材料108从与狭缝1071对应的贯通孔109的左侧流入到贯通孔109内。
图8是本实施例的其他形态。在图8中，像素电极107的狭缝1071不形成为直到贯通孔109的下底。图9是与图8的F-F截面对应的液晶显示装置的剖视图。在图9中，除像素电极107的结构以外，与图7是相同的。
图8中，贯通孔109的左侧的上底附近及从贯通孔109的上部到X的位置成为狭缝1071，不存在构成像素电极107的ITO。在图8中，不存在ITO的部分是在将贯通孔109的深度设为D的情况下从贯通孔109的上底到X为止的部分，在该部分之下存在构成像素电极107的ITO。
在此，X的值为D/4以上，或者1μm的某一个较小的值以上。即，如果构成层间绝缘膜106的SiN露出的部分不为如图9所示的X以上，则使取向膜材料108流入到贯通孔109内的效果较小。另外，图9中的贯通孔109的深度D是从层间绝缘膜108的上表面到贯通孔109内的像素电极107的上表面，虽然X是将层间绝缘膜106的上表面作为基准而设定，但这是由于对于有机钝化膜的厚度来说绝缘膜和ITO的膜厚较小，所以将图4所示的有机钝化膜104的贯通孔109中的深度设为D，将X的值换言之为距离有机钝化膜104上表面的值，也能够得到相同的效果。
这样，在本实施例中，也能够将取向膜材料108良好地流入到贯通孔109内。根据本实施例，即使锥角α为50度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。而且，根据本实施例，即使锥角α为60度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。由此，根据本实施例，能够消除由取向膜108的膜厚不良导致的显示不均。
实施例3
实施例3与实施例1相反，表示对如下结构的IPS适用本发明的情况，所述结构是在下侧配置整个平面的像素电极107，隔着层间绝缘膜106将具有狭缝1051的公共电极105设为上侧。
图10是表示本实施例的公共电极105和贯通孔109的关系的立体图。在图10中，具有狭缝1051的公共电极105不将贯通孔109的内壁整体覆盖，在公共电极105的外侧方向上不将贯通孔内壁及上底附近覆盖。
图11是与图10的G-G截面对应的液晶显示装置的剖视图。公共电极105形成于图11的贯通孔109的左侧周边及内壁上，不形成于贯通孔109的右侧的周边及内壁上。
在这样的结构中，当涂敷作为液体的取向膜材料时，表面的状态大致相同，与实施例1的情况相同地，取向膜材料从构成公共电极105的ITO漫延到构成层间绝缘膜106的SiN上，如图11所示那样，取向膜108流入到贯通孔109内，在贯通孔109周边也能够使取向膜108的膜厚均匀。
根据本实施例，即使锥角α为50度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。进而，根据本实施例，即使锥角α为60度以上，也能够使取向膜材料108稳定地流入到全部像素的贯通孔109内。由此，根据本实施例，能够消除由取向膜的膜厚不良导致的显示不均。
实施例4
实施例4与实施例2相反，是对如下结构的IPS适用本发明的情况，所述结构是与在下侧配置整个平面的像素电极107，隔着层间绝缘膜106将具有狭缝1051的公共电极105设为上侧。
图12是表示本实施例的公共电极105与贯通孔109的关系的立体图。在图12中，形成于公共电极105的狭缝1051延伸到贯通孔109内。在狭缝部1051中，如与实施例2相同那样，表面不是由ITO，而是由构成层间绝缘膜106的SiN形成。由此，作为液体的取向膜材料108在公共电极105内的狭缝1051中，能够以ITO膜的层差边界作为起点流入到贯通孔109内。
图13是与图12的H-H截面对应的液晶显示装置的剖视图。图13除了公共电极105的结构以外，与实施例3的图11是相同的。
在图13的贯通孔109的左侧中，由于成为狭缝1051，所以不存在公共电极105，贯通孔109的内壁及上底周边的表面由构成层间绝缘膜106的SiN形成。由此，取向膜材料108变得容易从与狭缝1051对应的贯通孔109的左侧流入到贯通孔109内。
此外如本实施例2的图8那样，最上层的狭缝1051不形成到贯通孔109下底的情况也是相同的，在将贯通孔109的深度设为D的情况下，从贯通孔109的左侧的上底附近及贯通孔109的上底到X的位置形成狭缝，在所述狭缝之下存在构成公共电极105的ITO。
在此，X的值为D/4以上，或者为1μm的某一个较小的值以上。例如，狭缝到达至贯通孔109的下底的情况下相当于X＝D。根据本实施例，即使锥角α为50度以上，取向膜材料108也能够流入到全部像素的贯通孔109内。由此，根据本实施例，能够消除由取向膜108的膜厚不良导致的显示不均。
另外，虽然将像素电极及公共电极设为ITO，除了ITO以外，也可以更改为IZO等透明导电膜。另外，实施例2至4中，使像素电极或者公共电极的狭缝延伸到贯通孔内。因此，由于在贯通孔部分中也能够使液晶驱动，所以也可以是使贯通孔内的狭缝部分的整体，或者一部分从源电极露出的构造。
此外，取向膜除了接受了基于摩擦(rubbing)处理的取向处理的取向膜以外，对于接受了基于偏振光紫外线的光取向处理的取向膜来说也能够适用本发明。
在以上的说明中，作为将彩色滤光片形成于对置衬底上的结构进行了说明，但本发明也可以是将彩色滤光片形成在TFT衬底侧上的结构。在这种情况下，可以代替有机钝化膜而使用彩色滤光片，也可以是使用有机钝化膜和彩色滤光片双方的结构。

Claims (12)

1.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述液晶显示装置的特征在于，
形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，
形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，
所述像素电极将所述贯通孔的侧壁的一部分覆盖，所述贯通孔的侧壁的其他部分不被像素电极覆盖。
2.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底和所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有像素电极，经由形成于所述有机钝化膜的贯通孔将TFT的源电极与像素电极导通，将所述像素电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的公共电极，所述液晶显示装置的特征在于，
形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，
形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，
所述公共电极将所述贯通孔侧壁的一部分覆盖，所述贯通孔的侧壁的其他部分不被公共电极覆盖。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
5.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底和所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有公共电极，将所述公共电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的像素电极，经由形成于所述有机钝化膜及所述层间绝缘膜的贯通孔将TFT的源电极和像素电极导通，所述液晶显示装置的特征在于，
形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，
形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，
所述像素电极的所述狭缝从所述贯通孔的上表面延伸1μm以上，或者从所述贯通孔的上表面延伸到D/4以上的深度。
6.一种液晶显示装置，具有TFT衬底和形成有黑矩阵的对置衬底，在所述TFT衬底和所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底具有如下结构的像素：在有机钝化膜之上形成有像素电极，经由形成于所述有机钝化膜的贯通孔将TFT的源电极与像素电极导通，将所述像素电极覆盖而形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜之上形成有具有狭缝的公共电极，所述液晶显示装置的特征在于，
形成于所述有机钝化膜的贯通孔的截面是如下形状时，即，接近所述对置衬底的一侧为上底、所述源电极一侧为下底、所述上底的直径大于所述下底的直径、且深度设为D时，
形成于所述有机钝化膜的所述贯通孔的所述深度为D/2处的锥角为50度以上，
所述像素电极的所述狭缝从所述贯通孔的上表面延伸1μm以上，或者从所述贯通孔的上表面延伸到D/4以上的深度。
7.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述狭缝延伸到所述贯通孔的下底。
8.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述狭缝延伸到所述贯通孔的下底。
9.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
10.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
11.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
12.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述贯通孔的所述锥角为60度以上。
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